薄膜层转印用层叠体的制作方法

1.本发明涉及用于转印薄膜层的层叠体。更详细地，涉及：将圆偏光板等偏光板、相位差板的制造、具有液晶化合物所形成的偏光层的偏光板的制造中使用的、包含液晶化合物经取向的层的薄膜层转印时适合使用的层叠体。


背景技术：

2.一直以来已知在脱模性基材上设置薄膜层、将该薄膜层转印至对象物的技术。该转印法不仅采用了一直以来的图案的转印，近年来在光学领域、电气电子领域等中还采用了将相位差层、偏光层、紫外线、红外线等的吸收层、反射层、电磁波屏蔽层、电极层、防反射层、折射率调整层等具有各种功能的薄膜层通过转印设置于对象物的方法。
3.例如，图像显示装置中，以往，为了减少外来光的反射，在图像显示面板的观众侧的面板面配置圆偏光板。该圆偏光板由线偏光板与λ/4等相位差薄膜的层叠体构成，将朝向图像显示面板的面板面的外来光利用线偏光板转换为线偏振光，然后利用λ/4等相位差薄膜转换为圆偏振光。基于圆偏振光的外来光在图像显示面板的表面发生反射时偏光面的旋转方向反转，该反射光相反地利用λ/4等相位差薄膜转换为由线偏光板遮光的方向的线偏振光，之后由线偏光板遮光，因此，抑制射出到外部。如此，圆偏光板使用使λ/4等相位差薄膜贴合于偏光板而成者。
4.作为相位差薄膜，使用有环烯烃(专利文献1)、聚碳酸酯(专利文献2)、三乙酰纤维素的拉伸薄膜(专利文献3)等单独的相位差薄膜。另外，作为相位差薄膜，使用有在透明薄膜上具有由液晶化合物形成的相位差层的层叠体的相位差薄膜(专利文献4、5)。上述中记载了如下内容：设置由液晶化合物形成的相位差层(液晶化合物层)时，也可以将液晶化合物转印。
5.另外，专利文献6等中已知的是，通过将由液晶化合物形成的相位差层转印至透明薄膜从而制作相位差薄膜的方法。通过这种转印法，还已知如下方法：将λ/4等由液晶化合物形成的相位差层设置于透明薄膜上而形成λ/4相位差薄膜(专利文献7、8)。
6.这些转印法中，制作在转印用的脱模性基材薄膜(以后有时简称为基材薄膜)上设有使液晶化合物取向而成的相位差层的转印用层叠体，使该转印用层叠体的相位差层贴合于成为对象的薄膜等并转印。
7.通常，转印用层叠体以长条物体的卷的形式制作，但作为卷进行卷取时，为了保护位相层，有时使掩蔽薄膜贴合于相位差层并卷取(专利文献9)。使用转印用层叠体的卷将相位差层转印至对象物时，将掩蔽薄膜剥离，用粘接剂等使对象物与相位差层贴合。转印用层叠体的基材薄膜也有时直接层叠而不被剥离，暂时作为卷进行卷取，但贴合于图像显示单元时等成为最终的制品前被剥离。
8.然而，通过这些工序在基材薄膜上设置相位差层的情况下，产生针孔等坏点成为问题。特别是，刚在基材薄膜上设置相位差层后即使没有坏点，形成最终的制品时也有时产生坏点，寻求改善。
9.现有技术文献
10.专利文献
11.专利文献1：日本特开2012-56322号公报
12.专利文献2：日本特开2004-144943号公报
13.专利文献3：日本特开2004-46166号公报
14.专利文献4：日本特开2006-243653号公报
15.专利文献5：日本特开2001-4837号公报
16.专利文献6：日本特开平4-57017号公报
17.专利文献7：日本特开2014-071381号公报
18.专利文献8：日本特开2017-146616号公报
19.专利文献9：日本特开2016-224128号公报


技术实现要素：

20.发明要解决的问题
21.本发明是将上述现有技术问题作为背景而作出的。即，本发明的目的在于，想要提供一种转印用层叠体，其为用于转印薄膜层的转印用层叠体，所述转印用层叠体能形成针孔、转印不良等坏点的发生被抑制的转印物。
22.用于解决问题的方案
23.本发明人等为了实现上述目的而对使用透明树脂薄膜作为转印用的基材薄膜而制造的相位差层层叠偏光板(圆偏光板)中产生针孔等坏点的原因进行了研究。其结果发现：在基材薄膜上设置液晶化合物层时即使没有针孔等坏点，将贴合有掩蔽薄膜的转印用层叠体以卷状态保存，从该卷卷开转印用层叠体转印至对象物的工序中将掩蔽薄膜剥离时、将基材薄膜剥离时产生针孔。进而发现：适当保持基材薄膜与液晶化合物层的剥离力跟液晶化合物层与掩蔽薄膜的剥离力的关系，进而使基材薄膜的脱模面的粗糙度为特定的范围从而可以抑制该针孔，至此完成了本发明。本发明的薄膜层转印用层叠体的主旨在于以下的方面。
24.一种层叠体，其特征在于，依次层叠有脱模性基材薄膜、薄膜层、掩蔽薄膜，所述层叠体满足下述式(1)、(2)和(3)。
25.0.01≤y/x≤0.7
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(1)
26.x：脱模性基材薄膜与薄膜层的剥离强度
27.y：薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度
28.sku≤40
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(2)
29.sku：脱模性基材薄膜的脱模面的峰度
30.sq≤20nm
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(3)
31.sq：脱模性基材薄膜的脱模面的均方根粗糙度
32.本发明的薄膜层转印用层叠体优选进而满足下述式(4)。
[0033]-1.0≤ssk≤2.0
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(4)
[0034]
ssk：脱模性基材薄膜的脱模面的偏斜度
[0035]
本发明的薄膜层转印用层叠体优选进而满足下述式(5)。
[0036]
0.005n/25mm≤y≤2.0n/25mm
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(5)
[0037]
上述薄膜层优选包含液晶化合物经取向的层。
[0038]
发明的效果
[0039]
本发明的用于转印薄膜层的薄膜层转印用层叠体的操作性优异，特别是可以以辊对辊将薄膜层容易地转印至对象物。进而，通过使用本发明的薄膜层转印用层叠体，从而可以得到针孔、转印不良等坏点的发生被抑制的转印物。
具体实施方式
[0040]
(脱模性基材薄膜)
[0041]
作为构成脱模性基材薄膜的基材薄膜原卷的树脂，只要保持作为转印用基材的强度就没有特别限制，其中，优选聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚丙烯、环状聚烯烃、三乙酰纤维素，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、环状聚烯烃、三乙酰纤维素。需要说明的是，本发明的说明中，脱模性基材薄膜也包含对薄膜制膜工序中得到的基材薄膜原卷根据需要赋予的涂层等后加工赋予的层，因此，是指供于液晶化合物转印用层叠体的制造的形态，基材薄膜原卷是指：薄膜制膜工序中得到的状态者。
[0042]
基材薄膜原卷作为构成可以为单层，也可以为基于共挤出的多层。多层的情况下，可以举出如下构成：仅一个面为脱模面的[脱模面侧层(a)]/[背面侧层(b)]的构成；两面为脱模面、在其中间具有其他中间层(c)的[脱模面侧层(a)]/[中间层(c)]/[脱模面侧层(a)]的构成；及仅一个面为脱模面、在脱模面与背面侧层之间具有中间层(c)的[脱模面侧层(a)]/[中间层(c)]/[背面侧层(b)]的构成等。
[0043]
需要说明的是，本发明中，基材薄膜原卷的“脱模面侧层”是指：构成基材薄膜原卷的树脂的各层中、脱模面所存在的一侧的层。此处，薄膜为单一层的情况下也有时称为脱模面侧层。该情况下，后述的背面侧层与脱模面侧层成为同一层。另外，将脱模面侧层有时简称为表层。
[0044]
基材薄膜原卷可以为拉伸薄膜，也可以为未拉伸薄膜。进行拉伸的情况下，可以为单轴拉伸、弱双轴拉伸(沿双轴方向进行拉伸，但一个方向较弱的情况)、双轴拉伸，均可，优选沿宽度方向在宽的范围内可以使取向方向为恒定的面上为单轴拉伸或为弱双轴拉伸。弱双轴拉伸的情况下，优选使主取向方向为后段的拉伸方向。单轴拉伸的情况下，拉伸方向可以为薄膜制造的流动方向(长度方向)，也可以为与其正交的方向(横向)。
[0045]
双轴拉伸的情况下，可以为同时双轴拉伸，也可以为依次双轴拉伸。长度方向的拉伸优选利用速度差不同的辊组进行的拉伸，横向的拉伸优选拉幅机拉伸。基材薄膜原卷为聚对苯二甲酸乙二醇酯的情况下，特别优选为拉伸薄膜。
[0046]
基材薄膜原卷在制膜时可以进行易粘接涂布、脱模涂布、抗静电涂布等。
[0047]
