具有绝缘体的晶体管的制作方法

技术特征：
1.一种晶体管，包括：第一沟道，由第一金属包围；第二沟道，靠近所述第一沟道并且与第一沟道间隔开，所述第二沟道由第二金属包围；栅极电介质，在所述第一沟道和所述第一金属之间并且在所述第二沟道和所述第二金属之间；第一绝缘体，在所述第一金属和所述第二金属之间；衬底上的栅极，所述栅极包封所述第一金属、所述第二金属和所述第一绝缘体；源极，在所述衬底上靠近所述栅极；以及漏极，在所述衬底上靠近所述栅极。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管是栅极全环绕场效应晶体管。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一绝缘体是电介质。4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一绝缘体是气隙。5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一绝缘体是由电介质包围的气隙。6.根据权利要求1所述的晶体管，还包括与所述第一沟道相对的、靠近所述第二沟道并且与所述第二沟道间隔开的第三沟道，所述第三沟道由第三金属包围。7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一金属包括介电常数大于3.9的电介质材料。8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述衬底包括浅沟槽隔离区。9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管被并入到选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、手机、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。10.一种晶体管，包括：第一沟道，由第一金属包围；第二沟道，靠近所述第一沟道并且与所述第一沟道间隔开，所述第二沟道由第二金属包围；栅极电介质，在所述第一沟道和所述第一金属之间并且所述在所述第二沟道和所述第二金属之间；用于在所述第一金属和所述第二金属之间绝缘的部件；衬底上的栅极，所述栅极包封所述第一金属、所述第二金属和所述用于绝缘的部件；源极，在所述衬底上靠近所述栅极；以及漏极，在所述衬底上靠近所述栅极。11.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述晶体管是栅极全环绕场效应晶体管。12.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述用于绝缘的部件是电介质。13.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述用于绝缘的部件是气隙。14.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述用于绝缘的部件是由电介质包围的气隙。15.根据权利要求10所述的晶体管，还包括与所述第一沟道相对的、靠近所述第二沟道并且与第二沟道间隔开的第三沟道，所述第三沟道由第三金属包围。16.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述第一金属包括介电常数大于3.9的电介质
材料。17.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述衬底包括浅沟槽隔离区。18.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述晶体管被并入到选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。19.一种用于制造晶体管的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成源极；在所述衬底上靠近所述源极形成漏极；形成由靠近所述衬底的第一金属包围的第一沟道；形成靠近所述第一沟道并且与所述第一沟道间隔开的第二沟道，所述第二沟道由第二金属包围；在所述第一沟道和所述第一金属之间以及在所述第二沟道和所述第二金属之间形成栅极电介质；在所述第一金属和所述第二金属之间形成第一绝缘体；以及在衬底上形成栅极，所述栅极包封所述第一金属、所述第二金属和所述第一绝缘体。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述晶体管是栅极全环绕场效应晶体管。21.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一绝缘体是电介质。22.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一绝缘体是气隙。23.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一绝缘体是由电介质包围的气隙。24.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法还包括形成与第一沟道相对的、靠近所述第二沟道并且与所述第二沟道间隔开的第三沟道，所述第三沟道由第三金属包围。25.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一金属包括介电常数大于3.9的电介质材料。26.根据权利要求19所述的方法，其中所述衬底包括浅沟槽隔离区。27.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法还包括将所述晶体管并入到选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

技术总结
可以改进栅极全环绕晶体管以提供更好的晶体管电路性能。在一个示例中，晶体管电路可以包括电介质或气隙(245)作为电路中晶体管垂直堆叠的沟道(220、240、260)之间的绝缘体。在另一示例中，晶体管可以包括由第一金属(270)包围的第一沟道(260)、由靠近第一沟道的第二金属(250)包围的第二沟道(240)以及第一金属和第二金属之间的绝缘体(245)(诸如电介质或气隙)。沟道可以是纳米片。绝缘体有助于减少晶体管的源极/漏极区域和金属填充区域之间的寄生电容。生电容。生电容。


技术研发人员：陆叶 杨海宁 鲍军静
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2021.01.29
技术公布日：2022/10/25