显示装置和电子器件的制作方法

1.本公开涉及显示装置和包括该显示装置的电子器件。


背景技术：

2.近年来，已经开发了使用有机电致发光(el)元件的显示装置。使用有机el元件的显示装置具有其中至少包括有机发光层的有机层和第二电极堆叠在为每个像素单独形成的第一电极上的结构。像素由诸如r、g和b的多个子像素构成。
3.专利文献1提出了一种有机发光器件，其中上电极由第一上电极和直接设置在第一上电极上的第二上电极构成。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本专利申请公开号2016 021380


技术实现要素：

7.本发明要解决的问题
8.但是，在专利文献1所记载的有机发光器件中，在第一上部电极或第二上部电极的图案化工序中，有机发光层暴露于处理气体、药液等中，受到损伤、劣化。因此，在专利文献1中记载的有机发光器件中，存在可靠性降低的问题。
9.本公开的目的是提供能够抑制可靠性降低的显示装置和包括该显示装置的电子器件。
10.问题的解决方案
11.为了解决上述问题，第一公开是一种显示装置，包括：多个发光元件，包括阳极电极、有机发光层和第一阴极电极，该阳极电极、有机发光层和第一阴极电极针对每个子像素分隔开；保护层，被配置为覆盖多个发光元件；以及设置在保护层上的第二阴极电极。第二阴极电极连接至每个分隔的第一阴极电极。
12.第二公开是一种显示装置，包括：多个发光元件，包括第一电极、有机发光层和第二电极，该第二电极、有机发光层和第二电极针对每个子像素，分隔；保护层，被配置为覆盖多个发光元件；以及第三电极，设置在保护层上。第三电极连接至每个分隔的第二电极。
13.第三公开是包括第一公开或第二公开的显示装置的电子器件。
14.保护层可具有多个接触孔，并且第二阴极电极可被配置为经由接触孔连接至每个分隔的第一阴极电极。
15.子像素的形状可为大致椭圆形、大致六边形、大致正方形或大致矩形。
16.多个发光元件可以包括被配置为能够发射红光的多个第一发光元件、被配置为能够发射绿光的多个第二发光元件、以及被配置为能够发射蓝光的多个第三发光元件。
17.多个发光元件可被配置为能够发射白光。
18.第一阴极电极和第二阴极电极可以各自独立地包含透明的金属氧化物、金属或合
金。金属氧化物可以包含选自由以下各项所组成的组中的至少一种：氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno)、氧化铝锌(azo)、以及氧化镓锌(gzo)。金属可以包含选自由铝(al)、银(ag)、镁(mg)、钙(ca)、钠(na)和锶(sr)组成的组中的至少一种。合金可包括从由碱金属或碱土金属与银(ag)的合金、镁(mg)与银(ag)的合金、镁(mg)与钙(ca)的合金、以及铝(al)与锂(li)的合金组成的组中选择的至少一种。
19.第一阴极电极可包括透明金属氧化物，并且第二阴极电极可包括金属或合金。在这种情况下，可通过阳极电极和第二阴极电极为每个子像素配置谐振器结构。
20.第一阴极电极可以包含金属或合金，并且第二阴极电极可以包含透明金属氧化物。在这种情况下，可通过阳极电极和第一阴极电极为每个子像素配置谐振器结构。
21.保护层可以包含无机氧化物和有机绝缘材料中的至少一种。无机氧化物可以包含，例如，选自由氮化硅(sin)、氧化硅(sio)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(alo)、以及氧化钛(tio)组成的组中的至少一种。
22.保护层可以是单层膜或多层膜。多层膜可以包括第一层至第n层。第一到第n层可以包含彼此不同的材料，例如彼此不同的无机氧化物或有机绝缘材料。
23.多个子像素可包括多个红色子像素、多个绿色子像素和多个蓝色子像素，并且在分隔的第一阴极电极上的保护层的厚度在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中可以基本相同。
24.子像素可以设置有使在有机发光层中产生的光谐振的谐振器结构。多个子像素可包括多个红色子像素、多个绿色子像素和多个蓝色子像素。对于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每，分隔的第一阴极电极上的保护层的厚度可不同。在这种情况下，谐振器结构可由阳极电极和第二阴极电极构成。
25.第一阴极电极和第二阴极电极可以在子像素的发光区的外部连接。
26.对于一个子像素，第一阴极电极与第二阴极电极之间的连接部的数量可以是一个或两个以上个。从提高第一阴极电极与第二阴极电极之间的导电性的观点来看，对于一个子像素，第一阴极电极与第二阴极电极之间的连接部的数量优选为两个或更多个。
27.第二阴极电极可包括多个接触部，并且一个接触部可连接至两个以上个子像素。
28.第一阴极电极与第二阴极电极之间的连接部可具有点状或直线形状。这里，虚线或线性形状是在从垂直于显示装置的显示表面的方向的平面图中观看连接部的情况下的形状。虚线连接部可以是基本三角形、基本四边形、基本圆形、基本六边形、基本八边形或线性的。
29.第一阴极电极可具有面向第二阳极电极的相对表面，并且线性连接部可沿相对表面的外缘设置。
30.第二阴极电极可连接至第一阴极电极的端部。
31.第一阴极电极可以具有相对于发光元件的发光区的外缘突起的突起部，并且第二阴极电极可以在突起部连接到第一阴极电极。
32.发光元件在上述发光元件的发光区的外缘部可以具有切口部，并且第二阴极电极在上述切口部中连接至上述第一阴极电极。
33.保护层可具有多个气隙，并且多个这些气隙中的每个可设置在彼此相邻的子像素之间。
34.显示装置还可包括：保护层，被配置为覆盖第二阴极电极。
35.显示装置可以还包括被设置成面向多个发光元件的滤色器，或者可以还包括设置在多个发光元件上的片上滤色器。
36.第一电极可以是阳极电极，并且第二电极和第三电极可以分别是第一阴极电极和第二阴极电极，或者第一电极可以是阴极电极，并且第二电极和第三电极可以分别是第一阳极电极和第二阳极电极。
附图说明
37.图1是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置的总体配置的示例的平面图。
38.图2是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置的配置的示例的截面图。
39.图3a是示出子像素的形状示例的平面图。
40.图3b是示出子像素的形状示例的平面图。
41.图3c是示出子像素的形状示例的平面图。
42.图3d是示出子像素的形状示例的平面图。
43.图4是沿图3a的线iv-iv截取的截面图。
44.图5是示出图2中所示的有机层的放大截面图。
45.图6是示出保护层的变形例的截面图。
46.图7a是用于解释根据本公开的第一实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
47.图7b是用于解释根据本公开的第一实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
48.图7c是用于解释根据本公开的第一实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
49.图7d是用于解释根据本公开的第一实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
50.图7e是用于解释根据本公开的第一实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
51.图8a是示出显示装置的变形例的截面图。
52.图8b是示出显示装置的变形例的截面图。
53.图9a是示出显示装置的变形例的截面图。
54.图9b是示出显示装置的变形例的截面图。
55.图10a是示出显示装置的变形例的截面图。
56.图10b是示出显示装置的变形例的截面图。
57.图11a是示出子像素的变形例的平面图。
58.图11b是示出子像素的变形例的平面图。
59.图11c是示出子像素的变形例的平面图。
60.图12是沿图11a的线xii-xii截取的截面图。
61.图13a是示出连接部的变形例的平面图。
62.图13b是示出连接部的变形例的平面图。
63.图13c是示出连接部的变形例的平面图。
64.图13d是示出连接部的变形例的平面图。
65.图14是示出连接部的形状示例的平面图。
66.图15是示出显示装置的变形例的截面图。
67.图16a是示出连接部的变形例的平面图。
68.图16b是示出连接部的变形例的平面图。
69.图16c是示出连接部的变形例的平面图。
70.图16d是示出连接部的变形例的平面图。
71.图17a是示出连接部的变形例的平面图。
72.图17b是示出连接部的变形例的平面图。
73.图17c是示出连接部的变形例的平面图。
74.图18a是示出连接部的变形例的平面图。
75.图18b是示出连接部的变形例的平面图。
76.图19是示出显示装置的变形例的截面图。
77.图20a是示出连接部的变形例的平面图。
78.图20b是示出连接部的变形例的平面图。
79.图20c是示出连接部的变形例的平面图。
80.图20d是示出连接部的变形例的平面图。
81.图21是示出显示装置的变形例的截面图。
82.图22a是示出连接部的变形例的平面图。
83.图22b是示出连接部的变形例的平面图。
84.图22c是示出连接部的变形例的平面图。
85.图23是示出显示装置的变形例的截面图。
86.图24是示出显示装置的变形例的截面图。
87.图25是示出模块的示意性配置的示例的平面图。
88.图26a是示出数码照相机的外观示例的正视图。
89.图26b是示出数码照相机的外观示例的后视图。
90.图27是头戴式显示器的外观示例的透视图。
91.图28是示出电视装置的外观的示例的透视图。
92.图29a是用于说明根据本公开的第二实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
93.图29b是用于解释根据本公开的第二实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
