复合基板及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种制造复合基板的方法，所述复合基板具有按列出顺序层叠的硅晶片、夹层和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜，所述方法包括下列步骤：对硅晶片进行离子注入处理后实施热处理以在所述硅晶片的上层部分形成损伤层；将所述硅晶片与单晶硅晶片或氧化物单晶晶片经由所述夹层彼此粘合来获得接合体；以及将所述接合体的所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片减薄而成为单晶硅薄膜或氧化物晶体薄膜。2.如权利要求1所述的制造复合基板的方法，其中所述夹层包含sio2、sion、sin、al2o3、tio2、ta2o5、nb2o5、y2o3或zro2。3.如权利要求1所述的制造复合基板的方法，其中，所述夹层通过将所述硅晶片进行热氧化来形成。4.如权利要求1或2所述的制造复合基板的方法，其中，所述夹层通过化学气相沉积cvd法或物理气相沉积pvd法来形成。5.如权利要求1至4中任一项所述的制造复合基板的方法，其中通过所述离子注入处理注入的离子种类是氢原子离子h

且剂量在2.5
×
10
16
atom/cm2至5.0
×
10
16
atom/cm2之间。6.如权利要求1至4中任一项所述的制造复合基板的方法，其中通过所述离子注入处理注入的离子种类是氢分子离子h
2
且剂量在1.25
×
10
16
atom/cm2至2.5
×
10
16
atom/cm2之间。7.如权利要求1至6中任一项所述的制造复合基板的方法，其中所述热处理在400℃或更高的温度下进行。8.如权利要求1至7中任一项所述的制造复合基板的方法，其中通过磨削或抛光或者它们的组合来减薄所述接合体的所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片。9.如权利要求1至7中任一项所述的制造复合基板的方法，其还包括如下步骤：对所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片的待粘合表面进行离子注入处理以在所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层；其中，通过在所述接合体上留下所述离子注入层作为单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜并且从所述接合体上剥离所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片的剩余部分来减薄所述接合体的所述单晶硅晶片或所述氧化物单晶晶片。10.一种复合基板，其具有按列出顺序层叠的硅晶片、夹层以及单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜，其中所述硅晶片在其位于所述夹层一侧的部分内具有损伤层。11.如权利要求10所述的复合基板，其中所述夹层包含sio2、sion、sin、al2o3、tio2、ta2o5、nb2o5、y2o3或zro2。12.如权利要求10或11所述的复合基板，其中所述氧化物单晶薄膜包含钽酸锂lt或铌酸锂ln。

技术总结
本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板的待粘合的晶片具有足够小的表面粗糙度并且能够防止膜剥离的发生。本发明的复合基板(40)具有按列出顺序层叠的硅晶片(10)、夹层(11)和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜(20a)，并且在硅晶片(10)的位于夹层(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。


技术研发人员：秋山昌次
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2021.04.01
技术公布日：2022/11/8