脱模性基材薄膜在工业上以卷绕薄膜而成的卷供给。卷宽度的下限优选30cm、更优选50cm、进一步优选70cm、特别优选90cm、最优选100cm。卷宽度的上限优选5000cm、更优选4000cm、进一步优选3000cm、更进一步优选500cm、特别优选400cm、最优选300cm。
[0048]
卷长度的下限优选100m、更优选500m、进一步优选1000m。卷长度的上限优选100000m、更优选50000m、进一步优选30000m。
[0049]
脱模性基材薄膜的厚度的下限优选3μm、更优选5μm、进一步优选8μm、特别优选10μ
m、最优选12μm。厚度的上限优选150μm、更优选100μm、进一步优选80μm、特别优选70μm、最优选60μm。通过设为上述范围，从而操作性优异，在成本等经济上也变得成为优势。
[0050]
(脱模面粗糙度)
[0051]
脱模性基材薄膜的脱模面优选为平滑的。需要说明的是，本发明中，脱模性基材薄膜的“脱模面”是指：脱模性基材薄膜的表面中、意图设置要转印的薄膜层(例如液晶化合物层)的表面。设置后述的低聚物嵌段涂层、平坦化涂层、脱模层等的情况下，只要在其上设置薄膜层即可，这些低聚物嵌段涂层、平坦化层、脱模层等的表面、即与薄膜层接触的表面为脱模性基材薄膜的“脱模面”。
[0052]
需要说明的是，本发明的各粗糙度的参数如实施例中记载，依据iso25178，使用非接触表面形状测量系统(ryoka systems inc.制、vertscan r550h-m100)，在下述条件下进行测定。
[0053]
(测定条件)
[0054]
测定模式：wave模式
[0055]
物镜：50倍
[0056]
0.5
×
tube透镜
[0057]
测定面积：187μm
×
139μm
[0058]
(解析条件)
[0059]
水平校正：4次校正
[0060]
插值处理：全插值
[0061]
iso参数处理：s-filter 1μm指定
[0062]
本发明的薄膜层转印用层叠体满足下述式(2)。
[0063]
sku≤40
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(2)
[0064]
此处，sku为脱模性基材薄膜的脱模面的峰度。作为粗糙度参数之一的峰度是表示高度分布的锐度的指标，值越大，表示越尖，有尖锐的峰、谷的情况下，数值变大。需要说明的是，高度分布为正态分布时，峰度的值成为3。本发明的脱模性基材薄膜的脱模面的峰度(sku)的上限为40。sku的上限更优选30、进一步优选20、特别优选15、最优选12。sku的下限没有特别限定，优选1.0、更优选2.0、进一步优选3.0，sku特别优选超过3.0，4.0以上、4.5以上、或者5.0以上也是允许的。
[0065]
使用薄膜层转印用层叠体将薄膜层转印至成为对象物的薄膜时，将掩蔽薄膜剥离，在成为最终的制品前，将脱模性基材薄膜剥离，但通过将脱模性基材薄膜的脱模面的sku设为上述范围，从而变得可以进行光滑的剥离，可以有效地抑制液晶化合物层残留在掩蔽薄膜、基材薄膜的凸部上、或以该部分为起点产生条状的液晶化合物层无法被转印的区域那样的转印不良。另外，sku如果为超过3.0、4.0以上、4.5以上、或者5.0以上，则脱模基材薄膜的脱模面的凹凸具有某种程度的锐度，因此，可以抑制脱模基材薄膜粘附于薄膜层的情况，可以进行光滑的剥离。
[0066]
本发明的薄膜层转印用层叠体满足下述式(3)。
[0067]
sq≤20nm
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(3)
[0068]
此处sq为脱模性基材薄膜的脱模面的均方根粗糙度。脱模性基材薄膜的脱模面的均方根粗糙度(sq)的上限为20nm、优选15nm、更优选10nm、进一步优选7nm、最优选5nm。sq的
下限没有特别限定，优选0.5nm以上、更优选0.8nm以上、特别优选1.0nm以上。通过使sq为上述范围，从而可以抑制在脱模性基材薄膜上设置薄膜层时薄膜层本身产生坏点、转印时产生转印不良之类的问题。
[0069]
本发明的薄膜层转印用层叠体优选满足下述式(4)。
[0070]-1.0≤ssk≤2.0
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(4)
[0071]
此处，ssk为脱模性基材薄膜的脱模面的偏斜度。作为粗糙度参数之一的偏斜度是表示高度分布的对称性的指标，值为0时，表示高度分布为上下对象，值为正时，表示为峰多的表面，值为负时，表示为谷多的表面。脱模性基材薄膜的脱模面的偏斜度(ssk)的下限优选-1.0、更优选-0.7、进一步优选-0.5、特别优选-0.3。通过设为上述，从而可以稳定地进行脱模性基材薄膜的卷取。脱模性基材薄膜的脱模面的ssk的上限优选2.0、更优选1.7、进一步优选1.5、特别优选1.3、最优选0.6。通过设为上述范围，从而可以进一步抑制转印不良。而且，可以使脱模基材薄膜的表面为峰比谷还多一定程度的表面，因此，可以抑制脱模基材薄膜粘附于薄膜层的情况，可以进行光滑的剥离。
[0072]
脱模性基材薄膜的脱模面的算术平均粗糙度(sa)的上限优选15nm、更优选10nm、进一步优选5nm、特别优选4nm、最优选3nm。脱模性基材薄膜的脱模面的sa的下限优选0.2nm、更优选0.4nm、进一步优选0.5nm。通过使脱模性基材薄膜的脱模面的sa为上述范围，从而可以抑制在脱模性基材薄膜上设置薄膜层时薄膜层本身产生坏点、转印时产生转印不良之类的问题。
[0073]
脱模性基材薄膜的脱模面的界面的展开面积(sdr)的上限优选0.0015％、更优选0.001％、进一步优选0.0007％。通过设为上述以下，从而可以抑制在脱模性基材薄膜上设置薄膜层时薄膜层本身产生坏点、转印时产生转印不良之类的问题。界面的展开面积(sdr)的下限优选0.0001％。sdr是表示相对于从上部观察到的面积，实际的界面面积以何种程度变大的指标，小的凹凸多的情况下，凹凸的倾斜急剧的情况下，为变大的倾向。认为可能sdr越小，越能够减少转印时的附着，越能抑制转印不良。
[0074]
脱模性基材薄膜的脱模面的峰顶点的主曲率的平均(spc)的下限优选1(1/mm)、更优选3(1/mm)、进一步优选5(1/mm)、特别优选7(1/mm)、最优选8(1/mm)。可以设为上述以上。脱模性基材薄膜的脱模面的峰顶点的主曲率的平均(spc)的上限优选100(1/mm)、更优选80(1/mm)、进一步优选70(1/mm)、特别优选60(1/mm)、最优选50(1/mm)。spc是表示突起的顶点的曲率的指标，值越大，表示顶点越尖，值小时，表示顶点光滑。认为，脱模性基材薄膜的脱模面的粗糙度的顶点光滑时，可以减少转印时的附着，可能可以抑制转印不良。需要说明的是，算出spc时，根据使用的软件而有时成为负值，但上述的范围可以作为绝对值应用。
[0075]
为了使脱模性基材薄膜的脱模面的粗糙度为上述范围，可以举出以下的方法。
[0076]
(a)基材薄膜原卷的脱模面侧层不含颗粒、异物。
[0077]
(b)基材薄膜原卷的脱模面侧层包含颗粒的情况下，设为粒径小的颗粒。
[0078]
(c)基材薄膜原卷的脱模面侧层包含颗粒、异物的情况下，设置平坦化涂布。
[0079]
另外，除上述以外，如以下将原料、制造工序清洁也是重要的。
[0080]
(d)选择聚合时不易生成异物、特别是源自催化剂的异物的条件。
[0081]
(e)对聚合时的颗粒浆料施加过滤器。小片化前施加过滤器。
[0082]
(f)使小片化冷却水为清洁。使直至小片输送、制膜机投入为止的环境为清洁。
[0083]
(g)制膜时、熔融树脂施加过滤器，将聚集颗粒、异物去除。
[0084]
(h)涂布剂施加过滤器，将异物去除。
[0085]
(i)制膜、涂布、干燥时在清洁环境下进行。
[0086]
为了平滑化而表层优选实质上不含颗粒。实质上不含颗粒是指：颗粒含量低于50ppm、优选低于30ppm。
[0087]
为了提高表面的滑动性，表层也可以包含颗粒。包含颗粒的情况下，表层颗粒含量的下限优选10ppm、更优选50ppm、进一步优选100ppm。另外，表层颗粒含量的上限优选20000ppm、更优选10000ppm、进一步优选8000ppm、特别优选6000ppm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选范围内。
[0088]
表层粒径的下限优选0.005μm、更优选0.01μm、进一步优选0.02μm。另外，表层粒径的上限优选1μm、更优选0.5μm、进一步优选0.3μm、特别优选0.1μm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选范围内，即使进行平滑化涂布，脱模面的粗糙度有时也无法成为优选的范围内。
[0089]
