影像传感器的制作方法

1.本发明涉及一种影像传感器，尤其是涉及一种具有可见光侦测结构以及红外光侦测结构的影像传感器。


背景技术：

2.随着计算机和通讯工业的发展，高效率的影像传感器的需求也随之增加，影像传感器可应用在各种领域，例如数字相机、摄录相机、个人通讯系统、游戏元件、监视器、医疗用的微相机、机器人等。
3.在影像传感器中，除了用以接收可见光并转换成对应影像信号的可见光侦测元件之外，还可设置对应其他波长范围的光侦测元件，用以提供影像提取以及其他附加功能，例如可用于感测距离或/及深度而应用于3d影像、扩增实境(augmented reality，ar)等相关应用。因此，如何通过结构、材料或/及制作工艺上的设计来改善影像传感器中分别对应可见光与其他波长范围的光侦测元件的光敏度(light sensitivity)与量子效率(quantum efficiency，qe)为相关领域人士持续研究的方向。


技术实现要素：

4.本发明提供了一种影像传感器，利用在同一个像素区中设置可见光侦测结构与红外光侦测结构，由此改善影像传感器的光敏度、量子效率或/及其他相关特性。
5.本发明的一实施例提供一种影像传感器，包括一半导体基底、一第一隔离结构、至少一个可见光侦测结构以及至少一个红外光侦测结构。半导体基底具有在一垂直方向上相对的一第一表面与一第二表面。第一隔离结构设置于半导体基底中，用于半导体基底中定义出多个像素区。可见光侦测结构与红外光侦测结构设置于半导体基底中，且可见光侦测结构与红外光侦测结构设置于多个像素区中的一个之内。可见光侦测结构的一第一部分在垂直方向上设置于红外光侦测结构与半导体基底的第二表面之间。
附图说明
6.图1为本发明第一实施例的影像传感器的示意图；
7.图2为本发明一实施例的红外光侦测结构的示意图；
8.图3为本发明一实施例的影像传感器中对应一像素区的电路示意图；
9.图4至图9为本发明一实施例的影像传感器的制作方法示意图，其中
10.图5为图4之后的制作方法示意图；
11.图6为图5之后的制作方法示意图；
12.图7为图6之后的制作方法示意图；
13.图8为图7之后的制作方法示意图；以及
14.图9为图8之后的制作方法示意图；
15.图10为本发明第二实施例的影像传感器的示意图。
16.主要元件符号说明
17.10
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半导体基底
18.11
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经掺杂的外延层
19.12
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本质外延层
20.13
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经掺杂的外延层
21.14
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掺杂区
22.15
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图案化绝缘层
23.16
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导电层
24.20
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第一隔离结构
25.22
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第二隔离结构
26.30
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反射结构
27.32
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接触结构
28.34
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接触结构
29.36
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反射层
30.40
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互连结构
31.50
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介电层
32.60
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抗反射层
33.62
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图案化隔离结构
34.70
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彩色滤光单元
35.70a
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第一彩色滤光单元
36.70b
