显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制备 方法、显示装置。


背景技术：

2.液晶显示面板(liquid crystal display，lcd)是一种重要的平板显示 设备，在手机、车载、显示器、电视和公共显示等领域已得到广泛的应 用，市场对大尺寸的液晶显示面板需求也越来越大；目前，液晶显示面 板存在透过率偏低、碰撞后容易漏光等问题。


技术实现要素：

3.本公开实施例的目的在于提供一种显示面板及其制备方法、显示装 置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一 个或者多个问题。
4.本公开第一方面提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和 对合基板，其中，所述阵列基板包括：
5.第一衬底(10)，包括子像素区和设于所述子像素区周边的布线 区；
6.晶体管(11)，设于所述第一衬底(10)且位于所述布线区；
7.有机绝缘层(12)，形成在所述第一衬底(10)上，包括第一有机 绝缘部(120)和第二有机绝缘部(121)，所述第一有机绝缘部 (120)覆盖所述布线区及晶体管(11)，所述第二有机绝缘部(121) 覆盖所述子像素区，所述第一有机绝缘部(120)的厚度大于所述第二 有机绝缘部(121)的厚度；
8.其中，所述对合基板包括：
9.第二衬底(20)，所述第二衬底(20)与所述第一衬底(10)相对 设置；
10.隔垫物(13)，形成在所述第二衬底(20)朝向所述第一衬底 (10)的一侧，且所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的正投影 位于所述第一有机绝缘部(120)在所述第一衬底(10)上的正投影 内。
11.在本公开的一种示例性实施方式中，所述显示面板包括多个所述隔 垫物(13)，所述隔垫物(13)为主隔垫物(1301)或辅隔垫物 (1302)，在所述显示面板的厚度方向上，所述主隔垫物(1301)的高 度大于所述辅隔垫物(1302)的高度；
12.其中，所述第一有机绝缘部(120)和所述第二有机绝缘部(121) 的远离所述第一衬底的表面的高度差
△
h大于所述主隔垫物(1301)和 辅隔垫物(1302)的高度差
△hps
。
13.在本公开的一种示例性实施方式中，所述阵列基板还包括：
14.扫描线(17)，设于所述第一衬底(10)上且沿行方向排布在所述 布线区；
15.数据线(16)，设于所述第一衬底(10)上且沿列方向排布在所述 布线区；
16.公共线(18)，设于所述第一衬底(10)上且沿所述行方向排布在 所述布线区；
17.像素电极(14)和公共电极(15)，均设于所述第一衬底(10) 上，所述公共电极(15)与所述公共线(18)电连接；
18.所述晶体管(11)包括栅极、第一极和第二极，所述栅极与所述扫 描线(17)电连接，所述第一极与所述数据线(16)电连接；所述第二 极与所述像素电极(14)电连接；
19.其中，所述扫描线(17)、数据线(16)、公共线(18)、晶体管 (11)均位于所述有机绝缘层(12)朝向所述第一衬底(10)的一侧， 所述像素电极(14)和公共电极(15)均位于所述有机绝缘层(12)远 离所述第一衬底(10)的一侧。
20.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一有机绝缘部(120) 覆盖所述晶体管(11)，所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的 正投影覆盖所述晶体管(11)在所述第一衬底(10)上的正投影。
21.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一有机绝缘部(120) 覆盖所述公共线(18)，所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的 正投影覆盖部分所述公共线(18)在所述第一衬底(10)上的正投影。
22.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一有机绝缘部(120) 覆盖所述数据线(16)和扫描线(17)，所述隔垫物(13)在所述第一 衬底(10)上的正投影覆盖部分所述数据线(16)和/或部分所述扫描 线(17)在所述第一衬底(10)上的正投影。
23.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一有机绝缘部(120) 的厚度与所述第二有机绝缘部(121)的厚度之比为2至4。
24.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一有机绝缘部(120) 的厚度为2μm至4μm；所述第二有机绝缘部(121)的厚度小于2μ m。
25.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二有机绝缘部(121) 的厚度为0。
26.在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一衬底(10)包括沿行 方向、列方向阵列排布的多个子像素区，所述隔垫物(13)设于所述列 方向上相邻两个子像素区之间；
27.每相邻的三列所述子像素区中，至少有一列设置有所述隔垫物 (13)，且设置有所述隔垫物(13)的一列中任意相邻的两个子像素区 之间都设置有一个所述隔垫物(13)。