94.图29c是用于解释根据本公开的第二实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
95.图29d是用于解释根据本公开的第二实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
96.图29e是示出根据本公开的第三实施方式的显示装置的配置的示例的截面图。
97.图30a是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
98.图30b是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
99.图30c是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
100.图30d是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
101.图30e是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
102.图30f是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
103.图31a是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
104.图31b是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
105.图31c是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
106.图31d是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
107.图31e是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
108.图31f是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
109.图31g是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
110.图32a是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
111.图32b是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
112.图32c是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
113.图32d是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
114.图33a是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
115.图33b是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
116.图34a是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
117.图34b是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
118.图35a是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
119.图35b是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
120.图35c是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
121.图36a是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
122.图36b是用于解释根据变形例的显示装置的制造方法的示例的过程图。
123.图36c是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
124.图37a是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
125.图37b是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
126.图38是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
127.图39是示出根据本公开的第三实施方式的显示装置的配置的示例的截面图。
128.图40a是示出子像素的形状示例的平面图。
129.图40b是示出子像素的形状示例的平面图。
130.图40c是示出子像素的形状示例的平面图。
131.图41a是示出子像素的形状示例的平面图。
132.图41b是示出子像素的形状示例的平面图。
133.图41c是示出子像素的形状示例的平面图。
134.图42a是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
135.图42b是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过
程图。
136.图42c是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
137.图42d是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
138.图42e是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
139.图42f是用于解释根据本公开的第三实施方式的显示装置的制造方法的示例的过程图。
140.图43a是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
141.图43b是示出根据变形例的显示装置的配置的示例的截面图。
具体实施方式
142.将按照以下顺序描述本公开的实施方式。另外，在以下的各实施方式的所有附图中，对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
143.1 第一实施方式
144.1.1 显示装置的配置
145.1.2 显示装置的制造方法
146.1.3 操作效果
147.1.4 变形例
148.2 第二实施方式
149.2.1 显示装置的配置
150.2.2 显示装置的制造方法
151.2.3 操作效果
152.2.4 变形例
153.3 第三实施方式
154.3.1 显示装置的配置
155.3.2 显示装置的制造方法
156.3.3 操作效果
157.3.4 变形例
158.4 应用
159.《1第一实施方式》
160.[1.1显示装置的配置]
[0161]
图1是示出根据本公开的第一实施方式的有机el显示装置10(在下文中，简称为“显示装置10”)的整体配置的示例的平面图。显示装置10适合用于各种电子器件，并且显示区110a和外围区110b设置在显示区110a的外缘处的基板11上。在显示区110a中，多个子像素(子像素)100r、100g、和100b以矩阵布置。子像素100r显示红色，子像素100g显示绿色，并且子像素100b显示蓝色。应注意，在以下描述中，除非另外指出，否则红色、绿色以及蓝色子像素100r、100g以及100b将被称为子像素100。
[0162]
在外围区110b中，设置信号线驱动电路111和扫描线驱动电路112，它们是用于图像显示的驱动器。信号线驱动电路111将与从信号供应源(未示出)供应的亮度信息相对应的图像信号的信号电压经由信号线111a供应至所选择的子像素100。扫描线驱动电路112具有通过与输入时钟脉冲同步地依次移位(传送)起始脉冲的移位寄存器等的配置。扫描线驱动电路112在将图像信号写入每个子像素时逐行扫描子像素100，并且顺序地将扫描信号供应至扫描线112a。
[0163]
显示装置10例如是微型显示器，其中诸如oled、微型oled或微型led的自发光元件以阵列形成。显示装置10适合用于虚拟现实(vr)、混合现实(mr)或增强现实(ar)的显示装置、电子取景器(evf)、小型投影仪等。
[0164]
图2是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置10的配置的示例的截面图。显示装置10是顶部发射型显示装置，并且包括具有一个主表面的基板11、多个发光元件(第一发光元件)12r、多个发光元件(第二发光元件)12g、多个发光元件(第三发光元件)12b以及设置在基板11的一个主表面上的绝缘层13、覆盖多个发光元件12r、多个发光元件12g和多个发光元件12b的保护层14、设置在保护层14上的第二阴极电极124和覆盖第二阴极电极124的保护层15。显示装置10还可包括设置在保护层15上的填充树脂层(未示出)和根据需要设置在填充树脂层上的相对基板(未示出)。注意，保护层15侧是顶侧，并且基板11侧是底侧。应注意，在以下描述中，除非另外指出，否则发光元件12r、12g和12b将被称为发光元件12。
[0165]
图3a、图3b、图3c和图3d分别是示出子像素100的形状示例的平面图。在第一实施方式中，每个子像素100r、100g、和100b由发光元件12r、发光元件12g、和发光元件12b构成。子像素100的形状例如为大致椭圆形(见图3a)、大致六边形(见图3b)、大致正方形(见图3c)、大致矩形(见图3d)等。可以组合使用两个或更多个形状。在本说明书中，矩形是指具有两个长边和两个短边并且具有四个直角的内角的四边形。即，从矩形中排除正方形。此外，大致椭圆形、大致六边形、大致正方形、大致矩形形状等包括其中椭圆形的外缘的一部分、六边形形状、正方形、矩形形状等突起的形状(参见图3a、图3b、图3c、图3d等)，以及其中切出椭圆形的外缘的一部分、六边形形状、正方形、矩形形状等的形状(参见图11a、图11b、图11c等)。要注意的是，图1示出子像素100大致为方形的一个示例。