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第二彩色滤光单元
37.70c
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第三彩色滤光单元
38.80
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微透镜
39.90
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外延制作工艺
40.101
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影像传感器
41.102
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影像传感器
42.d1
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第一方向
43.d2
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第二方向
44.dr
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掺杂区
45.es
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外延结构
46.g1
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第一栅极
47.g2
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第二栅极
48.l1
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长度
49.l2
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长度
50.l3
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长度
51.p1
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第一部分
52.p2
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第二部分
53.pd1
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红外光侦测结构
54.pd2
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可见光侦测结构
55.px
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像素区
56.px1
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第一像素区
57.px2
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第二像素区
58.px3
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第三像素区
59.s1
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第一表面
60.s2
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第二表面
61.t1
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晶体管
62.t2
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晶体管
63.t3
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晶体管
64.t4
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晶体管
65.t5
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晶体管
66.tr
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沟槽
具体实施方式
67.以下本发明的详细描述已披露足够的细节以使本领域的技术人员能够实践本发明。以下阐述的实施例应被认为是说明性的而非限制性的。对于本领域的一般技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式及细节上的各种改变与修改。
68.在进一步的描述各实施例之前，以下先针对全文中使用的特定用语进行说明。
69.用语“在
…
上”、“在
…
上方”和“在
…
之上”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在