28.在本公开的一种示例性实施方式中，所述多个隔垫物(13)包含多 个主隔垫物(1301)和多个辅隔垫物(1302)，所述辅隔垫物(1302) 的数量大于所述主隔垫物(1301)；
29.每相邻的三列所述子像素区中，至少有一列所有的所述隔垫物 (13)均为所述辅隔垫物(1302)。
30.在本公开的一种示例性实施方式中，所述隔垫物(13)在所述第一 衬底(10)上的投影为矩形、圆形或椭圆形。
31.在本公开的一种示例性实施方式中，所述隔垫物(13)在所述第一 衬底(10)上的投影与相邻的所述子像素区边缘之间的间距为15-50μ m。
32.在本公开的一种示例性实施方式中，所述阵列基板还包括：
33.色阻层(101)，设于所述第一衬底(10)上，且位于所述有机绝 缘层(12)靠近所述第一衬底(10)的一侧，所述色阻层覆盖所述子像 素区和至少部分所述布线区。
34.在本公开的一种示例性实施方式中，所述色阻层(101)在所述布 线区具有开口(1010)，所述有机绝缘层(12)在所述色阻层的开口处 下陷，所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的投影位于所述开口 (1010)在所述第一衬底(10)上的投影内。
35.在本公开的一种示例性实施方式中，所述公共电极(15)和像素电 极(14)均位于所述有机绝缘层(12)远离所述第一衬底(10)的一 侧；
36.所述像素电极(14)具有多个在所述行方向上间隔排布的第一电极 条；
37.所述公共电极(15)与所述像素电极(14)同层设置，所述公共电 极(15)具有多个在所述行方向上间隔排布的第二电极条，所述第二电 极条与所述第一电极条在所述行方向上交替排布，且所述第二电极条与 所述第一电极条之间具有缝隙；所述公共电极(15)与所述公共线 (18)通过过孔连接。
38.在本公开的一种示例性实施方式中，所述阵列基板还包括：
39.液晶层，设于所述阵列基板和对合基板之间；
40.第一配向层(102)，设于所述第一衬底(10)上，且覆盖于所述 公共电极(15)和像素电极(14)远离所述第一衬底(10)的一侧；
41.第二配向层(22)，设于所述第二衬底(20)上，且位于所述隔垫 物(13)和第二衬底(20)之间。
42.本公开第二方面提供一种显示面板的制备方法，包括：
43.提供一第一衬底，所述第一衬底划分有子像素区和设于所述子像素 区周边的布线区；
44.在所述第一衬底的布线区形成晶体管；
45.在所述第一衬底上形成有机绝缘层，所述有机绝缘层包括第一有机 绝缘部和第二有机绝缘部，使所述第一有机绝缘部覆盖所述布线区及晶 体管，使所述第二有机绝缘部覆盖所述子像素区；其中，所述第一有机 绝缘部的厚度大于所述第二有机绝缘部的厚度；
46.提供一第二衬底；
47.在所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成隔垫物，使所述隔垫 物在所述第一衬底上的正投影位于所述第一有机绝缘部在所述第一衬底 上的的正投影内。
48.在本公开的一种示例性实施方式中，形成有机绝缘层包括：
49.在形成有所述晶体管的第一衬底上涂布有机绝缘材料；
50.采用半色调掩膜光罩或灰阶色调掩膜光罩对所述有机绝缘材料进行 曝光和显影，使所述子像素区的有机绝缘材料保留厚度小于所述布线区 的有机绝缘材料保留厚度。
51.本公开第三方面提供一种显示装置，包括以上所述的显示面板。
52.本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分 地通过本公开的实践而习得。
53.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解 释性的，并不能限制本公开。
附图说明
54.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合 本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见 地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技 术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得 其他的附图。在附图中：
55.图1示出了相关技术中显示面板的结构变化截面图；
56.图2示出了本公开第一种显示面板的俯视图；
57.图3示出了第一种显示面板对应图2中a-a’和b-b’处的截面图；
58.图4示出了本公开第二种显示面板的俯视图；
59.图5示出了第二种显示面板对应图4中a-a’和b-b’处的截面图；
60.图6示出了本公开第三种显示面板的俯视图；
61.图7示出了第三种显示面板对应图6中a-a’和b-b’处的截面图；
62.图8示出了本公开第四种显示面板的俯视图；
63.图9示出了第四种显示面板对应图8中a-a’和b-b’处的截面图；
64.图10示出了本公开第五种显示面板的俯视图；
65.图11示出了本公开隔垫物的排布示意图；
66.图12示出了本公开主隔垫物和辅隔垫物的结构示意图。
67.附图标记说明：
68.10、第一衬底；11、晶体管；110、第一极；111、第二极；112、 有源层；114、钝化层；12、有机绝缘层；120、第一有机绝缘部； 121、第二有机绝缘部；13、隔垫物；1301、主隔垫物；1302、辅隔垫 物；14、像素电极；15、公共电极；16、数据线；17、扫描线；18、 公共线；19、栅绝缘层；101、色阻层；1010、开口；102、第一配向 层；
