显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月11日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0173682号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
3.一个或多个实施例的各方面涉及显示装置。


背景技术：

4.近来，显示面板已经用于各种目的。而且，随着显示面板的厚度和重量已经减小，显示面板的应用范围已经增加。
5.随着显示面板中的由显示区域占用的面积增加，元件可能定位在相对窄的周边区域中。当根据元件的布置而出现裂纹时，显示装置的可靠性可能降低，或者可能由于裂纹而发生显示质量劣化。
6.本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

7.一个或多个实施例的各方面包括一种具有相对改善的可靠性和相对改善的显示质量的显示装置。
8.附加方面将在随后的描述中部分地阐述，并且根据所述描述，附加方面将部分地更明显，或者可以通过实践所提供的实施例来获知附加方面。
9.根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：显示区域，具有多个子像素；多个焊盘电极，位于所述显示区域外部的周边区域中；第一有机绝缘层，包括与所述多个焊盘电极重叠的开口；以及集成电路，与所述多个焊盘电极重叠并且电连接到所述多个焊盘电极，其中，所述第一有机绝缘层的限定所述开口的边缘与所述集成电路的边缘间隔开。
10.根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：第二有机绝缘层，位于所述第一有机绝缘层上，其中，所述第二有机绝缘层延伸越过所述第一有机绝缘层的所述边缘，以与所述集成电路的一部分重叠。
11.根据一些实施例，所述第二有机绝缘层可以包括：第一部分，与所述第一有机绝缘层重叠；和第二部分，延伸越过所述第一有机绝缘层的所述边缘，以与所述集成电路的所述部分重叠，其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
12.根据一些实施例，所述第二有机绝缘层可以包括位于所述第一部分和所述第二部分之间的连接部分，所述第二有机绝缘层的所述连接部分包括台阶部分，其中，所述台阶部分可以位于所述第一有机绝缘层的顶表面上。
13.根据一些实施例，所述距离可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。
14.根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：多条数据线，穿过所述显示区域；和
多条连接线，将所述多条数据线电连接到所述多个焊盘电极。
15.根据一些实施例，所述多条连接线中的一些连接线可以与所述第一有机绝缘层的所述开口重叠。
16.根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：触摸输入层，包括位于所述显示区域中的多个触摸电极和触摸绝缘层，其中，所述触摸绝缘层与所述第二有机绝缘层重叠。
17.根据一些实施例，所述触摸绝缘层可以与所述第二有机绝缘层的所述第二部分重叠。
18.根据一些实施例，所述触摸绝缘层可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。
19.根据一些实施例，所述多个子像素可以通过使用位于基底上的发光二极管发射光，其中，所述第一有机绝缘层的一部分位于所述基底与所述发光二极管之间。
20.根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：显示区域，具有多个子像素；多条信号线，位于所述显示区域中；多个焊盘电极，位于所述显示区域外部的周边区域中并且电连接到所述多条信号线；第一有机绝缘层，包括与所述多个焊盘电极重叠的开口；第二有机绝缘层，位于所述第一有机绝缘层上；以及集成电路，与所述多个焊盘电极重叠并且电连接到所述多个焊盘电极，其中，所述第一有机绝缘层的限定所述开口的边缘位于所述集成电路外部，以与所述集成电路的边缘间隔开。
21.根据一些实施例，所述第一有机绝缘层的所述边缘与所述集成电路的所述边缘之间的距离可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。
22.根据一些实施例，所述第二有机绝缘层可以延伸越过所述第一有机绝缘层的所述边缘，以与所述集成电路的一部分重叠。
23.根据一些实施例，所述第二有机绝缘层包括：第一部分，与所述第一有机绝缘层重叠；和第二部分，延伸越过所述第一有机绝缘层的所述边缘，以与所述集成电路的一部分重叠，其中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
24.根据一些实施例，所述第二有机绝缘层可以包括位于所述第一部分和所述第二部分之间的连接部分，所述第二有机绝缘层的所述连接部分包括台阶部分，其中，所述台阶部分与所述集成电路的所述边缘相对，所述第一有机绝缘层的所述边缘位于所述台阶部分与所述集成电路的所述边缘之间。
25.根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：多条连接线，将所述显示区域的数据线电连接到所述周边区域的所述多个焊盘电极，其中，所述多条连接线位于所述第一有机绝缘层下方。
26.根据一些实施例，所述多条连接线中的一些连接线可以与所述第一有机绝缘层的所述开口重叠。
27.根据一些实施例，所述多个子像素可以通过使用位于基底上的发光二极管发射光，其中，所述第一有机绝缘层的一部分与所述第二有机绝缘层的一部分中的每一者位于所述基底与所述发光二极管之间。
28.根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：触摸输入层，包括位于所述显示区域中的多个触摸电极和触摸绝缘层，其中，所述触摸绝缘层与所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层重叠。
29.根据附图、权利范围和详细描述，根据本公开的实施例的其他特征和特性将变得更明显。
附图说明
30.根据以下结合附图的描述，特定实施例的以上和其他方面、特征和特性将更明显，在附图中：
31.图1a和图1b是示出根据一些实施例的显示装置的透视图；
32.图2是示出根据一些实施例的显示面板的平面图；
33.图3是示出电连接到提供在根据一些实施例的显示装置中的发光二极管的子像素电路的等效电路图；
34.图4是示出根据一些实施例的显示装置的一部分的截面图；
35.图5a是示出定位在根据一些实施例的显示装置的周边区域中的焊盘电极和第一有机绝缘层的布置的平面图；