…
上”不仅表示“直接在”某物上而且还包括在某物上且其间有其他居间特征或层的含义，并且“在
…
上方”或“在
…
之上”不仅表示在某物“上方”或“之上”的含义，而且还可以包括其在某物“上方”或“之上”且其间没有其他居间特征或层(即，直接在某物上)的含义。
70.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等用词，是用以修饰权利要求的元件，除非特别说明，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
71.在下文中使用术语“形成”或“设置”来描述将材料层施加到基底的行为。这些术语旨在描述任何可行的层形成技术，包括但不限于热生长、溅射、蒸发、化学气相沉积、外延生长、电镀等。
72.请参阅图1。图1所绘示为本发明第一实施例的影像传感器101的示意图。如图1所示，影像传感器101包括一半导体基底10、一第一隔离结构20、至少一个红外光侦测结构pd1以及至少一个可见光侦测结构pd2。半导体基底10具有在一垂直方向(例如图1中所示的第一方向d1)上相对的一第一表面s1与一第二表面s2。第一隔离结构20设置于半导体基底10中，用于半导体基底10中定义出多个像素区px。可见光侦测结构pd2与红外光侦测结构pd1设置于半导体基底10中，且可见光侦测结构pd2与红外光侦测结构pd1设置于多个像素区px中的一个之内。可见光侦测结构pd2的一第一部分p1在第一方向d1上设置于红外光侦测结构pd1与半导体基底10的第二表面s2之间。
73.换句话说，红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2可设置于同一个半导体基底
10中且位于同一个像素区px之内，而可见光侦测结构pd2的一部分与红外光侦测结构pd1可在第一方向d1上重叠，由此可在像素区px的尺寸大小受限的状况下(例如在为了提高影像传感器101的整体分辨率而需相对缩减各像素区px的尺寸大小的状况下)提升红外光侦测结构pd1的光敏度(light sensitivity)或/及量子效率(quantum efficiency，qe)。
74.在一些实施例中，上述的第一方向d1可被视为半导体基底10的厚度方向，第二表面s2可被视为入光面或面向光源的一侧，第一表面s1可被视为背对光源的一侧，而与第一方向d1正交的水平方向(例如图1中所示的第二方向d2)，可大体上与半导体基底10的第一表面s1或/及第二表面s2平行，但并不以此为限。在影像传感器101中，各像素区px可在水平方向(例如上述的第二方向d2以及与第一方向d1正交的其他方向)上被第一隔离结构20围绕。在一些实施例中，影像传感器101可包括多个红外光侦测结构pd1以及多个可见光侦测结构pd2，且至少一个像素区px中可同时设置有红外光侦测结构pd1以及可见光侦测结构pd2。举例来说，在一些实施例中，各像素区px中可设置有一个红外光侦测结构pd1以及一个可见光侦测结构pd2，且至少部分的像素区px可对应侦测不同颜色的可见光，但并不以此为限。
75.在一些实施例中，可见光侦测结构pd2可包括可见光光电二极管(visible light photodiode)或可见光光电二极管的一部分，而红外光侦测结构pd1可包括红外光光电二极管(infrared photodiode)或红外光光电二极管的一部分，但并不以此为限。在一些实施例中，红外光侦测结构pd1也可包括光电二极管以外的其他可用以将红外光转换成对应电子信号的结构，而可见光侦测结构pd2也可包括光电二极管以外的其他可用以将可见光转换成对应电子信号的结构。此外，在一些实施例中，红外光侦测结构pd1的材料组成可不同于可见光侦测结构pd2的材料组成，由此提升红外光侦测结构pd1的光敏度或/及qe。
76.举例来说，红外光侦测结构pd1可包括一外延结构es设置于半导体基底10中，而可见光侦测结构pd2可包括一掺杂区dr位于半导体基底10中，但并不以此为限。在一些实施例中，半导体基底10可包括一硅基底、一含硅(silicon-containing)基底或其他适合的半导体材料所形成的基底，而掺杂区dr可通过对半导体基底10进行掺杂制作工艺(例如离子注入制作工艺或其他适合的掺杂方式)而形成，故掺杂区dr可包括半导体基底10的一部分(例如硅)以及通过上述掺杂制作工艺注入半导体基底10中的掺杂物。换句话说，可见光侦测结构pd2可包括与半导体基底10相同的材料(例如硅)，而此材料可不同于外延结构es的材料。此外，在一些实施例中，外延结构es可包括外延锗、iii-v族半导体外延材料(例如外延砷化铟镓，ingaas)或其他比半导体基底10的材料具有更高红外光吸收率的材料。因此，虽然红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2设置于同一个半导体基底10中且位于同一个像素区px之内，而可见光侦测结构pd2的第一部分p1与红外光侦测结构pd1在第一方向d1上重叠且位于入光面(例如第二表面s2)与红外光侦测结构pd1之间，但利用具有相对较高的红外光吸收率的外延材料形成红外光侦测结构pd1可提升红外光侦测结构pd1的光敏度或/及qe，使得影像传感器101中的红外光侦测结构pd1可具有良好的光电转换表现。
