半导体工艺设备、废气处理装置与阻塞物清理组件的制作方法

1.本公开涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种半导体工艺设备、废气处理装置与阻塞物清理组件。


背景技术：

2.半导体工艺设备，包括但不限于使用化学气相沉积(cvd)ti/tin的tel-trias机台，在随着处理晶圆的同时，工艺腔体中会产生一些例如四氯化钛(ticl4)/氨气(nh3)/氢气(h2)/氩气(ar)等工艺废气，该工艺废气通常需要使用工艺泵抽取输送到废气处理装置中进行燃烧处理，过程中由于各种化学反应，极易在废气处理装置的进气通道的内壁上沉积各种硬质结晶并导致堵塞现象。
3.传统技术中，在废气处理装置的进气通道处设置有阻塞物清理组件，通过阻塞物清理组件将进气通道内壁上沉积的阻塞物进行清除。然而，阻塞物清理组件因结晶堵塞无法正常作动，大大降低清理的效率，长时间无法正常清理结晶导致结晶积累从而废气处理装置因压力异常宕机，影响半导体主机台的产能和安全。


技术实现要素：

4.基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种半导体工艺设备、废气处理装置与阻塞物清理组件，它能够提升清理能力，减少异常宕机的频率保证半导体主机台的安全运行与较长的使用周期，从而能提升半导体主机台的产能效率。
5.其技术方案如下：一种阻塞物清理组件，所述阻塞物清理组件包括：
6.驱动机构，所述驱动机构包括串联连接的至少两个气缸单体，所述气缸单体包括缸筒、活动地穿设于所述缸筒的活塞杆、以及活动地设于所述缸筒内部并与所述活塞杆相连的活塞，所有的所述活塞杆依次串联连接形成驱动杆；
7.刮料组件，所述刮料组件与所述驱动杆相连，所述刮料组件用于活动地设于废气处理装置的进气通道中，以去除所述进气通道内壁上沉积的阻塞物。
8.在其中一个实施例中，所述阻塞物清理组件还包括设置于所述驱动杆与所述刮料组件之间的旋转机构，所述驱动杆通过所述旋转机构与所述刮料组件相连。
9.在其中一个实施例中，所述旋转机构包括第一连接杆与套筒；所述套筒包括相对的第一端与第二端，所述第一端与所述驱动机构相连，所述第一连接杆活动地穿设于所述套筒中，所述第一连接杆两端分别连接所述驱动杆、所述刮料组件；所述第一连接杆与所述套筒的其中一个上设有绕所述旋转机构的中心轴线呈弯曲状的导向结构，另一个设有与所述导向结构相配合的导向件。
10.在其中一个实施例中，所述导向结构为绕所述旋转机构的中心轴线呈螺旋状或弧形状设置。
11.在其中一个实施例中，所述导向结构为凹槽、通孔或导轨。
12.在其中一个实施例中，所述导向结构为两个，两个所述导向结构分别位于所述第
一连接杆的相对两侧或分别位于所述套筒的相对两侧；所述导向件为两个，两个所述导向件对应地设置于两个所述导向结构中。
13.在其中一个实施例中，所述导向件为固定连接于所述套筒内壁上的针体、柱体或凸部；所述导向结构为形成于所述第一连接杆的外壁上的螺旋槽；所述导向件插入到所述螺旋槽中。
14.在其中一个实施例中，所述刮料组件包括线圈以及第二连接杆，所述线圈、所述第二连接杆均与所述第一连接杆相连，所述第二连接杆穿设于所述线圈中。
15.在其中一个实施例中，所述线圈为螺旋线圈，所述线圈包括可移动地套设于所述第一连接杆上的第一连接端，以及与所述第一连接端相对设置的第一自由端；所述第二连接杆包括与所述第一连接杆相连的第二连接端，以及与所述第二连接端相对设置的第二自由端；所述第一连接端的内径小于所述第二连接端的外径。
16.在其中一个实施例中，所述第二连接杆的端部与所述第一连接杆的端部可拆卸连接。
17.在其中一个实施例中，所述阻塞物清理组件还包括连接于所述第二端的密封盖，所述密封盖设有贯穿孔，所述第一连接杆可动地穿设于所述贯穿孔中，所述第一连接杆上设有密封抵触部，所述密封抵触部与所述套筒内壁密封抵触配合，所述密封抵触部与所述密封盖之间形成有腔室；所述阻塞物清理组件还包括压力检测器，所述压力检测器用于检测所述腔室内部的气压。
18.在其中一个实施例中，所述阻塞物清理组件还包括套设于所述第一连接杆上的密封圈，所述密封圈位于所述贯穿孔处。
