头戴设备的制作方法

1.本实用新型涉及电子产品技术领域，更为具体地，涉及一种头戴设备。


背景技术：

2.目前，vr(virtual reality，虚拟现实技术)、ar(augmented reality，增强现实)眼镜等头戴设备，在发声装置工作时，由于振动系统的振动方向与产品的方向垂直，导致整个头戴设备振感强烈，容易导致头戴设备容易产生识别错误，从而影响用户体验。


技术实现要素：

3.鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种头戴设备，以解决现有头戴设备由于发声装置在振动时振动方向与产品的方向垂直，导致头戴设备容易产生识别错误问题。
4.本实用新型提供的头戴设备，包括外壳、发声装置、以及与所述外壳相适配的外壳盖，其中，
5.所述发声装置设置在所述外壳与所述外壳盖围合形成的容纳空间内，并且，所述发声装置的振动方向与所述外壳盖的长度方向平行。
6.此外，优选的结构是，所述外壳包括顶壁、底壁以及用于连接所述顶壁与所述底壁的侧壁，其中，所述发声装置与所述顶壁与底壁相固定。
7.此外，优选的结构是，在所述底壁上设置有出声孔，所述发声装置的数量为一个或者两个；并且，
8.当所述发声装置的数量为两个时，两个发声装置位于所述出声孔的两侧或者同侧。
9.此外，优选的结构是，在所述出声孔上设置有防尘网。
10.此外，优选的结构是，所述发声装置包括前盖、壳体、振动系统以及磁路系统，其中，所述前盖与所述壳体形成用于收容所述振动系统和所述磁路系统的空腔，
11.所述振动系统包括振膜、固定在所述振膜的中心位置的球顶部、扁平音圈，其中，
12.所述扁平音圈与所述振膜、所述球顶部相固定，并且所述扁平音圈沿所述振膜的长度方向延伸，所述扁平音圈所在平面与所述球顶部所在平面相互垂直；
13.所述振膜包括与所述球顶部相固定的中心部、设置在所述中心部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。
14.此外，优选的结构是，所述磁路系统包括两组磁体组件以及与两组磁体组件相固定的导磁轭，其中，所述磁路系统与所述壳体相固定；
15.每组磁体组件包括两个磁铁以及位于两个磁铁之间的导磁板，在两组磁体组件之间设置有磁间隙，所述平面音圈插入在所述磁间隙中。
16.此外，优选的结构是，所述发声装置包括壳体、以及与所述壳体相固定的振动系统和磁路系统，其中，
17.所述振动系统包括振膜、固定在所述振膜的中心位置的球顶部、音圈，其中，
18.所述音圈为具有中空区域的环状结构，所述音圈的轴向平行于所述振膜的振动方向，并且与所述振膜相固定；
19.所述振膜包括与所述球顶部相固定的中心部、设置在所述中心部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。
20.此外，优选的结构是，所述磁路系统包括中心磁路、设置在所述中心磁路的周边的边磁路、以及与所述中心磁路、所述边磁路相固定的导磁轭，其中，所述导磁轭与所述壳体相固定；
21.在所述中心磁路与所述边磁路之间设置有磁间隙，所述音圈插入在所述磁间隙中，套设在所述中心磁路的外侧。
22.此外，优选的结构是，所述中心磁路包括中心磁铁和中心导磁板，所述边磁路包括边磁铁和边导磁板；其中，
23.所述中心磁铁、所述边磁铁的一端分别与所述导磁轭相固定，所述中心磁铁、所述边磁铁的另一端分别与所述中心导磁板、所述边导磁板相固定。
24.此外，优选的结构是，所述发声装置采用双面发声装置结构。
25.从上面的技术方案可知，本实用新型提供的头戴设备，发声装置设置在外壳提供的容纳空间内，并且发声装置的振动方向与外壳盖所在的平面平行，从而减少产品的整个振感；从而解决现有头戴设备由于发声装置在振动时振动方向与产品的方向垂直，导致头戴设备容易产生识别错误问题，提高用户体验。
26.为了实现上述以及相关目的，本实用新型的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本实用新型的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本实用新型的原理的各种方式中的一些方式。此外，本实用新型旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。
附图说明
27.通过参考以下结合附图的说明的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：
28.图1为根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的头戴设备分解图；
29.图2为根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置示意图；
30.图3为根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的磁体组件示意图；
31.图4为根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的头戴设备剖面图；
32.图5为图4的局部放大示意图；
