发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自所述第一表面至所述第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；若干个透明导电单元,间隔地设置于所述第一半导体层远离所述发光层的表面上；保护层，形成于各个所述透明导电单元上，并包覆各个所述透明导电单元；绝缘层，形成于所述保护层上，并露出所述保护层的部分表面。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：相邻两个所述透明导电单元之间的间距为10μm至40μm。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电单元的横截面为规则图形、非规则图形中的一种。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电单元的横截面为圆形，所述圆形的直径为10μm至20μm。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电单元的厚度为0埃至500埃，所述透明导电单元为具有高透明、高电导率、低接触电阻的氧化物材料。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层的厚度为100埃至200埃，所述保护层至少为au、cr、ni、pt中的一种。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层与所述第一半导体层远离所述发光层的表面之间具有一倾斜角，所述倾斜角为30度至60度。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电单元在所述第一半导体层的投影位于所述保护层在所述第一半导体层的投影范围内，在所述第一半导体层远离所述发光层的表面沿水平方向，所述透明导电单元的端点与其上的所述保护层的端点之间的间距为1μm至5μm。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述若干个透明导电单元的总面积为大于所述第一半导体层远离所述发光层的总面积的5％。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层上设有开孔，所述开孔在所述第一半导体层的投影位于所述透明导电单元在所述第一半导体层的投影范围内。11.根据权利要求1至10任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括基板，所述外延结构中的所述第一半导体层通过键合层与所述基板相键合。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与所述键合层之间设有镜面反射层。13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括：第一电极，设置于所述基板远离所述键合层的一侧，且与所述第一半导体层电性连接；第二电极，设置于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，且与所述第二半导体层电性连接；钝化层，设于所述第二半导体层上，覆盖所述第二半导体层远离所述发光层的一侧表面中未被所述第二电极覆盖的区域，以及所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的侧壁区域。14.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：生长外延结构，在一生长衬底上依次生长第二半导体层、发光层和第一半导体层，以形
成外延结构；制作透明导电层，在所述第一半导体层远离所述发光层的表面形成若干个间隔设置的透明导电单元，并在每个所述透明导电单元形成保护层；制作绝缘层，在所述保护层上形成绝缘层，并露出所述保护层的部分表面；转移外延结构，所述外延结构中所述第一半导体层一侧通过键合层与一基板相键合，并去除所述生长衬底。15.根据权利要求14所述的发光二极管的制备方法，其特征在于：在实施所述转移外延结构的步骤前，还包括以下步骤：绝缘层开孔，在所述绝缘层中位于所述保护层的上方设置开孔，所述开孔露出所述保护层的部分表面；以及设置镜面反射层，于所述绝缘层上形成镜面反射层，所述镜面反射层覆盖所述开孔和所述绝缘层远离所述第一半导体层的一侧表面。

技术总结
本发明提供一种发光二极管及其制备方法。发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；若干个透明导电单元,间隔地设置于第一半导体层远离发光层的表面上；保护层，形成于各个透明导电单元上，并包覆各个透明导电单元；绝缘层，形成于保护层上，并露出保护层的部分表面。这种设置可提升发光二极管中正向电压(VF)的稳定性和均匀性，具有优良的光电性能。具有优良的光电性能。具有优良的光电性能。


技术研发人员：贾月华 郭荣妍 李占罡 郭桓邵 彭钰仁 王笃祥
受保护的技术使用者：天津三安光电有限公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2022/11/11