69.20、第二衬底；21、遮挡层；22、第二配向层；23、保护层；
具体实施方式
70.面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的 说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下 述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行 解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
71.另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节 以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在 没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
72.相关技术中，tft-lcd液晶面板主要的发展趋势是高分辨率和高 透过率。参考图1，液晶显示面板主要是由薄膜晶体管阵列基板、对合 基板、以及配置于两基板间的液晶层和柱状隔垫物ps所构成。柱状隔 垫物13具有一定弹性的树脂，起到支撑和缓冲作用，通过控制两块基 板之间的间隙，保持最佳液晶层厚度。然而现有的液晶显示面板在cell 成盒过程和日后使用的过程中，面板无法避免会受到外力的挤压，当外 力过大时隔垫物13发生滑动，阵列基板上显示区域的配向膜划伤，而 导致失去配向液晶能力，对于高分辨的产品来说，黑矩阵的宽度很小， 无法遮挡配向膜上的划痕，在暗态画面下划痕处会发生漏光，形成“斑 点状”不良。
[0073]“斑点状”不良不仅严重影响显示效果，而且会导致液晶面板的良 品率降低，生产成本增加。通常的解决办法是增加隔垫物数量，改变隔 垫物位置，形状以及增加黑矩阵的宽度等等，然而这些方法对于高分辨 的产品，改善效果不显著，不良时有发生，并且会造成液晶面板的透过 率降低。
[0074]
为液晶面板受力模型示意图，当液晶面板受到过大的斜向挤压或冲 击时，隔垫物ps滑移至阵列基板的像素区域，在显示面板厚度方向上 滑移出的最大长度为h
shift
，由于有机膜保护层不同位置厚度不同形成 高度差，增加了隔垫物下表面和显示区膜层上表面之间的相对高度δ h，使得δh大于h
shift
，导致隔垫物ps产生滑移后接触不到tft侧基 板。
[0075]
基于上述问题，本公开实施例提供了一种显示面板，此显示面板可 应用与显示装置中，具体可应用于液晶显示装置中。参考图2和图3， 本公开实施例的显示面板可包括第一衬底10、子像素单元、有机绝缘 层12、第二衬底及隔垫物13，子像素单元可包括至少一个晶体管11， 此晶体管11可形成在第一衬底10上；有机绝缘层12可形成在第一衬 底10上并覆盖晶体管11；有机绝缘层12包括第一有机绝缘部120和 第二有机绝缘部121，第一有机绝缘部120覆盖布线区及晶体管11，第 二有机绝缘部121覆盖子像素区，第一有机绝缘部120的厚度大于第二 有机绝缘部121的厚度。第二衬底20与第一衬底10对应设置，隔垫物 13可形成在第二衬底20朝向第一衬底10的一侧，且隔垫物13在第一 衬底10上的正投影位于第一有机绝缘部120在第一衬底上的正投影 内。在本公开的实施例中，通过采用有机绝缘材料即：有机绝缘层12 覆盖晶体管11，相比于采用氮化硅等无机材料覆盖晶体管11的方案， 可提高阵列基板1侧的平坦性，以便于隔垫物13占位在阵列基板1 上。
[0076]
同时，有机绝缘层12在布线区的厚度大于像素区的厚度，隔垫物 13抵在阵列基板的布线区上时，可以增加隔垫物下表面与阵列基板子 像素区膜层上表面之间的相对高度δh，使得δh大于h
shift
，导致隔垫 物ps产生滑移后接触不到tft侧基板，从而降低隔垫物在受力挤压时 偏移至子像素区划伤子像素区膜层的风险，可以有效地解决液晶面板斑 点状不良，改善了产品的制造和使用的冗余度。
[0077]
此外，由于相对高度增加，隔垫物偏移后横向占用的尺寸(psshift)减小，对合基板无需遮挡ps shift区域，可以进一步缩减黑矩阵 宽度，进而提升面板的开口率和透过率。再者，阵列基板子像素区的有 机绝缘层较薄，一定程度上减轻了背光光强的损失，改善了对比度，并 且还能减轻对曝光机的透镜mura敏感度，提高了显示品质。
[0078]
在本公开的实施例中，子像素单元除了包括前述提到的晶体管 11，还可包括公共电极15和像素电极14；而阵列基板1除了包括前述 提到的第一衬底10、子像素单元、有机绝缘层12，还可包括扫描线 17、数据线16和公共线18等。
[0079]
下面结合附图对本公开实施例的阵列基板1进行详细说明。
[0080]
在本公开的实施例中，如图2所示，第一衬底10可具有沿行方向 x和列方向y呈阵列排布的多个子像素区a2、多行第一布线区a1和 多列第二布线区a3，此第一布线区a1与子像素区a2在列方向y上交 替排布，第二布线区a3与子像素区a2在行方向x上交替排布，应当 理解的是，第一布线区a1与第二布线区a3之间存在交叠。
[0081]
举例而言，此第一衬底10可为单层结构，该第一衬底10的材料可 为玻璃；但不限于此，此第一衬底10还可多层结构；且第一衬底10的 材料不限于玻璃，也可为其他材料，例如：聚酰亚胺(pi)等材料，视 具体情况而定。
[0082]
在本公开的实施例中，如图2所示，扫描线17整体可在行方向x 上延伸，此扫描线17可位于第一布线区a1，用于为子像素单元提供扫 描信号；举例而言，扫描线17可设置多行，其中，每个第一布线区a1 上可设置一行扫描线17，但不限于此，也可设置两行扫描线17或更 多。
