一种像素单元及其制作方法、微显示屏、分立器件与流程

1.本技术涉及半导体装置技术领域，尤其涉及一种像素单元及其制作方法、微显示屏、分立器件。


背景技术：

2.微显示技术（micro-led）被普遍认为是下一代显示技术，不管是在可穿戴设备还是直显领域都具有极大的前景。micro-led芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与lcd或传统led相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
3.在micro-led领域，彩色化是一个非常大的挑战，目前主流的micro-led彩色化技术包括：三原色、色转换、棱镜合光等方案，其彩色化实现基本基于平面结构上三色，对于进一步压缩器件尺寸，进行超高密度的像素阵列显示存在挑战，特别是红色micro-led因为algainp四元体系特点，导致红光led尺寸进入到micro量级，特别是15um以下尺寸时外量子效率极低，造成micro-led彩色化性能受到挑战。
4.因此，我们需要寻找一种具有高像素密度、高外量子效率、全彩显示的micro-led芯片。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种像素单元及其制作方法、微显示屏、分立器件，其能实现micro-led芯片的全彩显示，且具有高像素密度、高外量子效率。
6.为实现上述申请目的，本技术第一方面提出一种像素单元，所述像素单元包括背板及显示单元，所述显示单元设于所述背板上；所述显示单元包括第一无机化合物半导体器件层、第二无机化合物半导体器件层、有机化合物半导体器件层、阴极电气连接结构及至少两个阳极电气连接结构；所述第一无机化合物半导体器件层、所述第二无机化合物半导体器件层沿远离所述背板的方向依次垂直堆叠；所述有机化合物半导体器件层与所述第一无机化合物半导体器件层相邻设置，和/或，所述有机化合物半导体器件层与所述第二无机化合物半导体器件层相邻设置；所述第一无机化合物半导体器件层、所述第二无机化合物半导体器件层及所述有机化合物半导体器件层分别与所述阴极电气连接结构连接，所述第一无机化合物半导体器件层、所述第二无机化合物半导体器件层分别与所述至少两个阳极电气连接结构中的相应阳极电气连接结构连接。
7.在一种较佳的实施方式中，所述显示单元还包括绝缘包裹层，所述绝缘包裹层包裹所述第一无机化合物半导体器件层、所述第二无机化合物半导体器件层、所述有机化合物半导体器件层、所述阴极电气连接结构及所述至少两个阳极电气连接结构。
8.在一种较佳的实施方式中，所述显示单元还包括黑色矩阵，所述有机化合物半导
体器件层位于所述黑色矩阵的一侧，所述第一无机化合物半导体器件层和/或所述第二无机化合物半导体器件层位于所述黑色矩阵远离所述有机化合物半导体器件层的另一侧。
9.在一种较佳的实施方式中，所述第一无机化合物半导体器件层包括依次堆叠的第一键合层、第一p型接触层、第一量子阱化合物半导体层及第一n型接触层，所述第一键合层位于所述第一无机化合物半导体器件层靠近所述背板的一侧；所述第二无机化合物半导体器件层包括依次堆叠的第二键合层、第二p型接触层、第二量子阱化合物半导体层及第二n型接触层，所述第二键合层位于所述第二无机化合物半导体器件层靠近所述第一无机化合物半导体器件层的一侧。
10.在一种较佳的实施方式中，所述阴极电气连接结构包括共阴极结构、与所述共阴极结构分别连接的第一连接结构、第二连接结构及第三连接结构；所述共阴极结构位于所述显示单元远离所述背板的一侧表面；所述第一连接结构与所述第一n型接触层连接，所述第二连接结构与所述第二n型接触层连接，所述第三连接结构与所述有机化合物半导体器件层远离所述背板的一侧表面连接。
11.在一种较佳的实施方式中，所述显示单元还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设于所述阴极电气连接结构表面。
12.在一种较佳的实施方式中，所述第一连接结构与所述第二连接结构连接。