33.图6为根据本实用新型实施例的头戴设备具有两个扁平音圈发声装置的示意图；
34.图7为根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置的头戴设备分解图；
35.图8为根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置示意图；
36.图9为根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置的头戴设备剖面图；
37.图10为图9的局部放大示意图；
38.图11为根据本实用新型实施例的头戴设备具有两个竖直音圈发声装置的示意图。
39.其中的附图标记包括：1、前盖，2、振膜，3、球顶部，4、壳体，5、音圈，6、磁体组件，61、第一磁铁，62、第一导磁板，63、第二磁铁，64、磁间隙，65、第三磁铁，66、第二导磁板，67、第四磁铁，7、导磁轭，81、中心导磁板，82、边导磁板，91、中心磁铁，92、边磁铁，10、外壳、11、顶壁，12、第一侧壁，13、底壁，14、第二侧壁，20、外壳盖、30、出声孔、 40、扁平音圈发声装置，50、竖直音圈发声装置。
40.在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。
具体实施方式
41.在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。
42.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
43.针对前述提出的现有头戴设备由于发声装置在振动时振动方向与产品的方向垂直，导致头戴设备容易产生识别错误问题，本实用新型提供了一种头戴设备。
44.以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。
45.本实用新型提供了一种头戴设备，包括外壳10、发声装置、以及与所述外壳10相适配的外壳盖20，其中，所述发声装置设置在所述外壳与外壳盖围合形成的容纳空间内，并且，所述发声装置的振动方向与所述外壳盖20的长度方向平行。本实用新型提供的头戴设备可以是但不限于vr(虚拟现实)、 ar(增强现实)、mr(混合现实)、xr(扩展现实)、智能眼镜等。
46.在本实用新型的实施例中，发声装置固定在外壳中，只要能满足发声装置的振动方向与外壳盖20的长度方向平行即可。发声装置的具体结构，可以根据具体情况选择合适的具体结构。其中，在佩戴头戴设备时，外壳的长度方向基本是水平的，因此发声装置的振动方向也是水平的，在安装发声装置时，将发声装置的振动方向与外壳盖20的长度方向所在的平面平行，这种设置方式有利于降低振感。
47.在图1至图11所示的实施例中，示出了两种发声装置的头戴设备，其中，在图1至图6所示的实施例中发声装置采用的为扁平音圈发声装置，在图7 至图11所示的实施例中发声装置采用的为竖直音圈发声装置。
48.在本实用新型的实施例中，外壳10包括顶壁11、底壁13以及侧壁(第一侧壁12和第二侧壁14)，其中，所述顶壁11、底壁13、第一侧壁12和第二侧壁14形成用于容纳所述发声装置的容纳空间，并且发声装置与顶壁11、底壁13相固定。
49.在本实用新型实施例中，在底壁13上设置有出声孔30，所述发声装置的数量为一个或者两个；当所述发声装置的数量为两个时，两个发声装置位于所述出声孔30的两侧或者同侧。在具体应用中，根据实际情况，可以在外壳 10内安装合适数量的发声装置，在此并
不做具体限定。此外，在具体应用中，可以根据实际情况将多个发声装置设置在出声孔30的同侧或者两侧，只要能满足头戴设备振感小即可。
50.在本实用新型实施例中，在所述出声孔30上设置有防尘网，所述防尘网用于防止异物进入所述容纳空腔内的发声装置中，从而保证发声装置的声学性能。
51.为了说明本实用新型提供的头戴设备的结构，图1-图6分别从不同角度对扁平音圈发声装置进行了示例性标示。具体地，图1示出了根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的头戴设备分解结构；图2示出了根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置；图3示出了根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的磁体组件结构；图4示出了根据本实用新型实施例的扁平音圈发声装置的头戴设备剖面结构；图5示出了图4的局部放大结构；图6示出了根据本实用新型实施例的头戴设备具有两个扁平音圈发声装置的结构。
52.如图1至图6共同所示，本实用新型提供的头戴设备，包括外壳10、扁平音圈发声装置40、以及与外壳10相适配的外壳盖20，其中，扁平音圈发声装置40设置在外壳10提供的容纳空间内，并且，扁平音圈发声装置40的振动方向与外壳盖20的长度方向平行。