[0083]
在本公开的实施例中，如图2所示，公共线18整体可在行方向x 上延伸，此公共线18可位于第一布线区a1，用于为子像素单元提供公 共信号；举例而言，公共线18可设置多行，其中，每个第一布线区a1 上可设置一行公共线18，但不限于此，也可设置两行公共线18或更 多。
[0084]
其中，公共线18与扫描线17可同层设置，以简化工艺，降低成 本。需要说明的是，如图2所示，在每个第一布线区a1上，公共线18 在第一衬底10上的正投影与扫描线17在第一衬底10上的正投影不存 在重叠并相互间隔设置，也就是说，公共线18在第一衬底10上的正投 影与晶体管11的栅极在第一衬底10上的正投影不存在重叠。
[0085]
此外，应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一 成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次 构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称 光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影 或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连 续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。从而 简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。
[0086]
举例而言，本公开实施例的公共线18和扫描线17可采用金属或合 金材料制作而成，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能， 但不限于此，也可采用其他具有良好导电性能的材料制作而成。
[0087]
在本公开的实施例中，如图2所示，数据线16整体可在列方向y 上延伸，此数据线16可位于第二布线区a3，用于为子像素单元提供数 据信号；举例而言，数据线16可设置多列，其中，每个第二布线区a3 上可设置一行数据线16，但不限于此，也可设置两行数据线16或更 多。
[0088]
举例而言，此数据线16可位于扫描线17和公共线18远离第一衬 底10的一侧，且数据线16与扫描线17和公共线18之间设置有栅绝缘 层19，如图2所示，以避免数据线16与扫描线17及公共线18接触， 其中，数据线16可采用金属材料或者合金材料制作而成，例如由钼、 铝及钛等形成的金属单层或多层结构，其中，该多层结构为多金属层叠 层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(ti/al/ti)等。
[0089]
应当理解的是，本公开实施例提到的栅绝缘层19可整层设置在阵 列基板1上，此栅绝缘层19可采用无机材料制作而成，例如，氧化 硅、氮化硅等无机材料。
[0090]
在本公开的实施例中，多个子像素单元可沿行方向x和列方向y 阵列排布，图中仅示出了沿x方向排列的两个子像素单元，子像素单 元与子像素区a2一一对应，即：每个子像素单元对应设置在一子像素 区a2上；具体地，每个子像素单元的公共电极15和像素电极14的至 少部分位于一子像素区a2上，且每个子像素单元的晶体管11的至少 部分可位于第一布线区a1。
[0091]
如图2和图3所示，晶体管11可包括有源层112、栅极及同层设 置的第二极111和第一极110；其中，栅极与有源层112之间还可设置 栅绝缘层19，以使栅极与有源层112之间相互绝缘，此栅绝缘层19的 厚度可在0.4μm左右，但不限于此；举例而言，本公开实施例的栅极 可与前述提到的扫描线17同层设置并相互连接，换言之，此栅极可为 前述提到的扫描线17的部分结构；而第二极111和第一极110可分别 与有源层112的源掺杂区和漏掺杂区连接。
[0092]
其中，此第二极111和第一极110可与前述提到的数据线16同层 设置，以简化工艺，降低成本。
[0093]
举例而言，本公开的实施例的晶体管11可为底栅型，即：栅极可 先形成在第一衬底10上；然后，再在第一衬底10上形成栅绝缘层 19，此栅绝缘层19覆盖栅极；之后在栅绝缘
层19背离第一衬底10的 一侧形成有源层112，即：有源层112位于栅极远离第一衬底10的一 侧，此有源层112与栅极在第一衬底10上的正投影存在交叠，示例 的，有源层112在第一衬底10上的正投影可位于栅极在第一衬底10上 的正投影内；第二极111和第一极110可在形成有源层112之后形成， 此第一极110的一部分可搭接在有源层112的漏掺杂区，第一极110的 另一部分可位于子像素区a2上，以与像素电极14连接；第二极111 的部分可搭接在有源层112的源掺杂区，第二极111的另一部分可与数 据线16连接。第一极110和第二极111上方覆盖有钝化层114。
[0094]
需要说明的是，本公开实施例的晶体管11不限于前述提到的底栅 型，还可为顶栅型，即：栅极在形成有源层112之后且在形成第二极 111和第一极110之前形成，应当理解的是，在栅极和有源层112及栅 极和第一(二)极之间分别形成有一层栅绝缘层19；在晶体管11为顶 栅型时，第二极111和第一极110可分别通过转接过孔即：贯穿两层栅 绝缘层19的转接过孔与有源层112的相对两端连接。
[0095]