13.在一种较佳的实施方式中，所述共阴极结构与外部阴极连接；或，所述背板包括基板及至少部分嵌设于所述基板中的驱动电路，所述驱动电路设有阴极，所述阴极电气连接结构还包括第四连接结构，所述第四连接结构的一端与所述共阴极结构连接，另一端与所述阴极连接；所述第四连接结构穿设于所述显示单元中，或，所述第四连接结构围设于所述显示单元周向。
14.在一种较佳的实施方式中，所述驱动电路还设有第一阳极、第二阳极及第三阳极；所述至少两个阳极电气连接结构包括第一阳极电气连接结构及第二阳极电气连接结构，所述第一阳极电气连接结构及所述第二阳极电气连接结构分别穿设于所述显示单元中；所述第一阳极电气连接结构一端与所述第一阳极连接，另一端与所述第一p型接触层连接；所述第二阳极电气连接结构一端与所述第二阳极连接，另一端与所述第二p型接触层连接；所述有机化合物半导体器件层朝向所述背板的一侧表面与所述第三阳极连接。
15.在一种较佳的实施方式中，所述背板包括基板、部分嵌设于所述基板中的第一阳极焊盘、第二阳极焊盘、第三阳极焊盘；所述第一阳极电气连接结构一端与所述第一阳极焊盘连接，另一端与所述第一p型接触层连接；所述第二阳极电气连接结构一端与所述第二阳极焊盘连接，另一端与所述第二p型接触层连接；所述有机化合物半导体器件层朝向所述背板的一侧表面与所述第三阳极焊盘连接。
16.在一种较佳的实施方式中，所述背板还包括阴极焊盘；所述阴极电气连接结构还包括第五连接结构，且所述第五连接结构的一端与所述共阴极结构连接，另一端与所述阴极焊盘连接；所述第五连接结构穿设于所述显示单元中；或，所述第五连接结构围设于所述显示单元周向。
17.在一种较佳的实施方式中，所述第一量子阱化合物半导体层采用绿光无机化合物半导体材料，所述第二量子阱化合物半导体层采用蓝光无机化合物半导体材料，所述有机化合物半导体器件层采用红光有机化合物半导体材料。
18.本技术第二方面提出一种如第一方面任意一项所述的像素单元的制作方法，所述制作方法包括：准备背板；制作显示单元，包括：将预先准备的第一目标无机化合物半导体材料晶圆与所述背板键合形成第一无机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构；将预先准备的第二目标无机化合物半导体材料晶圆与所述第一无机化合物半导体器件层远离所述背板的一侧面键合形成第二无机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构；在所述第一无机化合物半导体器件层和/或所述第一无机化合物半导体器件层侧向蒸镀目标有机化合物半导体材料以形成有机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构。
19.本技术第三方面提出一种微显示屏，所述微显示屏包括：微显示屏背板，所述微显示屏背板设有驱动电路；显示区域，所述显示区域设于所述微显示屏背板上，所述显示区域包括至少两个如第一方面中任意一项所述的像素单元所包括的显示单元，至少两个所述显示单元呈阵列式排布，任一所述显示单元与所述驱动电路电连接；外围共阴极，所述外围共阴极围设于所述显示区域周向，且所述外围共阴极与任一所述像素单元包括的阴极电气连接结构分别连接。
20.本技术第四方面提出一种分立器件，所述分立器件包括：分立器件背板，所述分立器件背板包括至少一个阴极焊盘及至少三个阳极焊盘；器件主体，所述器件主体设于所述分立器件背板上，且所述器件主体包括至少两个如第一方面中任意一项所述的像素单元所包括的显示单元，至少两个所述显示单元呈阵列式排布，任一所述显示单元与相应的所述阴极焊盘及所述阳极焊盘电连接。
21.与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：本技术提供一种像素单元及其制作方法、微显示屏、分立器件，所述像素单元包括背板及显示单元，显示单元设于背板上；显示单元包括第一无机化合物半导体器件层、第二无机化合物半导体器件层、有机化合物半导体器件层、阴极电气连接结构及至少两个阳极电气连接结构；第一无机化合物半导体器件层、第二无机化合物半导体器件层沿远离背板的方向依次垂直堆叠；有机化合物半导体器件层与第一无机化合物半导体器件层相邻设置，和/或，有机化合物半导体器件层与第二无机化合物半导体器件层相邻设置；第一无机
