高压模拟集成开关电路的制作方法

技术特征：
1.一种高压模拟集成开关电路，其特征在于，包括开关管和驱动电路，所述开关管包括第一ldmos管和第二ldmos管；所述第一ldmos管的漏极与所述第二ldmos管的漏极电连接，所述第一ldmos管的源极与高压模拟集成开关电路的输入端电连接，所述第二ldmos管的源极与高压模拟集成开关电路的输出端电连接，所述第一ldmos管的栅极分别与所述第二ldmos管的栅极以及所述驱动电路电连接；所述驱动电路用于根据接收到的控制信号控制所述开关管导通或断开；当所述开关管导通时，所述输入端用于将电压传输至所述输出端。2.如权利要求1所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述驱动电路用于根据接收到的高电平控制信号控制所述开关管导通，或根据接收到的低电平控制信号控制所述开关管断开。3.如权利要求1所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述驱动电路包括电容、第一控制电路、第二控制电路以及第三控制电路，所述第一控制电路包括第一pmos管，所述第二控制电路包括第一nmos管，所述第三控制电路包括第二pmos管；所述第一pmos管的源极与所述输入端电连接，所述第一pmos管的漏极分别与所述电容的上级板以及所述第一nmos管的源极电连接，所述第一nmos管的漏极与所述第二pmos管的漏极电连接，所述第二pmos管的源极与高压域电源电连接，所述电容的下级板分别与低压域电源和地电连接，所述第一pmos管的栅极、所述第一nmos管的栅极以及所述第二pmos管的栅极均接地；所述电容用于控制所述开关管的栅极电压；所述第一pmos管用于给所述电容的上级板充电；所述第一nmos管用于将所述电容的上级板电压传输给所述开关管的栅极，使得所述开关管导通；所述第二pmos管用于将所述高压域电源的电压传输给所述开关管的栅极，使得所述开关管断开。4.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述第一控制电路还包括第一分压电阻、第一齐纳二极管以及第二nmos管；所述第一分压电阻的一端分别与所述输入端、所述第一齐纳二极管的负极端以及所述第一pmos管的源极电连接，所述第一分压电阻的另一端分别与所述第一齐纳二极管的正极端以及所述第一pmos管的栅极电连接，所述第一pmos管的栅极与所述第二nmos管的漏极电连接，所述第二nmos管的栅极与反向控制信号输入端电连接，所述第二nmos管的源极接地。5.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述第二控制电路还包括第二分压电阻、第二齐纳二极管以及第三nmos管；所述第二分压电阻的一端分别与所述输入端以及所述第二齐纳二极管的负极端电连接，所述第二分压电阻的另一端分别与所述第一nmos管的栅极、所述第二齐纳二极管的正极端以及所述第三nmos管的漏极电连接，所述第三nmos管的栅极与反向控制信号输入端电连接，所述第三nmos管的源极接地。6.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述第三控制电路还包括第三分压电阻、第三齐纳二极管以及第四nmos管；
所述第三分压电阻的一端分别与所述高压域电源、所述第三齐纳二极管的负极端以及所述第二pmos管的源极电连接，所述第四nmos管的漏极分别与所述第二pmos管的栅极、所述第三齐纳二极管的正极端以及所述第三分压电阻的另一端电连接，所述第四nmos管的栅极与反向控制信号输入端电连接，所述第四nmos管的源极接地。7.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第五nmos管和第三pmos管；所述第五nmos管的漏极分别与所述电容的下级板以及所述第三pmos管的漏极电连接，所述第五nmos管的源极接地，所述第五nmos管的栅极以及所述第三pmos管的栅极均与正向控制信号输入端电连接，所述第三pmos管的源极与所述低压域电源电连接。8.如权利要求1所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述输入端的电压以及所述输出端的电压的取值均大于等于0v且小于等于40v；和/或，所述第一ldmos管和所述第二ldmos管均为p型ldmos管。9.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述电容的电容值大于等于4.5pf；和/或，所述低压域电源的电压值大于0v且小于等于5v。10.如权利要求3所述的高压模拟集成开关电路，其特征在于，所述高压域电源的电压大于等于所述输入端的电压。

技术总结
本发明公开了一种高压模拟集成开关电路，包括开关管和驱动电路，开关管包括第一LDMOS管和第二LDMOS管；第一LDMOS管的漏极与第二LDMOS管的漏极电连接，第一LDMOS管的源极与输入端电连接，第二LDMOS管的源极与输出端电连接，第一LDMOS管的栅极分别与第二LDMOS管的栅极以及驱动电路电连接；驱动电路用于根据接收的控制信号控制开关管通断；当开关管导通时输入端用于将电压传输至输出端。本发明无需将驱动电路与输出端连通，仅采用一对p型LDMOS管作为开关管，通过驱动电路根据控制信号控制开关管通断，能够稳定、高精度地输出高压信号，避免了驱动电路对后续电压采样带来影响，提高了输出电压线性度。出电压线性度。出电压线性度。


技术研发人员：舒芋钧 吴绮
受保护的技术使用者：高澈科技（上海）有限公司
技术研发日：2022.10.14
技术公布日：2022/11/11