在一种实施方式中，如图3所示，在形成晶体管11之后，还可在 晶体管11上形成具有红色色阻块、绿色色阻块及蓝色色阻块的色阻层 101，色阻层101覆盖子像素区和布线区。该技术称之为coa技术，是 将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，将彩色滤光层与 tft阵列设置在同侧，可以有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位造 成的偏差，采用coa结构黑矩阵设计宽度进一步降低，液晶显示面板 的开口率改善，透过率能够显著提升。当然，色阻层101也可以形成于 对合基板上。
[0096]
在形成色阻层101之后，可形成前述提到的有机绝缘层12，此有 机绝缘层12整层设置在第一衬底10上，并覆盖前述提到的色阻层 101、有源层112、第二极111、第一极110、数据线16、扫描线17和 公共线18等。
[0097]
在制作有机绝缘层12时，需要制作出至少两种不同厚度的有机绝 缘部，比如：第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121，此第一有机 绝缘部120在第一衬底10上的正投影覆盖晶体管11在第一衬底10上 的正投影；第二有机绝缘部121在第一衬底10上的正投影覆盖像素电 极14和公共电极15在第一衬底10上的正投影；其中，第一有机绝缘 部120的厚度h1大于第二有机绝缘部121的厚度h2。
[0098]
举例而言，第一有机绝缘部120的厚度h1与第二有机绝缘部121 的厚度h2之比可为2至4，比如：2、2.5、3、3.5、4等等。其中，第 一有机绝缘部120的厚度h1可为1μm至3μm，比如：1μm、1.5μ m、2μm、2.5μm、3μm等等；第二有机绝缘部121的厚度h2可为 0.8μm至1.5μm，比如：0.8μm、1μm、1.2μm、1.5μm等等。
[0099]
再举例而言，第二有机绝缘部121的厚度还可以为0，即子像素区 不设置第二有机绝缘部121，由此可以最大程度上增大隔垫物13下表 面至子像素区的相对距离，避免隔垫物13侧向划伤子像素区的膜层。 而且子像素区膜层减少，有利于降低光强损失，提高面板的透过率。
[0100]
需要说明的是，为了使得有机绝缘层12具有不同厚度的部分，可 采用htm(half tone mask，半色调掩膜法)工艺或gtm(grey tonemask，灰阶色调掩膜法)制作此有机绝缘层12。第一有机绝缘部120 和第二有机绝缘部121的厚度可以通过控制工艺参数实现。在本公开的 实施例中，结合图2和图3，子像素单元的像素电极14和公共电极15 均位于第一衬底10上，且每个子像素单元中像素电极14和公共电极 15的至少部分位于一子像素区a2内。
其中，此像素电极14在第一衬 底10上的正投影与公共电极15在第一衬底10上的正投影存在部分重 叠，且像素电极14与晶体管11的第一极110连接；具体地，像素电极14和公共电极15中的一者位于有机绝缘层12靠近第一衬底10的一 侧，另一者位于有机绝缘层12远离第一衬底10的一侧。
[0101]
举例而言，本公开实施例的公共电极15和像素电极14均可位于有 机绝缘层12远离第一衬底10的一侧，即：先在第一衬底10上形成有 机绝缘层12，之后形成像素电极14和公共电极22；此像素电极14可 通过有机绝缘层12上的过孔结构(图中未示出)与晶体管11的第一极 110连接，公共电极22可通过有机绝缘层12上的过孔结构(图中未示 出)与公共线连接。
[0102]
其中，本公开实施例的公共电极15和像素电极14均为透明电极， 其可采用ito(氧化铟锡)材料制作而成，但不限于此，也可采用氧化 铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成。
[0103]
如图2所示，像素电极14可具有多个在行方向x间隔排布的第一 电极条，此第一电极条可设置在子像素区a2上；应当理解的是，各第 一电极条位于同一侧的端部可以相互连接，使得像素电极整体呈类似
ꢀ“
梳子”的形状。
[0104]
第一电极条整体可呈弯折状，其弯折角度α1为150
°
至170
°
，具体 地，第一电极条可包括两部分结构，这两部分结构之间的夹角α1为 150
°
至160
°
；比如：150
°
、156
°
、162
°
、166
°
、170
°
等等；换言之，这 两部分结构的延伸方向与列方向y之间的夹角α2、α3分别为5
°
至 15
°
，比如：5
°
、7
°
、9
°
、12
°
、15
°
等等。
[0105]
如图2和图3所示，公共电极22可与像素电极14同层设置；举例 而言，前述提到的公共电极22和像素电极14可为透明电极，且公共电 极22和像素电极14可采用ito(氧化铟锡)材料制作而成，但不限于 此，也可为izo(氧化铟锌)等材料。应当理解的是，公共电极22与 像素电极14之间具有间隙(即：不接触)。
[0106]
如图2所示，公共电极22也可设置为类似“梳子”的形状，即包 括多个在行方向x间隔排布的多个第二电极条，此第二电极条可位于 子像素区a2；且各第二电极条220位于同一侧的端部相互连接。由 此，子像素电极与公共电极22可呈相互插合状态，也就是说，本公开 实施例的阵列基板可为ips(in-plane switching，平面转换)模式，这 样设计可减小子像素电极与公共电极之间产生的寄生电容，从而可提升 像素充电率及开口率；但不限于此，公共电极22与像素电极14也可位 于阵列基板的不同层并相对设置，且公共电极22与像素电极14中一者 为具有缝隙的狭缝电极，另一者为不具有狭缝的板状电极，也就是说， 本公开实施例的阵列基板也可为ffs(fringe field switching，边缘场 开关技术)模式，视具体情况而定。