77.在一些实施例中，影像传感器101可还包括一第二隔离结构22设置于半导体基底10中且位于各像素区px中，但并不以此为限。在一些实施例中，可见光侦测结构pd2的一第二部分p2可在水平方向(例如第二方向d2)上设置于第一隔离结构20与位于同一个像素区px中的红外光侦测结构pd1之间，可见光侦测结构pd2的第二部分p2可沿第一方向d1朝向第
一表面s1延伸，而可见光侦测结构pd2的第二部分p2与第一部分p1可直接相连，但并不以此为限。此外，在至少一个像素区px中，第二隔离结构22的一部分可在第二方向d2上设置于红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2的第二部分p2之间，由此降低同一个像素区px中的红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2之间的互相干扰。在一些实施例中，第一隔离结构20与第二隔离结构22可分别包括单层或多层绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅或其他适合的绝缘材料。
78.在一些实施例中，第一隔离结构20的一部分可在第一方向d1上贯穿半导体基底10，而可见光侦测结构pd2的第一部分p1可在第一方向d1上设置于第二隔离结构22与半导体基底10的第二表面s2之间，但并不以此为限。在一些实施例中，第二隔离结构22在第一方向d1上的长度可大于或等于红外光侦测结构pd1在第一方向d1上的长度，而第二隔离结构22在第一方向d1上的长度可小于第一隔离结构20在第一方向上的长度，由此可利用第二隔离结构22在第二方向d2上降低同一个像素区px中的红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2之间的互相干扰并避免第二隔离结构22延伸至可见光侦测结构pd2而对可见光侦测结构pd2产生负面影响。
79.在一些实施例中，影像传感器101可还包括至少一个第一栅极g1、至少一个第二栅极g2、一反射结构30、至少一个接触结构32、至少一个接触结构34、至少一个反射层36、一互连结构40以及一介电层50，但并不以此为限。第一栅极g1、第二栅极g2、反射结构30、接触结构32、接触结构34、反射层36、互连结构40以及介电层50可均设置于半导体基底10的第一表面s1上。在一些实施例中，第一栅极g1可与红外光侦测结构pd1对应设置，第二栅极g2可与可见光侦测结构pd2对应设置，第一栅极g1可为与红外光侦测结构pd1电连接的晶体管(图1未示)中的栅极，而第二栅极g2可为与可见光侦测结构pd2电连接的晶体管(图1未示)中的栅极，但并不以此为限。
80.在一些实施例中，反射结构30可为电性浮置(electrically floating)导电结构，也就是说反射结构30可未与其他部件电连接，而反射结构30的一部分可在第一方向d1上设置于第一隔离结构20上，且反射结构30的另一部分可设置于第一栅极g1与第二栅极g2之间，用以降低相邻的像素区px之间以及位于同一个像素区px中的红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2之间的光线干扰或/及增加红外光侦测结构pd1的光敏度，但并不以此为限。此外，在一些实施例中，沿第一方向d1观看影像传感器101时(例如在第二表面s2的一侧观看影像传感器101时)，设置于第一栅极g1与第二栅极g2之间的反射结构30可在第一方向d1上设置在第二隔离结构22上且与第二隔离结构22在第一方向d1上至少部分重叠，故反射结构30可未与半导体基底10直接接触以降低反射结构30对于红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2的电性影响。
81.在一些实施例中，接触结构32可设置于第一栅极g1上并与第一栅极g1电连接，而接触结构34可设置于第二栅极g2上并与第二栅极g2电连接，且反射结构30、接触结构32以及接触结构34可通过同一制作工艺一并形成以达到制作工艺简化的效果，故反射结构30、接触结构32以及接触结构34可具有相同的材料组成，但并不以此为限。在一些实施例中，反射层36可于第一方向d1上对应红外光侦测结构pd1设置，故红外光侦测结构pd1可在第一方向d1上设置于反射层36与可见光侦测结构pd2的第一部分p1之间，而第一栅极g1可于第一方向d1上位于红外光侦测结构pd1与反射层36之间，但并不以此为限。此外，反射层36与互
连结构40的至少一部分可通过同一制作工艺一并形成以达到制作工艺简化的效果，故反射层36与互连结构40的至少一部分可具有相同的材料组成，但并不以此为限。在一些实施例中，反射层36可为电性浮置导电层，由此降低具有相对较大范围的反射层36对于其他元件(例如第一栅极g1对应的晶体管或/及第二栅极g2对应的晶体管)在电性上的负面影响，但并不以此为限。
