一种抗工频磁场干扰的分流器的制作方法

1.本实用新型涉及智能电能表领域，具体涉及一种抗工频磁场干扰的分流器。


背景技术：

2.电子式电能表是一种电子仪表设备，它通过对用户供电电压和电流实时采样，采用专用的电能表集成电路，对采样电压和电流信号进行处理并转换成与电能成正比的脉冲输出，再通过计度器或数字显示器显示。
3.现有技术的电子式电能表中通常使用由锰铜等高稳定性材料制作的电流采样元件即锰铜分流片。但是，由于受到外部磁场的干扰，锰铜分流片上有自感电流流过，这样就会使电能表出现电流读数错误，造成无任何负载情况下电能表错误地计量出用电量。为了解决磁场的干扰，现有技术的一种方案是在锰铜分流片的中间设置通孔，将两根信号采样线分别焊接在锰铜分流片的上、下取样脚上，并且让其中的一根信号采样线穿过锰铜分流片的中间的通孔，然后与另一根信号采样线一起接至电子式电能表的电路板，从而能够实现较好的抗磁场干扰作用。
4.但是，这种能够抗干扰的电子式电能表，还存在着以下两个弊端：一是因为信号采样线结构特性，不能采用自动化装配；二是因信号采样线太软，信号采样线与锰铜分流片焊接后的位置和信号采样线焊接后成型的形状都有差异，产品到了客户端装表测试的时候都要再微调一遍确认达到国网满分要求才行。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种抗工频磁场干扰的分流器。
6.为实现上述目的，本申请提供以下技术方案：
7.一种抗工频磁场干扰的分流器，包括采样电阻片，所述采样电阻片上设置有第一采样片和第二采样片，所述第一采样片呈l形，l形第一采样片的一边通过铆接点铆接在采样电阻片的上部，l形第一采样片的另一边向采样电阻片的上部延伸；所述第二采样片的一端与采样电阻片的下部连接，第二采样片的另一端向采样电阻片的上部延伸且第二采样片上至少设置有穿过采样电阻片所在平面的第一折弯片。
8.作为本实用新型进一步的技术方案：所述第一折弯片的两端向外延伸的第二采样片部分与采样电阻片之间构成异面。
9.作为本实用新型进一步的技术方案：所述第一采样片和第二采样片固定端设置在采样电阻片的同一侧，或设置在采样电阻片的两侧。
10.作为本实用新型进一步的技术方案：所述采样电阻片下部设置有一向下延伸的第二采样端，所述第二采样端与所述第二采样片固定连接。
11.作为本实用新型进一步的技术方案：所述第二采样片包括依次折弯的固定片、第一延伸片、第一折弯片、第二折弯片和第三折弯片和第二延伸片，所述固定片与所述第二采
样端固定连接。
12.作为本实用新型进一步的技术方案：所述两铆接点设置在两第一采样端上，所述两第一采样端间隔设置且之间设置有凹槽，所述第一采样片在采样电阻片所在平面上的投影与所述凹槽的槽底之间设置有供所述第一折弯片穿过的间隙。
13.作为本实用新型进一步的技术方案：所述第一采样端相对于采样电阻片向上凸起。
14.作为本实用新型进一步的技术方案：所述凹槽内设置有绝缘垫。
15.本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：
16.本实用新型使用采样片采样，克服了以往使用采样线采样不易自动化装配的特性，装配一致性好，装配后装表时不需要微调。
17.本实用新型通过两个铆接点将第一采样片铆接固定，将第一采样片和第二采样片交错设置，使分流器的抗工频磁场干扰效果提升。
附图说明
18.图1是本实用新型实施例1的结构示意图；
19.图2是图1中采样电阻片的结构示意图；
20.图3是图1中第一采样片的结构示意图；
21.图4是图1中第二采样片的结构示意图；
22.图5是本实用新型实施例2的结构示意图；
23.图6是本实用新型实施例3的结构示意图；
24.图中：1-采样电阻片、2-第一采样片、3-第二采样片、4-绝缘垫、11-第一采样端、12-铆接点、13-凹槽、14-第二采样端、21-连接孔、31-固定片、32-第一延伸片、33-第一折弯片、34-第二折弯片、35-第三折弯片、36-第二延伸片。
具体实施方式
25.下面将结合本公开实施例中的附图对本公开实施例中技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部实施例。通常在此处幅图中描述和示出的本公开实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围，而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性的劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
26.实施例1
27.如图1-4，本实用新型提供了一种抗工频磁场干扰的分流器，包括采样电阻片1，采样电阻片1上设置有第一采样片2和第二采样片3，第一采样片2呈l形，第一采样片2的一边通过两个铆接点2铆接在采样电阻片1的上部，两个铆接点呈凸台状，采样电阻片1上设置有与铆接点相铆接的连接孔21，第一采样片2的另一边向采样电阻片1的上部延伸；所述第二采样片3的一端与采样电阻片1的下部连接，第二采样片3的另一端向采样电阻片1的上部延伸且设置有穿过采样电阻片1所在平面的第一折弯片33。