36.图5b是示出定位在根据一些实施例的图5a的焊盘电极上的集成电路的平面图；
37.图6是示出在根据一些实施例的集成电路的接合期间在显示装置中引起的应力的图像；
38.图7是示出根据一些实施例的图5b的部分vii的放大平面图；
39.图8是沿着根据一些实施例的图7的线a-a'和线b-b'截取的截面图；以及
40.图9是沿着根据一些实施例的图7的线c-c'截取的截面图。
具体实施方式
41.现在，将更详细地参照在附图中示出的一些实施例的各方面，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅仅通过参照附图描述实施例，以解释本说明书的各方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种)(者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部a、b和c或者它们的变型。
42.由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出特定实施例，并且将在详细的说明书中描述特定实施例。本公开的效果和特征以及用于实现本公开的效果和特征的方法将参照实施例来阐明，下文参照附图更详细地描述所述实施例。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实现本公开。
43.在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施例的各方面，其中，相同或相应的元件始终由相同的附图标记来表示，并且省略其重复描述。
44.尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
45.如在本文中所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
46.还将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在表明存在说明书中描述的特征或元件，并且不意图排除可能存在或可能添加一个或多个其它特征或元件的可能性。
47.还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、另一区域或另一组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接在所述另一层、另一区域或另一组件上，或者可以间接在所述另一层、另一区域或另一组件上，居间层、居间区域或居间组件介于所述层、区域或组件与所述另一层、另一区域或另一组件之间。
48.为了便于描述，可能夸大或缩小了附图中的元件的尺寸。例如，由于为了便于描述而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
49.当可以不同地实施特定实施例时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，可以基本上同时执行两个连续描述的工艺，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
50.将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接”时，所述层、区域或元件可以直接连接，或者可以间接连接，居间层、居间区域或居间元件介于所述层、区域或元件之间。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”时，所述层、区域或元件可以直接电连接，或者可以间接电连接，居间层、居间区域或居间元件介于所述层、区域或元件之间。
[0051]“a和/或b”在本文中用于选择仅a、选择仅b、或者选择a和b两者。
[0052]
图1a和图1b是示出根据一些实施例的显示装置的透视图。
[0053]
参照图1a和图1b，作为用于显示运动图像(例如，视频图像)或静止图像(例如，静态图像)的装置的显示装置1可以是便携式电子装置，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置或超移动pc(umpc)。可替代地，显示装置1可以用作诸如电视机、笔记本式计算机、监视器、广告板或物联网(iot)装置的各种产品中的任意一种的显示屏幕。而且，根据一些实施例的显示装置1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器或头戴显示器(hmd)的可穿戴装置中。而且，根据一些实施例的显示装置1可以用作定位在车辆的仪表板、中央仪表板或仪表盘上的中央信息显示器(cid)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器、或定位在前座的后部以用于车辆的后座的娱乐的显示器。为了便于描述，根据一些实施例的显示装置1是图1a和图1b中的智能电话。
[0054]
在平面图中，显示装置1可以具有矩形形状。例如，显示装置1可以具有矩形平面形状，所述矩形平面形状具有在x方向上的短边和在y方向上的长边。在x方向上的短边和在y方向上的长边彼此相交所在的边缘可以被倒圆或者被弯曲，以具有特定曲率或形成为具有直角。显示装置1的平面形状不限于矩形形状，并且可以是诸如多边形形状、椭圆形形状或不规则形状的其他形状中的任意形状。
[0055]
显示装置1可以包括通过使用由子像素发射的光来显示图像的显示区域da以及在显示区域da外部的周边区域pa。显示装置1可以是如图1a中所示的便携式直板式(bar type)，或者可以是如图1b中所示的便携式折叠式。例如，如图1b中所示，显示装置1可以关于与显示区域da相交的轴ax可折叠。
[0056]
图2是示出根据一些实施例的显示面板的平面图。
[0057]
参照图2，在显示装置1中，定位在显示区域da中的子像素px可以通过使用定位在与子像素px相对应的位置处的发光二极管来发射红光、绿光和/或蓝光。与电连接到发光二极管和存储电容器的晶体管电连接的信号线(诸如数据线dl和扫描线sl)可以定位在显示区域da中。数据线dl可以在显示区域da中在y方向上延伸，例如，多条数据线dl可以穿过显
示区域da，并且扫描线sl可以在显示区域da中在x方向上延伸。
[0058]
周边区域pa可以定位在显示区域da外部，并且可以完全围绕显示区域da。
[0059]
第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以定位在周边区域pa中，并且可以电连接到扫描线sl。根据一些实施例，扫描线sl中的一些扫描线sl可以电连接到第一扫描驱动器20，并且其余扫描线sl可以连接到第二扫描驱动器30。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30中的每一者可以产生扫描信号，并且所产生的扫描信号可以通过扫描线sl传输到电连接到发光二极管的晶体管。