[0166]
子像素100以规定的图案二维地布置。例如，具有大致椭圆形形状的多个子像素100可以交错的方式布置，使得相应子像素100的长轴方向对齐(参见图3a)。具有大致六边形形状的多个子像素100可布置成蜂窝状(参见图3b)。具有大致正方形形状的多个子像素100可以以矩阵布置(见图3c)。具有大致矩形形状的多个子像素100可布置成条带形状(见图3d)。子像素100r、100g、和100b可以在行方向上重复布置。一个像素(像素)由三个相邻的子像素100r、100g、和100b的组合配置。
[0167]
子像素100(即发光元件12)具有发光区101。发光区101可以具有类似于子像素100的形状。即，具有大致椭圆形、大致六边形、大致正方形以及大致矩形形状的子像素100中的每个可以具有具有大致椭圆形、大致六边形、大致正方形以及大致矩形形状的发光区101。
[0168]
(发光元件)
[0169]
多个发光元件12在基板11的一个主表面上以规定图案二维地布置。多个发光元件12包括多个发光元件12r、多个发光元件12g和多个发光元件12b。发光元件12r是被配置为
发射红光的红色oled。发光元件12g是被配置为发射绿光的绿色oled。发光元件12b是被配置为发射蓝光的蓝色oled。发光元件12可以是moled(micro-oled)或者micro-led。
[0170]
发光元件12r包括设置在基板11上的阳极电极121、设置在阳极电极121上的有机层122r和设置在有机层122r上的第一阴极电极123。发光元件12g包括设置在基板11上的阳极电极121、设置在阳极电极121上的有机层122g、以及设置在有机层122g上的第一阴极电极123。发光元件12b包括设置在基板11上的阳极121、设置在阳极121上的有机层122b、以及设置在有机层122b上的第一阴极电极123。注意，在以下描述中，除非另外指出，否则有机层122r、122g和122b被称为有机层122。
[0171]
(基板)
[0172]
基板11是支撑布置在一个主表面上的多个发光元件12的支撑件。此外，尽管未示出，基板11可以设置有包括用于控制多个发光元件12的驱动的采样晶体管和驱动晶体管的驱动电路、用于向多个发光元件12供电的电源电路等。
[0173]
基板11可包括例如对湿气和氧气具有低渗透性的玻璃或树脂，或者可包括易于用晶体管等形成的半导体等。具体地，基板11可以是玻璃基板，诸如高应变点玻璃、钠玻璃、硼硅酸盐玻璃、镁橄榄石、铅玻璃或石英玻璃；半导体基板，诸如非晶硅或多晶硅；树脂基板，诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等。
[0174]
(阳极)
[0175]
阳极电极121按子像素100r、100g、以及100b中的每个电分离。阳极电极121还具有作为反射层的功能，并且优选地由金属层构成，该金属层具有尽可能高的反射率和大的功函数，以便提高发光效率。例如，金属层包含诸如铬(cr)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)、钽(ta)、铝(al)、镁(mg)、铁(fe)、钨(w)、以及银(ag)的金属元素的单质和合金中的至少一种。合金的具体示例包括alni合金和alcu合金。阳极电极121可由金属层的堆叠膜构成。
[0176]
(第一阴极电极、第二阴极电极)
[0177]
第一阴极电极123按子像素100r、100g、和100b中的每个电分离。第一阴极电极123具有与第二阴极电极124相对的相对表面123s。第一阴极电极123是对在有机层122中产生的光具有透明性的透明电极。在此，透明电极还包括半透射反射膜。
[0178]
第二阴极电极124被设置为显示区110a中的所有子像素100r、100g、和100b共享的电极。第二阴极电极124连接至按每个子像素100分隔的第一阴极电极123。具体地，第二阴极电极124包括多个接触部124a，并且多个接触部124a中的每个连接到按每个子像素100分隔的第一阴极电极123。接触部124a在顶端具有连接到第一阴极电极123的连接部124b。例如，连接部124b的数量对于一个子像素100是一个。一个接触部124a连接至例如一个子像素100。
[0179]
连接部124b连接至第一阴极电极123的相对表面123s的一部分。连接部124b优选设置在子像素110的发光区101的外侧。由于连接部124b被设置在这样的位置，因此可以抑制发光区101的面积的减小。由此，能够抑制显示装置10的亮度降低。此外，可以抑制在形成接触部124a时对有机层122的损坏。
[0180]
图4是沿图3a的线iv-iv截取的截面图。然而，在图3a中，省略了图4中所示的一些
组件(保护层14、保护层15等)的图示。子像素100包括相对于发光区101的外周边缘的一部分突起的突起部102。突起部102的突起方向是显示装置10的面内(in-plane)方向。突起部102由相对于发光区101的外缘突起的第二阴极电极124构成。有机层122可以与第二阴极电极124一起相对于发光区101的外周边缘突起。第二阴极电极124的接触部124a在突起部102处连接到第一阴极电极123。突起部102可在行方向上以交错的方式布置(见图3a和图3b)，或者可布置在沿行方向延伸的直线上(见图3c和图3d)。
[0181]
如图3a所示，在突起部102具有大致椭圆形形状的情况下，突起部102可设置在具有大致椭圆形形状的子像素100的短轴的一端。如图3b所示，在突起部102具有大致六边形形状的情况下，突起部102可设置在具有大致六边形形状的子像素100的一个拐角部分处。如图3c所示，在突起部102具有大致正方形形状的情况下，突起部102可设置在具有大致正方形形状的子像素100的一个拐角附近。如图3d所示，在突起部102具有大致矩形形状的情况下，突起部102可设置在具有大致矩形形状的子像素100的一个短边上。图3d示出整个短边突起的示例，但是短边的一部分可突起。
[0182]
如图3a至图3d所示，接触部124a的连接部124b可以具有点形状。当从与显示装置10的显示面垂直的方向的平面图中观看连接部124b时，虚线连接部124b可以具有大致四边形形状，例如大致正方形或大致矩形形状。连接部124b的数量对于一个子像素100优选为一个。在这种情况下，通过设置连接部124b，可以抑制发光区101的面积的减小。由此，能够抑制显示装置10的亮度降低。
[0183]
第一阴极电极123和第二阴极电极124中的每个独立地包括例如透明金属氧化物、金属或合金。例如，透明金属氧化物包含选自由氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno)、氧化铝锌(azo)、以及氧化镓锌(gzo)组成的组中的至少一种。金属包含例如选自由铝(al)、银(ag)、镁(mg)、钙(ca)、钠(na)和锶(sr)组成的组中的至少一种。合金包括例如选自由以下合金组成的组中的至少一种：碱金属或碱土金属与银(ag)的合金、镁(mg)与银(ag)的合金、镁(mg)与钙(ca)的合金、以及铝(al)与锂(li)的合金。
[0184]
第一阴极电极123包括透明金属氧化物(例如，诸如izo的透明导电材料)，并且第二阴极电极124可包括金属或合金(例如，诸如mgag的高反射材料)。在第一阴极电极123和第二阴极电极124具有此配置的情况下，谐振器结构可由每个子像素100r、100g、和100b中的阳极电极121和第二阴极电极124配置。
[0185]
第一阴极电极123包括金属或合金(例如，诸如mgag的高反射率材料)，并且第二阴极电极124可包括透明金属氧化物(例如，诸如izo的透明导电材料)。在第一阴极电极123和第二阴极电极124具有此配置的情况下，谐振器结构可由每个子像素100r、100g、和100b中的阳极电极121和第一阴极电极123配置。此外，在后述的变形例2中说明谐振器结构的详细情况。
[0186]
(绝缘层)
[0187]
绝缘层13将阳极121与每个子像素100r、100g、和100b电分离。绝缘层13设置在阳极121之间并且覆盖阳极121的外缘部分。更具体地，绝缘层13在对应于每个阳极121的部分中具有开口，并且从阳极121的上表面(面向第一阴极123的表面)的外缘部分覆盖到阳极121的侧表面(端面)。
[0188]
绝缘层13例如包括有机材料或无机材料。有机材料例如包括聚酰亚胺树脂和丙烯
酸树脂中的至少一种。无机材料例如包括选自由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝组成的组中的至少一种。
[0189]
(有机层)
[0190]
对于子像素100r、100g、和100b中的每个，有机层122r、122g、和122b被电分离。有机层122r、122g和122b分别生成红光、绿光和蓝光。因为有机层122r、122g和122b具有相同的层配置，所以下面将描述有机层122r的层配置。
[0191]
图5是示出图2中所示的有机层122r的放大截面图。有机层122具有从阳极电极121侧依次堆叠的空穴注入层122k、空穴传输层122l、有机发光层122m、以及电子传输层122n的配置。注意，有机层122的配置不限于此，并且根据需要设置除了有机发光层122m之外的层。
[0192]
空穴注入层122k是用于提高到有机发光层122m中的空穴注入效率并且抑制泄漏的缓冲层。空穴传输层122l用于增强到有机发光层122m的空穴传输效率。有机发光层122m通过施加电场使电子和空穴复合来产生光。电子传输层122n用于增强至有机发光层122m的电子传输效率。电子注入层(未示出)可以设置在电子传输层122n和第一阴极电极123之间。电子注入层用于提高电子注入效率。
[0193]
(保护层)
[0194]
保护层14覆盖并保护多个发光元件12。具体地，保护层14防止有机层122在制造过程中暴露于处理气体、化学液体等而损坏。此外，保护层14抑制湿气从外部环境渗入到发光元件12中。在第一阴极电极123由金属层构成的情况下，保护层14可具有抑制金属层的氧化的功能。
[0195]