化合物半导体器件层、第二无机化合物半导体器件层及有机化合物半导体器件层分别与阴极电气连接结构连接，第一无机化合物半导体器件层、第二无机化合物半导体器件层及有机化合物半导体器件层分别与至少两个阳极电气连接结构中的相应阳极电气连接结构连接；其中，第一无机化合物半导体器件层包括第一无机化合物半导体层、第二无机化合物半导体器件层包括第二无机化合物半导体层，有机化合物半导体器件层包括有机化合物半导体器件层；本技术提供的像素单元通过在背板上依次垂直堆叠至少两层器件层的方式实现多色化显示以提高像素密度，在此基础上，针对因尺寸减小带来外量子效率降低的无机化合物发光层，通过采用有机化合物半导体器件层代替相应颜色的无机化合物半导体层的方式，有效避免该无机化合物半导体层因外量子效率降低带来的亮度不足及能耗损失大的缺陷；以及，阴极电气连接结构包括共阴极结构、与共阴极结构分别连接的第一连接结构、第二连接结构及第三连接结构；共阴极结构位于显示单元远离背板的一侧表面；第一连接结构与第一n型接触层连接，第二连接结构与第二n型接触层连接，第三连接结构与有机化合物半导体器件层远离背板的一侧表面连接；本技术提供的像素单元采用每一器件层共用同一阴极电气连接结构的方式减小电气连接结构在像素单元中的面积占比，提高发光区域面积占比，进一步减小尺寸效应，以及能有效阻止相邻像素单元之间的光学串扰；需要说明的是，本技术仅需实现上述至少一种技术效果即可。
附图说明
22.图1是实施例1中像素单元在一方向上的剖视图；图2是实施例1中像素单元在另一方向上的剖视图；图3是实施例1中另一种结构下的像素单元在一方向上的剖视图；图4是实施例1中的示例性驱动电路的结构示意图；图5是实施例1中的又一示例性驱动电路结构示意图；图6是实施例1中任意一层器件层的电路结构示意图；图7是实施例2中微显示屏的结构示意图；图8是实施例3中分立器件一方向上的剖视图。
23.附图标记：100-像素单元，10-背板，20-显示单元，21-第一无机化合物半导体器件层，211-第一键合层，212-第一p型接触层，213-第一量子阱化合物半导体层，214-第一n型接触层，22-第二无机化合物半导体器件层，221-第二键合层，222-第二p型接触层，223-第二量子阱化合物半导体层，224-第二n型接触层，23-有机化合物半导体器件层，24-阴极电气连接结构，241-共阴极结构，242-第一连接结构，243-第二连接结构，244-第三连接结构，245-第五连接结构，25-第一阳极电气连接结构，26-第二阳极电气连接结构，27-绝缘包裹层，28-第一绝缘层，29-第二绝缘层，31-第一阳极，32-第二阳极，33-第三阳极，200-微显示屏，210-微显示屏背板，220-显示区域，230-外围共阴极，240-外部io接口，300-分立器件，310-分立器件背板，311-第一阳极焊盘，312-第二阳极焊盘，313-第三阳极焊盘，314-阴极焊盘。
具体实施方式
24.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
26.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
27.实施例1如图1~6所示，本实施例提供一种像素单元100，该像素单元100用于微显示屏，该像素单元100包括背板10及显示单元20，背板10为有源驱动背板，显示单元20设于背板10裸露电极的一侧表面上。显示单元20包括第一无机化合物半导体器件层21、第二无机化合物半导体器件层22、有机化合物半导体器件层23，以及对应的电气连接结构，上述任一器件层通过其对应的电气连接结构与背板10的电极电连接。其中，电气连接结构包括对应的阴极电气连接结构及阳极电气连接结构。
28.本实施例中的任一器件层可以是四边形、六边形、八边形、圆形等常见图形或者图形的组合，本实施例对此不作进一步的限定。