[0060]
第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以定位在显示区域da的两侧。例如，如图2中所示，第一扫描驱动器20可以定位在显示区域da的左侧，并且第二扫描驱动器30可以定位在显示区域da的右侧。根据一些实施例，可以省略第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30中的一者。
[0061]
驱动电压供应线60定位在周边区域pa中。驱动电压供应线60可以定位在显示区域da和基底100的其上定位有端子单元50的一侧之间。
[0062]
公共电压供应线70可以定位在周边区域pa中，并且可以具有环形形状，所述环形形状的沿着显示区域da延伸的一侧是开口的。公共电压供应线70可以具有如图2中所示的大致u形形状。公共电压供应线70可以沿着除了基底100的其上定位有端子单元50的一侧之外的各侧延伸，并且因此，第一扫描驱动器20可以定位在公共电压供应线70的一部分(例如，图2中的左侧部分)和显示区域da之间，并且第二扫描驱动器30可以定位在公共电压供应线70的另一部分(例如，图2中的右侧部分)和显示区域da之间。
[0063]
集成电路40可以定位在周边区域pa中。集成电路40可以定位在显示区域da和基底100的其上定位有端子单元50的一侧之间。集成电路40可以包括数据驱动器。本文使用的集成电路40可以代表数据驱动器。集成电路40可以电连接到定位在集成电路40下方的焊盘电极。由集成电路40(例如，数据驱动器)产生的数据信号可以通过定位在扇出区域poa中的连接线1100传输到定位在显示区域da中的信号线(例如，数据线dl)。作为周边区域pa的一部分的扇出区域poa位于集成电路40和显示区域da之间。
[0064]
端子单元50可以包括端子51、52、53和54。端子51、52、53和54可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到定位在柔性印刷电路板80上的控制器sc。柔性印刷电路板80可以包括与端子单元50相对应的相对端子80t。柔性印刷电路板80的相对端子80t可以电连接到端子51、52、53和54。控制器sc可以产生用于控制第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30以及集成电路40的控制信号，并且所产生的控制信号可以通过端子51和53传输到第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30以及集成电路40(例如，如图2中所示，所产生的控制信号可以通过端子51传输到集成电路40并且通过端子53传输到第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30)。控制器sc可以分别将驱动电压和公共电压通过端子52和54传输到驱动电压供应线60和公共电压供应线70。
[0065]
图3是示出电连接到提供在根据一些实施例的显示装置中的发光二极管的子像素电路的等效电路图。
[0066]
如参照图2所描述的，每个子像素px(参见图2)可以通过使用发光二极管led发射光。发光二极管led可以电连接到子像素电路pc。
[0067]
子像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管
t3、第四薄膜晶体管t4、第五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6、第七薄膜晶体管t7和存储电容器cst。
[0068]
作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以基于从扫描线sl输入的开关电压(或开关信号sn)将从数据线dl输入的数据电压(或数据信号dm)传输到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst可以连接到第一薄膜晶体管t1和驱动电压线pl，并且可以存储与从第一薄膜晶体管t1接收的电压和供应给驱动电压线pl的驱动电压elvdd之间的差相对应的电压。
[0069]
作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压的值控制从驱动电压线pl流向发光二极管led的驱动电流。由于驱动电流，发光二极管led可以发射具有特定亮度的光。发光二极管led的第二电极(例如，阴极)可以接收公共电压elvss。
[0070]
作为补偿薄膜晶体管的第三薄膜晶体管t3的栅极电极可以连接到扫描线sl。第三薄膜晶体管t3的源极电极(或漏极电极)可以连接到第一薄膜晶体管t1的漏极电极(或源极电极)，并且可以经由第六薄膜晶体管t6连接到发光二极管led的第一电极(例如，阳极)。第三薄膜晶体管t3的漏极电极(或源极电极)可以连接到存储电容器cst的一个电极、第四薄膜晶体管t4的源极电极(或漏极电极)和第一薄膜晶体管t1的栅极电极。第三薄膜晶体管t3可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且可以通过将第一薄膜晶体管t1的栅极电极连接到第一薄膜晶体管t1的漏极电极以二极管方式连接第一薄膜晶体管t1。
[0071]
作为初始化薄膜晶体管的第四薄膜晶体管t4的栅极电极可以连接到前一扫描线sl-1。第四薄膜晶体管t4的漏极电极(或源极电极)可以连接到初始化电压线vl。第四薄膜晶体管t4的源极电极(或漏极电极)可以连接到存储电容器cst的一个电极、第三薄膜晶体管t3的漏极电极(或源极电极)和第一薄膜晶体管t1的栅极电极。第四薄膜晶体管t4可以根据通过前一扫描线sl-1接收的前一扫描信号sn-1而导通，并且可以通过将初始化电压vint供应给第一薄膜晶体管t1的栅极电极来执行将第一薄膜晶体管t1的栅极电极的电压初始化的初始化操作。
[0072]
作为操作控制薄膜晶体管的第五薄膜晶体管t5的栅极电极可以连接到发射控制线el。第五薄膜晶体管t5的源极电极(或漏极电极)可以连接到驱动电压线pl。第五薄膜晶体管t5的漏极电极(或源极电极)连接到第一薄膜晶体管t1的源极电极(或漏极电极)和第二薄膜晶体管t2的漏极电极(或源极电极)。
[0073]
作为发射控制薄膜晶体管的第六薄膜晶体管t6的栅极电极可以连接到发射控制线el。第六薄膜晶体管t6的源极电极(或漏极电极)可以连接到第一薄膜晶体管t1的漏极电极(或源极电极)和第三薄膜晶体管t3的源极电极(或漏极电极)。第六薄膜晶体管t6的漏极电极(或源极电极)可以电连接到发光二极管led的第一电极。第五薄膜晶体管t5和第六薄膜晶体管t6可以根据通过发射控制线el接收的发射控制信号en而同时导通，并且因此，将驱动电压elvdd供应给发光二极管led，并且驱动电流流过发光二极管led。