[0107]
需要说明的是，各子像素的公共电极22可相互连接形成为一个整 体。
[0108]
在本公开的实施例中，第二电极条可呈弯折状，其弯折角度β1为 150
°
至170
°
，具体地，第二电极条可包括两部分结构，这两部分结构之 间的夹角β1为150
°
至160
°
；比如：150
°
、156
°
、162
°
、166
°
、170
°
等 等；换言之，这两部分结构的延伸方向与列方向y之间的夹角β2、β3 分别为5
°
至15
°
，比如：5
°
、7
°
、9
°
、12
°
、15
°
等等。
[0109]
其中，第二电极条与第一电极条可基本平行，也就是说，第二电极 条的弯折角度β1可与第一电极条的弯折角度α1相同。
[0110]
需要说明的是，每个子像素中第一电极条和第二电极条不限于前述 提到的在行方向x上交替排布，还可在列方向y上交替排布，具体视 实际需求而定。
[0111]
在本公开的实施例中，每个第一布线区a1上可设置一行扫描线17 和一行公共线18，每个第二布线区a3上可设置一列数据线16，其 中，每行扫描线17和与之相邻的同一行子像素单元的晶体管11连接； 每行公共线18和与之相邻的同一行子像素单元的公共电极15搭接；每 列数据线16和与之相邻的一列子像素单元中位于偶数行的子像素单元 的晶体管11的第二极111连接，并和与之相邻的另一列子像素单元中 位于奇数行的子像素单元的晶体管11的第二极连接；但不限于此，每 列数据线16仅和与之相邻的同一列子像素单元中各子像素单元的晶体 管11的第二极111连接。
[0112]
需要说明的是，本公开实施例的阵列基板1还可包括与数据线16 同层设置的跨接线(图中未示出)，此跨接线可通过过孔结构将在列方 向y上相邻两子像素单元的公共电极15连接。
[0113]
由于像素电极14、公共电极15都需要通过过孔与下方其他膜层连 接，因此需要在有机绝缘层12上刻蚀过孔，过孔刻蚀过程中有机绝缘 层12会有一定损失，由于子像素区域有第二有机绝缘部121的保护， 第二有机绝缘部121下面的rgb色阻不会受到损伤。
[0114]
如图3所示，本公开实施例的阵列基板1还可包括第一配向层 102，此第一配向层102可位于阵列基板1的最顶层，即：此第一配向 层102整层设置并覆盖像素电极14和公共电极15。
[0115]
在本公开的实施例中，对合基板可包括第二衬底20和位于第二衬 底20靠近阵列基板1一侧的遮挡层21；其中，第二衬底20可与第一 衬底10的结构相同，具体参考前述对第一衬底10的描述，但不限于 此，第二衬底20可与第一衬底10的结构也可不同，视具体情况而定。 遮挡层21在第一衬底10上的正投影完全覆盖晶体管11、扫描线17、 数据线16、公共线18及隔垫物13，且还可覆盖公共电极15和像素电 极14的边缘。未设置遮挡层21的区域可用透明保护层23覆盖。
[0116]
对合基板2还可设置第二配向层22，此第二配向层22位于透明保 护层23远离第二衬底20的一侧，并整层设置。隔垫物13形成于第二 配向层22之后，位于第二配向层22远离第二衬底20的一侧。
[0117]
在本公开的实施例中，隔垫物13可与阵列基板的第一配向层102 接触。由于第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121上表面高度差增 大，隔垫物13下表面至子像素区第一配向层102的相对距离也增大， 可以避免隔垫物13侧向划伤子像素区的第一配向层102。
[0118]
在本公开的实施例中，阵列基板1上的隔垫物13可设置多个，并 分为主隔垫物1301和辅隔垫物1302，即，本公开的隔垫物13可以是 主隔垫物1301，也可以是辅隔垫物1302。主隔垫物1301在面板未收到 外界压力时，其两端可分别与阵列基板1和对合基板相接触，主要起到 支撑作用；而辅隔垫物1302在显示面板未收到外界压力时，辅隔垫物 1302若形成在阵列基板1上，则辅隔垫物1302远离第一衬底10的一 侧与对合基板之间具有一定的间距，也就是说，主隔垫物1301与辅隔 垫物1302之间存在段差高度差，通过调节主隔垫物1301与辅隔垫物 1302之间的段差可以对显示面板的厚度进行微调。
[0119]
示例地，在面板的厚度方向上，主隔垫物1301的高度大于辅隔垫 物1302的高度，二者高度差为
△hps
，如图1所示。当显示面板受到外 界压力时，主隔垫物1301先承受所有压
力并压缩，当主隔垫物1301压 缩至主隔垫物1301与辅隔垫物1302之间的高度差
△hps
降为0时，主 隔垫物1301和辅隔垫物1302共同承受外界压力。
[0120]
参考图1，主隔垫物1301容易在压力作用下发生侧向滑移，其在 显示面板厚度方向上滑移出的长度为hshift，hshift小于
△hps
。而主隔垫 物1301未滑移时，其下表面和显示区膜层上表面之间的相对高度δ h，即为第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121的远离第一衬底的 表面的高度差
△
h，当第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121的远 离第一衬底的表面的高度差
△
h大于主隔垫物1301和辅隔垫物1302的 高度差
△hps
时，
△
h必然大于hshift，那么即使主隔垫物1301发生滑 移，其下表面也不会接触到第一衬底的子像素区，因此不会对显示区造 成破坏。
[0121]