29.其中，第一无机化合物半导体器件层21、第二无机化合物半导体器件层22沿远离背板10的方向依次垂直堆叠，第一无机化合物半导体器件层21贴设于背板10上。有机化合物半导体器件层23与第一无机化合物半导体器件层21相邻设置，和/或，有机化合物半导体器件层23与第二无机化合物半导体器件层22相邻设置。有机化合物半导体器件层23或贴设于背板10上（如图1、2所示），或与背板10相距一定距离设置（如图3所示），本实施例对此不作限制。当有机化合物半导体器件层23与背板10相距一定距离时，有机化合物半导体器件层23与相应的阳极之间通过设置阳极电气连接结构连接。
30.因此，本实施例提供的像素单元100为垂直堆叠像素（vertical stack pixels，vsp）。该像素单元100用于微显示屏、不可见光的探测器等半导体器件。
31.显示单元20包括的电气连接结构包括阴极电气连接结构24、第一阳极电气连接结构25及第二阳极电气连接结构26。第一无机化合物半导体器件层21、第二无机化合物半导体器件层22及有机化合物半导体器件层23分别与阴极电气连接结构24连接，第一无机化合物半导体器件层21与第一阳极电气连接结构25连接，第二无机化合物半导体器件层22与第
二阳极电气连接结构26连接。
32.因此，本实施例通过无机化合物半导体器件层与有机化合物半导体器件层相配合的方式实现像素单元的全彩显示。有机化合物半导体器件层23由有机发光半导体（organic electroluminescence display，oled）材料通过蒸镀等方式形成。
33.本实施例对于有机化合物半导体器件层23的具体材质不作限制。特别的，鉴于mcro-led技术的像素单元尺寸缩小对红色algainp四元体系外量子效率具有较大影响，本实施例中的有机化合物半导体采用通过蒸镀oled以实现红光波长的oled，可有效避免上述缺陷。
34.在此基础上，第一无机化合物半导体器件层21的光源波长大于第二无机化合物半导体器件层22的光源波长，以实现第一无机化合物半导体器件层21光源的透出。作为优选的，第一无机化合物半导体器件层21实现绿光源，第二无机化合物半导体器件层22实现蓝光源。
35.具体的，第一无机化合物半导体器件层21包括依次堆叠的第一键合层211、第一p型接触层212、第一量子阱化合物半导体层213及第一n型接触层214，第一键合层211位于第一无机化合物半导体器件层21靠近背板10的一侧。同样的，第二无机化合物半导体器件层22包括依次堆叠的第二键合层221、第二p型接触层222、第二量子阱化合物半导体层223及第二n型接触层224，第二键合层221位于第二无机化合物半导体器件层22靠近第一无机化合物半导体器件层21的一侧。
36.其中，第一键合层211采用绝缘材料制成，包括sio2、si3n4、al2o3、aln等介电质材料，或者si等半导体材料，或者su8、bcb等有机材料；或者，第一键合层211采用导电材料制成，如ito、ag的一种或多种。第二键合层221采用透明绝缘材料制成，包括sio2等。或者，第二键合层221采用透明导电材料制成，如ito等。
37.在一种实施方式中，如图3所示，当第一键合层211采用导电材料时，第一阳极电气连接结构25与第一键合层211连接。在另一种实施方式中，如图1所示，当第一键合层211采用绝缘材料时，第一阳极电气连接结构25与第一p型接触层212连接。当然，第二键合层221的取材、第二阳极电气连接结构26、第二p型接触层222之间的连接关系与此相同。
38.特别的，第一量子阱化合物半导体层213采用绿光无机化合物半导体材料，如绿光ingan&gan。第二量子阱化合物半导体层223采用蓝光无机化合物半导体材料，如蓝光ingan&gan。有机化合物半导体器件层23采用红光有机化合物半导体材料。
39.以上，该显示单元20还包括绝缘包裹层27。该绝缘包裹层27包裹第一无机化合物半导体器件层21、第二无机化合物半导体器件层22、有机化合物半导体器件层23、阴极电气连接结构24、第一阳极电气连接结构25及第二阳极电气连接结构26。其中，绝缘包裹层27采用透明绝缘材料制成，如sio2。因此，第一无机化合物半导体器件层21和第二无机化合物半导体器件层22之间设有部分绝缘包裹层27。