保护层15覆盖并保护第二阴极电极124。具体地，保护层15防止水分从外部环境到达第二阴极电极124并且防止水分从外部环境进入发光元件12。在第二阴极电极124由金属层构成的情况下，保护层15可具有抑制金属层的氧化的功能。
[0196]
保护层14设于第一阴极电极123与第二阴极电极124之间并且在相邻的子像素100之间。保护层14具有在保护层14的厚度方向上穿透的多个接触孔14h。接触孔14h用于连接第一阴极电极123和第二阴极电极124，并且第二阴极电极124的接触部124a布置在接触孔14h中。接触孔14h优选设置在发光区101的外侧。由于接触孔14h设置在这样的位置处，因此可以抑制发光区101的面积的减小。由此，能够抑制显示装置10的亮度降低。此外，可以抑制在形成接触孔14h时对有机层122的损坏。
[0197]
分隔的第一阴极电极123上的保护层14的厚度在红色、绿色和蓝色子像素100r、100g和100b中基本相同。
[0198]
保护层14包含例如无机氧化物和有机绝缘材料中的至少一种。无机氧化物含有例如从由氮化硅(sin)、氧化硅(sio)、氧氮化硅(sion)、氧化铝(alo)和氧化钛(tio)组成的组中选择的至少一种。有机绝缘材料包含例如热固性树脂和紫外线固化树脂中的至少一种。
[0199]
虽然图2示出保护层14和15是单层膜的示例，但是保护层14可以是多层膜或如图6所示的多层膜。优选构成多层膜的层含有彼此不同的材料。这是因为能够抑制层间连接的针孔的形成。
[0200]
例如，作为多层膜的保护层14包括第一保护层14a和第二保护层14b。第一保护层14a和第二保护层14b优选地包含彼此不同的材料。这是因为可以防止在第一保护层14a中产生的针孔也连接至第二保护层14b。具有多层结构的保护层15例如包括第一保护层15a和
第二保护层15b。第一保护层15a和第二保护层15b优选包含彼此不同的材料。这是因为能够防止在第一保护层15a中产生的针孔也与第二保护层15b连接。
[0201]
第一保护层14a和第一保护层15a包括例如氮化硅(sin)。第二保护层14b和第二保护层15b包括例如氧化铝(alo)。第二保护层14b和第二保护层15b优选地通过原子层沉积(ald)来形成。
[0202]
在以上描述中，已经描述了具有多层结构的保护层14和保护层15包括两个保护层的示例，但是可设置两个或更多个保护层。
[0203]
[1.2显示装置的制造方法]
[0204]
在下文中，将参考图7a、图7b、图7c、图7d和图7e描述制造具有上述配置的显示装置10的方法。
[0205]
首先，通过使用例如薄膜形成技术、光刻技术和蚀刻技术在基板11的一个主表面上形成驱动电路等。接下来，通过例如溅射方法在驱动电路等上形成金属层，并且然后通过例如光刻技术和蚀刻技术图案化金属层，从而形成用于每个发光元件12(即，用于每个子像素100)的分隔的阳极电极121。
[0206]
接下来，通过例如cvd方法形成绝缘层13。接着，使用光刻技术和蚀刻技术对绝缘层13进行图案化。
[0207]
接下来，通过例如气相沉积法将空穴注入层122k、空穴传输层122l、有机发光层122m以及电子传输层122n顺次堆叠在阳极电极121上，以形成有机层122r。接下来，通过例如溅射方法在有机层122r上形成第一阴极电极123。
[0208]
接下来，通过例如cvd方法在第一阴极电极123上形成作为硬掩模的第一保护层14a。接着，在第一保护层14a上涂布抗蚀剂以形成抗蚀剂层。接下来，通过光刻法处理抗蚀剂层以形成抗蚀剂图案，然后通过抗蚀剂图案蚀刻作为硬掩模的第一保护层14a。之后，去除抗蚀剂图案。
[0209]
接下来，使用第一保护层14a作为硬掩模来蚀刻有机层122r和第一阴极电极123。因此，如图7a所示，针对每个子像素100分隔的有机层122r和第一阴极电极123形成在阳极电极121上，并且获得多个发光元件12r。
[0210]
接下来，如图7a所示，以类似于上述发光元件12r的形成的过程在基板11的一个主表面上形成多个发光元件12g和多个发光元件12b。接下来，如图7b所示，通过例如cvd方法形成第二保护层14b以覆盖多个发光元件12。因此，形成作为第一保护层14a和第二保护层14b的层叠膜的保护层14。接下来，将抗蚀剂涂覆在第二保护层14b上以形成抗蚀剂层。接下来，通过光刻处理抗蚀剂层以形成抗蚀剂图案，然后穿过抗蚀剂图案蚀刻保护层14。因此，如图7c所示，用于连接第一阴极电极123和第二阴极电极124的接触孔14h形成在保护层14中。接着，去除抗蚀剂图案。
[0211]
接下来，如图7d所示，通过例如溅射方法在保护层14上形成第二阴极电极124以跟随接触孔14h。接下来，如图7e所示，保护层15通过例如cvd方法形成在第二阴极电极124上以填充接触孔14h。如上所述，获得图2中所示的显示装置10。
[0212]
[1.3操作效果]
[0213]
在根据上述第一实施方式的显示装置10中，保护层14设置在第一阴极电极123与第二阴极电极124之间。因此，在蚀刻有机层122和第一阴极电极123等的步骤中，可通过保
护层14抑制有机层122暴露于处理气体、化学液体等。即，能够防止有机层122被损坏。因此，可以抑制显示装置10的可靠性的降低。
[0214]
而且，阳极电极121、有机发光层122m以及第一阴极电极123对于每个子像素100是分隔的，并且绝缘保护层14设置在子像素100之间。因此，可抑制相邻的子像素100之间的漏电流。因此，可以抑制颜色混合，并且可以改善颜色再现性。此外，也可以提高发光效率。因此，可以改善显示装置10的特性。
[0215]
此外，由于第二阴极电极124经由接触部124a连接至第一阴极电极123的突起部102，所以可减小第一阴极电极123与第二阴极电极124之间的接触电阻。
[0216]
[1.4变形例]
[0217]
(变形例1)
[0218]
在上述第一实施方式中，已经描述了显示装置10包括被配置为能够分别发射红光、绿光和蓝光的多个发光元件12r、12g和12b的示例，但是着色方法不限于此。例如，如图8a所示，显示装置10可以包括被配置为发射白光的多个发光元件12w和滤色器16来代替多个发光元件12r、12g和12b。发光元件12w例如是白色oled、微白色oled(micro-white oled,moled)或微白色led。
[0219]
滤色片16例如是片上滤色片(occf)，并且设置在保护层15上。滤色器16包括例如红色滤色器16r、绿色滤色器16g和蓝色滤色器16b。红色滤光器16r、绿色滤光器16g和蓝色滤光器16b被设置成分别面向子像素100r的发光元件12w、子像素100g的发光元件12w和子像素100b的发光元件12w。因此，从子像素100r、子像素100g和子像素100b中的每个发光元件12w发出的白光分别穿过上述红色滤光器16r、绿色滤光器16g和蓝色滤光器16b，从而红光、绿光和蓝光分别从显示表面发出。此外，遮光层(未示出)可以设置在各个颜色的滤色器16r、16g、和16b之间，即，在各个颜色的子像素100r、100g、和100b之间的区域中。
[0220]
在上述变形例1中，已经描述了保护层14和15具有单层结构的示例。然而，如图8b所示，保护层14可具有多层结构，或者保护层15可具有多层结构。
[0221]
在上述变形例1中，说明了滤色器16为片上滤色器的例子，但也可以使用设置在对置基板的一个主表面上的对置滤色器。
[0222]
(变形例2)
[0223]
如图9a所示，子像素100r、100g、和100b可分别设置有谐振器结构17r、17r、和17b。谐振器结构17r、17r、以及17b谐振、强调、并且发射规定波长的光。具体地，谐振器结构17r、17r、以及17b分别共振在发光元件12r、12g、以及12b(具体地，有机层122r、122g、以及122b)中产生的红光lr、绿光lg、以及蓝光lb，并且强调并发射红光lr、绿光lg、以及蓝光lb。如上所述，子像素100r、100g、和100b分别还包括谐振器结构17r、17r、和17b，从而可提高色纯度并且可实现高亮度。
[0224]
谐振器结构17r、17r及17b由阳极电极121及第二阴极电极124配置。对于红色、绿色和蓝色子像素100r、100g和100b中的每一个，分隔的第一阴极电极123上的保护层14的厚度不同。具体地，每个子像素100r、100g、和100b的保护层14的厚度根据每个子像素100r、100g、和100b所要显示的颜色而不同。因为保护层14具有这种不同的厚度，所以阳极电极121与第二阴极电极124之间的光学距离可以被设置为使得对应于要显示的颜色的光的波长产生最佳谐振。
[0225]
第二阴极电极124优选用作半透射反射膜。第二阴极电极124优选包含镁(mg)、银(ag)、包含这些作为主要成分的镁-银合金(mgag)、包含碱金属或碱土金属的合金等。第一阴极电极123优选含有透明的金属氧化物。
[0226]
如图9b所示，显示装置10可包括用于相应子像素100r、100g、和100b的上述谐振器结构17r、17g、和17b，并且还可包括在变形例1中描述的滤色器16。在这种情况下，可以进一步改善颜色再现性。
[0227]
在上述变形例2中，已经描述了谐振器结构17r、17r、和17b由阳极121和第二阴极电极124配置的示例，但谐振器结构17r、17r、和17b可由阳极121和第一阴极电极123配置。在这种情况下，子像素100r、100g、和100b的有机层122r、122g、和122b的厚度根据由子像素100r、100g、和100b显示的颜色而分别不同。因为保护层14具有这样的不同厚度，所以阳极电极121与第一阴极电极123之间的光学距离可以被设置为产生对应于要显示的颜色的光的波长的最佳谐振。
[0228]
如上所述，在谐振器结构17r、17r、和17b由阳极121和第一阴极电极123配置的情况下，第一阴极电极123优选地用作半透射反射膜。第二阴极电极124优选包含镁(mg)、银(ag)、包含这些作为主要成分的镁-银合金(mgag)、包含碱金属或碱土金属的合金等。第二阴极电极124优选含有透明的金属氧化物。
[0229]
(变形例3)
[0230]