82.在一些实施例中，影像传感器101可包括多个第一栅极g1、多个第二栅极g2以及多个反射层36分别对应各像素区px设置，但并不以此为限。上述的第一栅极g1与第二栅极g2可分别包括非金属导电材料(例如经掺杂的多晶硅)或金属导电材料，例如由功函数层以及低电阻层所堆叠而成的金属栅极结构，但并不以此为限。上述的反射结构30、接触结构32、接触结构34、反射层36以及互连结构40可分别包括阻障层(未绘示)以及位于阻障层上的导电材料(未绘示)，但并不以此为限。上述的阻障层可包括氮化钛、氮化钽或其他适合的阻障材料，而上述的导电材料可包括电阻率相对较低的材料例如钨、铝、铜、铝化钛、钛等，但并不以此为限。此外，介电层50可包括高介电常数(high-k)介电材料或其他适合的介电材料(例如氧化硅)。
83.在一些实施例中，影像传感器101可还包括一抗反射层60、一图案化隔离结构62、多个彩色滤光单元70以及多个微透镜(microlens)80，但并不以此为限。抗反射层60、图案化隔离结构62、彩色滤光单元70以及微透镜80可均设置于半导体基底10的第二表面s2上。彩色滤光单元70与图案化隔离结构62可设置于抗反射层60上，而微透镜80可设置于彩色滤光单元70上。在一些实施例中，图案化隔离结构62可位于相邻的彩色滤光单元70之间，用以降低相邻的彩色滤光单元70之间的光线干扰，而图案化隔离结构62可包括金属材料或其他具有相对较高光密度(optical density，od)的材料。
84.各彩色滤光单元70可在第一方向d1上与多个像素区px中的一个对应设置。举例来说，在一些实施例中，彩色滤光单元70可包括不同颜色的第一彩色滤光单元70a、第二彩色滤光单元70b以及第三彩色滤光单元70c相邻设置，而像素区px可包括第一像素区px1、第二像素区px2以及第三像素区px3分别与第一彩色滤光单元70a、第二彩色滤光单元70b以及第三彩色滤光单元70c对应设置。因此，在一些实施例中，对应不同颜色光线的像素区px中可均设置有红外光侦测结构pd1，由此可增加红外光侦测结构pd1在影像传感器101中的设置数量或/及提升对应不同颜色的像素区px所产生的影像资讯的对比或/及锐利度。
85.请参阅图2与图1。图2所绘示为本发明一实施例的红外光侦测结构pd1的示意图。如图2与图1所示，在一些实施例中，红外光侦测结构pd1可包括由一经掺杂的外延层11、一本质(intrinsic)外延层12以及一经掺杂的外延层13所形成的外延结构es。经掺杂的外延层11与经掺杂的外延层13可分别为p型掺杂的外延层(例如p型重掺杂的外延锗层)与n型掺杂的外延层(例如n型重掺杂的外延锗层)，由此与本质外延层12(例如未刻意掺杂的外延锗层)形成pin型光电二极管，但并不以此为限。在一些实施例中，一掺杂区14(例如p型轻掺杂的外延锗区)可围绕经掺杂的外延层13，一图案化绝缘层15可设置于掺杂区14与经掺杂的外延层13上，而导电层16可与经掺杂的外延层13接触而形成电连接，但并不以此为限。在一些实施例中，导电层16可用以电连接上述的pin型光电二极管以及上述的第一栅极g1所对应的晶体管，而掺杂区14可用以减少经掺杂的外延层13与图案化绝缘层15之间的界面缺陷对于pin型光电二极管在电性上的负面影响，但并不以此为限。值得说明的是，本发明的红
外光侦测结构pd1的结构并不以图2所示的状况为限而可视设计需要具有其他适合结构设计的红外光侦测结构pd1。
86.请参阅图3与图1。图3所绘示为本发明一实施例的影像传感器中对应一像素区px的电路示意图。如图3与图1所示，在一些实施例中，对应一个像素区px的电路结构可包括红外光侦测结构pd1、可见光侦测结构pd2、一晶体管t1、一晶体管t2、一晶体管t3、一晶体管t4以及一晶体管t5，但并不以此为限。在一些实施例中，晶体管t1的一源极/漏极端可电连接至红外光侦测结构pd1，而晶体管t1的另一源极/漏极端可电连接晶体管t3的一源极/漏极端以及晶体管t4的一源极/漏极端，且上述第一栅极g1可为晶体管t1中的栅极，但并不以此为限。此外，晶体管t2的一源极/漏极端可电连接至可见光侦测结构pd2，而晶体管t2的另一源极/漏极端可电连接晶体管t3的另一源极/漏极端以及晶体管t5的栅极，且上述第二栅极g2可为晶体管t2中的栅极，但并不以此为限。在一些实施例中，晶体管t3可被视为切换(switch)晶体管，晶体管t4的另一源极/漏极端可连接至一重置(reset)信号源，故晶体管t4可被视为重置晶体管，而晶体管t5可被视为读取晶体管，但并不以此为限。值得说明的是，本发明中对应像素区px的电路结构并不以图3所示的状况为限而可视设计需要具有其他适合的电路结构。
87.请参阅图4至图9以及图1。图4至图9所绘示为本发明一实施例的影像传感器的制作方法示意图，其中图5绘示了图4之后的制作方法示意图，图6绘示了图5之后的制作方法示意图，图7绘示了图6之后的制作方法示意图，图8绘示了图7之后的制作方法示意图，图9绘示了图8之后的制作方法示意图，而图1可被视为绘示了图9之后的制作方法示意图，但并不以此为限。如图1所示，本实施例的影像传感器101的制作方法可包括下列步骤。在半导体基底10中形成至少一个红外光侦测结构pd1。在半导体基底10中形成第一隔离结构20，用于半导体基底10中定义出多个像素区px。在半导体基底中形成至少一个可见光侦测结构pd2。半导体基底10具有在一垂直方向(例如第一方向d1)上相对的第一表面s1与第二表面s2，可见光侦测结构pd2与红外光侦测结构pd1位于多个像素区px中的一个像素区px之内，且可见光侦测结构pd2的第一部分p1在第一方向d1上位于红外光侦测结构pd1与半导体基底10的第二表面s2之间。