19.在其中一个实施例中，至少两个所述气缸单体的缸筒依次串联连接，并形成一体化结构。
20.在其中一个实施例中，所述气缸单体还包括第一进气接头与第二进气接头；所述第一进气接头与所述第二进气接头均与所述缸筒的活塞室连通，并分别位于所述活塞的相对两侧，所述第一进气接头与所述第二进气接头还均通过进气管与气源连通。
21.一种废气处理装置，所述废气处理装置包括所述的阻塞物清理组件，还包括燃烧室，所述燃烧室设有进气通道与排废管道，所述刮料组件活动地设于所述进气通道中，所述排废管道用于与厂务酸排接收端相连。
22.一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括所述的废气处理装置，还包括半导体主机台、抽气管道与抽吸泵，所述半导体主机台的排废口与所述抽气管道的一端相连通，所述抽气管道的另一端与所述进气管道相连通，所述抽吸泵串联地设置于所述抽气管道上，用于提供动力将所述半导体主机台内部的废气向外抽出。
23.上述的半导体工艺设备、废气处理装置与阻塞物清理组件，相对于传统的单气缸而言，由于驱动机构采用串联连接的至少两个气缸单体，这样在对气缸提供的气压p不变的情况下，基于公式p＝f/s(压强＝压力
÷
受力面积)，由于活塞相对增多，相当于将受力面积s增大，相应能增加压力f的大小，也即通过多活塞的设计方式可以成倍地提升驱动力的大小，让气缸作动更加顺畅，从而能更好地清理进气通道内壁上已有的硬质结晶(又称阻塞物)，解决了传统的气缸驱动力较小导致连杆处极易出现结晶并使得气缸卡死无法作动进而导致整个进气通道完全堵塞的问题。此外，缸筒的直径可以保持不变，这样便无需增大废
气处理装置的进气通道的直径尺寸，可以直接将本实施例中的阻塞物清理组件装设于进气通道的空间中，在废气处理装置的原有的空间中能将驱动力最大化。
附图说明
24.构成本技术的一部分的附图用来提供对本公开的进一步理解，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。
25.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为本公开一实施例的阻塞物清理组件的结构示意图；
27.图2为本公开一实施例的阻塞物清理组件的剖视结构示意图；
28.图3为本公开一实施例的阻塞物清理组件的分解结构示意图；
29.图4为本公开一实施例的活塞杆串联连接形成驱动杆的结构示意图；
30.图5为本公开一实施例的第一连接杆与刮料组件相连的结构示意图；
31.图6为本公开一实施例的半导体工艺设备的结构示意图。
32.10、驱动机构；11、气缸单体；111、缸筒；112、活塞杆；113、活塞；114、驱动杆；1141、第三安装孔；115、第一进气接头；116、第二进气接头；20、刮料组件；21、线圈；211、第一连接端；22、第二连接杆；221、第二连接端；30、废气处理装置；31、燃烧室；311、进气通道；312、排废管道；40、旋转机构；41、第一连接杆；411、导向结构；412、第二安装孔；413、密封抵触部；42、套筒；421、第一端；422、第二端；423、导向件；424、第一安装孔；43、密封壳；50、密封盖；51、贯穿孔；52、腔室；53、检测接头；60、密封圈；70、厂务酸排接收端；80、半导体主机台；90、抽气管道；91、抽吸泵。
具体实施方式
33.为使本公开的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本公开的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开。但是本公开能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本公开内涵的情况下做类似改进，因此本公开不受下面公开的具体实施例的限制。
