一种输入可恢复欠压保护电路的制作方法

技术特征：
1.一种输入可恢复欠压保护电路，其特征在于包括：电阻r3、电阻r4、稳压管d1、电阻r1、电容c1、功率pmosfet管q1、电阻r2、电阻r5、电容c2和三极管q2；其中，所述电阻r3的一端接母线正端bus ，所述电阻r3的另一端接所述稳压管d1的阴极；所述电阻r4的一端接输入母线负，所述电阻r4的另一端接所述稳压管d1的阳极；所述功率pmosfet管q1的源极接母线正端bus ，所述功率pmosfet管q1的漏极接变换器输入正端；电阻r1和电容c1均并联接在所述pmosfet管q1的源极与所述pmosfet管q1的栅极之间；所述三极管q2的集电极c接所述电阻r2的一端，所述三极管q2的基极b接所述电阻r5的一端，所述三极管q2的发射极e接母线负端bus-；所述电容c2并联接在所述三极管q2的基极b与所述三极管q2的发射极e之间，所述电阻r5的另一端与所述稳压管d1的阳极相连接，所述电阻r2的另一端与所述pmosfet管q1的栅极g相连接。2.根据权利要求1所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：所述电阻r4的分压值为采样电压us。3.根据权利要求2所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：采样电压us为：其中，r3为电阻r3的电阻值，r4为电阻r4的电阻值，u
in
为母线电压，u
z
为稳压管d1的稳压值。4.根据权利要求1所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：pmosfet管q1的驱动电压u
sg
为：其中，r1为电阻r1的电阻值，r2为电阻r2的电阻值，u
in
为母线电压，u
ce
为三极管q2的集电极与发射极间的电压差。5.根据权利要求1所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：当采样电压u
s
大于三极管q2的导通门限电压u
th1
时，三极管q2饱和导通。6.根据权利要求1所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：三极管q2饱和导通时，则pmosfet管q1的驱动电压u
sg
大于pmosfet管q1的导通门限电压u
th2
，pmosfet管q1开通。7.根据权利要求1所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：当采样电压u
s
小于三极管q2的导通门限电压u
th1
时，三极管q2关断截止，三极管q2的集电极与发射极间的电压差u
ce
不断增大，当驱动电压u
sg
小于pmosfet管q1的导通门限电压u
th2
，pmosfet管q1关断。8.根据权利要求3所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：电阻r3的电阻值的阻值范围为一百千欧姆至九百千欧姆。9.根据权利要求3所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：电阻r4的电阻值的阻值范围为一百千欧姆至九百千欧姆。10.根据权利要求4所述的输入可恢复欠压保护电路，其特征在于：电阻r1的电阻值的阻值范围为一百千欧姆至九百千欧姆；电阻r2的电阻值的阻值范围为一百千欧姆至九百千欧姆。

技术总结
本发明公开了一种输入可恢复欠压保护电路，包括：电阻R3、电阻R4、稳压管D1、电阻R1、电容C1、功率PMOSFET管Q1、电阻R2、电阻R5、电容C2和三极管Q2；其中，电阻R3的一端接母线正端BUS ，另一端接稳压管D1的阴极；电阻R4的一端接输入母线负，另一端接稳压管D1的阳极；电阻R1和电容C1均并联接在PMOSFET管Q1的源极与栅极之间；三极管Q2的集电极C接电阻R2的一端，三极管Q2的基极B接电阻R5的一端，三极管Q2的发射极E接母线负端BUS-；电容C2并联接在三极管Q2的基极B与发射极E之间，电阻R5的另一端与稳压管D1的阳极相连接，电阻R2的另一端与PMOSFET管Q1的栅极G相连接。本发明解决了电力电子变换器输入欠压无法自恢复的难题。输入欠压无法自恢复的难题。输入欠压无法自恢复的难题。


技术研发人员：邹小雨 邹元威 沐杨 杨国文 吕峰
受保护的技术使用者：上海空间电源研究所
技术研发日：2022.07.20
技术公布日：2022/10/25