40.以上，阴极电气连接结构24包括共阴极结构241、与共阴极结构241分别连接的第一连接结构242、第二连接结构243及第三连接结构244。其中，共阴极结构241位于显示单元20远离背板10的一侧表面。进一步的，共阴极结构241图形化或整面设于显示单元20表面。以及，第一连接结构242与第一n型接触层214连接，第二连接结构243与第二n型接触层224连接，第三连接结构244与有机化合物半导体器件层23远离背板10的一侧表面连接。
41.需要说明的是，本实施例中的第一连接结构242与第二连接结构243为独立设置或连接设置，优选为连接设置。当第一连接结构242与第二连接结构243连接设置时，第一连接结构242、第二连接结构243依次首尾连接。进一步作为优选的，第一连接结构242、第二连接结构243及第三连接结构244均与共阴极结构241垂直设置，以增大像素单元的出光面积比例。因此，当第一连接结构242第二连接结构243依次首尾连接时，两者位于同一垂直方向上，从而进一步提高出光面积比例。
42.进一步的，本实施例中的共阴极结构241与阴极连接。在一种实施方式中，共阴极结构与外部电极连接。如在每一像素单元外围设置外围共阴极，共阴极结构241通过外围共阴极与外部电源连接。
43.在另一种实施方式中，本实施例中的背板10可以是薄膜晶体管（tft）、ltps低温多晶硅、cmos集成电路、高迁移率晶体管（hemt）等一种或多种相结合的有源背板。背板10包括基板11及至少部分嵌设于基板11中的驱动电路（图未示），驱动电路设有阴极（图未示），阴极电气连接结构24还包括第四连接结构（图未示），第四连接结构的一端与共阴极结构241连接，另一端与阴极连接。与第一连接结构至第三连接结构相似的，第四连接结构穿设于显示单元20中。
44.当然，上述驱动电路还设有第一阳极31、第二阳极32及第三阳极33。第一阳极电气连接结构25穿设于显示单元20中，一端与第一阳极31连接，另一端与第一p型接触层212连接。第二阳极电气连接结构26穿设于显示单元20中，一端与第二阳极32连接，另一端与第二p型接触层222连接。第三阳极33与有机化合物半导体器件层23直接连接，通过设置阳极电气连接结构连接。当有机化合物半导体器件层23与背板10贴合设置时，有机化合物半导体器件层23朝向背板10的一侧表面与第三阳极33连接。
45.需要说明的是，如图3所示，当第一键合层211采用半导体材料或导电材料制成时，第一器件层21还包括设于第一键合层211与第一阳极31、第二阳极32之间的第二绝缘层29。该第二绝缘层29设有开口，开口用于第一阳极31与相应第一阳极电气连接结构25的连接。当然，当第一键合层211采用绝缘材料制成时则不需要设置该第二绝缘层29。
46.本实施例中，阴极电气连接结构或阳极电气连接结构均采用cu、al等金属制成。
47.示例性的驱动电路如图4、5所示。需要说明的是，本实施例中的电路图为简单的示意图，均为有源驱动。如图5所示，同种颜色的光源堆叠设置两层或两层以上时，可形成实现光照强度的增强或形成冗余结构。该像素单元100内部的电路可包含主动式、被动式或半被动式的控制电路，示例性的，如图6为任一层器件层的电路图。另外，本实施例中的阳极可以是排布于同一直线上、呈品字形排布或者阵列式排布，任一阳极位于背板10的中间或者边缘，本实施例对此均不作限制。
48.上述，显示单元20在第一无机化合物半导体器件层21与第二无机化合物半导体器件层22所在的垂直方向上堆叠的器件层数量包括但不限于两层，可以是三层、四层甚至更多。如，当每一化合物发光层的化合物不同时可实现多色彩显示，当垂直方向上的两层或两层以上的化合物发光层采用相同的化合物时可实现光照强度的增强或形成冗余结构。当然，两种方案可以共存于同一显示单元20中，本实施例对此不作限制。
49.以及，为避免第二无机化合物半导体器件层22对第一无机化合物半导体器件层21出光的影响，第二无机化合物半导体器件层22采用透明材料的晶圆制成。