34.正如背景技术所述，现有技术中的进气通道的内壁会逐渐积累并发生堵塞导致阻塞物清理组件无法正常作动问题，经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，阻塞物清理组件主要采用单气缸的形式，结晶在气缸连接处沉积较多时，由于气缸的驱动力不够，所以容易导致气缸无法作动，刮刀无法进行清理工作。
35.基于以上原因，本发明提供了一种半导体工艺设备、废气处理装置30与阻塞物清理组件，它能提升清理能力，通过提升阻塞物清理组件的清理能力去延长废气处理装置30的使用周期，从而去提升半导体主机台80的产能使用效率以及保证废气处理装置30的清理能力去减少异常宕机的频率保证半导体主机台80的安全运行。
36.参阅图1、图2与图6，图1示出了本公开一实施例的阻塞物清理组件的结构示意图，图2示出了本公开一实施例的阻塞物清理组件的剖视结构示意图，图6示出了本公开一实施
例的半导体工艺设备的结构示意图。本公开一实施例提供的一种阻塞物清理组件，阻塞物清理组件包括：驱动机构10以及刮料组件20。驱动机构10包括串联连接的至少两个气缸单体11，气缸单体11包括缸筒111、活动地穿设于缸筒111的活塞杆112、以及活动地设于缸筒111内部并与活塞杆112相连的活塞113。所有的活塞杆112依次串联连接形成驱动杆114。刮料组件20与驱动杆114相连，刮料组件20用于活动地设于废气处理装置30的进气通道311中，以去除进气通道311内壁上沉积的阻塞物。
37.其中，在驱动机构10的驱动杆114带动下，刮料组件20在进气通道311内部活动过程中，能将进气通道311内壁上沉积的阻塞物及时地清理掉，避免堆积于进气通道311的内部而导致进气通道311发生堵塞。
38.上述的阻塞物清理组件，相对于传统的单气缸而言，由于驱动机构10采用串联连接的至少两个气缸单体11，这样在对气缸提供的气压p不变的情况下，基于公式p＝f/s(压强＝压力
÷
受力面积)，由于活塞113相对增多，相当于将受力面积s增大，相应能增加压力f的大小，也即通过多活塞113的设计方式可以成倍地提升驱动力的大小，让气缸作动更加顺畅，从而能更好地清理进气通道311内壁上已有的硬质结晶(又称阻塞物)，解决了传统的气缸驱动力较小导致连杆处极易出现结晶并使得气缸卡死无法作动进而导致整个进气通道311完全堵塞的问题。此外，缸筒111的直径可以保持不变，这样便无需增大废气处理装置30的进气通道311的直径尺寸，可以直接将本实施例中的阻塞物清理组件装设于进气通道311的空间中，在废气处理装置30的原有的空间中能将驱动力最大化。
39.当然，废气处理装置30的进气通道311的直径尺寸也可以根据工艺需求灵活地调整。相应地，作为一些可选的方案，也可以相应灵活地调整与设置缸筒111的尺寸大小，即例如增大或减小缸筒111的直径尺寸来满足于废气处理装置30对其进气通道311的直径尺寸的调整。
40.请参阅图1至图3与图5，图3示出了本公开一实施例的阻塞物清理组件的分解结构示意图，图5示出了本公开一实施例的第一连接杆41与刮料组件20相连的结构示意图。在一个实施例中，阻塞物清理组件还包括设置于驱动杆114与刮料组件20之间的旋转机构40。驱动杆114通过旋转机构40与刮料组件20相连。如此，一方面，刮料组件20通过旋转机构40移动，间接驱动刮料组件20动作，另一方面，在旋转机构40的作用下，能实现刮料组件20旋转，刮料组件20以旋转的方式作用于进气通道311的内壁过程中，将具有较好的刮料效果，相比于直线运动方式而言，能大大提高进气通道311内壁上硬质结晶的去除效率。
41.需要说明的是，旋转机构40带动刮料组件20的具体实现方式较多，既可以是电动驱动方式，又可以是通过一些机械结构借助驱动杆114的直线驱动作用力转换得到，还可以是通过其它方式实现，具体可以根据实际需求灵活调整与设置，只要能驱动刮料组件20转动即可。
42.请参阅图1至图3与图5，在一个实施例中，旋转机构40包括第一连接杆41与套筒42。套筒42包括相对的第一端421与第二端422。第一端421与驱动机构10相连，具体与缸筒111相连。第一连接杆41活动地穿设于套筒42中，第一连接杆41两端分别连接驱动杆114、刮料组件20。第一连接杆41与套筒42的其中一个上设有绕旋转机构40的中心轴线呈弯曲状的导向结构411，另一个设有与导向结构411相配合的导向件423。如此，驱动机构10工作时，使得驱动杆114来回移动，驱动杆114动作时相应带动第一连接杆41来回移动，第一连接杆41
