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轨道打磨控制方法、装置、轨道打磨车和电子设备与流程

2022-11-12 10:59:12 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种轨道打磨控制方法,其特征在于,包括:获取轨道打磨装置中打磨驱动机构的实时功率;当所述实时功率小于或等于第一预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动打磨头靠近轨道;当所述实时功率大于所述第一预设功率且实时功率小于或等于第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构停止工作并控制所述打磨头对轨道进行打磨。2.根据权利要求1所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,所述轨道打磨控制方法还包括:当所述实时功率大于所述第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头远离轨道。3.根据权利要求2所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,当所述实时功率大于所述第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头远离轨道,具体包括:当所述实时功率大于所述第二预设功率且所述实时功率小于或等于第三预设功率时,控制所述打磨驱动机构以第一进给位移量和第一进给速度驱动所述打磨头远离轨道。4.根据权利要求3所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,当所述实时功率大于所述第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头远离轨道,还包括:当所述实时功率大于所述第三预设功率且所述实时功率小于或等于第四预设功率时,控制所述打磨驱动机构以第二进给位移量和第二进给速度驱动所述打磨头远离轨道;所述第二进给位移量大于所述第一进给位移量,所述第二进给速度大于所述第一进给速度。5.根据权利要求4所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,当所述实时功率大于所述第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头远离轨道,还包括:当所述实时功率大于所述第四预设功率时,控制所述打磨驱动机构以第三进给位移量和第三进给速度驱动所述打磨头远离轨道;所述第三进给位移量大于所述第二进给位移量,所述第三进给速度大于所述第二进给速度。6.根据权利要求1所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,控制所述打磨驱动机构驱动打磨头靠近轨道,具体为:控制所述打磨驱动机构以第一进给位移量和第一进给速度驱动所述打磨头靠近轨道。7.根据权利要求1所述的轨道打磨控制方法,其特征在于,所述轨道打磨控制方法还包括:获取所述打磨头与轨道之间的实时距离;当所述实时距离与第一预设距离相同,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头靠近轨道;或当所述实时距离与第二预设距离相同,控制所述打磨驱动机构停止远离轨道。8.一种轨道打磨装置,其特征在于,包括:打磨驱动机构,具有转动输出端;传动机构,与所述转动输出端连接以能够将转动转换为直线运动;打磨头,与所述传动机构远离所述转动输出端的部分进行连接;控制系统,与所述打磨驱动机构通讯连接,所述控制系统适于获取所述打磨驱动机构的实时功率,并当所述实时功率小于或等于第一预设功率时,控制所述打磨驱动机构驱动
所述打磨头靠近轨道;当所述实时功率大于第一预设功率且实时功率小于或等于第二预设功率时,控制所述打磨驱动机构停止工作并控制所述打磨头对轨道进行打磨,其中,第二预设功率大于第一预设功率。9.根据权利要求8所述的轨道打磨装置,其特征在于,所述轨道打磨控制装置还包括:测距装置,适于检测并发送所述打磨头与所述轨道之间的实时距离;其中,所述测距装置与所述控制系统通讯连接,以使所述控制系统获取所述实时距离,并当所述实时距离与第一预设距离相同,控制所述打磨驱动机构驱动所述打磨头靠近轨道;或当所述实时距离与第二预设距离相同,控制所述打磨驱动机构停止远离轨道。10.一种钢轨打磨车,其特征在于,包括:车架;行走装置,设置于所述车架底部,适于在轨道上行走;如权利要求8或9所述的轨道打磨装置,与所述车架连接。11.一种电子设备,其特征在于,包括:存储器;处理器;以及计算机程序;其中,所述计算机程序存储在所述存储器中,并被配置为由所述处理器执行以实现如权利要求1至7中任一项所述的轨道打磨控制方法。12.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序;所述计算机程序被处理器执行以实现如权利要求1至7中任一项所述的轨道打磨控制方法。

技术总结
本申请实施例提供一种轨道打磨控制方法、装置、轨道打磨车和电子设备。该轨道打磨控制方法包括:获取轨道打磨装置中打磨驱动机构的实时功率;当实时功率小于或等于第一预设功率时,控制打磨驱动机构驱动打磨头靠近轨道;当实时功率大于第一预设功率且实时功率小于或等于第二预设功率时,控制打磨驱动机构停止工作并控制打磨头对轨道进行打磨。该轨道打磨控制装置和轨道打磨控制方法通过采集打磨驱动机构的实时功率,并根据实时功率控制打磨驱动机构控制打磨头靠近或打磨轨道,可以实现对打磨功率的精确控制,作业效果更稳定。作业效果更稳定。作业效果更稳定。


技术研发人员:罗建利 杨永江 晏腾飞 吴鹏坤 陈忠良
受保护的技术使用者:中国铁建高新装备股份有限公司
技术研发日:2022.10.14
技术公布日:2022/11/11
再多了解一些

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