即使在表层不含颗粒的情况下、形成粒径小的颗粒的情况下，其下层包含颗粒时，由于下层的颗粒的影响而脱模面层的粗糙度也有时变高。这种情况下，优选采用加厚表层的厚度、设置不含颗粒的下层(中间层)等方法。
[0090]
表层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，表层厚度的上限相对于脱模性基材薄膜的总厚度，优选97％、更优选95％、进一步优选90％。
[0091]
不含颗粒的中间层为实质上不含颗粒的含义，颗粒的含量低于50ppm、优选低于30ppm。中间层的厚度的下限相对于脱模性基材薄膜的总厚度，优选10％、更优选20％、进一步优选30％。上限优选95％、更优选90％。
[0092]
基材薄膜原卷的表层的粗糙度高的情况下，也可以设置平坦化涂布层。作为平坦化涂布层中使用的树脂，可以举出聚酯、丙烯酸、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰胺等通常作为涂布剂的树脂使用者。还优选使用三聚氰胺、异氰酸酯、环氧树脂、噁唑啉化合物等交联剂。它们可以作为溶解或分散于有机溶剂、水的涂布剂涂覆并干燥。或丙烯酸的情况下，以无溶剂涂覆，也可以在辐射线下进行固化。平坦化涂布层可以为低聚物嵌段涂布层。以涂布设置脱模层的情况下，也可以加厚脱模层本身。
[0093]
表面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.1μm、进一步优选0.2μm、特别优选0.3μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变得不充分。另外，表面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选7μm、进一步优选5μm、特别优选3μm。即使超过上述，也有时得不到其以上的平坦化效果。
[0094]
平坦化涂布层在制膜过程中可以以在线涂布设置，也可以另行以离线设置。
[0095]
基材薄膜原卷的表层、其上的涂层中包含较大的颗粒、异物的情况下，sa、sq等即使小，sku、ssk也有时不满足前述优选的范围。该情况下，将上述方针作为参考可以设为范围内。
[0096]
上述中，主要对基材薄膜原卷为拉伸薄膜的情况进行说明，通过将三乙酰纤维素等溶解于溶剂中而得到的胶浆在金属带等上展开使溶剂干燥的流延法而制膜的未拉伸薄膜的情况下，通过添加颗粒，伴随溶剂的去除，在上表面(金属带的相反面)产生颗粒所产生
的凹凸，因此，可以调节粗糙度。该情况下，优选减小金属带的表面粗糙度，使金属带面为脱模面。基于流延法的情况下，上述(a)～(i)也是优选的方法。该情况下，(e)、(g)的方法中，在原料树脂制造时施加过滤器，在胶浆中施加过滤器将聚集颗粒、异物去除。
[0097]
另外，胶浆中包含颗粒的情况下，以溶剂含量多的状态从金属带剥离时，颗粒所产生的凹凸也有时在金属带面出现，因此，还优选干燥后从金属带剥离直至溶剂含量少的状态。在这些剥离的时刻也可以调整粗糙度。另外，以包含少许量溶剂的状态在拉幅机内进行拉伸干燥的情况下，也可以以拉伸倍率等调整粗糙度。另外，不含颗粒的情况下，也可以调节金属带的粗糙度，使金属带面为背面。另外，边通过粗糙度不同的辊间边进行干燥的同时可以使粗糙度转印至表面。
[0098]
浇铸cop等熔融树脂而制膜的未拉伸薄膜的情况下，通过添加颗粒，从而也可以调节粗糙度。提高使用无机颗粒等热膨胀系数不同于薄膜树脂的颗粒，从而由于冷却时引起的热收缩而可以在表面形成添加颗粒所产生的凹凸。该情况下，优选通过减小将熔融树脂挤出为片状的冷却辊的表面粗糙度，从而形成脱模面。另外，可以加粗冷却辊，转印粗糙度形成背面。也可以在薄膜树脂的tg以上的温度下，通过粗糙度不同的辊间使粗糙度转印。另外，未拉伸薄膜的情况下，上述(a)～(i)也是优选的方法。
[0099]
(背面侧粗糙度)
[0100]
脱模性基材薄膜的与脱模面相反侧的面(背面)的算术平均粗糙度(sa)的下限优选1.0nm、更优选1.3nm、进一步优选1.5nm。另外，背面的sa的上限优选50nm、更优选40nm、进一步优选30nm。
[0101]
脱模性基材薄膜的背面的均方根粗糙度(sq)的下限优选1.3nm、更优选1.5nm、进一步优选1.8nm、特别优选2.0nm。另外，背面的sq的上限优选70nm、更优选60nm、进一步优选50nm、特别优选45nm。
[0102]
通过使脱模性基材薄膜的背面的sa、sq为上述范围，从而使脱模性基材薄膜的卷取容易，且以卷取了的状态保存的情况下，也不易引起卷绕偏离、粘连，进而，背面的凹凸转印至表面的情况下，也可以将表面的粗糙度的状态保持在适当的范围。
[0103]
脱模性基材薄膜的背面的sku优选大于脱模面的sku。具体而言，(背面的sku)/(脱模面的sku)的下限优选1.2、更优选1.4、进一步优选1.5。(背面的sku)/(脱模面的sku)的上限优选40、更优选30、进一步优选25、特别优选20。
[0104]
脱模性基材薄膜的背面的sku的上限优选200、更优选170。背面的sku的下限优选3、更优选5、进一步优选7。
[0105]
脱模性基材薄膜的背面的ssk优选大于脱模面的ssk。具体而言，(背面的ssk)/(脱模面的ssk)的绝对值的下限优选1.2、进一步优选1.5、进一步优选1.8、特别优选2。(背面的ssk)/(脱模面的ssk)的上限优选20、更优选17、进一步优选15。
[0106]
脱模性基材薄膜的背面的ssk的下限优选-3、更优选-1，但超过0时，为了稳定的卷取而优选，进一步优选1以上。脱模性基材薄膜的背面的ssk的上限优选20、更优选15、进一步优选12、特别优选10。
[0107]
使脱模性基材薄膜的脱模面的各粗糙度参数为前述优选的范围、使背面的sa、sq为前述优选的范围内的情况下，脱模面、背面的sa、sq接近于下限值时，卷取性、保存性也有时降低。通过使背面与脱模面的sku、ssk中的任意者、优选两者为上述，从而防止薄膜层的
针孔等，且抑制卷取时过量的空气混入，可以确保良好的卷取性、保存性。
[0108]
为了使背面的粗糙度为上述范围，例如可以举出以下的方法。
[0109]
·
使基材薄膜原卷的背面侧层(背面层)包含特定的颗粒。
[0110]
·
使用基材薄膜原卷的中间层中包含颗粒者，形成背面层侧(背面层)中不含颗粒者而减薄厚度。
[0111]
·
基材薄膜原卷的背面侧层(背面层)的粗糙度大的情况下，设置平坦化涂布层。
[0112]
·
基材薄膜原卷的背面侧层(背面层)不含颗粒的情况、粗糙度小的情况下，设置易滑动涂布层(含颗粒的涂布层)。
[0113]
背面层粒径的下限优选0.01μm、更优选0.05μm、进一步优选0.1μm。如果低于上述，则滑动性变差，有时引起卷取不良。另外，背面层粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm。如果超过上述，则背面有时变得过粗。
[0114]
背面层包含颗粒的情况下，背面层颗粒含量的下限优选50ppm、更优选100ppm。如果低于上述，则有时得不到添加颗粒所带来的滑动性的效果。另外，背面层颗粒含量的上限优选10000ppm、更优选7000ppm、进一步优选5000ppm。如果超过上述，则背面有时变得过粗。
[0115]
背面层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，背面层厚度的上限相对于脱模性基材薄膜的总厚度，优选95％、更优选90％、进一步优选85％。
[0116]
还优选：通过使中间层中包含颗粒、背面层不含颗粒而减薄，从而控制背面的粗糙度。通过采用这种形态，从而可以防止颗粒的脱落，且确保背面的粗糙度。
[0117]
作为中间层的颗粒的粒径、添加量，与背面层的颗粒同样。该情况下的背面层的厚度的下限优选0.5μm、更优选1μm、进一步优选2μm。厚度的上限优选30μm、更优选25μm、进一步优选20μm。
[0118]
基材薄膜原卷的背面粗糙的情况下，还优选设置平坦化涂布层。平坦化涂布层可以同样地使用表面的平坦化涂布层中列举者。
[0119]
背面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变小。另外，背面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm。即使超过上述，平坦化的效果也会饱和。
[0120]
也可以设置使基材薄膜原卷的背面侧不含颗粒、或背面含有颗粒的易滑动涂层。另外，基材薄膜原卷的背面的粗糙度小的情况下，也可以设置易滑动涂层。
[0121]