50.以及，背板10包括至少一个顶部金属（图未示），顶部金属覆盖至少一个阳极；或者，背板10包括设于其上表面的原位反射镜（图未示），原位反射镜覆盖或裸露至少一个阳极。该原位反射镜可以是金属，如铝、金、银等；也可以是布拉格反射层，该布拉格反射层由两种及以上不同折射率的薄膜堆叠而成，如氧化硅与氧化钛的叠层，氧化硅与氧化铝的叠层，氧化硅与氮化硅的叠层等；也可以是金属与介电质堆叠的odr全反射镜，如银和氧化硅、铝和氧化铝、金和氧化硅中的至少一种组合。原位反射镜可以是圆形、三角形、四边形，五边形、六边形、八边形等多边形结构，也可以是规避开阳极触点的组合多边形，该多边形可以内切于像素边界，也可以较边界内缩一定长度。
51.以及，显示单元20还包括黑色矩阵（black matrix，bm），有机化合物半导体器件层23位于黑色矩阵的一侧，第一无机化合物半导体器件层21和/或第二无机化合物半导体器件层22位于黑色矩阵远离有机化合物半导体器件层23的另一侧。bm可以是金属或者专用的黑色胶体，用于避免第一无机化合物半导体器件层21或第二无机化合物半导体器件层22与有机化合物半导体器件层23之间的光学串扰。
52.以及，显示单元20还包括第一绝缘层28，第一绝缘层28设于阴极电气连接结构24表面，以对该像素单元形成绝缘保护。
53.在此基础上，本实施例进一步提供一种像素单元的制作方法，该制作方法包括：s10、准备背板；s20、制作显示单元，包括：s21、将预先准备的第一目标无机化合物半导体材料晶圆与背板键合形成第一无机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构。
54.s22、将预先准备的第二目标无机化合物半导体材料晶圆与第一无机化合物半导体器件层远离背板的一侧面键合形成第二无机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构。
55.s23、在第一无机化合物半导体器件层和/或第一无机化合物半导体器件层侧向蒸镀目标有机化合物半导体材料以形成有机化合物半导体器件层，并构造相应的电气连接结构。
56.如前描述的，第一目标无机化合物半导体材料晶圆用于形成第一无机化合物半导体器件层，第二目标无机化合物半导体材料晶圆用于形成第二无机化合物半导体器件层，优选的，第一目标无机化合物半导体材料晶圆包括ingan三元化合物，其结构可以如下表1或表2所示的任意一种绿光波长化合物结构。第二目标无机化合物半导体材料晶圆包括ingan三元化合物，其结构可以如下表1或表2所示的任意一种蓝光波长化合物结构。
57.表1表2
进一步的，上述步骤s20中关于电气连接结构的构造，本实施例中采用类大马士革工艺。示例性的，步骤s21包括如下步骤：s211、将背板表面、预先准备的第一目标无机化合物半导体材料晶圆的p型接触层表面分别镀键合材料并键合形成第一键合层；需要说明的是，当第一键合层采用半导体材料或导电材料制成时，预先在第一键合层与背板之间镀设第二绝缘层。
58.s212、去除第一目标无机化合物半导体材料晶圆的衬底并进行化合物半导体减薄露出第一n型接触层形成第一无机化合物半导体器件层；s213、在对背板及第一无机化合物半导体器件层表面镀绝缘材料形成部分绝缘包裹层；s214、在第一无机化合物半导体器件层的垂直方向上，在部分绝缘包裹层远离背板的一侧表面镀透明键合材料，且在预先准备的第二目标无机化合物半导体材料晶圆的p型接触层表面镀透明键合材料，键合形成第二键合层；s215、去除第二目标无机化合物半导体材料晶圆的衬底并进行化合物半导体减薄露出第二n型接触层形成第二无机化合物半导体器件层；s216、在对背板及第二无机化合物半导体器件层表面镀绝缘材料，形成部分绝缘包裹层；s217、对绝缘包裹材料进行图形化曝光和刻蚀以分别形成第一阳极电气连接结构及第二阳极电气连接结构；同时，刻蚀形成位于第一无机化合物半导体器件层与第二无机化合物半导体器件层一侧的缺口/凹槽；s218、采用图形化电子束蒸发、热蒸发等将红光oled蒸发至s216中形成的缺口/凹槽中形成有机化合物半导体器件层；s219、在有机化合物半导体器件层表面镀绝缘材料，形成部分绝缘包裹层；s220、对绝缘包裹材料进行图形化曝光和刻蚀以形成第一连接结构、第二连接结构及第三连接结构，在绝缘包裹层表面镀设共阴极结构，形成阴极电气连接结构；s221、在阴极电气连接结构表面镀设第一绝缘层，形成该像素单元。