28.作为本实用新型进一步的实施方案：所述第一采样片2和第二采样片3设置在采样
电阻片1的同一侧。
29.作为本实用新型进一步的实施方案：采样电阻片1下部设置有一向下延伸的第二采样端14，第二采样端14与第二采样片3固定连接。
30.作为本实用新型进一步的实施方案：第二采样片3包括依次折弯的固定片31、第一延伸片32、第一折弯片33、第二折弯片34和第三折弯片35和第二延伸片36，固定片31与第二采样端14固定连接。第一折弯片33两端的第一延伸片32和第二折弯片34分别与采样电阻片1之间构成异面
31.作为本实用新型进一步的实施方案：两铆接点12设置在两第一采样端11上，两第一采样端11间隔设置且之间设置有凹槽13，所述第一采样片2在采样电阻片所在平面上的投影与所述凹槽13的槽底之间设置有供所述第一折弯片33穿过的间隙。
32.作为本实用新型进一步的实施方案：凹槽13内设置有绝缘垫4。
33.实施例2
34.如图5所示，本实施例与实施例1的不同之处在于，本实施例中第二采样片3的第一折弯片33设置在第一采样片2的上方，且不用设置凹槽。
35.实施例3
36.如图6所示，本实施例与实施例1的不同之处在于，本实施例中第一采样端11相对于采样电阻片1向上延伸。
37.以上所述，仅为本实用新型优选的实施方式，但本实用新型的保护范围并不限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型的公开的范围内，根据本实用新型的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种抗工频磁场干扰的分流器，包括采样电阻片，所述采样电阻片上设置有第一采样片和第二采样片，其特征在于，所述第一采样片呈l形，l形第一采样片的一边通过铆接点铆接在采样电阻片的上部，l形第一采样片的另一边向采样电阻片的上部延伸；所述第二采样片的一端与采样电阻片的下部连接，第二采样片的另一端向采样电阻片的上部延伸且第二采样片上至少设置有穿过采样电阻片所在平面的第一折弯片。2.根据权利要求1所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述第一折弯片的两端向外延伸的第二采样片部分与采样电阻片之间构成异面。3.根据权利要求1所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述第一采样片和第二采样片固定端设置在采样电阻片的同一侧，或设置在采样电阻片的两侧。4.根据权利要求1所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述采样电阻片下部设置有一向下延伸的第二采样端，所述第二采样端与所述第二采样片连接。5.根据权利要求4所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述第二采样片包括依次折弯的固定片、第一延伸片、第一折弯片、第二折弯片、第三折弯片和第二延伸片，所述固定片与所述第二采样端连接。6.根据权利要求1所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述铆接点间隔设置有两个。7.根据权利要求6所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述两铆接点设置在两第一采样端上，所述两第一采样端间隔设置且之间设置有凹槽，所述第一采样片在采样电阻片所在平面上的投影与所述凹槽的槽底之间设置有供所述第一折弯片穿过的间隙。8.根据权利要求7所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述第一采样端相对于采样电阻片向上凸起。9.根据权利要求7所述的抗工频磁场干扰的分流器，其特征在于，所述凹槽内设置有绝缘垫。

技术总结
本实用新型提供了一种抗工频磁场干扰的分流器，包括采样电阻片，所述采样电阻片上设置有第一采样片和第二采样片，所述第一采样片呈L形，L形第一采样片的一边通过铆接点铆接在采样电阻片的上部，L形第一采样片的另一边向采样电阻片的上部延伸；所述第二采样片的一端与采样电阻片的下部连接，第二采样片的另一端向采样电阻片的上部延伸且第二采样片上至少设置有穿过采样电阻片所在平面的第一折弯片。本实用新型使用采样片采样，克服了以往使用采样线采样不易自动化装配的问题，装配一致性好，装表时不需要微调。装表时不需要微调。装表时不需要微调。


技术研发人员：唐家耀 李二森 王亮 信永强 陈钱伟 邱文浩 李道
受保护的技术使用者：江阴力源电子有限公司
技术研发日：2022.04.11
技术公布日：2022/11/10