本公开实施例的隔垫物13在第一衬底10上的正投影位于第一有机 绝缘部120在第一衬底10上的正投影内，其具体位置可以有多种。
[0122]
在本公开的一种实施例中，参考图2和图3，第一有机绝缘部120 覆盖晶体11管，隔垫物13在第一衬底10上的正投影覆盖晶体管11在 第一衬底10上的正投影。由于晶体管膜层较厚，其上表面是阵列基板 的厚度最高点，因此能够使得第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部 121上表面高度差达到最大。
[0123]
在本公开的另一种实施例中，参考图4和图5，第一有机绝缘部 120覆盖公共线18，隔垫物13在第一衬底10上的正投影覆盖部分公共 线18在第一衬底10上的正投影。如图所示，公共线18中的一部分未 被上方的膜层覆盖，隔垫物13也能够设置在该位置处。
[0124]
在本公开的再一种实施例中，参考图6和图7，第一有机绝缘部 120覆盖数据线16和扫描线17，隔垫物13在第一衬底10上的正投影 覆盖部分数据线16和/或部分扫描线17在第一衬底上的正投影，即： 隔垫物13的正投影可以覆盖部分数据线16，也可以覆盖部分扫描线 17，还可以同时覆盖数据线16与扫描线17之间的交叠处。
[0125]
在本公开的一种实施例中，参考图8和图9，图9为图8中a-a
’ꢀ
向和b-b’向的截面示意图，需要说明的是，图8中仅示出了色阻层、 隔垫物和部分信号线，图9中则示出了完整的膜层结构。色阻层101在 布线区具有开口1010，隔垫物13在第一衬底10上的投影位于开口1010在第一衬底10上的投影内。由于色阻层101具有开口1010，那么 上方的有机绝缘层12、第一配向层102都会在开口1010对应的位置处 下陷形成一凹口，那么，当隔垫物13受到向下的压力向阵列基板移动 时，会伸入并顶在该凹口内，由于周边膜层较高，可以对隔垫物13端 部形成“包覆”，由此可以进一步避免隔垫物13侧向滑移至子像素 区。该开口1010可以贯穿色阻层101，也可以不贯穿色阻层101。
[0126]
需要说明的是，上述对隔垫物13和第一有机绝缘部120的投影关 系限定，至少是对主隔垫物1301和第一有机绝缘部120的投影关系限 定，当然，辅隔垫物1302和第一有机绝缘部120的投影关系也可以满 足上述限定。
[0127]
图10示出了一种包含多个隔垫物的显示面板的结构示意图。如图 所示，隔垫物13在列方向依次排布，列方向上相邻两个子像素区之间 设置一个隔垫物13。需要说明的是，该图中隔垫物13恰好位于上下两 个子像素区之间，在如图6所示的结构中，隔垫物13位于上下两个子 像素区之间的一侧，靠近相邻一列的上下两个子像素区，此时也可以将 其与该列子像素区看做对应关系。该隔垫物13可以是主隔垫物1301， 也可以是辅隔垫物1302。图11示出了两种隔垫物的分布方式示意图， 图中m表示主隔垫物，s表示辅隔垫物，m和s虽
然位于子像素区 内，但其实际表示的是主隔垫物或辅隔垫物位于相邻的子像素区之间。 主隔垫物和辅隔垫物可以有不同的排列方式。
[0128]
在本公开的一种实施例中，每相邻的三列子像素区中，至少有一列 设置有隔垫物13，且设置有隔垫物13的一列中任意相邻的两个子像素 区之间都设置有一个隔垫物。也就是说，所有隔垫物沿列方向排布在各 子像素区之间，由此可以设置较多的隔垫物，以便提供较稳定和均匀的 压力。
[0129]
进一步的，在本公开的再一种实施例中，辅隔垫物1302的数量大 于主隔垫物1301；每相邻的三列子像素区中，至少有一列所有的隔垫 物13均为辅隔垫物1302。举例而言，在如图所示的排布方式中，每相 邻的三列子像素区中，有两列设置有隔垫物13，例如红色子像素列和 绿色子像素列，列方向上每相邻两个红色子像素区之间都设置有一个隔 垫物13，该隔垫物13均为辅隔垫物1302；列方向上每相邻两个绿色子 像素区之间也都设置有一个隔垫物13，部分隔垫物13为主隔垫物 1301，其余隔垫物13为辅隔垫物1302。蓝色像素列内不设置隔垫物 13。本公开中，辅隔垫物1302设置密度较大，可以提供更多的支持。 主隔垫物1301间隔设置在辅隔垫物1302之中，达到均匀分布的目的， 可以提供均匀的支撑力。
[0130]
可以理解的是，在其他实施方式中，隔垫物13也可以设置在其他 颜色的子像素列内，例如红色和蓝色、绿色和蓝色。当然，隔垫物13 也可以仅设置在一个颜色的子像素列内，或是设置在全部颜色的子像素 列内。
[0131]
本公开中，隔垫物13在第一衬底10上的投影可以为矩形、圆形或 椭圆形等。在如图所示的实施例中，无论是主隔垫物1301还是辅隔垫 物1302，其在第一衬底10上的投影均为矩形，矩形隔垫物具有较好的 抗压能力，且便于在制备过程中定位。
[0132]
隔垫物的尺寸可根据布线区空间大小进行设置，当其为圆形时，其 直径可以为10～30μm。当其为矩形时，其边长可以为10～40μm。当 其为椭圆形时，其短直径可以为10～20μm，长直径可以为15～30μ m。
[0133]
主隔垫物1301在第一衬底10上的投影与相邻的子像素区边缘之间 的间距会影响隔垫物在发生侧向滑移时对子像素区的损伤风险，若间距 过小，主隔垫物1301在发生侧向滑移时容易滑移至子像素区造成损 伤，若间距过大，在固定像素尺寸的前提下隔垫物截面面积过小，难以 提供足够的支撑力。由于本公开设置的有机绝缘层12的结构能够在一 定程度上降低主隔垫物1301损伤子像素区的风险，因此主隔垫物1301 与相邻的子像素区之间的间距d可以设置在15-50μm之间，既能够进 一步防止隔垫物损伤子像素区，也能够确保隔垫物有足够的截面面积。 通常，隔垫物被设置在上下两个子像素区之间中间位置，因此其与上下 两个子像素区边缘的间距相等，例如，图中示出了隔垫物与上方子像素 区边缘的间距，其中，矩形主隔垫物与上方子像素区边缘的间距d为 42μm，矩形辅隔垫物与上方子像素区边缘的间距d为30.5μm。除此 之外，隔垫物13与上下两个相邻的子像素区之间的间距还可以取值为 15μm、20μm、25μm、35μm、45μm、50μm等。