背面易滑动涂层的粒径的下限优选0.01μm、更优选0.05μm。如果低于上述，则有时得不到易滑动性。另外，背面易滑动涂层的粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm、特别优选1μm。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
[0122]
背面易滑动涂层的颗粒含量的下限优选0.1质量％、更优选0.5质量％、进一步优选1质量％、特别优选1.5质量％、最优选2质量％。如果低于上述，则有时得不到易滑动性。另外，背面易滑动涂层的颗粒含量的上限优选20质量％、更优选15质量％、进一步优选10质量％。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
[0123]
背面易滑动涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。另外，背面易滑动涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm、特别优选2μm、最优选1μm。
[0124]
上述中，对本发明的脱模性基材薄膜位拉伸薄膜的情况进行了说明，但通过将溶剂中溶解有三乙酰纤维素等的胶浆在金属带等上展开使溶剂干燥的流延法而制膜的未拉伸薄膜的情况下，通过添加颗粒，伴随溶剂的去除，颗粒所产生的凹凸也在上表面(金属带的相反面)产生，因此，可以调节粗糙度。该情况下，优选减小金属带的表面粗糙度，使金属带面为脱模面。另外，胶浆中包含颗粒的情况下，以溶剂含量多的状态从金属带剥离时，颗粒所产生的凹凸有时也在金属带面产生，因此，也优选干燥直至溶剂含量少的状态后，从金属带剥离。在这些剥离的时刻也可以调整粗糙度。另外，以包含少许量的溶剂的状态在拉幅机内进行拉伸干燥的情况下，也可以以拉伸倍率等调整粗糙度。另外，不含颗粒的情况下，也可以调节金属带的粗糙度，使金属带面为背面。另外，可以边通过粗糙度不同的辊间边进行干燥的同时将粗糙度转印至表面。
[0125]
另外，浇铸cop等熔融树脂而制膜的未拉伸薄膜的情况下，通过添加颗粒，从而也可以调节粗糙度。通过使用无机颗粒等热膨胀系数不同于薄膜树脂的颗粒，从而由于冷却时引起的热收缩而可以在表面形成添加颗粒所产生的凹凸。该情况下，优选通过减小将熔融树脂挤出为片状的冷却辊的表面粗糙度，从而形成脱模面。另外，也可以加粗冷却辊，转印粗糙度，形成背面。在薄膜树脂的tg以上的温度下通过粗糙度不同的辊间，也可以转印粗糙度。需要说明的是，为这些未拉伸薄膜，也与拉伸薄膜同样地，也可以通过平滑涂布层、含有颗粒的易滑动涂布层而调整粗糙度。
[0126]
(薄膜层)
[0127]
接着，对薄膜层进行说明。薄膜层优选包含液晶化合物经取向的层。另外，薄膜层也可以为相位差层、偏光层、紫外线、红外线等的吸收层、反射层、电磁波屏蔽层、电极层、防反射层、折射率调整层等。这些薄膜层可以为单层，也可以为多个层。
[0128]
薄膜层厚度的下限优选0.001μm、更优选0.005μm、进一步优选0.01μm。厚度的上限优选20μm、更优选10μm、进一步优选7μm、特别优选5μm、最优选4.5μm。需要说明的是，薄膜层为多个的情况下，优选总厚度为上述范围。
[0129]
(液晶化合物层)
[0130]
接着，对作为本发明中适合的薄膜层的液晶化合物层进行说明。液晶化合物层可以作为相位差层、偏光层使用，该情况下，液晶化合物层必须涂覆在脱模性基材薄膜上并取向。作为进行取向的方法，有如下方法：对液晶化合物层的下层(脱模面)进行摩擦处理等而赋予取向控制功能的方法；涂布液晶化合物后照射偏振紫外线等而直接使液晶化合物取向的方法。
[0131]
(取向控制层)
[0132]
另外，还优选：在脱模性基材薄膜上设置取向控制层，在该取向控制层上设置液晶化合物层的方法。作为取向控制层，只要可以使液晶化合物层形成期望的取向状态就可以为任意的取向控制层，可以举出对树脂的涂覆膜进行了摩擦处理的摩擦处理取向控制层、提高偏振光的光照射而使分子取向产生取向功能的光取向控制层作为适合例。
[0133]
(摩擦处理取向控制层)
[0134]
作为通过摩擦处理而形成的取向控制层中使用的聚合物材料，优选使用聚乙烯醇和其衍生物、聚酰亚胺和其衍生物、丙烯酸类树脂、聚硅氧烷衍生物等。
[0135]
以下，对摩擦处理取向控制层的形成方法进行说明。首先，将包含上述聚合物材料
的摩擦处理取向控制层形成用涂料涂布于脱模性基材薄膜的脱模面上后，进行加热干燥等，得到摩擦处理前的取向控制层。摩擦取向控制层形成用涂料也可以具有交联剂。
[0136]
作为摩擦处理取向控制层形成用涂料的溶剂，只要使聚合物材料溶解就可以没有限制地使用。作为具体例，可以举出水、醇系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂、芳香族烃溶剂、醚系溶剂等。这些溶剂可以单独使用，也可以组合。
[0137]
摩擦处理取向控制层的厚度优选0.01～10μm、进一步优选0.05～5μm、特别优选0.1μm～1μm。
[0138]
摩擦处理通常通过用纸、布对聚合物层的表面沿一定方向进行擦拭而实施。通常，使用尼龙、聚酯、丙烯酸等纤维的起毛布的摩擦辊，对取向控制层表面进行摩擦处理。为了设置相对于脱模性基材薄膜的行进方向沿倾斜方向取向的取向控制层，取向控制层的摩擦方向也必须设为符合其的角度。角度的调整可以以摩擦辊与脱模性基材薄膜的角度调整、脱模性基材薄膜的输送速度与辊的转速的调整符合。
[0139]
(光取向控制层)
[0140]
光取向控制层是指：包含具有光反应性基团的聚合物或单体和溶剂的涂料(光取向控制层形成用涂料)涂布于脱模性基材薄膜的脱模面，照射偏振光、优选偏振紫外线，从而赋予了取向限制力的取向膜。光反应性基团是指：通过光照射而产生液晶取向能力的基团。具体而言，产生通过照射光而产生的分子的取向诱发或异构化反应、二聚化反应、光交联反应、或者光分解反应那样的、成为液晶取向能力的起源的光反应。该光反应性基团中，在取向性优异、保持偏光膜的近晶型液晶状态的方面优选引起二聚化反应或光交联反应者。作为能产生以上的反应的光反应性基团，优选不饱和键、特别优选双键，特别优选具有选自由c＝c键、c＝n键、n＝n键、c＝o键组成的组中的至少一者的基团。
[0141]
作为具有c＝c键的光反应性基团，例如可以举出乙烯基、多烯基、茋基、芪唑基、偶氮茋鎓基、查耳酮基和肉桂酰基等。作为具有c＝n键的光反应性基团，可以举出具有芳香族席夫碱和芳香族腙等结构的基团。作为具有n＝n键的光反应性基团，可以举出将偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族杂环偶氮基、双偶氮基和甲臜基等、氧偶氮苯(azoxybenzene)作为基本结构者。作为具有c＝o键的光反应性基团，可以举出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基和马来酰亚胺基等。这些基团可以具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羟基、磺酸基和卤代烷基等取代基。
[0142]
其中，优选能引起光二聚化反应的光反应性基团，肉桂酰基和查耳酮基的光取向所需的偏振光照射量较少、且容易得到热稳定性、经时稳定性优异的光取向层，故优选。进而例如作为具有光反应性基团的聚合物，特别优选该聚合物侧链的末端部成为桂皮酸结构的具有肉桂酰基者。作为主链的结构，可以举出聚酰亚胺、聚酰胺、(甲基)丙烯酸、聚酯等。
[0143]
通过提高调整要照射的偏振光的角度，从而可以任意地调整光取向控制层的取向限制力的方向。
[0144]
需要说明的是，转印时取向控制层优选与液晶化合物层一起剥离并转印。另外，作为合并了取向控制层与液晶化合物层的统称，有时称为液晶化合物层。
[0145]
(液晶化合物层)
[0146]
液晶化合物层只要液晶化合物经取向就没有特别限制。作为具体例，可以举出包含液晶化合物和二色性色素的偏光膜(偏振片)、包含棒状、盘状液晶化合物的相位差层、包
含棒状液晶化合物的胆甾型液晶结构的圆偏振光反射层等。
[0147]
(偏光膜)
[0148]
偏光膜具有仅使单向的偏振光通过的功能，其包含二色性色素。
[0149]
(二色性色素)
[0150]
二色性色素是指：分子的长轴方向上的吸光度与短轴方向上的吸光度具有不同的性质的色素。
[0151]
二色性色素优选在300～700nm的范围内具有吸收极大波长(λmax)。这种二色性色素例如可以举出吖啶色素、噁嗪色素、花青色素、萘色素、偶氮色素和蒽醌色素等，其中，优选偶氮色素。偶氮色素可以举出单偶氮色素、双偶氮色素、三偶氮色素、四偶氮色素和茋偶氮色素等，优选双偶氮色素和三偶氮色素。二色性色素可以单独，也可以组合，为了调整色调(无彩色)，优选组合2种以上，更优选组合3种以上。特别优选组合3种以上的偶氮化合物。