在上述变形例2中，已经描述了显示装置10包括红色、绿色和蓝色发光元件12r、12g和12b以及谐振结构17r、17r和17b的示例，谐振结构17r、17r和17b谐振由这些发光元件12r、12g和12b生成的规定波长的光。然而，如图10a所示，可以提供发光元件12w来代替发光元件12r、12g和12b。在这种情况下，谐振器结构17r、17r、和17b谐振包含在由发光元件12w生成的白光中的红光lr、绿光lg、和蓝光lb，具体地，有机层122w，并分别向外部发射红光lr、绿光lg、和蓝光lb。
[0231]
通过使用上述变形例3的配置，即使显示装置10不包括红色、绿色和蓝色发光元件12r、12g和12b或滤色器16，也可执行全色显示等。
[0232]
如图10b所示，显示装置10可包括用于相应子像素100r、100g、和100b的上述谐振器结构17r、17g、和17b，并且还可包括在变形例1中描述的滤色器16。在这种情况下，可以进一步改善颜色再现性。
[0233]
(变形例4)
[0234]
在上述第一实施方式中，已经描述了子像素100具有相对于发光区101的外周边缘突起的突起部102的示例。然而，如图11a、图11b和图11c所示，可以设置其中切除发光区101的外周边缘的一部分的切口部(凹部)103。
[0235]
图11a是示出具有切口部103的大致椭圆形的子像素100的示例的平面图。切口部103例如设置在大致椭圆形状的短轴的一端。
[0236]
图11b是示出具有切口部103的大致六边形的子像素100的示例的平面图。切口部103例如设置在大致六边形的一个角部。
[0237]
图11c是示出具有大致正方形形状并具有切口部103的子像素100的示例的平面图。切口部103例如设置在大致正方形的一个角部附近。
[0238]
各子像素100的切口部103可在行方向上以交错方式排布(参见图11a和图11b)，或
者可排布在沿行方向延伸的直线上(参见图11c)。
[0239]
图12是沿图11a的线xii-xii截取的截面图。然而，在图11a中，省略图12中所示的一些部件(保护层14、保护层15等)的图示。切口部103通过使阳极电极121的外外缘的一部分凹陷到第一阴极电极123的外缘的内部而构成。有机层122可设置在切口部103的第一阴极电极123下方，或者可不设置在切口部103的第一阴极电极123下方。图12示出前者的示例。第二阴极电极124的接触部124a在切口部103中连接至第一阴极电极123。
[0240]
(变形例5)
[0241]
在上述第1实施方式中，说明了抵接部124a的连接部124b形成为大致正方形的例子，但是连接部124b的形状不限于大致正方形。例如，连接部124b可具有大致多边形形状，诸如大致三角形形状(参见图13a)、大致六边形形状(参见图13b)或大致八边形形状(参见图13c)，或者可具有大致圆形形状(参见图13d)。
[0242]
(变形例6)
[0243]
在上述第一实施方式中，已经描述了第二阴极电极124的连接部124b具有点形状的示例。然而，如图14所示，连接部124b可以具有线形状。例如，在子像素100具有诸如大致正方形形状的大致四边形形状的情况下，线性连接部124b可设置在大致四边形的子像素100的对角线上。
[0244]
(变形例7)
[0245]
在上述第一实施方式中，已经描述了一个子像素100的连接部124b的数量为一个的示例，但如图15所示，一个子像素100的数量可以是两个或更多个。在这种情况下，可以进一步减小第一阴极电极123与第二阴极电极124之间的接触电阻。
[0246]
例如，如图16a、图16b、图16c和图16d所示，两个或更多个连接部124b可连接到具有大致椭圆形、大致六边形、大致正方形或大致矩形形状的子像素100的一个突起部102。可替代地，如图17a、图17b和图17c所示，两个或更多个连接部124b可连接至具有大致椭圆形、大致六边形或大致正方形的子像素100的一个切口部103。
[0247]
在上述示例中，已经描述了子像素100具有一个突起部102并且两个或更多个连接部124b连接至一个突起部102的示例。然而，子像素100可具有两个或多个突起部102，并且一个或多个连接部124b可连接至每个突起部102。
[0248]
(变形例8)
[0249]
在上述第一实施方式中，已经描述了一个接触部124a连接至一个子像素100的示例。然而，如图18a和图18b所示，一个接触部124a可连接至两个或更多个相邻的子像素100，具体地，例如，两个、三个或四个相邻的子像素100，并且可由两个或更多个子像素100共享。因为一个接触部124a连接到两个或更多个子像素100，所以可以抑制发光区101的面积的减小。由此，能够抑制显示装置10的亮度降低。此外，因为可以减少接触部124a的数量，所以可以抑制在形成接触部124a时对有机层122的损坏。接触部124a连接至两个以上相邻的子像素100并且包括被共享的一个共享连接部124c。在保护层14中，可为两个以上子像素100设置一个接触孔14h。
[0250]
图18a示出一个接触部124a的共享连接部124c连接至四个相邻的子像素100并且由四个子像素100共享的示例。虽然图18a示出其中切口部103具有大致三角形形状的示例，但是切口部103可具有大致矩形形状，如图18b所示。
[0251]
虽然图18a和图18b示出共享连接部124c连接至切口部103的示例，但是共享连接部124c可以连接至突起部102。虽然图18a和图18b示出连接部124b为大致正方形的示例，但是连接部可为大致正方形以外的大致多边形、大致圆形、线性等。
[0252]
(变形例9)
[0253]
在上述第一实施方式中，已经描述了接触部124a具有点形状的连接部124b，并且点形状的连接部124b与子像素100的突起部102连接的示例，但是连接部124b的形状和连接形式不限于此。
[0254]
图19是示出连接部124b的形状和连接形式的变形例的截面图。图20a是示出连接部124b的形状和连接形式的变形例的平面图。如图19和图20a所示，接触部124a可具有线性连接部124b。可沿着第一阴极电极123的面对表面123s的外缘设置线性连接部124b。
[0255]
图20a示出在大致椭圆形的子像素100中设置大致椭圆形的连接部124b的示例。然而，如图20b、图20c和图20d所示，诸如大致六边形形状、大致正方形形状和大致矩形形状的大致多边形连接部124b可设置在诸如大致六边形形状、大致正方形形状和大致矩形形状的大致多边形子像素100中。图20a、图20b、图20c和图20d示出线性连接部124b沿第一阴极电极123的相对表面123s的外缘连续设置但可以不连续设置的示例。
[0256]
(变形例10)
[0257]
在上述变形例9中，已经描述了接触部124a连接到第一阴极电极123的相对表面123s的示例，但是如图21所示，接触部可以连接到第一阴极电极123的端部(侧表面)。如图22a、图22b和图22c所示，接触部124a可以在具有大致方形形状、大致矩形形状、大致六边形形状等的子像素100的第一阴极电极123的端部(侧表面)的整个外围连接到第一阴极电极123，或者可以在第一阴极电极123的端部(侧表面)的整个外围的一部分连接到第一阴极电极123。接触部124a的尖端可以布置在相邻的子像素100之间。
[0258]
由于显示装置10具有变形例10的配置，所以不必为每个子像素100单独地设置用于将第二阴极电极124连接到第一阴极电极123的连接部(例如，突起部102(见图3a、图3b、图3c和图3d)和切口部103(见图11a、图11b和图11c)。因此，在具有变形例10的配置的显示装置10中，与其中为每个子像素100单独设置连接部的显示装置10相比，可使子像素100小型化。
[0259]
如图23所示，第一阴极电极123可具有与接触部124a交叉的突起部123a。突起部123a可具有相对于有机层122的外缘突起的配置。由于第一阴极电极123具有突起部123a，接触部124a在子像素100的端部(侧表面)处容易地连接至第一阴极电极123。因此，可以抑制接触部124a与第一阴极电极123之间的连接故障。
[0260]
(变形例11)
[0261]
如图24所示，保护层15可具有多个气隙15c。空气间隙15c设置在相邻的子像素100之间。因为保护层15具有空气间隙15c，所以发射到发光元件12侧的光可被反射并提取到外部。由此，能够提高显示装置10的亮度。优选设置空气间隙15c以便围绕发光元件12。空气间隙15c可具有壁形状。
[0262]
《2第二实施方式》
[0263]
[2.1显示装置的配置]
[0264]
图29e是示出根据本公开第二实施方式的显示装置410的配置的示例的截面图。显
示装置410包括侧壁411、保护层412和第二阴极电极413。另外，在第二实施方式中，对与第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记，省略其说明。
[0265]
(侧壁)
[0266]
侧壁411覆盖阳极电极121的侧表面和有机层122的侧表面。侧壁411由绝缘材料构成。作为绝缘材料，可以示例类似于第一实施方式中的绝缘层13的材料。
[0267]
(保护层)
[0268]
保护层412用于保护发光元件12。保护层412设置在发光元件12上。保护层412对于每个发光元件12分隔。作为保护层412的材料，可以例示与第一实施方式中的保护层14的材料相似的材料。
[0269]
(第二阴极电极)
[0270]
第二阴极电极413覆盖设置有保护层412和侧壁411的发光元件12。第二阴极电极413覆盖保护层412的侧表面和第一阴极的侧表面123。第二阴极电极413连接到第一阴极电极123的侧表面或外缘部分。
[0271]
[2.2显示装置的制造方法]
[0272]
在下文中，将参考图29a至图29e描述制造具有以上配置的显示装置410的方法的示例。
[0273]
首先，在基板11的一个主表面上形成针对每个发光元件12分隔的阳极电极121。接下来，如图29a所示，有机层122、第一阴极电极123和保护层412依次堆叠在基板11的一个主表面上。
[0274]
接着，如图29b所示，使用例如光刻技术和蚀刻技术来处理有机层122、第一阴极电极123和保护层412，并且针对每个发光元件12分隔。因此，在基板11的一个主表面上形成包括发光元件12和保护层412的多个层叠体。接下来，如图29c所示，在基板11的一个主表面上形成绝缘层411a，并且用绝缘层411a覆盖多个层叠体。