[0074]
第七薄膜晶体管t7可以是用于将发光二极管led的第一电极初始化的初始化薄膜晶体管。第七薄膜晶体管t7的栅极电极可以连接到下一扫描线sl 1。第七薄膜晶体管t7的源极电极(或漏极电极)可以连接到发光二极管led的第一电极。第七薄膜晶体管t7的漏极电极(或源极电极)可以连接到初始化电压线vl。第七薄膜晶体管t7可以根据通过下一扫描
线sl 1接收的下一扫描信号sn 1而导通，并可以将发光二极管led的第一电极初始化。
[0075]
尽管在图3中，第四薄膜晶体管t4和第七薄膜晶体管t7分别连接到前一扫描线sl-1和下一扫描线sl 1，但是根据一些实施例，第四薄膜晶体管t4和第七薄膜晶体管t7两者可以连接到前一扫描线sl-1，并且可以根据前一扫描信号sn-1被驱动。
[0076]
存储电容器cst的另一电极可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst的一个电极可以连接到第一薄膜晶体管t1的栅极电极、第三薄膜晶体管t3的漏极电极(或源极电极)和第四薄膜晶体管t4的源极电极(或漏极电极)。
[0077]
发光二极管led的第二电极(例如，阴极)接收公共电压elvss。发光二极管led接收来自第一薄膜晶体管t1的驱动电流并发射光。
[0078]
发光二极管led可以是包括有机材料作为发光材料的有机发光二极管。根据一些实施例，发光二极管可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括pn结二极管，pn结二极管包括基于无机半导体的材料。当在正向方向上将电压施加到pn结二极管时，可以注入空穴和电子，并且通过空穴和电子的复合所产生的能量可以转化为光能，以发射特定颜色的光。无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米的宽度。在一些实施例中，发光二极管led可以包括量子点发光二极管。如上所述，发光二极管led的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。为了便于描述，下面将假设发光二极管led包括有机发光二极管来描述。
[0079]
图4是示出根据一些实施例的显示装置的一部分的截面图。
[0080]
图4示出了定位在显示装置1的显示区域da中的子像素电路pc和发光二极管(例如，有机发光二极管oled)。
[0081]
基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。根据一些实施例，基底100可以具有其中交替地堆叠有包括聚合物树脂的基体层和包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料的阻挡层的结构。当基底100具有如上所述的其中堆叠有包括聚合物树脂的基体层和包括无机绝缘材料的阻挡层的结构时，如参照图1b所描述的，可以改善显示装置1的柔性，并且因此显示装置1可以是可折叠的。
[0082]
聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。
[0083]
子像素电路pc可以形成在基底100上，并且发光二极管(例如，有机发光二极管oled)可以形成在子像素电路pc上。
[0084]
在基底100上形成子像素电路pc之前，可以在基底100上形成缓冲层201，以防止或减少杂质渗入到子像素电路pc中的情况。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0085]
如参照图3所描述的，子像素电路pc可以包括多个晶体管以及存储电容器。在这方面，图4示出了第一薄膜晶体管t1、第三薄膜晶体管t3和存储电容器cst。
[0086]
第一薄膜晶体管t1可以包括位于缓冲层201上的半导体层(在下文中，称为第一半导体层a1)以及与第一半导体层a1的沟道区域c1重叠的栅极电极(在下文中，称为第一栅极电极ge1)。第一半导体层a1可以包括基于硅的半导体材料，例如，多晶硅。第一半导体层a1可以包括沟道区域c1以及定位在沟道区域c1的两侧的第一区域b1和第二区域d1。第一区域
b1和第二区域d1是具有高于沟道区域c1的杂质浓度的区域，并且第一区域b1和第二区域d1中的一者可以与源极区域相对应，并且另一者可以与漏极区域相对应。
[0087]
第一栅极绝缘层203可以定位在第一半导体层a1和第一栅极电极ge1之间。第一栅极绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0088]
第一栅极电极ge1可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
[0089]
存储电容器cst可以包括彼此重叠的下部电极ce1和上部电极ce2。根据一些实施例，存储电容器cst的下部电极ce1可以包括第一栅极电极ge1。换言之，第一栅极电极ge1可以包括存储电容器cst的下部电极ce1。例如，第一栅极电极ge1和存储电容器cst的下部电极ce1可以彼此一体地形成。
[0090]
第一层间绝缘层205可以定位在存储电容器cst的下部电极ce1和上部电极ce2之间。第一层间绝缘层205可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0091]
存储电容器cst的上部电极ce2可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
[0092]
第二层间绝缘层207可以定位在存储电容器cst(例如，存储电容器cst的上部电极ce2)上。第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0093]
第三薄膜晶体管t3的半导体层(在下文中，称为第三半导体层a3)可以定位在第二层间绝缘层207上。第三半导体层a3可以包括基于氧化物的半导体材料。例如，第三半导体层a3可以由基于氧化锌的材料形成，所述基于氧化锌的材料例如氧化锌、氧化铟锌或氧化铟镓锌。在一些实施例中，第三半导体层a3可以由在zno中包含诸如铟(in)、镓(ga)或锡(sn)的金属的氧化铟镓锌(igzo)半导体、氧化铟锡锌(itzo)半导体或氧化铟镓锡锌(igtzo)半导体形成。
[0094]
第三半导体层a3可以包括沟道区域c3以及定位在沟道区域c3的两侧的第一区域b3和第二区域d3。第一区域b3和第二区域d3中的一者可以与源极区域相对应，并且另一者可以与漏极区域相对应。
[0095]