移动过程中，由于导向件423沿着弯曲状的导向结构411移动，从而能带动第一连接杆41绕其中心轴线来回转动，第一连接杆41相应带动刮料组件20来回转动，如此刮料组件20既具有直线运动，又具有绕其中心轴线的转动，刮料组件20的清理能力大大提升，从而具有较好的刮料效果。
43.请参阅图2、图3与图5，在一个实施例中，导向结构411为绕旋转机构40的中心轴线呈螺旋状或弧形状设置。如此，当导向件423沿着导向结构411移动时，便能顺利地带动第一连接杆41转动，沿着螺旋状或弧形状的导向结构411的移动效果较为顺畅。
44.需要说明的是，导向结构411的设置数量不限于为一个，例如可以设置有至少两个，并间隔地设置于第一连接杆41或套筒42上。同样地，导向件423的设置数量也不限于为一个，例如可以设置有至少两个。其中，可以是一个导向件423对应设于一个导向结构411，也可以是两个或其它数量的导向件423对应设于一个导向结构411上，具体如何对应根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。
45.在一个实施例中，导向结构411为凹槽、通孔或导轨。
46.请参阅图2、图3与图5，在一个实施例中，导向结构411为两个，两个导向结构411分别位于第一连接杆41的相对两侧或分别位于套筒42的相对两侧。导向件423为两个，两个导向件423对应地设置于两个导向结构411中。如此，导向结构411的设置数量较为合适，一方面，导向结构411的数量不至于过少，第一连接杆41受力相对平衡，能保证稳定地驱动第一连接杆41进行来回转动，避免出现受力不平衡发生卡顿现象；另一方面，导向结构411的数量不至于过多，而导致结构复杂使得难以加工成型与增加成本。
47.其中，当设置至少两个导向结构411时，需要保证各个导向结构411的形状与设置角度保持一致，从而驱动杆114带动第一连接杆41动作时，实现至少两个导向件423能分别同步沿着至少两个导向结构411移动导向，实现第一连接杆41转动顺畅，避免出现卡死现象。
48.其中，在驱动机构10单次行程中，驱动杆114能带动第一连接杆41与刮料组件20从其中一个极限位置(例如上限位置)移动到另一个极限位置(例如下限位置)，此时导向件423从导向结构411的一端移动到另一端，导向件423移动过程中能带动第一连接杆41绕其中心轴线例如正向转动180
°
(即半圈)、360
°
(即一圈)、720
°
(即两圈)等等，第一连接杆41在单次行程中的具体转动角度取决于导向结构411在第一连接杆41或套筒42上的绕设角度，而导向结构411在第一连接杆41或套筒42上的绕设角度是根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。
49.请参阅图2、图3与图5，在一个实施例中，导向件423为固定连接于套筒42内壁上的针体、柱体或凸部。导向结构411为形成于第一连接杆41的外壁上的螺旋槽。导向件423插入到螺旋槽中。如此，当将导向件423设置于套筒42上时，也即将导向结构411设置于第一连接杆41的外壁上，这样避免了在套筒42内壁上难以加工出导向结构411的缺陷，并由于在第一连接杆41上相对容易加工出导向结构411，以及将较为容易装设的导向件423设置于套筒42上，从而降低了加工成本。
50.需要说明的是，导向件423在套筒42上的安装方式较多，包括但不限于粘接、焊接、卡接、铆接、或者设计成一体成型等等。请参阅3，在一个具体实施例中，套筒42上设有第一安装孔424，导向件423装设于第一安装孔424中并位于套筒42的内部。此外，为了保证套筒
42的密封性，在套筒42的外壁上还套设有密封壳43，密封壳43的内壁与套筒42的外壁相互贴合，从而能避免安装孔处出现泄漏气体，以及对套筒42起到保护作用。