53.如图1至图6所示，扁平音圈发声装置40包括前盖1、壳体4、振动系统以及磁路系统，其中，所述前盖1与所述壳体4形成的空腔用于收容所述振动系统和所述磁路系统，所述振动系统包括振膜2、固定在所述振膜2的中心位置的球顶部3、音圈5，此音圈为扁平音圈，其中，扁平音圈为扁平形状，与所述振膜2、所述球顶部3相固定，并且扁平音圈沿所述振膜的长度方向延伸，扁平音圈所在平面与所述球顶部所在平面相互垂直。
54.其中，所述振膜2包括与所述球顶部1相固定的中心部、设置在所述中心部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述固定部与所述壳体4相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。
55.其中，所述磁路系统包括两组磁体组件6以及与两组磁体组件6相固定的导磁轭7，其中，所述导磁轭7与所述壳体4相固定；每组磁体组件包括两个磁铁以及位于两个磁铁之间的导磁板，在两组磁体组件之间设置有磁间隙 64，所述扁平音圈插入在所述磁间隙64中。
56.在图3所示的实施例中，两组磁体组件包括第一磁体组件和第二磁体组件，第一磁体组件包括第一导磁板62、位于第一导磁板62两端的第一磁铁 61和第二磁铁63，第二磁体组件包括第二导磁板66、位于第二导磁板66两端的第三磁铁65和第四磁铁67，第一磁体组件与第二磁体组件之间设置有磁间隙64，平面音圈插入到磁间隙64之间。
57.在本实用新型实施例中，根据具有应用，可以在外壳中设置一个扁平音圈发声装置或者两个扁平音圈发声装置，其中图4所示了在外壳内设置有一个扁平音圈发声装置，图6示出了在外壳内设置有两个扁平音圈发声装置。其中，两个发声装置可以沿壳体长度方向排列设置，也可以沿壳体厚度方向排列，只要满足发声装置的振动方向与外壳盖的长度方向平行即可。
58.为了说明本实用新型提供的头戴设备的结构，图7-图11分别从不同角度对竖直音圈发声装置进行了示例性标示。具体地，图7示出了根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置的头戴设备分解结构；图8示出了根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置结构；图9示出了根据本实用新型实施例的竖直音圈发声装置的头戴设备剖面结构；图10为图9的局部放大结构；图11 示出了根据本实用新型实施例的头戴设备具有两个竖直音圈发声装置
的结构；图11示出了根据本实用新型实施例的发声装置呈一定角度设置的头戴设备结构。
59.如图7至图11共同所示，本实用新型提供的头戴设备，包括外壳10、竖直音圈发声装置50、以及与外壳10相适配的外壳盖20，其中，竖直音圈发声装置50设置在外壳10提供的容纳空间内，并且，竖直音圈发声装置50的振动方向与外壳盖20的长度方向平行。
60.如图7至图11所示，发声装置包括壳体4、以及与所述壳体4相固定振动系统和磁路系统，其中，振动系统包括振膜2、固定在所述振膜2的中心位置的球顶部3、音圈5(此音圈为竖直音圈)，其中，此音圈为具有中空区域的环状结构，音圈的轴向平行于振膜的振动方向，并且与振膜2相固定；振膜2包括与球顶部3相固定的中心部、设置在所述中心部的边缘的折环部、设置在所述折环部周边的固定部，其中，所述固定部与所述壳体相固定，所述折环部为凸起或者凹陷结构。
61.其中，所述磁路系统包括中心磁路、设置在所述中心磁路的周边的边磁路、以及与所述中心磁路、所述边磁路相固定的导磁轭7，其中，所述导磁轭 7与所述壳体4相固定；在所述中心磁路与所述边磁路之间设置有磁间隙，所述音圈5插入在所述磁间隙中，套设在所述中心磁路的外侧。
62.在图8所示的实施例中，所述中心磁路包括中心磁铁91和中心导磁板81，所述边磁路包括边磁铁92和边导磁板82；其中，所述中心磁铁91、所述边磁铁92的一端分别与所述导磁轭9相固定，所述中心磁铁91、所述边磁铁 81的另一端分别与所述中心导磁板81、所述边导磁板82相固定。
63.在本实用新型实施例中，根据具有应用，可以在外壳中设置一个竖直音圈发声装置或者两个竖直音圈发声装置，其中图9所示了在外壳内设置有一个竖直音圈发声装置，图11示出了在外壳内设置有两个竖直音圈发声装置。其中，两个发声装置可以沿壳体长度方向排列设置，也可以沿壳体厚度方向排列，只要满足发声装置的振动方向与外壳盖的长度方向平行即可。
64.此外，在本实用新型的实施例中，发声装置也可以采用双面发声装置，设置在外壳内的双面发声装置可以进一步减少振动，提高用户体验。在具有应用中，发声装置的具体结构并不局限于上述举例说明的结构，根据需要选择合适的发声装置。
65.通过上述实施方式可以看出，本实用新型提供的头戴设备，发声装置设置在外壳提供的容纳空间内，并且发声装置的振动方向与外壳盖所在的平面平行，从而减少产品的整个振感；从而解决现有头戴设备由于发声装置在振动时振动方向与产品的方向垂直，导致头戴设备容易产生识别错误问题，提高用户体验。
66.如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的头戴设备。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的头戴设备，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。