第三薄膜晶体管t3可以包括与第三半导体层a3的沟道区域c3重叠的栅极电极(在下文中，称为第三栅极电极ge3)。第三栅极电极ge3可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括定位在第三半导体层a3下方的下部栅极电极g3a和定位在沟道区域c3上方的上部栅极电极g3b。
[0096]
下部栅极电极g3a可以与存储电容器cst的上部电极ce2定位在同一层(例如，第一层间绝缘层205)上。下部栅极电极g3a可以包括与存储电容器cst的上部电极ce2的材料相同的材料。
[0097]
上部栅极电极g3b可以定位在第三半导体层a3上方，第二栅极绝缘层209介于上部栅极电极g3b和第三半导体层a3之间。第二栅极绝缘层209可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0098]
第三层间绝缘层210可以定位在上部栅极电极g3b上。第三层间绝缘层210可以包
括诸如氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0099]
尽管示出了参照图3描述的多个薄膜晶体管之中的第一薄膜晶体管t1和第三薄膜晶体管t3，并且第一半导体层a1和第三半导体层a3定位在图4中的不同的层上，但是本公开不限于此。
[0100]
参照图3描述的第二薄膜晶体管t2、第五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6和第七薄膜晶体管t7(参见图3)可以各自具有与参照图4描述的第一薄膜晶体管t1的结构相同的结构。例如，第二薄膜晶体管t2、第五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6和第七薄膜晶体管t7(参见图3)中的每一者可以包括与第一薄膜晶体管t1的第一半导体层a1定位在同一层上的半导体层以及与第一薄膜晶体管t1的第一栅极电极ge1定位在同一层上的栅极电极。第二薄膜晶体管t2、第五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6和第七薄膜晶体管t7(参见图3)的半导体层可以一体地连接到第一半导体层a1。
[0101]
参照图3描述的第四薄膜晶体管t4(参见图3)可以具有与参照图4描述的第三薄膜晶体管t3的结构相同的结构。例如，第四薄膜晶体管t4可以包括与第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3定位在同一层上的半导体层以及与第三薄膜晶体管t3的第三栅极电极ge3形成在同一层上的栅极电极。第四薄膜晶体管t4的半导体层与第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3可以彼此一体地连接。
[0102]
第一薄膜晶体管t1和第三薄膜晶体管t3可以通过节点连接线166彼此电连接。节点连接线166可以定位在第三层间绝缘层210上。节点连接线166的一侧可以(例如，经由通孔)连接到第一薄膜晶体管t1的第一栅极电极ge1，并且节点连接线166的另一侧可以(例如，经由通孔)连接到第三薄膜晶体管t3的第三半导体层a3。
[0103]
节点连接线166可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，节点连接线166可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
[0104]
第一有机绝缘层211可以定位在节点连接线166上。第一有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括亚克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)。
[0105]
数据线dl和驱动电压线pl可以定位在第一有机绝缘层211上，并且可以被第二有机绝缘层213覆盖。数据线dl和驱动电压线pl中的每一者可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，数据线dl和驱动电压线pl中的每一者可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
[0106]
第二有机绝缘层213可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、bcb、聚酰亚胺和/或hmdso。尽管在图4中，数据线dl和驱动电压线pl形成在第一有机绝缘层211上，但是本公开不限于此。根据一些实施例，数据线dl和驱动电压线pl中的一者可以与节点连接线166定位在同一层(例如，第三层间绝缘层210)上。
[0107]
发光二极管(例如，有机发光二极管oled)可以定位在第二有机绝缘层213上。
[0108]
有机发光二极管oled的第一电极221可以包括反射膜，所述反射膜包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物。根据一些实施例，第一电极221还可以包括位于反射膜上方和/或下方的导电氧化物层。导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓
(igo)和/或氧化铝锌(azo)。根据一些实施例，第一电极221可以具有包括ito层、ag层和ito层的三层结构。
[0109]
堤层215可以定位在第一电极221上。堤层215可以具有与第一电极221重叠的开口，并且可以覆盖第一电极221的边缘。堤层215可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
[0110]
中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括定位在发射层222b下方的第一功能层222a和/或定位在发射层222b上方的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。第二功能层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第一功能层222a和第二功能层222c中的每一者可以包括有机材料。
[0111]
第二电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，第二电极223可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金。可替代地，第二电极223还可以包括位于包括以上材料的(半)透明层上的由ito、izo、zno或in2o3形成的层。
[0112]