[0152]
作为优选的偶氮化合物，可以举出日本特开2007-126628号公报、日本特开2010-168570号公报、日本特开2013-101328号公报、日本特开2013-210624号公报中记载的色素。
[0153]
二色性色素还优选为丙烯酸等聚合物的侧链中导入的二色性色素聚合物。作为这些二色性色素聚合物，可以示例日本特开2016-4055号公报中列举的聚合物、日本特开2014-206682号公报的[化学式6]～[化学式12]的化合物聚合而成的聚合物。
[0154]
对于偏光膜中的二色性色素的含量，从使二色性色素的取向良好的观点出发，在偏光膜中、优选0.1～30质量％、更优选0.5～20质量％、进一步优选1.0～15质量％、特别优选2.0～10质量％。
[0155]
为了改善膜强度、偏光度、膜均质性，偏光膜中，优选还包含聚合性液晶化合物。需要说明的是，此处聚合性液晶化合物还包含作为膜聚合后者。
[0156]
(聚合性液晶化合物)
[0157]
聚合性液晶化合物是指：具有聚合性基团、且示出液晶性的化合物。聚合性基团是指：参与聚合反应的基团，优选为光聚合性基团。此处，光聚合性基团是指：利用由后述的光聚合引发剂产生的活性自由基、酸等能进行聚合反应的基团。作为聚合性基团，可以举出乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙烷基、氧杂环丁烷基等。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基、环氧乙烷基和氧杂环丁烷基，更优选丙烯酰氧基。示出液晶性的化合物可以为热致性液晶，也可以为溶致液晶，另外，可以为热致液晶中的、向列液晶也可以为近晶液晶。
[0158]
在得到更高的偏振特性的方面，聚合性液晶化合物优选近晶型液晶化合物，更优选高阶近晶型液晶化合物。聚合性液晶化合物所形成的液晶相如果为高阶近晶型相，则可以制造取向有序度更高的偏光膜。
[0159]
作为具体的优选的聚合性液晶化合物，例如可以举出日本特开2002-308832号公报、日本特开2007-16207号公报、日本特开2015-163596号公报、日本特表2007-510946号公报、日本特开2013-114131号公报、wo2005/045485号、lub et al.recl.trav.chim.pays-bas，115，321-328(1996)等中记载的物质。
[0160]
从提高聚合性液晶化合物的取向性的观点出发，偏光膜中的聚合性液晶化合物的含有比例在偏光膜中优选70～99.5质量％、更优选75～99质量％、进一步优选80～97质量％、特别优选83～95质量％。
302487号公报、日本特开2002-80478号公报、日本特开2002-80851号公报、日本特开2010-181852号公报或日本特开2014-034581号公报的各公报中记载的化合物。手性剂通常包含不对称碳原子，但也可以使用不含不对称碳原子的轴手性化合物或者面手性化合物作为手性剂。轴手性化合物或面手性化合物的例子中，包含联萘、螺烯、对环芳烷(paracyclophane)和它们的衍生物。另外，手性剂可以为液晶化合物。
[0192]
手性剂优选具有聚合性基团。通过具有与液晶化合物相同的聚合性基团，可以与液晶化合物一起将胆甾型液晶结构固定化。作为手性剂，可以优选使用异山梨醇衍生物、异甘露糖醇衍生物、或联萘衍生物。作为异山梨醇衍生物，可以使用basf株式会社制的lc-756等市售品。手性剂相对于聚合性液晶化合物的总摩尔量，优选0.01摩尔％～200摩尔％、更优选1摩尔％～30摩尔％。
[0193]
圆偏振光反射层可以与上述相位差层同样地设置于脱模性基材薄膜上。
[0194]
脱模性基材薄膜上可以设有多个液晶化合物层。也可以设置多个相位差层、多个圆偏振光反射层、偏光层与相位差层、偏光层与圆偏振光反射层、圆偏振光反射层与相位差层。进而，有时在偏振片与相位差层之间、相位差层与圆偏振光反射层之间、相位差层上、相位差层之间等设置层间保护涂层，防止各层的成分的迁移。这些层间保护涂层也可以与相位差层、偏光层、圆偏振光反射层一起设置于脱模性基材薄膜上，并转印至对象物。
[0195]
作为层间保护涂层，可以举出透明树脂的涂覆层。作为透明树脂，没有特别限定于聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂、环氧树脂等。可以在这些树脂中加入交联剂形成交联结构。另外，也可以使硬涂层那样的丙烯酸等光固化性的组合物固化。另外，可以将层间保护涂层设置于脱模性基材薄膜上后，对层间保护涂层进行摩擦处理，在其上设置液晶化合物层而不设置取向控制层。
[0196]
(掩蔽薄膜)
[0197]
本发明中，在薄膜层上(薄膜层的与面对脱模性基材薄膜的面相反的面)贴合掩蔽薄膜。掩蔽薄膜至少由基材层和粘合层形成，在薄膜层上或层间保护涂层上直接贴合掩蔽薄膜的粘合层面。
[0198]
掩蔽薄膜的基材优选树脂薄膜，作为薄膜的原料，可以举出聚丙烯、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、聚氨酯等。其中，优选聚丙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。它们可以进行共聚以调整薄膜的柔软性等各物性。树脂薄膜可以为未拉伸薄膜，也可以为拉伸薄膜。拉伸薄膜的情况下，可以为单轴拉伸，也可以为双轴拉伸。
[0199]
掩蔽薄膜的粘合层中可以使用橡胶系、丙烯酸系、聚烯烃系等以往的粘合剂。橡胶系中，可以举出天然橡胶、丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等橡胶、sbs、sis、sebs、seps等苯乙烯系嵌段共聚物弹性体。丙烯酸系中，可以举出使(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等共聚物交联而成者。作为交联剂，可以举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、金属螯合剂、含有多个双键的化合物等。
[0200]
作为聚烯烃系，可以举出epm、epdm等乙烯-丙烯橡胶；将它们形成软链段、将聚乙烯、聚丙烯形成硬链段而成者；乙烯-丙烯橡胶与聚乙烯、聚丙烯的共混物等。
[0201]
这些粘合剂中可以添加增粘剂、脂肪酸酯类、脂肪酸双酰胺类、聚甘油、硅油、有机硅树脂等各种粘合力调节剂、稳定剂。
[0202]
粘合剂可以举出涂覆于成为基材的树脂薄膜而设置的方法、将制膜树脂薄膜时基材的树脂与成为粘合层的树脂进行共挤出的方法等。
[0203]
掩蔽薄膜优选：在脱模性基材薄膜上设置薄膜层后、卷取前贴合，之后卷取为卷状。
[0204]
本发明为依次层叠有脱模性基材薄膜、薄膜层、掩蔽薄膜的层叠体，将脱模性基材薄膜与薄膜层的剥离强度设为x(n/25mm)、薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度设为y(n/25mm)时，满足下述式(1)。
[0205]
0.01≤y/x≤0.7
ꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0206]
y/x的下限更优选0.02、进一步优选0.03、特别优选0.04、最优选0.05。
[0207]
y/x的上限更优选0.6、进一步优选0.5、特别优选0.4、最优选0.35。
[0208]
通过将y/x设为上述值以上，从而薄膜层转印用层叠体的卷取、卷开、分切等操作时掩蔽薄膜不会不必要地剥离，可以进行稳定的操作。另外，使用薄膜层转印用层叠体将薄膜层转印至对象物时，脱模性基材薄膜的剥离容易，剥离时薄膜层中变得不易引起针孔、转印不良。
[0209]
另外，通过将y/x设为上述值以下，从而从薄膜层转印用层叠体剥离掩蔽薄膜时，掩蔽薄膜的剥离容易，剥离时液晶化合物层中变得不易引起针孔、薄膜层的剥离。
[0210]
薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度y优选满足下述式(5)。
[0211]
0.005n/25mm≤y≤2.0n/25mm
ꢀꢀꢀꢀ
(5)
[0212]
薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度y的下限优选0.005n/25mm、更优选0.01n/25mm、进一步优选0.03n/25mm、特别优选0.05n/25mm。剥离强度y的上限优选2.0n/25mm、更优选1.5n/25mm、进一步优选1.2n/25mm、更进一步优选1.0n/25mm、特别优选0.7n/25mm、最优选0.5n/25mm。