88.进一步说明，本实施例的影像传感器101的制作方法可包括但并不限于下列步骤。如图4所示，可于半导体基底10的第一表面s1的一侧形成多个沟槽tr。然后，如图5所示，可进行一外延制作工艺90，用以于半导体基底10上形成外延结构es，并使外延结构es填入各沟槽tr中。外延制作工艺90可包括外延成长制作工艺或其他可用以形成外延结构es的制作方法。此外，外延结构es可包括多层外延层(例如上述图2中所示的外延层)互相堆叠设置，但并不以此为限。由于红外光侦测结构pd1可通过外延制作工艺90形成于沟槽tr中，故可使用对红外光吸收率较高的材料形成红外光侦测结构pd1来提升红外光侦测结构pd1的光电转换能力，而红外光侦测结构pd1的材料组成可因此不同于半导体基底10的材料组成。
89.然后，如图6所示，在半导体基底10中形成第一隔离结构20与第二隔离结构22，由此在半导体基底10中定义出多个像素区px。在一些实施例中，第一隔离结构20与第二隔离结构22可分别自半导体基底10的第一表面s1朝向第二表面s2延伸，第一隔离结构20在第一方向d1上的长度l3可大于第二隔离结构22在第一方向d1上的长度l2，而第二隔离结构22在第一方向d1上的长度l2可大于或等于红外光侦测结构pd1在第一方向d1上的长度l1，但并
不以此为限。
90.之后，如图7所示，可于半导体基底10中形成可见光侦测结构pd2，并于半导体基底10的第一表面s1上形成第一栅极g1、第二栅极g2以及其他相关部件(例如上述的各晶体管)。在一些实施例中，可见光侦测结构pd2可包括掺杂区dr位于半导体基底10中，而掺杂区dr可通过对半导体基底10进行掺杂制作工艺而形成，故掺杂区dr可包括半导体基底10的一部分(例如硅)以及通过上述掺杂制作工艺注入半导体基底10中的掺杂物。在一些实施例中，掺杂区dr可包括一个或多个具有不同导电型态的掺杂区(例如n型掺杂区或/及p型掺杂区)，掺杂制作工艺中使用的掺杂物可包括磷(p)、砷(as)或其他适合的掺杂物，而掺杂制作工艺所使用的注入剂量(implantation dose)可介于1e 11ion/cm2至1e 13ion/cm2之间，但并不以此为限。此外，在一些实施例中，由于红外光侦测结构pd1与第二隔离结构22可在可见光侦测结构pd2之前形成，故上述用以形成可见光侦测结构pd2的掺杂制作工艺可对半导体基底10的第一表面s1或/及第二表面s2进行，由此形成具有所需范围的可见光侦测结构pd2并降低掺杂制作工艺对于红外光侦测结构pd1的负面影响。
91.然后，如图8与图9所示，可于半导体基底10的第一表面s1上形成反射结构30、接触结构32、接触结构34、反射层36、互连结构40以及介电层50，并于半导体基底10的第二表面s2上形成抗反射层60与图案化隔离结构62。在一些实施例中，在抗反射层60形成之前，可自半导体基底10的第二表面s2进行薄化制作工艺，用以移除部分的半导体基底10而使半导体基底10减薄，而第一隔离结构20可于此薄化制作工艺之后在第一方向d1上贯穿半导体基底10，但并不以此为限。之后，如图9与图1所示，可形成彩色滤光单元70与微透镜80，从而形成上述的影像传感器101。在一些实施例中，第二表面s2可被视为入光面或面向光源的一侧，而红外光侦测结构pd1与可见光侦测结构pd2可在第一方向d1上设置于第二表面s2与电路结构(例如第一栅极g1与第二栅极g2对应的晶体管以及互连结构40)之间，故影像传感器101可被视为背照式(backside illumination)影像传感器，但并不以此为限。此外，本实施例的影像传感器101的制作方法并不以上述图4至图9所示状况为限而可视设计需要使用其他适合的制作方式形成影像传感器101。
92.下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述，而不再对相同的部分作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件是以相同的标号进行标示，用以方便在各实施例间互相对照。
93.请参阅图10。图10所绘示为本发明第二实施例的影像传感器102的示意图。如图10所示，在一些实施例中，反射层36可于水平方向上延伸而同时与设置于同一个像素区px中的红外光侦测结构pd1以及可见光侦测结构pd2对应设置，故可见光侦测结构pd2可在第一方向d1上设置于反射层36与半导体基底10的第二表面s2之间。通过反射层36的设置，可增加进入红外光侦测结构pd1以及可见光侦测结构pd2的光量，进而提升影像传感器102对红外光或/及可见光的侦测能力。
94.综上所述，在本发明的影像传感器中，可利用在半导体基底中的同一个像素区之内设置可见光侦测结构与红外光侦测结构，由此改善影像传感器对于红外光侦测的光敏度与量子效率。
95.以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。