59.本实施例提供的一种像素单元通过在背板上依次垂直堆叠至少两层器件层的方式实现多色化显示以提高像素密度，在此基础上，针对因尺寸减小带来外量子效率降低的无机化合物发光层，通过采用有机化合物半导体器件层代替相应颜色的无机化合物半导体层的方式，有效避免该无机化合物半导体层因外量子效率降低带来的亮度不足及能耗损失大的缺陷；以及，本实施例提供的像素单元采用每一器件层共用同一阴极电气连接结构的方式减小电气连接在像素单元中的面积占比，提高发光区域面积占比，进一步减小尺寸效应，
以及能能效阻止相邻像素单元之间的光学串扰；需要说明的是，本实施例仅需实现上述至少一种技术效果即可。
60.实施例2本实施例提供一种微显示屏200，如图7所示，该微显示屏200包括：微显示屏背板210，该微显示屏背板210设有驱动电路；显示区域220，该显示区域220设于微显示屏背板210上，显示区域220包括至少两个如实施例1中任意一项所述的像素单元100所包括的显示单元20，至少两个显示单元20呈阵列式排布，任一显示单元20与驱动电路电连接；外围共阴极230，外围共阴极230围设于显示区域220周向，且外围共阴极230与任一像素单元100包括的阴极电气连接结构分别连接。需要说明的是，外围共阴极230为围设于显示区域220外围的金属围框结构。
61.外部io接口240，位于微显示屏背板210的任意位置。
62.本实施例中的微显示屏的具体结构及相应的技术效果，请参照实施例1中的相关描述，本实施例中将不作进一步的详细描述。
63.实施例3如图8所示，本实施例提供一种分立器件300，该分立器件300包括：分立器件背板310，该分立器件背板310包括至少一个阴极焊盘311及至少三个阳极焊盘；器件主体320，该器件主体320设于分立器件背板310上，且器件主体320包括至少两个如第一方面中任意一项所述的像素单元100所包括的显示单元20，至少两个显示单元20呈阵列式排布，任一显示单元20与相应的阴极焊盘及所述阳极焊盘电连接。
64.相较于实施例2中的微显示屏，本实施例中所采用的分立器件背板310（包括阵列式排布的至少一个如实施例1中所述的背板）包括基板、部分嵌设于基板中的第一阳极焊盘311、第二阳极焊盘312、第三阳极焊盘313及阴极焊盘314。
65.具体的，如图所示，第一阳极电气连接结构25一端与第一阳极焊盘311连接，另一端与第一p型接触层连接；第二阳极电气连接结构26一端与第二阳极焊盘312连接，另一端与第二p型接触层连接；有机化合物半导体器件层23朝向分立器件背板310的一侧表面与第三阳极焊盘313连接。
66.以及，阴极电气连接结构24还包括第五连接结构245，且第五连接结构245的一端与共阴极结构241连接，另一端与阴极焊盘314连接。第五连接结构245穿设于显示单元20中；或，第五连接结构245围设于显示单元20周向，本实施例对此不作限制，本实施例中优选第五连接结构245穿设于显示单元20结构内。
67.相较于实施例1及实施例2，本实施例中的分立器件是基于至少两个焊盘与外部电路连接的，在将该分立器件封装至目标背板进行电气连接时可规避共晶等金属焊接以避免对分立器件自身造成性能影响并简化工艺。
68.上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本技术的可选实施例，即可将任意多个实施例进行组合，从而获得应对不同应用场景的需求，均在本技术的保护范围内，在此不再一一赘述。
69.需要说明的是，以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本
申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。