[0213]
通过将薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度y设为上述以上，从而薄膜层转印用层叠体的卷取、卷开、分切等操作时掩蔽薄膜不会不必要地剥离，可以进行稳定的操作。另外，通过将薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度y设为上述以下，从而使用薄膜层转印用层叠体将薄膜层转印至对象物时，脱模性基材薄膜的剥离容易，剥离时薄膜层中变得不易引起针孔、转印不良。
[0214]
薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度y可以根据薄膜层的组成等由掩蔽薄膜的粘合剂的组成、涂覆条件等进行调整。
[0215]
薄膜层与脱模性基材薄膜的剥离强度x的下限优选0.01n/25mm、更优选0.03n/25mm、进一步优选0.05n/25mm、特别优选0.07n/25mm。薄膜层与脱模性基材薄膜的剥离强度x的上限优选2.0n/25mm、更优选1.5n/25mm、进一步优选1.2n/25mm、特别优选1.0n/25mm、最优选0.8n/25mm。
[0216]
薄膜层与脱模性基材薄膜的剥离强度x可以根据薄膜层的组成、涂覆这些时的条件等，改变脱模性基材薄膜的电晕处理等表面处理、脱模层的组成等而调整。
[0217]
(薄膜层的转印对象)
[0218]
作为薄膜层的转印对象物，没有特别限定，优选为薄膜、片状物，可以举出树脂薄膜、玻璃薄膜、树脂片、玻璃板、金属板。其中，优选树脂薄膜。
[0219]
薄膜层为液晶化合物层时的本发明的一实施方式中，可以举出如下方式：将透明
树脂薄膜作为转印对象物时，转印偏光膜制作偏光板；转印相位差层形成相位差薄膜；转印相位差层和偏振片形成圆偏振光、光学补偿层层叠的偏光板；转印圆偏振光反射层与相位差层(λ/4相位差层)形成亮度改善薄膜等。
[0220]
本发明的一实施方式中，可以举出如下方式：将偏光板作为对象，转印相位差层形成圆偏振光、光学补偿层层叠的偏光板；转印圆偏振光反射层与相位差层(λ/4相位差层)形成亮度改善层层叠偏光板等。
[0221]
本发明的一实施方式中，可以举出如下方式：将液晶显示单元作为对象，转印偏光层、相位差层与偏光层在液晶显示单元上直接层叠偏光层；将有机el显示单元等作为对象，转印相位差层与偏光层、圆偏振光反射层与相位差层与偏光层，层叠防反射用圆偏振光层、带增度层的圆偏振光层等形成图像显示面板等。
[0222]
本发明的一实施方式中，可以举出如下方式：将图像显示装置的表面保护片作为对象，转印相位差层与偏光层、圆偏振光反射层与相位差层与偏光层，层叠防反射用圆偏振光层、带增度层的圆偏振光层等，形成有机el显示装置用等带防反射功能的表面保护片等。
[0223]
转印优选以辊对辊进行，为了符合光学轴等理由、转印对象为图像显示单元、面板、表面保护片等为非长条物体等的情况下，也可以以单张进行。
[0224]
(圆偏光板的制造方法)
[0225]
作为一例，对优选使用本发明的薄膜层转印用层叠体的、圆偏光板的制造方法进行说明。
[0226]
首先，在脱模性基材薄膜的脱模面设置由液晶化合物形成的λ/4相位差层，使掩蔽薄膜贴合，得到薄膜层转印用层叠体的卷状物。之后，从卷中卷开薄膜层转印用层叠体，将掩蔽薄膜剥离，使λ/4相位差层与线偏光板用粘接剂等贴合，将脱模性基材薄膜剥离，得到圆偏光板。
[0227]
λ/4相位差层的正面延迟优选100～180nm。进一步优选120～150nm。λ/4相位差层的取向轴(慢轴)与脱模性基材薄膜的宽度方向(与薄膜的制膜行进方向正交的方向)的角度优选设为45度，也包含误差在内优选43～47度的范围。
[0228]
另外，λ/4相位差层也可以为组合了λ/4相位差层与λ/2相位差层的复合λ/4相位差层。λ/2相位差层的正面延迟优选200～360nm。进一步优选240～300nm。
[0229]
该情况下，λ/4相位差层与λ/2相位差层优选在圆偏光板中以相位差一起成为λ/4的角度配置。具体而言，λ/2相位差层的取向轴(慢轴)与偏振片的透光轴的角度(θ)优选5～20度、更优选7度～17度，λ/2相位差层的取向轴(慢轴)与λ/4相位差层的取向轴(慢轴)的角度优选2θ 45度
±
10度的范围、更优选2θ 45度
±
5度的范围、进一步优选2θ 45度
±
3度的范围。将吸附有广泛使用的碘的聚乙烯醇薄膜拉伸而得到的偏振片的情况下，宽度方向为透光轴，因此，优选与脱模性基材薄膜的宽度方向(与薄膜的制膜行进方向正交的方向)的角度也设为上述范围。
[0230]
具有复合λ/4相位差层的圆偏光板的制造中，可以在脱模性基材薄膜上设置λ/4相位差层和λ/2相位差层并将其转印，也可以分别在脱模性基材薄膜上设置λ/4相位差层和λ/2相位差层并将它们转印。进而，圆偏光板中，有时设有c板层等相位差层。该情况下，也可以将相位差层全部设置于脱模性基材薄膜并转印，还可以分别转印。
[0231]
作为转印对象物的线偏光板没有特别限制，优选在偏振片的两面、或单面设有偏
振片保护薄膜的线偏光板。
[0232]
偏振片可以举出：将单独拉伸pva系的薄膜而制作的偏振片、在聚酯、聚丙烯等未拉伸基材上涂覆pva并连同基材一起拉伸而制作的偏振片转印至偏振片保护薄膜而成者；将由液晶化合物和二色性色素形成的偏振片涂覆于偏振片保护薄膜或进行转印而成者等，均可以优选使用。
[0233]
偏振片保护薄膜可以使用tac、丙烯酸、cop、聚碳酸酯、聚酯等通常已知者。其中，优选tac、丙烯酸、cop、聚酯。聚酯优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚酯的情况下，优选为面内延迟为100nm以下、特别是为50nm以下的零延迟薄膜、或为3000nm～30000nm的高延迟聚酯薄膜。
[0234]
作为粘附的方法，可以使用粘接剂、粘合剂等以往已知者。作为粘接剂，优选使用聚乙烯醇系粘接剂、丙烯酸、环氧等紫外线固化型粘接剂、环氧、异氰酸酯(氨基甲酸酯)等热固化型粘接剂。粘合剂可以举出丙烯酸、氨基甲酸酯系、橡胶系等的粘合剂。另外，还优选使用无丙烯酸基材的光学用透明粘合剂片。
[0235]
如此得到的圆偏光板的厚度优选120μm以下。更优选100μm以下、进一步优选90μm以下、特别优选80μm以下、最优选70μm以下。
[0236]
本技术要求基于2020年3月26日申请的日本专利申请第2020-56823号的优先权的权益。2020年3月26日申请的日本专利申请第2020-56823号的说明书的全部内容作为参考引入至本技术。
[0237]
实施例
[0238]
(1)表面粗糙度
[0239]
各粗糙度的参数依据iso 25178，使用非接触表面形状测量系统(ryoka systems inc制、vertscan r550h-m100)，在下述条件下进行测定。
[0240]
(测定条件)
[0241]
测定模式：wave模式
[0242]
物镜：50倍
[0243]
0.5
×
tube透镜
[0244]
测定面积：187μm
×
139μm
[0245]
(解析条件)
[0246]
水平校正：4次校正
[0247]
插值处理：全插值
[0248]
iso参数处理：s-filter 1μm指定
[0249]
测定在5个点进行，求出其平均值。
[0250]
(2)剥离强度
[0251]
(2-1)样品的准备
[0252]
将实施例、比较例中得到的脱模性基材薄膜/相位差层/掩蔽薄膜的层叠体切成宽度25mm、长度160mm，制作样品。样品的长度方向设为脱模性基材薄膜的宽度方向。另外，样品如下制作：使掩蔽薄膜贴合后，放置在24℃、相对湿度50％的房间内1周，从得到的层叠薄膜的卷卷开，从距离卷的卷芯100m的位置切出，从而制作。
[0253]
(2-2)相位差层-掩蔽薄膜间的剥离强度
[0254]
使用双面胶带，将样品的脱模性基材薄膜面重叠在与厚度1mm的样品的宽度和长度相同的亚克力板上并粘附。剥离样品的长度方向的一个端部约20mm的部分的掩蔽薄膜，使用双面胶带，将宽度25mm、长度160mm、厚度50μm的双轴拉伸聚酯薄膜粘附在表面掩蔽薄膜的剥离部分。将剥离了表面掩蔽薄膜的部分的相位差层/脱模性薄膜的层叠体连同亚克力板一起拉伸，用试验机的下部卡盘固定，将双轴拉伸聚酯薄膜的贴合有表面掩蔽薄膜的相反侧的端部用上部卡盘固定，测定以300mm/分钟的速度进行180度剥离时的剥离强度。试验机使用的是，岛津制作所制autograph(注册商标)(ag-x)，求出测定中开始剥离2秒后至25秒后为止的期间的平均值。在样品5个点实施，将其平均值作为剥离强度。测定室的温度为24℃。