[0275]
接着，如图29d所示，通过例如各向异性蚀刻加工绝缘层411a以形成侧壁411。接下来，如图29e所示，第二阴极电极413形成在基板11的一个主表面上以覆盖设置有保护层412和侧壁411的发光元件12。因此，第二阴极电极413连接到第一阴极电极123的侧表面或外缘部分。
[0276]
[2.3操作效果]
[0277]
在根据第二实施方式的显示装置410中，因为第一阴极电极123和第二阴极电极124没有使用接触部124a连接(见图2)，所以没有由接触部124a引起的电阻增加的影响。
[0278]
此外，由于可以在不使用使用溶液的光刻处理的情况下制造显示装置410，所以与使用接触部124a的配置相比，可以提高产量。因为不存在由光刻处理引起的限制，诸如曝光限制或图案与接触部124a的重叠，所以可以增加像素的清晰度。
[0279]
[2.4变形例]
[0280]
(变形例1)
[0281]
如图30f所示，显示装置420可包括覆盖保护层412的侧表面的侧壁部分421。侧壁部421是辅助电极并且具有导电性。侧壁部421被设置在第一阴极电极123的上部主表面的外缘部分处。第二阴极电极413覆盖侧壁部421并且经由侧壁部421电连接至第一阴极电极123。尽管图30f示出第二阴极电极413不与第一阴极电极123的侧表面接触的示例，但是第
二阴极电极413可与第一阴极电极123的侧表面接触。侧壁部分421可由与第一阴极电极123的材料相似的材料(例如，诸如izo的金属氧化物)配置。
[0282]
在下文中，将参考图29a和图30a至图29f描述制造具有以上配置的显示装置410的方法的示例。
[0283]
首先，在基板11的一个主表面上形成针对每个发光元件12分隔的阳极电极121。接下来，如图29a所示，有机层122、第一阴极电极123和保护层412依次堆叠在基板11的一个主表面上。
[0284]
接下来，如图30a所示，保护层412使用例如光刻技术和蚀刻技术来图案化，并且针对每个发光元件12分隔。接着，如图30b所示，导电层421a(例如，金属氧化物层诸如izo层)形成在第一阴极电极123上，并覆盖分隔的保护层412。
[0285]
接下来，如图30c所示，通过例如各向异性蚀刻来处理导电层421a，使得导电层421a仅保留在保护层412的侧壁上。接下来，如图30d所示，为每个发光元件12分隔有机层122和第一阴极电极123。接下来，如图30e所示，在覆盖发光元件12的侧面的侧壁411形成在基板11的一个主表面上之后，如图30f所示，第二阴极电极413形成在基板11的一个主表面上以覆盖设置有保护层412、侧壁部421和侧壁411的发光元件12。因此，第二阴极电极413和侧壁部分421连接。
[0286]
在变形例1中，第二阴极电极413可以连接至第一阴极电极123的端部或者连接至第一阴极电极123的侧壁部421。即，可以增加第一阴极电极123和第二阴极电极413之间的有效连接区域。因此，即使侧壁411的高度、第一阴极电极123的膜厚度等出现制造变化，第一阴极电极123和第二阴极电极413也可以稳定地连接，从而可以提高产量和可靠性。
[0287]
(变形例2)
[0288]
在上述第二实施方式中，已经描述了显示装置410包括具有单层结构的保护层412的示例。然而，如图31g所示，显示装置可包括具有双层结构的保护层431。具有两层结构的保护层431包括顺序位于发光元件12上的第一保护层431a和第二保护层431b。
[0289]
第一保护层431a类似于第二实施方式中的保护层412。第二保护层431b是具有比第一保护层431a更大的耐蚀刻性的层。作为第二保护层431b的材料，例如，可使用诸如氧化铝的金属氧化物。
[0290]
在此，已经描述了保护层412具有两层结构的示例，但是保护层412可以具有两层或更多层的堆叠结构。在这种情况下，在构成保护层412的两个或更多个层中的最上层优选地是具有比其他层更大的耐蚀刻性的层。
[0291]
在下文中，将参考图31a至图31g描述制造具有上述配置的显示装置410的方法的示例。
[0292]
首先，在基板11的一个主表面上形成为每个发光元件12分隔的阳极电极121。接下来，如图31a所示，有机层122、第一阴极电极123、第一保护层431a和第二保护层431b依次堆叠在基板11的一个主表面上。
[0293]
接下来，如图31b所示，使用例如光刻技术和蚀刻技术图案化第一保护层431a和第二保护层431b，并且针对每个发光元件12分隔第一保护层431a和第二保护层431b。因此，在第一阴极电极123上形成对于每个发光元件12分隔的具有两层结构的保护层431。接下来，如图31c所示，导电层421a(例如，诸如izo层的金属氧化物层)形成在第一阴极电极123上，
并覆盖分隔的保护层431。
[0294]
接下来，如图31d所示，通过例如各向异性蚀刻来处理导电层421a，使得导电层421a保留在保护层431的侧壁上。此时，导电层421a可以被处理使得导电层421a也保留在保护层431的侧壁上。接下来，如图31e所示，为每个发光元件12分隔有机层122和第一阴极电极123。
[0295]
接下来，如图31f所示，在覆盖发光元件12的侧面的侧壁411形成在基板11的一个主表面上之后，如图31g所示，第二阴极电极413形成在基板11的一个主表面上以覆盖设置有保护层431、侧壁部421和侧壁411的发光元件12。因此，第二阴极电极413和侧壁部分421连接。
[0296]
在变形例2中，保护层431具有包括按顺序的第一保护层431a和第二保护层431b的双层结构，并且第二保护层431b的组成材料具有比第一保护层431a的组成材料更高的耐蚀刻性。因此，可以抑制由于在第一阴极电极123的处理期间暴露于蚀刻或在形成侧壁411时的过蚀刻引起的保护层431的膜损失或形状坍塌的发生。
[0297]
(变形例3)
[0298]
如图32d所示，显示装置420可包括覆盖保护层412的侧表面的侧壁部441。侧壁部441包含与第一阴极电极123相同类型的材料。侧壁部441和第一阴极电极123的组成材料的组成比可以相同或不同。
[0299]
侧壁部441可以由长效膜构成。积存膜是在干蚀刻(例如，各向异性蚀刻)中通过在保护层412的侧表面上沉积反应产物而形成的膜。
[0300]
在下文中，将参考图29a和图32a至图32d描述制造具有以上配置的显示装置410的方法的示例。
[0301]
首先，在基板11的一个主表面上形成为每个发光元件12分隔的阳极电极121。接下来，如图29a所示，有机层122、第一阴极电极123和保护层412依次堆叠在基板11的一个主表面上。
[0302]
接着，如图32a所示，通过例如各向异性蚀刻加工有机层122、第一阴极电极123、以及保护层412，并且针对每个发光元件12分隔。此时，包含第一阴极电极123的组成元素的导电沉积物粘附到保护层412的侧表面以形成侧壁部分441。因此，包括侧壁部分441、保护层412和发光元件12的多个层叠体形成在基板11的一个主表面上。
[0303]
接下来，如图32b所示，在基板11的一个主表面上形成绝缘层411a，并且用绝缘层411a覆盖多个堆叠体。接着，如图32c所示，通过例如各向异性蚀刻加工绝缘层411a以形成侧壁411。接着，如图32d所示，第二阴极电极413形成在基板11的一个主表面上以覆盖设置有侧壁部441、保护层412和侧壁411的发光元件12。因此，第二阴极电极413和侧壁部441连接。
[0304]
在变形例3中，由于第二阴极电极413连接于由积存型膜构成的侧壁部441，所以能够得到与变形例2相同的效果。第二阴极电极413可与第一阴极电极123的外缘部分接触。
[0305]
(变形例4)
[0306]
如图33b所示，保护层412的侧表面可位于第一阴极电极123的上表面的外缘部分的内部。第二阴极电极413与第一阴极电极123的上表面的外缘部和第一阴极电极123的侧面接触。
[0307]
在下文中，将参考图29a至图29c、图33a和图33b描述制造具有以上配置的显示装置410的方法的示例。
[0308]
首先，以与制造根据第二实施方式的显示装置410的方法类似的方式执行从阳极电极121的形成到绝缘层411a的形成的步骤(见图29a至图29c)。
[0309]
接着，如图33a所示，通过例如各向异性蚀刻加工绝缘层411a以形成侧壁411，并且保护层412的侧表面从第一阴极电极123的上表面的外缘部分缩回。
[0310]
例如，侧壁411和保护层412由相同的材料(例如，sin)配置，并进一步选择难以处理第一阴极电极123(例如，izo层)的干法蚀刻条件，使得保护层412的侧表面可从第一阴极电极123的一个主表面的外缘部分缩回。
[0311]
接下来，如图33b所示，第二阴极电极413形成在基板11的一个主表面上以覆盖设置有保护层412和侧壁411的发光元件12。因此，第二阴极电极413与第一阴极电极123的上表面的外缘部和第一阴极电极123的侧面接触。
[0312]
在变形例4中，可以增加第一阴极电极123与第二阴极电极413之间的有效连接区域。因此，即使侧壁411的高度、第一阴极电极123的膜厚度等发生制造变化，第一阴极电极123和第二阴极电极413也可以稳定地连接。因此，可以改善产量和可靠性。
[0313]
(变形例5)
[0314]
显示装置410还可包括接触部451，如图34a所示。接触部451是连接第二阴极电极413和下面的配线(未示出)的辅助电极。接触部451的上表面连接到第二阴极电极413的外缘部分。另一方面，接触部451的下表面经由接触插头(未示出)连接到下面的导线。在本说明书中，第二阴极电极413的外缘部是指从第二阴极电极413的外缘部朝向内侧具有预定宽度的区域。
[0315]
接触部451设置在基板11的一个主表面上的外围区中。接触部451具有围绕显示区的矩形闭环形状。接触部451可由与阳极电极121相同的层配置。接触部451可以设置在与阳极电极121相同的高度处。
[0316]
侧壁411的端部可以放置在接触部451上。在这种情况下，可以抑制第二阴极电极413由于接触部451的台阶而断开，并且因此，可以抑制第二阴极电极413在第二阴极电极413与接触部451之间的连接部附近的电阻增加。
[0317]