发射层222b可以形成在显示区域da中以通过堤层215的开口与第一电极221重叠。相比之下，第一功能层222a、第二功能层222c和第二电极223可以完全覆盖显示区域da。
[0113]
间隔件217可以形成在堤层215上。间隔件217和堤层215可以在相同的工艺中一起形成，或者可以在单独的工艺中单独地形成。根据一些实施例，间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，堤层215可以包括包含遮光染料的有机绝缘材料，并且间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
[0114]
有机发光二极管oled可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一些实施例，在图图4中，封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及定位在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
[0115]
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一者可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一者可以具有包括以上材料的单层或多层结构。有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸酯聚合物、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据一些实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂。
[0116]
第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度可以彼此不同。第一无机封装层310的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。可替代地，第二无机封装层330的厚度可以大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度可以相同。
[0117]
输入感测层400可以定位在封装层300上。输入感测层(还可以称为“触摸输入层”)400可以包括定位在显示区域da中的多个触摸电极te以及至少一个触摸绝缘层。在这方面，在图4中，输入感测层400包括位于第二无机封装层330上的第一触摸绝缘层410、位于第一触摸绝缘层410上的第一导线420、位于第一导线420上的第二触摸绝缘层430、位于第二触摸绝缘层430上的第二导线440、以及位于第二导线440上的第三触摸绝缘层450。如图4中所示，至少一个触摸绝缘层(例如，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450)可以与第二有机绝缘层213重叠。
[0118]
第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450中的每一者可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，至少一个触摸绝缘层(例如，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450)可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。根据一些实施例，第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430中的每一者可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且第三触摸绝缘层450可以包括有机绝缘材料。
[0119]
输入感测层400的触摸电极te中的每一者可以具有其中第一导线420和第二导线440彼此连接的结构。可替代地，触摸电极te可以包括第一导线420和第二导线440中的一者，并且在这种情况下，可以省略第二触摸绝缘层430。
[0120]
第一导线420和第二导线440中的每一者可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，第一导线420和第二导线440中的每一者可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
[0121]
图5a是示出定位在根据一些实施例的显示装置的周边区域中的焊盘电极和第一有机绝缘层的布置的平面图。图5b是示出定位在图5a的焊盘电极上的集成电路的平面图。图6是示出在集成电路的接合期间在显示装置中引起的应力的图像。
[0122]
参照图5a，焊盘电极1200定位在基底100的其上定位有端子单元50的一侧与显示区域da之间。焊盘电极1200可以在x方向上布置成行。根据一些实施例，尽管焊盘电极1200在图5a中布置成两行，但是本公开不限于此。根据一些实施例，焊盘电极1200可以布置成三行或更多行。
[0123]
焊盘电极1200中的每一者可以在倾斜方向ob上延伸，以相对于x方向和y方向具有锐角。在一些实施例中，焊盘电极1200可以具有大致平行四边形的平面形状。焊盘电极1200中的一些焊盘电极1200可以通过连接线1100电连接到定位在显示区域da中的信号线(例如，数据线dl)。连接线1100和数据线dl可以通过形成在至少一个绝缘层中的接触孔cnt彼此连接，所述至少一个绝缘层定位在连接线1100和数据线dl之间。焊盘电极1200中的其他焊盘电极1200可以通过外部连接线1300电连接到端子单元50的端子。
[0124]
参照图4描述的第一有机绝缘层211不仅可以定位在显示区域da中，而且可以定位在周边区域pa中。第一有机绝缘层211可以具有开口211op以将焊盘电极1200电连接到集成电路40(参见图5b)，焊盘电极1200通过开口211op被暴露。开口211op与焊盘电极1200重叠。
[0125]
开口211op可以具有与下面参照图5b描述的集成电路40的形状相对应的形状。参照图5a和图5b，例如，集成电路40可以具有大致四边形的平面形状，并且开口211op也可以具有大致四边形的平面形状。第一有机绝缘层211的限定开口211op的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4可以分别定位为与集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4相邻。
[0126]
参照图5b，集成电路40可以与焊盘电极1200重叠。集成电路40可以通过诸如各向异性导电膜的导电粘合剂层电连接到焊盘电极1200。