[0255]
(2-3)脱模性基材薄膜-相位差层间的剥离强度
[0256]
使将宽度25mm的聚丙烯基材的粘合带(日东电工株式会社制danpron(注册商标)ace no.3200)切成长度160mm而成者准确地贴合在上述测定后的剥离了掩蔽薄膜的样品的相位差层上。此时，使宽度25mm、长度160mm、厚度50μm的双轴拉伸聚酯薄膜的端部贴合在粘合带的上述测定中相当于经夹持的部分的部位。贴合中，使用手推辊，以不引入气泡的方式进行。将与样品的上述测定相同的部位用拉伸试验器的下部卡盘保持，保持上部卡盘中，与粘合带贴合的双轴拉伸聚酯薄膜的与粘合带贴合的相反侧的端部，在与上述同样的条件下进行测定。
[0257]
(3)转印作业性
[0258]
作为转印作业性，从切断时、操作时的掩蔽薄膜的剥离、掩蔽薄膜的剥离容易性、基材薄膜的剥离容易性的观点出发进行评价。
[0259]
○
：均没有问题。
[0260]
△
：任意者有少许问题，转印作业中需要注意。
[0261]
×
：任意者存在问题，转印作业困难。
[0262]
(4)转印性
[0263]
将得到的圆偏光板的表面以λ/4层成为下方的方式放置在经镜面研磨的铝板上，从上方照射光，观察λ/4层的转印状态。观察用肉眼和放大镜进行。
[0264]
◎
：肉眼、放大镜观察中均几乎未见针孔。
[0265]
○
：放大镜观察中，确认到一些针孔，但无法以肉眼确认。
[0266]
△
：放大镜观察中确认到较多的针孔，但无法以肉眼确认。
[0267]
×
：以肉眼确认到清楚的针孔、或确认到无法转印λ/4层的部分。
[0268]
(5)卷取性
[0269]
观察制膜时的脱模性基材薄膜、分切时的脱模性基材薄膜的卷取状态。进而将分切后的脱模性基材薄膜在仓库中保管1个月后，观察卷的状态。
[0270]
○
：可以进行卷取而没有褶皱、蛇行、空气的混入等问题，保管后也没有异常。
[0271]
△
：可以进行卷取而没有褶皱、蛇行、空气的混入等问题，但保管后的卷中可见少许异常(端面错位、部分松弛、表面松弛等)。
[0272]
×
：卷取时确认到褶皱、蛇行、空气的混入等问题。
[0273]
(原料聚酯树脂的制造)
[0274]
(不含颗粒的聚酯树脂(pet(x1))的制造)
[0275]
将酯化反应釜升温，在达到200℃的时刻，投入对苯二甲酸86.4质量份和乙二醇64.6质量份，边搅拌边投入作为催化剂的三氧化锑0.011质量份、三乙胺0.16质量份。然后，进行加压升温，在表压0.34mpa、240℃的条件下进行加压酯化反应，在反应的后段添加乙酸镁四水合物0.064质量份，进而接着进行加压酯化反应。之后，将酯化反应釜恢复至常压，添加磷酸0.014质量份。进而，用15分钟升温至260℃，添加磷酸三甲酯0.012质量份。接着，15分钟后，在高压分散机中进行分散处理，15分钟后，将得到的酯化反应产物转移至缩聚反应釜，在280℃、减压下进行缩聚反应。
[0276]
缩聚反应结束后，用95％切割粒径为5μm的naslon制过滤器进行过滤处理，从喷嘴以股线状挤出，用预先进行了过滤处理(孔径：1μm以下)的冷却水进行冷却、固化，切成粒料状，得到聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(pet(x1))。pet(x1)的特性粘度为0.62dl/g，酯环状三聚体的含量为1.05质量％，实质上不含有非活性颗粒和内部析出颗粒。
[0277]
(不含颗粒的聚酯树脂(pet(x2))的制造)
[0278]
使三氧化锑的添加量为0.017质量份，使乙酸镁四水合物的添加与三氧化锑的添加同时进行，将naslon过滤器改变为95％截止直径为20μm者，除此之外，与pet(x1)同样地得到聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(pet(x2))。
[0279]
(含二氧化硅颗粒的聚酯树脂(pet(xsi)的制造))
[0280]
pet(x1)的制造中，升温至260℃，添加磷酸三甲酯15分钟后，以相对于生成聚酯成为10000ppm的方式添加下述二氧化硅颗粒的乙二醇浆料，和用95％截止直径为20μm的naslon过滤器(日本精线株式会社制)进行过滤处理，除此之外，与pet(x1)的制造同样地得到特性粘度为0.63dl/g的含二氧化硅颗粒的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(pet(xsi))。需要说明的是，二氧化硅颗粒的乙二醇浆料如下制造：在乙二醇中投入平均粒径为2.5μm的二氧化硅颗粒(fuji silysia chemical ltd.制)，进而用95％截止直径为30μm的粘胶人造丝制过滤器进行过滤处理，从而制造。
[0281]
(含碳酸钙颗粒的聚酯树脂(pet(xca)的制造))
[0282]
pet(xsi)的制造中，使用碳酸钙颗粒的乙二醇浆料代替二氧化硅颗粒的乙二醇浆料，除此之外，同样地进行，得到特性粘度为0.63dl/g的含碳酸钙颗粒的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(pet(xca))。需要说明的是，碳酸钙颗粒的乙二醇浆料如下制造：使用平均粒径为0.6μm的碳酸钙颗粒(丸尾钙株式会社制)代替二氧化硅颗粒从而制造。
[0283]
(在线涂布用涂料的制造)
[0284]
(聚氨酯树脂的制造)
[0285]
按照如下步骤制造将脂肪族系聚碳酸酯多元醇作为构成成分的聚氨酯树脂d-1。在具备搅拌机、蛇形冷凝器、氮气导入管、硅胶干燥管和温度计的四口烧瓶中，投入4,4-二苯基甲烷二异氰酸酯43.75质量份、二羟甲基丁酸12.85质量份、数均分子量2000的聚六亚甲基碳酸酯二醇153.41质量份、二月桂酸二丁基锡0.03质量份和作为溶剂的丙酮84.00质量份，在氮气气氛下、在75℃下，搅拌3小时，确认了反应液达到规定的胺当量。接着，将该反应液降温至40℃后，添加三乙胺8.77质量份，得到聚氨酯预聚物溶液。接着，在具备能进行高速搅拌的均质分散器的反应容器中，添加水450g，调整为25℃，边以2000分钟-1
进行搅拌混合边添加聚氨酯预聚物溶液进行水分散。之后，在减压下去除丙酮和水的一部分，从而制备固体成分浓度35质量％的水溶性聚氨酯树脂d-1。得到的聚氨酯树脂d-1的玻璃化转变点
温度为-30℃。
[0286]
(噁唑啉系交联剂的制造)
[0287]
在具备温度计、氮气导入管、回流冷凝器、滴液漏斗和搅拌机的烧瓶中，投入作为水性介质的离子交换水58质量份与异丙醇58质量份的混合物、和聚合引发剂(2,2
’‑
偶氮双(2-脒基丙烷)/二盐酸盐)4质量份。另一方面，在滴液漏斗中，投入作为具有噁唑啉基的聚合性不饱和单体的2-异丙烯基-2-噁唑啉16质量份、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯(乙二醇的平均加成摩尔数/9摩尔、新中村化学制)32质量份、和甲基丙烯酸甲酯32质量份的混合物，在氮气气氛下、在70℃下用1小时滴加。滴加结束后，将反应溶液搅拌9小时，进行冷却，从而得到固体成分浓度40质量％的具有噁唑啉基的水溶性树脂。
[0288]
(易粘接层用涂布液1的制备)
[0289]
将下述涂剂混合制作易粘接层用涂布液。
[0290][0291]
(易粘接层用涂布液2的制备)
[0292]
将下述涂剂混合制成易粘接层用涂布液。
[0293][0294][0295]
(薄膜a的制造)
[0296]
将作为转印用取向薄膜的脱模层侧用的原料的不含有颗粒的pet(x1)树脂粒料以135℃减压干燥(1torr)6小时后，供给至挤出机1，将作为相反面层(背面层)用的原料的含
有pet(x1)树脂粒料和颗粒的聚酯(pet(xsi))树脂粒料以相反面层(背面层)的颗粒含量成为表1所示的规定的值的比例进行了共混而成者干燥，供给至挤出机2，在285℃下溶解。将该2种熔融聚合物分别用不锈钢烧结体的滤材(公称过滤精度10μm颗粒95％截止)过滤，以2种2层合流块层叠，从喷嘴形成片状而挤出后，利用静电施加浇铸法，卷绕在表面温度30℃的铸造鼓上进行冷却固化，制造未拉伸薄膜。此时，以脱模层与背面层的厚度成为表1所示的规定的值的方式，调整各挤出机的排出量。
[0297]