51.在一个实施例中，为了实现驱动杆114在沿着其轴向方向移动过程中，能保证第一连接杆41的转动灵活性，驱动杆114具体与第一连接杆41转动连接，例如在驱动杆114与第一连接杆41之间增设有转动接头(图中未示出)，驱动杆114通过转动接头与第一连接杆41相连，这样第一连接杆41在导向结构411的导向作用下，能自由地灵活地转动，而不会受到活塞113与缸筒111内壁之间的摩擦力的限制。
52.请参阅图3至图5，在一个实施例中，第一连接杆41与驱动杆114的端部同轴套设，并在第一连接杆41上设有第二安装孔412，在驱动杆114的端部上对应设置有与第二安装孔412相应的第三安装孔1141，通过包括但不限于螺钉、销钉、铆钉等等紧固件依次穿过第一安装孔424、第二安装孔412将驱动杆114与第一连接杆41进行固定锁紧连接。
53.需要说明的是，刮料组件20可以是当其在进气通道311中移动时从进气通道311壁去除硬质结晶的任何机械装置。然而，如果刮料组件20是刚性的，硬质结晶由于较为坚韧，极有可能使得刮料组件20变形并发生损坏。
54.请参阅图2、图3、图5与图6，在一个实施例中，刮料组件20包括线圈21，线圈21的柔性较好，且线圈21与进气通道311内壁的接触方式能利于清除坚韧沉积物的多个表面，从而具有较好的清洁效果。可选地，线圈21可以根据实际需求设置成各种形状，包括但不限于为螺旋线圈(如图5所示)、或者将多个线圈21依次间隔地设置于支撑架上(如图3所示)、或者设置成其它的组合形式。
55.其中，刮料组件20例如选用由化学惰性而机械稳定的固体材料形成，例如不锈钢。
56.请参阅图2、图5与图6，在一个实施例中，刮料组件20包括线圈21以及第二连接杆22。线圈21、第二连接杆22均与第一连接杆41相连，第二连接杆22穿设于线圈21中。如此，一方面，通过设置的线圈21能实现对进气通道311的内壁的硬质结晶具有较好的清理效果；另一方面，经研究发现，通过在线圈21的内部增加与第一连接杆41相连的第二连接杆22，第二连接杆22在移动进入到进气通道311的过程中同样能起到一定的清洁作用，进一步能增强对进气通道311内壁的硬质结晶的清洁效果。
57.可选地，第二连接杆22的长度小于线圈21的长度，第二连接杆22的长度例如为1cm-10cm。具体例如为2cm-5cmm。如此，第二连接杆22的长度设计合适，一方面，不至于过长而对进入的废气造成阻碍，另一方面，不至于过短而导致降低了其所发挥的清洁力度。
58.请参阅图2、图5与图6，在一个实施例中，线圈21为螺旋线圈，线圈21包括可移动地套设于第一连接杆41上的第一连接端211，以及与第一连接端211相对设置的第一自由端。此外，第二连接杆22包括与第一连接杆41相连的第二连接端221，以及与第二连接端221相对设置的第二自由端。第一连接端211的内径小于第二连接端221的外径。如此，一方面，由于第一连接端211的内径小于第二连接端221的外径，这样第二连接端221能抵住第一连接端211，避免线圈21从第一连接杆41上脱离下来；另一方面，第一连接端211可以在第一连接杆41上有一定幅度移动，从而线圈21可以有上下晃动的空间，避免遇到硬质结晶直接卡死。
59.此外，需要说明的是，对应套设于第二连接端221的线圈21的部位的内径大于第二连接端221的外径，使得一方面可以将线圈21套设于第二连接端221的外部，另一方面线圈21在受力时能够沿着第一连接杆41的轴向方向上移动。另外，第一连接端211还例如与下文
中的密封盖50或密封圈60相互抵接配合，即密封盖50或密封圈60通过抵住第一连接端211能限制线圈21向靠近于驱动机构10的方向移动。当然，第一连接端211还可以是例如焊接、粘接、卡接等方式固定地装设于第一连接杆41上。
60.在一个实施例中，第二连接杆22的端部与第一连接杆41的端部可拆卸连接。可选地，第二连接杆22通过包括但不限于螺纹连接、卡接等方式与第一连接杆41可拆卸相连。如此，当拆卸掉第二连接杆22后，便能将线圈21拆卸下来；反之，将线圈21的第一连接端211套设于第一连接杆41上后，通过第二连接端221与第一连接杆41相连，便能便于线圈21的快速组装。