[0127]
在平面图中，集成电路40可以定位在第一有机绝缘层211的开口211op内。在平面图中，第一有机绝缘层211的限定开口211op的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4可以分别定位在集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4的外部。
[0128]
第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4分别与集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4间隔开。简言之，第一有机绝缘层211的限定开口211op的边缘与集成电路40的边缘间隔开。集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4与第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4之间的第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中的每一者可以为大约40μm或更大。
[0129]
在集成电路40的接合期间，应力会集中在第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4上和周围。图6示出了远离集成电路40的第一边缘40e1产生的应力，表明颜色越深，应力越大。在图6中，应力集中在“sa”区域上，并且“sa”区域与定位在集成电路40下方的结构lsr的一部分相对应。位于集成电路40下方的结构lsr可以包括基底100(参见图5a)以及位于基底100和集成电路40之间的各元件和各层。如图5a和图5b中所描述的，绝缘层、连接线1100和焊盘电极1200可以提供在基底100和集成电路40之间。
[0130]
因为第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4与集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4之间的距离d1、d2、d3和d4为大约40μm或更大，所以第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4可以不定位在“sa”区域中，并且因此，在第一有机绝缘层211的边缘上和周围引起的应力会有效地分布。当第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中的每一者小于40μm时，换言之，当第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4和集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4彼此间隔开以具有小于40μm的距离时，应力会集中在第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘211e3和第四边缘211e4上。在这种情况下，在集成电路40周围可能出现裂纹，并且当裂纹可能传播到集成电路40的接合部分时，集成电路40的接合质量可能劣化，或者可能引起集成电路40(例如，数据驱动器)的驱动故障。
[0131]
在一些实施例中，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中的每一者可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。例如，第二距离d2和第四距离d4中的每一者在从大约40μm至大约80μm的范围内可能是合适的。考虑到应力，第二距离d2和第四距离d4中的每一者为大约40μm或更大，并且考虑到第一有机绝缘层211与定位在扇出区域poa中的连接线1100或外部连接线1300之间的重叠结构，第二距离d2和第四距离d4中的每一者不超过大约80μm，这可能是合适的。
[0132]
当第二距离d2和第四距离d4中的每一者大于大约80μm时，换言之，当第一有机绝缘层211的第二边缘211e2和第四边缘211e4与集成电路40的第二边缘40e2和第四边缘40e4间隔开以具有大于80μm的距离时，连接线1100和外部连接线1300中的每一者的不与第一有机绝缘层211重叠的部分的面积可能增加，并且在这种情况下，连接线1100和外部连接线1300及其周围的质量可能劣化。如同第二距离d2和第四距离d4那样，第一距离d1和第三距离d3中的每一者可以为大约80μm或更小。
[0133]
第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4可以在以上范围内选择，并且可以具有相同的值。例如，第一有机绝缘层211的第一边缘211e1、第二边缘211e2、第三边缘
211e3和第四边缘211e4与集成电路40的第一边缘40e1、第二边缘40e2、第三边缘40e3和第四边缘40e4可以间隔开以具有相同的距离(例如，d1＝d2＝d3＝d4)。根据一些实施例，从第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中选择的两个或更多个可以不同。例如，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中的至少一个距离可以与第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4中的其他距离不同。
[0134]
图7是示出图5b的部分vii的放大平面图。图8是沿着图7的线a-a'和线b-b'截取的截面图。图9是沿着图7的线c-c'截取的截面图。
[0135]
参照图7，集成电路40与定位在第一有机绝缘层211的开口211op中的焊盘电极1200重叠。第一有机绝缘层211的开口211op由参照图5a描述的第一有机绝缘层211的边缘限定，并且图7示出了第一有机绝缘层211的第一边缘211e1和第二边缘211e2。
[0136]
如上所述，焊盘电极1200中的一些焊盘电极1200可以连接到连接线1100，并且连接线1100可以远离集成电路40朝向显示区域延伸。
[0137]
参照沿着图7的线a-a'截取的截面图(即图8)，第一有机绝缘层211的第一边缘211e1与集成电路40的第一边缘40e1之间的第一距离d1可以为如上所述的大约40μm或更大，并且根据一些实施例，第一距离d1可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。
[0138]