将该未拉伸薄膜导入至拉幅机拉伸机，边将薄膜的端部用夹具固定边导入至温度125℃的热风区，沿宽度方向拉伸至4.0倍。接着，保持沿宽度方向拉伸的幅度不变地，以温度210℃进行热定型处理10秒，进而进行3.0％的松弛处理。之后，将冷却至130℃的薄膜的两端部用剪切刀切断后，对pet(x1)面进行电晕处理，以0.5kg/mm2的张力卷取于芯，得到薄膜厚度50μm的单轴取向pet薄膜(宽度1800cm、长度5000m)。将得到的薄膜的中央部分切成宽50cm，得到长度约500m的薄膜卷(薄膜a)。将pet(x1)面作为脱模面。
[0298]
(薄膜b的制造)
[0299]
相反面层(背面层)用的原料中、将pet(xsi)树脂粒料变更为pet(xca)，除此之外，同样地得到薄膜卷(薄膜b1)。另外，将提高了电晕处理的强度而成者作为薄膜b2、进而将未进行电晕处理者作为b3。
[0300]
(薄膜c的制造)
[0301]
改变厚度比，除此之外，与实施例2同样地得到薄膜卷(薄膜c)。
[0302]
(薄膜d的制造)
[0303]
将作为薄膜用原料的pet(x1)粒料供给至挤出机，从喷嘴形成片状并挤出后，利用静电施加浇铸法卷绕在表面温度30℃的铸造鼓上进行冷却固化，制造未拉伸薄膜。接着，在该未拉伸pet薄膜的单面涂布易粘接层用涂布液1使得干燥后的涂布量成为0.12g/m2后，导入至干燥机，以80℃干燥20秒。
[0304]
将该形成有涂布层的未拉伸薄膜导入至拉幅机拉伸机，边将薄膜的端部用夹具固定边导入至温度135℃的热风区，沿宽度方向拉伸至4倍。接着，保持沿宽度方向拉伸的幅度不变地，在温度225℃下进行30秒处理，之后，将冷却后的薄膜的两端部用剪切刀切断，对涂布层的相反面与薄膜a同样地进行电晕处理、分切，得到宽度50cm、长度约500m的薄膜卷(薄膜d)。将电晕处理面作为脱模面。
[0305]
(薄膜e的制造)
[0306]
使用pet(x2)作为薄膜用原料，除此之外，与薄膜d同样地得到薄膜卷(薄膜e)。
[0307]
(薄膜f的制造)
[0308]
在两面涂布易粘接层用涂布液1，除此之外，与薄膜d同样地得到在两面具有涂层的薄膜f。需要说明的是，不进行电晕处理。
[0309]
(薄膜g的制造)
[0310]
在单面涂布易粘接层用涂布液1、在相反面涂布易粘接层用涂布液2，除此之外，与薄膜d同样地得到在两面具有易粘接层的薄膜g。将该薄膜的易粘接层用涂布液2涂布面作为脱模面。需要说明的是，不进行电晕处理。
[0311]
(薄膜h的制造)
[0312]
将作为薄膜用原料的含有pet(x1)树脂粒料和颗粒的聚酯(pet(xsi))树脂粒料以
颗粒含量成为表1所示的规定的值的比例共混而成者干燥并供给至挤出机2，从喷嘴形成片状而挤出后，利用静电施加浇铸法，卷绕在表面温度30℃的铸造鼓上进行冷却固化，制造未拉伸薄膜。接着，将未拉伸薄膜导入至拉幅机拉伸机，边将薄膜的端部用夹具固定边导入至温度135℃的热风区，沿宽度方向拉伸至3.5倍。接着，保持沿宽度方向拉伸的幅度不变地，在温度225℃下进行30秒处理，之后，将冷却后的薄膜的两端部用剪切刀切断，进行电晕处理，得到薄膜厚度50μm的单轴取向pet薄膜(幅1800cm、长度5000m)。进而，与薄膜a同样地进行电晕处理、分切，得到宽度50cm、长度约500m的薄膜卷(薄膜h)。需要说明的是，电晕处理中，在树脂挤出时与铸造鼓接触的面上进行，将电晕处理面作为脱模面。
[0313]
(薄膜i的制造)
[0314]
在薄膜h的单面，与薄膜d的方法同样地，使用易粘接层用涂布液2，得到在单面具有易粘接层的薄膜。在得到的薄膜的易粘接层面涂布下述组成的涂布剂，在加热烘箱中、以150℃干燥3分钟，得到具有平坦化涂层的薄膜i。将平坦化层面作为脱模面。
[0315]
(平坦化涂布剂的制备)
[0316]
将下述涂剂混合制作平坦化涂布剂。
[0317]
三聚氰胺交联烷基改性醇酸树脂(日立化成聚合物株式会社制：tesfine 322：固体成分40％)
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10质量份
[0318]
对甲苯磺酸(日立化成聚合物株式会社制：dryer 900)
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0.1质量份
[0319]
溶剂(甲苯/甲乙酮＝1/1质量份)
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20质量份
[0320]
需要说明的是，涂布剂使用的是，用2μm的过滤器过滤，干燥时的空气用95％截止直径为1μm的肝素过滤器过滤后，进而用99.9％切割直径为0.3μm的肝素过滤器高精度过滤而成者。进而，涂布剂对薄膜的涂布在等级1000的环境下进行。
[0321]
需要说明的是，实施例中，涂覆/干燥工序在同样的环境下进行。
[0322]
(掩蔽薄膜的准备)
[0323]
准备将市售的聚丙烯作为基材、设有粘合层的掩蔽薄膜p、q、r、s、t这5种。
[0324]
实施例1～12、比较例1～4
[0325]
以下述的λ/4相位差层的制作1的方法在薄膜a～i上设置λ/4相位差层，层叠掩蔽薄膜并卷取。将实施例、比较例的详细情况和评价结果示于表1。
[0326]
(λ/4相位差层的制作1)
[0327]
(摩擦处理取向控制层的形成)
[0328]
将作为基材薄膜的上述薄膜卷开，对脱模面进行电晕处理后，用棒涂机涂布下述组成的摩擦处理取向控制层用涂料，以80℃干燥5分钟，形成厚度200nm的膜。接着，对得到的膜的表面用卷绕有尼龙制的起毛布的摩擦辊进行处理，得到层叠有摩擦处理取向控制层的转印用取向薄膜。摩擦如下进行：对于摩擦辊倾斜地架设基材薄膜，调节基材薄膜的输送速度与摩擦辊的转速，使得摩擦方向相对于基材薄膜的宽度方向成为45度，从而进行。
[0329]
完全皂化型聚乙烯醇(重均分子量800)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2质量份
[0330]
离子交换水
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100质量份
[0331]
表面活性剂
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0.5质量份
[0332]
(取向液晶化合物取向层的成型)
[0333]
接着，利用棒涂法，在实施了摩擦处理的面上涂布下述组成的取向液晶化合物层
形成用溶液。以110℃干燥3分钟，照射紫外线使其固化，在薄膜上形成取向液晶化合物层(λ/4层)。对于层叠有取向液晶化合物层的薄膜，在液晶化合物层面上贴合掩蔽薄膜并卷取。
[0334][0335][0336]
实施例13、比较例5
[0337]
以下述的λ/4相位差层的制作2的方法在薄膜b2和b3上设置λ/4相位差层，将掩蔽薄膜层叠并卷取。将实施例、比较例的详细情况和评价结果示于表1。
[0338]
(λ/4相位差层的制作2)
[0339]
(光处理取向控制层的形成)
[0340]
使用棒涂机，在基材薄膜的单面涂布下述组成的光取向层用涂料，以80℃干燥1分钟，形成厚度150nm的膜。接着，照射偏振uv光，得到层叠有光取向层的基材薄膜。uv光的偏振方向相对于薄膜的长度方向设为45度。
[0341]
(光取向层用涂料)
[0342]
基于日本特开2013-33248号公报的实施例1、实施例2和实施例3的记载，制造下述式(4)所示的聚合物在环戊酮中的5质量％溶液。
[0343][0344]
使用前述取向液晶化合物层形成用溶液，涂布在光取向层上，与λ/4相位差层的制作1同样地制造层叠体。
[0345]
(圆偏光板的制作)
[0346]
将实施例和比较例的层叠有掩蔽薄膜的取向液晶化合物层层叠薄膜卷开，从卷芯将90～100m附近的层叠体连同掩蔽薄膜一切切成长度60cm。进而将宽度方向的两端在距离端部2cm的位置切断，将未涂布取向液晶化合物层的部分去除后，将掩蔽薄膜剥离。
[0347]
另一方面，在纵46cm、横60cm的偏光板(将聚乙烯醇的拉伸薄膜中吸附有碘的偏振片由三乙酰纤维素制的厚度60μm的偏振片保护薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯制的厚度80μm的偏振片保护薄膜夹持而成者)的三乙酰纤维素面上涂布紫外线固化型粘接剂后，将它们的粘接剂面与取向液晶化合物层层叠薄膜的取向液晶化合物层面层叠，照射紫外线并贴合。之后，将基材薄膜剥离，得到圆偏光板。评价转印作业性和转印性。将结果示于表1。
[0348]
比较例6
[0349]
未涂布易粘接层用涂布液1，除此之外，与薄膜e同样地，得到没有涂覆层的薄膜卷(薄膜j)。将薄膜的厚度和脱模面的各粗糙度参数示于表1。得到的薄膜卷有气泡的混入、褶皱，不适于作为脱模性基材薄膜的应用。
[0350]
[表1]
[0351]