[0134]
本公开实施方法还提供一种显示面板的制备方法，以形成图3所示 的结构为例，包括以下步骤：
[0135]
步骤s100，提供一第一衬底10，第一衬底划分有子像素区和设于 子像素区周边的布线区；在第一衬底的布线区形成晶体管11；
[0136]
步骤s200，在第一衬底10上形成有机绝缘层12，有机绝缘层12 包括第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121，使第一有机绝缘部 120覆盖布线区及晶体管11，使第二有机绝缘部121覆盖子像素区；其 中，第一有机绝缘部120的厚度大于第二有机绝缘部121的厚度；
[0137]
步骤s300，提供一第二衬底20，在第二衬底朝向第一衬底的一侧 形成隔垫物13，使隔垫物13在第一衬底上的正投影位于第一有机绝缘 部120在第一衬底上的的正投影内。
[0138]
其中，形成有机绝缘层12可以包括以下子步骤：
[0139]
步骤s210，在形成有晶体管11的第一衬底上涂布有机绝缘材料；
[0140]
步骤s220，采用半色调掩膜光罩或灰阶色调掩膜光罩对有机绝缘 材料进行曝光和显影，使子像素区的有机绝缘材料保留厚度小于布线区 的有机绝缘材料保留厚度，即可得到较厚的第一有机绝缘部120和较薄 的第二有机绝缘部121。
[0141]
形成图中其余结构，例如晶体管11、色阻层101、第一配向层 102、第二配向层22等，可参考前述介绍，此处不再赘述。
[0142]
本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括前述任一实施提到的 显示面板，在此不做重复赘述。该显示装置还可包括位于阵列基板1与 对合基板2之间的液晶层(图中未示出)，即：此显示装置可为液晶显 示装置。其中，液晶层的液晶分子可为负性液晶，以提高透过率，但不 限于此，也可为正性液晶。
[0143]
根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本 领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电 脑等移动装置、手表等可穿戴设备、vr装置等等，本领域技术人员可 根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
[0144]
需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的 部件和组成，以显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电 源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相 应地补充，在此不再赘述。
[0145]
需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和
ꢀ“
设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表 示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
[0146]
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在 一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放 式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存 在另外的要素/组成部分/等。
[0147]
需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各 种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元 件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于 将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。
[0148]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想 到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或 者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原 理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说 明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权 利要求指出。
[0149]
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的 精确结构，并
且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范 围仅由所附的权利要求来限制。