61.请参阅图2与图3，在一个实施例中，阻塞物清理组件还包括连接于第二端422的密封盖50。密封盖50设有贯穿孔51。第一连接杆41可动地穿设于贯穿孔51中，第一连接杆41上设有密封抵触部413，密封抵触部413与套筒42内壁密封抵触配合，密封抵触部413与密封盖50之间形成有腔室52。阻塞物清理组件还包括压力检测器，压力检测器用于检测腔室52内部的气压。如此，驱动杆114带动第一连接杆41动作时，密封抵触部413与密封盖50之间的距离发生改变，进而腔室52的体积发生改变，通过压力检测器对腔室52的压力进行检测，能够间接地得到驱动机构10的施加压力大小，即能够对驱动机构10的工作状态进行掌握。
62.需要说明的是，该“密封抵触部413”可以为“第一连接杆41的一部分”，即“密封抵触部413”与“第一连接杆41的其他部分”一体成型制造；也可以与“第一连接杆41的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“密封抵触部413”可以独立制造，再与“第一连接杆41的其他部分”组合成一个整体。
63.请参阅图2与图3，在一个实施例中，阻塞物清理组件还包括套设于第一连接杆41上的密封圈60，密封圈60位于贯穿孔51处。如此，密封圈60能保证腔室52的密封性，从而提高压力检测器的检测准确性。
64.请参阅图2与图3，具体而言，在密封盖50的外壁上设有与腔室52连通设置的检测接头53，压力检测器例如设置在与检测接头53相连的管道上。
65.请参阅图1至图3，在一个实施例中，至少两个气缸单体11的缸筒111依次串联连接，并形成一体化结构。
66.当然，作为一个可选的方案，至少两个气缸单体11的缸筒111也可以是分体结构，通过例如螺栓、销钉、铆钉等等紧固件依次串联连接，在此不进行具体限定。
67.请参阅图2与图4，本实施例中，气缸单体11为两个，其中一个气缸单体11工作时对驱动杆114所产生的作用力为f1，另一个气缸单体11工作时对驱动杆114所产生的作用力为f2，驱动杆114的合力f相应为f＝f1 f2。可以使得气缸的驱动力提升3倍，有效地提升清理的效果极大地避免因为驱动力不足而导致气缸卡死的情况。
68.需要说明的是，气缸单体11既可以是借助弹簧的弹性力进行复位的单向作用气缸，又可以是双向作用气缸。
69.请参阅图1至图3，在一个实施例中，气缸单体11还包括第一进气接头115与第二进气接头116。第一进气接头115与第二进气接头116均与缸筒111的活塞113室连通，并分别位于活塞113的相对两侧，第一进气接头115与第二进气接头116还均通过进气管与气源连通。如此，驱动机构10为双作用气缸，控制较为灵活可靠。
70.请参阅图1至图3与图6，在一个实施例中，一种废气处理装置30，废气处理装置30
包括上述任一实施例的阻塞物清理组件，还包括燃烧室31，燃烧室31设有进气通道311与排废管道312，刮料组件20活动地设于进气通道311中，排废管道312用于与厂务酸排接收端70相连。
71.上述的废气处理装置30，相对于传统的单气缸而言，由于驱动机构10采用串联连接的至少两个气缸单体11，这样在对气缸提供的气压p不变的情况下，基于公式p＝f/s(压强＝压力
÷
受力面积)，由于活塞113相对增多，相当于将受力面积s增大，相应能增加压力f的大小，也即通过多活塞113的设计方式可以成倍地提升驱动力的大小，让气缸作动更加顺畅，从而能更好地清理进气通道311内壁上已有的硬质结晶，解决了传统的气缸驱动力较小导致连杆处极易出现结晶并使得气缸卡死无法作动进而导致整个进气通道311完全堵塞的问题。此外，缸筒111的直径可以保持不变，这样便无需增大废气处理装置30的进气通道311的直径尺寸，可以直接将本实施例中的阻塞物清理组件装设于进气通道311的空间中，在废气处理装置30的原有的空间中能将驱动力最大化。
72.此外，具体而言，缸筒111与燃烧室31的壁相连，并例如伸出到燃烧室31的外部。
73.请参阅图1至图3与图6，在一个实施例中，一种半导体工艺设备，半导体工艺设备包括上述任一实施例的废气处理装置30，还包括半导体主机台80、抽气管道90与抽吸泵91，半导体主机台80的排废口与抽气管道90的一端相连通，抽气管道90的另一端与进气管道相连通，抽吸泵91串联地设置于抽气管道90上，用于提供动力将半导体主机台80内部的废气向外抽出。