例如，通过控制用于形成侧壁411的绝缘层411a的膜厚度和在形成绝缘层411a时的诸如气体和压力的干蚀刻条件，侧壁411的端部可如上所述放置在接触部451上。
[0318]
(变形例6)
[0319]
在变形例5中，已经描述了侧壁411的端部放置在接触部451上的示例。然而，如图34b所示，侧壁411的端部可与接触部451分隔，使得侧壁411的端部不放置在接触部451上。在这种情况下，可以抑制从有机层122发射的光在侧壁411内部传播并被接触部451反射。因此，可以抑制显示质量的劣化。
[0320]
(变形例7)
[0321]
如图35a所示，接触部451可设置在显示区内。例如，接触部451可以设置在相邻的发光元件12之间。在显示区中，例如，接触部451经由接触插头(未示出)连接至驱动电路等。如上所述，由于在显示区设置接触部451，所以能够降低第二阴极电极413的电阻。
[0322]
(变形例8)
[0323]
如图35b所示，接触部451可设置在显示区外面。由于以这种方式在显示区外部设置接触部451，所以可以增加发光元件12的尺寸。
[0324]
在接触部451设置在显示区外部的情况下，如图35c所示，分隔的发光元件12之间的空间可以填充有侧壁411作为绝缘层。
[0325]
在图35b所示的上述配置的情况下，在相邻发光元件12之间的凹部中，从每个发光元件12到接触部451的净距离可能增加。另一方面，在图35c所示的上述配置的情况下，因为可以减小相邻发光元件12之间的凹陷，所以可以抑制从每个发光元件12到接触部451的净距离的增加。因此，在图35c所示的以上配置的情况下，可抑制第二阴极电极413的电阻的增加。
[0326]
(变形例9)
[0327]
在变形例5至8中，已经描述了第二阳极电极413连接至接触部451的示例，但是第二阳极电极413可连接至设置在基板11中的布线层461。
[0328]
例如，可以如下制造具有上述连接配置的显示装置410。首先，如图36a所示，用绝缘层411a覆盖为每个发光元件12分隔的保护层412，然后，如图36b所示，执行用于形成侧壁411的各向异性蚀刻，直到到达基板11中的布线层461。接着，在基板11上形成第二阴极电极413。因此，第二阴极电极413连接到布线层461。
[0329]
(变形例10)
[0330]
在第二实施方式中，已经描述了有机层122、第一阴极电极123和保护层412的侧表面是垂直表面的示例，但是如图37a所示，有机层122、第一阴极电极123和保护层412的侧表面可以是倾斜表面。在这种情况下，因为覆盖有机层122的侧表面的第二阴极电极413、第一阴极电极123、以及保护层412可形成为厚的，所以可减小第二阴极电极413的电阻。
[0331]
如图37b所示，保护层412可以在侧表面和上表面之间被倒圆。同样在这种情况下，在这种情况下，覆盖保护层412的侧表面的第二阴极电极413可形成得厚。
[0332]
(变形例11)
[0333]
在第二实施方式中，已经描述了通过光刻和蚀刻分别处理阳极电极121、有机层122和第一阴极电极123以形成图案的示例。然而，在堆叠阳极121、有机层122和第一阴极电极123之后，阳极121、有机层122和第一阴极电极123可以一次被蚀刻和分隔。在这种情况下，考虑到重叠未对准，阳极121的尺寸不需要大于有机层122和第一阴极电极123的尺寸。即，如图38所示，阳极121、有机层122和第一阴极电极123可具有相同的尺寸。因此，可以扩大发光区。
[0334]
(变形例12)
[0335]
侧壁411的折射率可低于有机层122的折射率。因为从有机层122发射的光可在有机层122与侧壁411之间的界面处全反射，所以可抑制从有机层122发射的光在横向方向上传播，并且可有效地增加前侧上的亮度。
[0336]
《3第三实施方式》
[0337]
[3.1显示装置的配置]
[0338]
图39是示出根据本公开的第三实施方式的显示装置510的配置示例的截面图。显示装置510包括：基板11，具有一个主表面；多个发光元件12和设置在基板11的一个主表面上的接触部511；保护层14，覆盖多个发光元件12；第二阴极电极512，覆盖保护层14、接触部
511等；保护层15，覆盖第二阴极电极512；以及树脂层513，覆盖保护层15。
[0339]
(绝缘层)
[0340]
绝缘层13在对应于每个阳极121的部分中具有开口13a，并且从阳极121的上表面的外缘部分覆盖到阳极121的侧表面(端面)。这里，阳极121的上表面的外缘部分是指从阳极121的上表面的外缘朝向内部具有预定宽度的区域。发光元件12被隔离在绝缘层13的开口13a外部。
[0341]
此外，绝缘层13也在对应于接触部511的部分中具有开口13b，并且从接触部511的上表面的外缘部分覆盖到接触部511的侧表面(端面)。这里，接触部511的上表面的外缘部是指从接触部511的上表面的外缘朝向内侧具有预定宽度的区域。
[0342]
(接触部)
[0343]
接触部511设置在相邻的发光元件12之间。接触部511可由与阳极电极121相同的层配置。接触部511经由接触插塞(未示出)连接到下面的配线(未示出)。
[0344]
(第二阴极电极)
[0345]
第二阴极电极512被设置为显示区中所有发光元件12共享的电极。第二阴极电极512覆盖针对每一个发光元件12分隔的保护层14的上表面和侧表面，并且覆盖发光元件12的上表面和发光元件12的侧表面的外缘部分(在下文中，被称为“平台部”)。第二阴极电极124在发光元件12的上表面的外缘部与第一阴极电极123的上表面的外缘部连接。此外，第二阴极电极124覆盖相邻的发光元件12之间的部分，并且在该部分处连接到接触部511。
[0346]
在此，发光元件12的上表面的外缘部是指从发光元件12的上表面的外缘部朝向内侧具有预定宽度的区域。另外，第一阴极电极123的上表面的外缘部是指从第一阴极电极123的上表面的外缘部朝向内侧具有预定宽度的区域。
[0347]
(树脂层)
[0348]
树脂层513覆盖保护层15。树脂层513填充发光元件12之间的凹部。树脂层513优选为具有比保护层15低的折射率的低折射率树脂。因此，显示装置510可以具有波导结构，从而可以提高前表面的光提取效率。在显示装置510具有波导结构的情况下，保护层15优选地由诸如具有高折射率的氮化硅(sin)的材料配置。
[0349]
(像素阵列)
[0350]
例如，多个图像100r、100g、和100b的布置是条带阵列(参见图40a)、德塔(delta)阵列(参见图40b)、或方形阵列(参见图40c)。阴极接触区域511a设置在像素100和像素100之间。这里，阴极接触区域511a是包括相邻发光元件12的平台部和位于平台之间的部分的区域。
[0351]
阴极接触区域511a可以连续地设置在像素100和像素100之间，如图40a、图40b和图40c所示，或者可以间歇地设置在像素100和像素100之间，如图41a、图41b和图41c所示。
[0352]
[3.2显示装置的制造方法]
[0353]
在下文中，将参考图42a至图42f描述制造具有上述配置的显示装置510的方法的示例。
[0354]
首先，通过例如溅射方法形成阳极121，然后，通过例如光刻和干法蚀刻来处理阳极121。作为阳极电极121的材料，可以使用al合金、ag合金等。此外，作为阳极电极121的材料，可以使用诸如ito或igzo的具有高功函数和高透射率的材料。接下来，通过cvd法在基板
11的一个主表面上形成绝缘层13。此后，如图42a所示，使用例如抗蚀剂掩模和干法蚀刻形成开口13a和开口13b。
[0355]
接下来，通过例如气相沉积法在阳极121上形成有机层122。作为有机层122，可以使用诸如空穴注入层(hil)或空穴传输层(htl)的具有高空穴传输性质的层。接下来，在有机层122上顺序堆叠第一阴极电极121和第一保护层14a。作为第一阴极电极123，可以使用诸如izo或ito的具有高功函数和高透射率的材料，或者从器件特性的角度可以使用mgag合金等。第一保护层14a优选是能够在100℃以下的低温下形成并且对湿气和氧气具有高密封性能的层。
[0356]
接下来，如图42c所示，使用例如光刻和干法蚀刻加工有机层122、第一阴极电极123和第一保护层14a以分隔像素100。接下来，如图42d所示，在第一保护层14a上形成第二保护层14b。因此，获得具有双层结构的保护层14。第二保护层14b的膜形成条件可以类似于第一保护层14a的膜形成条件。
[0357]
接下来，如图42e所示，在保护层14上形成规定图案的抗蚀剂层514之后，使用例如干法蚀刻来处理第二保护层14b，以分隔像素100并暴露接触部511。由于保护层14设置在发光区上，因此可以抑制对发光区的等离子体损坏。此后，例如，通过在100℃或更低的低温灰化去除抗蚀剂层514。当使用湿法蚀刻时，存在可能剥离有机层122的担忧，因此优选使用干法蚀刻。
[0358]
接下来，如图42f所示，通过例如溅射法在整个显示区中将第二阴极电极512形成为公共阴极。作为第二阴极电极512的材料，可以使用与第一阴极电极123的材料相似的材料。接着，如图39所示，在用保护层15覆盖第二阴极电极512之后，在保护层15上形成树脂层513。此时，像素100之间的凹陷填充有树脂层513。
[0359]
[3.3操作效果]
[0360]
在根据第二实施方式的显示装置510中，由于发光元件12被隔离在绝缘层13的开口13a外部，所以可以抑制由干蚀刻引起的等离子体损坏被施加到发光区中。此外，当形成阴极接触区域511a时，还可以抑制由在发光区中的干法蚀刻引起的等离子体损坏。
[0361]
因为整个发光区被保护层14和保护层15覆盖，所以能够抑制湿气等的泄漏路径的形成。
[0362]
因为通过接触部511形成背衬配线，所以可减小阴极电阻的影响。
[0363]
由于第二阴极电极512在平台部中连接到第一阴极电极123，阴极电阻可减小。
[0364]
因为接触部511被布置在显示区中，所以阴极接触可以不被布置在显示区外部。此外，由于从接触部511到发光元件12(像素100)的距离变短，因此可以抑制ir降的发生。
[0365]
未来，从亮度、发光效率的观点出发，有机el涂层结构的扩展有进展。在常规结构中，由于处理损坏引起的器件特性劣化变得显著，但是通过使用本技术，可以提供满足诸如阴影和面板小型化的需要以及防止器件特性提前劣化的器件。