74.上述的半导体工艺设备，相对于传统的单气缸而言，由于驱动机构10采用串联连接的至少两个气缸单体11，这样在对气缸提供的气压p不变的情况下，基于公式p＝f/s(压强＝压力
÷
受力面积)，由于活塞113相对增多，相当于将受力面积s增大，相应能增加压力f的大小，也即通过多活塞113的设计方式可以成倍地提升驱动力的大小，让气缸作动更加顺畅，从而能更好地清理进气通道311内壁上已有的硬质结晶，解决了传统的气缸驱动力较小导致连杆处极易出现结晶并使得气缸卡死无法作动进而导致整个进气通道311完全堵塞的问题。此外，缸筒111的直径可以保持不变，这样便无需增大废气处理装置30的进气通道311的直径尺寸，可以直接将本实施例中的阻塞物清理组件装设于进气通道311的空间中，在废气处理装置30的原有的空间中能将驱动力最大化。
75.综上，本实施例的半导体工艺设备、废气处理装置30与阻塞物清理组件至少具有如下优点：
76.1、上述的阻塞物清理组件，相对于传统的单气缸而言，由于驱动机构10采用串联连接的至少两个气缸单体11，这样在对气缸提供的气压p不变的情况下，基于公式p＝f/s(压强＝压力
÷
受力面积)，由于活塞113相对增多，相当于将受力面积s增大，相应能增加压力f的大小，也即通过多活塞113的设计方式可以成倍地提升驱动力的大小，让气缸作动更加顺畅，从而能更好地清理进气通道311内壁上已有的硬质结晶(又称阻塞物)，解决了传统的气缸驱动力较小导致连杆处极易出现结晶并使得气缸卡死无法作动进而导致整个进气通道311完全堵塞的问题。此外，缸筒111的直径可以保持不变，这样便无需增大废气处理装置30的进气通道311的直径尺寸，可以直接将本实施例中的阻塞物清理组件装设于进气通道311的空间中，在废气处理装置30的原有的空间中能将驱动力最大化。
77.2、经过研究发现，在提升驱动机构10的驱动力的同时，同时设计改变原有气缸直
线作动的清理方式为转动的清理方式，使得有效地提升清理的效果极大的避免因为驱动力不足而导致气缸卡死的情况，同时可以有效地去除燃烧腔体进气口的结晶。
78.3、在进气通道311处装设有本实施例的阻塞物清理组件之后，以tel-trias-ti/tin-cvd 60k机台配置计算,由于进气通道311产生的阻塞物能及时地被清理掉，即能避免发生堵塞，这样能大大减少机台的不必要的停机维护时间，不必要的停机维护时间通常能达到其正常运行时间的1.5％，这样便能提高机台的产能。
79.4、减少废气处理装置30的非既定时间宕机，从而大大提升安全性。因为当废气处理装置30突然性的宕机时，主机台这时还在正常流特气，无法正常及时地处理掉主机台产生的废气将存在安全隐患。
80.5、如有需求同样适用其它因制程需求需要使用废气处理装置30且容易产生结晶的设备，可以更好提升清理效果。
81.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
82.以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对公开专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。
83.在本公开的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
84.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
85.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
86.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
87.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以
是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。