[0366]
[3.4变形例]
[0367]
(变形例1)
[0368]
如图43a所示，可能存在显示区中的发光元件12之间未设置接触部511的区域。绝缘层13可以不设置在该区域中的基板11上，并且可以覆盖有保护层14。在这种情况下，可以抑制由绝缘层13引起的像素之间的泄漏的发生。
[0369]
(变形例2)
[0370]
如图43b所示，保护层521可进一步设置在保护层15上。保护层521是由氧化铝(氧化铝)等配置的ald层。通过采用这种结构，可以提高保护层14、15和521的密封性能，并且可以提高显示装置510的可靠性。
[0371]
《4应用》
[0372]
(电子器件)
[0373]
例如，根据如图25所示的模块，根据上述第一至第三实施方式及其变形例中的任一个的显示装置10被结合在各种电子器件中。具体地，需要诸如电子取景器或摄像机或单镜头反光相机的头戴式显示器的高分辨率，并且适合于在眼睛附近放大和使用的那些。该模块具有在基板11的一个短边上没有用对置基板等覆盖的情况下露出的区域210，并且通过延伸信号线驱动电路111和扫描线驱动电路112的配线在该区域210中形成外部连接端子(未示出)。用于输入和输出信号的柔性印刷电路(fpc)220可连接到外部连接端子。
[0374]
(具体示例1)
[0375]
图26a和图26b示出数码照相机310的外观的示例。数码照相机310是可更换镜头的单镜头反射型，并且包括大致位于相机主体部(相机主体)311前方的中心处的可更换成像透镜单元(可更换镜头)312和将由拍摄者保持在前方左侧的握持部313。
[0376]
监视器314设置在从相机主体部311的背面的中心向左偏移的位置处。在监视器314的上方设有电子取景器(目镜窗)315。通过观察电子取景器315，拍摄者可以通过视觉识别从成像透镜单元312引导的对象的光学图像来确定构图。作为电子取景器315，可以使用根据上述第一至第三实施方式或其变形例中的任一个的显示装置10。
[0377]
(具体示例2)
[0378]
图27示出头戴式显示器320的外观的示例。例如，头戴式显示器320包括在玻璃形状的显示单元321的两侧佩戴在用户的头部上的耳钩部322。作为显示单元321，可以使用根据上述第一至第三实施方式或其变形例中的任一个的显示装置10。
[0379]
(具体示例3)
[0380]
图28示出电视装置330的外观的示例。电视装置330包括例如包括前面板332和滤光玻璃333的图像显示屏幕单元331，并且图像显示屏幕单元331由根据上述第一至第三实施方式或者其变形例中的任一个的显示装置10配置。
[0381]
虽然上面已经具体描述了本公开的第一至第三实施方式和修改，但是本公开不限于上述第一至第三实施方式和修改，并且可以基于本公开的技术构思进行各种修改。
[0382]
例如，在第一至第三实施方式和上述变形例中描述的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等仅仅是示例，并且根据需要，可以使用不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。
[0383]
在不背离本公开的主旨的情况下，上述第一至第三实施方式和修改的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等可彼此组合。
[0384]
另外，在上述第一至第三实施方式及变形例中例示的材料，只要没有特别说明，则既可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
[0385]
此外，本公开可采用以下配置。
[0386]
(1)
[0387]
一种显示装置，包括：
[0388]
多个发光元件，包括阳极电极、有机发光层和第一阴极电极，阳极电极、有机发光层和第一阴极电极针对每个子像素分隔；
[0389]
保护层，被配置为覆盖多个发光元件；以及
[0390]
第二阴极电极，设置在保护层上，其中
[0391]
第二阴极电极连接至每个分隔的第一阴极电极中。
[0392]
(2)
[0393]
根据(1)的显示装置，其中，
[0394]
保护层具有多个接触孔，并且
[0395]
第二阴极电极被配置为经由接触孔连接至每个分隔的第一阴极电极。
[0396]
(3)
[0397]
根据(1)或(2)的显示装置，其中，
[0398]
第一阴极电极和第二阴极电极中的每个独立地包含透明金属氧化物、金属或合金。
[0399]
(4)
[0400]
根据(1)至(3)中任一项的显示装置，其中，
[0401]
第一阴极电极包含透明金属氧化物，并且
[0402]
第二阴极电极包含金属或合金。
[0403]
(5)
[0404]
根据(1)至(4)中任一项的显示装置，其中，
[0405]
保护层包含无机氧化物和有机绝缘材料中的至少一种。
[0406]
(6)
[0407]
根据(1)至(5)中任一项的显示装置，其中，
[0408]
保护层为多层膜。
[0409]
(7)
[0410]
根据(1)至(6)中任一项的显示装置，其中，
[0411]
多个子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素和多个蓝色子像素，并且
[0412]
分隔的第一阴极电极上的保护层的厚度在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中基本相同。
[0413]
(8)
[0414]
根据(1)至(6)中任一项的显示装置，其中，
[0415]
子像素设置有使在有机发光层中产生的光谐振的谐振器结构，
[0416]
多个子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素和多个蓝色子像素，以及
[0417]
针对红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每个，分隔的第一阴极电极上的保护层的厚度不同。
[0418]
(9)
[0419]
根据(1)至(8)中任一项的显示装置，其中，
[0420]
第一阴极电极和第二阴极电极在子像素的发光区的外部连接。
[0421]
(10)
[0422]
根据(1)至(9)中任一项的显示装置，其中，
[0423]
针对一个子像素，第一阴极电极与第二阴极电极之间的连接部的数量为一个或两个以上。
[0424]
(11)
[0425]
根据(1)至(9)中任一项的显示装置，其中，
[0426]
第二阴极电极包括多个接触部，并且
[0427]
一个接触部连接至两个以上的子像素。
[0428]
(12)
[0429]
根据(1)至(11)中任一项的显示装置，其中，
[0430]
第一阴极电极和第二阴极电极之间的连接部具有点形状或线形状。
[0431]
(13)
[0432]
根据(1)至(12)中任一项的显示装置，其中，
[0433]
第一阴极电极具有与第二阴极电极相对的相对面，并且
[0434]
第一阴极电极与第二阴极电极之间的连接部沿着相对面的外缘设置。
[0435]
(14)
[0436]
根据(1)至(11)中任一项的显示装置，其中，
[0437]
第二阴极电极连接至第一阴极电极的端部。
[0438]
(15)
[0439]
根据(1)至(12)中任一项的显示装置，其中，
[0440]
第一阴极电极具有相对于发光元件的发光区的外缘突起的突起部，并且
[0441]
第二阴极电极在突起部处与第一阴极电极连接。
[0442]
(16)
[0443]
根据(1)至(12)中任一项的显示装置，其中，
[0444]
发光元件在发光元件的发光区的外缘处具有切口部，并且
[0445]
第二阴极电极在切口部中连接至第一阴极电极。
[0446]
(17)
[0447]
根据(1)至(16)中任一项的显示装置，其中，
[0448]
保护层具有多个气隙，并且
[0449]
多个气隙中的每个气隙设置在彼此相邻的子像素之间。
[0450]
(18)
[0451]
根据权利要求1的显示装置，还包括：
[0452]
保护层，被配置为覆盖第二阴极电极。
[0453]
(19)
[0454]
一种显示装置，包括：
[0455]
多个发光元件，包括第一电极、有机发光层和第二电极，针对每个子像素，第二电极、有机发光层和第二电极分隔；
[0456]
保护层，被配置为覆盖多个发光元件；以及
[0457]
第三电极，设置在保护层上，其中，
[0458]
第三电极连接至每个分隔的第二电极。
[0459]
(20)
[0460]
一种电子器件，包括：
[0461]
根据(1)至(19)中任一项的显示装置。
[0462]
附图标记列表
[0463]
10 显示装置
[0464]
11 基板
[0465]
12r、12b、12g、12w 发光元件
[0466]
13 绝缘层
[0467]
14、15 保护层
[0468]
14a、15a 第一保护层
[0469]
14b、15b 第二保护层
[0470]
14c 气隙
[0471]
14h 接触孔
[0472]
16 滤色器
[0473]
16r 红色滤色器
[0474]
16g 绿色滤色器
[0475]
16b 蓝色滤色器
[0476]
17r、17g、17b 谐振器结构
[0477]
100r、100g、100b 子像素
[0478]
101 发光区
[0479]
102 突起部
[0480]
103 切口部
[0481]
110a 显示区
[0482]
110b 外围区
[0483]
111 信号线驱动电路
[0484]
111a 信号线
[0485]
112 扫描线驱动电路
[0486]
112a 扫描线
[0487]
121 阳极电极
[0488]
122 有机层
[0489]
122k 空穴注入层
[0490]
122l 空穴传输层
[0491]
122m 有机发光层
[0492]
122n 电子传输层
[0493]
123 第一阴极电极
[0494]
123a 突起部
[0495]
124 第二阴极电极
[0496]
124a 接触部
[0497]
124b 连接部
[0498]
124c 共享连接部
[0499]
310 数码照相机(电子器件)
[0500]
320 头戴式显示器(电子器件)
[0501]
330 电视装置(电子器件)。