位于基底100上的无机绝缘层可以定位在第一有机绝缘层211下方。根据一些实施例，在图8中，缓冲层201、第一栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209和第三层间绝缘层210可以定位在基底100和第一有机绝缘层211之间。
[0139]
第二有机绝缘层213可以定位在第一有机绝缘层211上，并且可以延伸越过第一有机绝缘层211的边缘到达集成电路40。在这方面，在图8中，第二有机绝缘层213延伸越过第一有机绝缘层211的第一边缘211e1以到达集成电路40，并且因此，第二有机绝缘层213的第一边缘213e1比第一有机绝缘层211的第一边缘211e1更靠近集成电路40。
[0140]
第二有机绝缘层213可以包括具有不同厚度的部分。例如，第二有机绝缘层213可以包括与第一有机绝缘层211重叠的第一部分213a和延伸越过第一有机绝缘层211的边缘(例如，图8中的第一边缘211e1)到达集成电路40的第二部分213b。第二部分213b与第一部分213a一体地形成。
[0141]
第二部分213b的第二厚度t2可以小于第一部分213a的第一厚度t1，并且台阶部分st可以形成在第一部分213a和第二部分213b之间的连接部分上。可以通过使用半色调掩模形成第二有机绝缘层213。台阶部分st可以定位在第一有机绝缘层211的顶表面上。
[0142]
第二有机绝缘层213的第一部分213a的第一厚度t1可以在从大约10,000埃至大约20,000埃的范围内选择。当第二部分213b具有与第一部分213a的第一厚度t1相同的厚度时，如沿着图7的线b-b'截取的截面图(即图8)中所示，焊盘电极1200和集成电路40之间的垂直间隙可能增加，并且在这种情况下，焊盘电极1200和集成电路40之间使用导电球810的电连接可能发生故障。然而，根据一些实施例，因为第二部分213b的第二厚度t2小于第一部分213a的第一厚度t1，所以可以防止或减少以上问题。
[0143]
第一部分213a和第二部分213b之间的台阶部分st定位为与集成电路40的边缘相对(例如，如图8中所示，与集成电路40的第一边缘40e1相对或者与集成电路40的侧面40is相对)，第一有机绝缘层211的边缘介于该台阶部分st和集成电路40的边缘之间。例如，如图8中所示，第一有机绝缘层211的第一边缘211e1可以定位在台阶部分st和集成电路40之间。
台阶部分st和第一有机绝缘层211的第一边缘211e1之间的距离d5可以等于或类似于第一距离d1。当台阶部分st与第一有机绝缘层211的第一边缘211e1之间的距离d5类似于第一距离d1时，这可以是指该距离d5在第一距离d1的大约50％至大约150％的范围内。台阶部分st与第一有机绝缘层211的第一边缘211e1之间的距离d5可以与第二有机绝缘层213的第一部分213a与第一有机绝缘层211的第一边缘211e1之间的距离相对应。因为第一部分213a和第二部分213b之间的台阶部分st也可以是其上可能集中应力的部分，所以台阶部分st与集成电路40间隔开可能是合适的。在这方面，在图8中，台阶部分st定位为比第一有机绝缘层211的第一边缘211e1更远离集成电路40。
[0144]
第二有机绝缘层213可以与集成电路40部分地重叠。例如，第二有机绝缘层213的第二部分213b可以与集成电路40重叠，以形成第一重叠区域ol1。第一重叠区域ol1的宽度可以小于第一距离d1。例如，第一重叠区域ol1的宽度可以为大约10μm。
[0145]
参照图4描述的输入感测层400(参见图4)的触摸绝缘层中的至少一者可以与第一有机绝缘层211重叠。根据一些实施例，在图8中，输入感测层400(参见图4)的第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450与第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213重叠。
[0146]
第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450可以定位在第二有机绝缘层213上。如同第二有机绝缘层213那样，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450中的每一者可以延伸越过第一有机绝缘层211的边缘到达集成电路40。例如，如图8中所示，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450的边缘可以定位在第二有机绝缘层213的第二部分213b上，并且可以与第二部分213b重叠。
[0147]
尽管图8中示出了所有的第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450，但是根据一些实施例，可以省略第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450中的一个或两个。
[0148]
参照沿着图7的线b-b'截取的截面图(即图8)，位于基底100上的焊盘电极1200可以通过接触连接线1100而电连接到连接线1100。
[0149]
连接线1100可以定位在第一栅极绝缘层203上，并且可以包括与参照图4描述的存储电容器cst的下部电极ce1和/或第一栅极电极ge1的材料相同的材料。
[0150]
例如第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209和第三层间绝缘层210的至少一个绝缘层可以定位在连接线1100上，并且焊盘电极1200可以通过穿过第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209和第三层间绝缘层210的接触孔连接到连接线1100。
[0151]
焊盘电极1200可以具有其中堆叠有多个导电层的结构。例如，如图8中所示，焊盘电极1200可以包括第一焊盘导电层1210、第二焊盘导电层1220和第三焊盘导电层1230。
[0152]
第一焊盘导电层1210可以包括与参照图4描述的节点连接线166的材料相同的材料。第二焊盘导电层1220可以包括与参照图4描述的数据线dl和/或驱动电压线pl的材料相同的材料。第三焊盘导电层1230可以包括与参照图4描述的第一导线420和/或第二导线440的材料相同的材料。第三焊盘导电层1230可以通过形成在第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430中的接触孔连接到第二焊盘导电层1220。
[0153]
尽管在图8中，第一焊盘导电层1210和第二焊盘导电层1220彼此直接接触并且绝
缘层(例如，第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430)定位第二焊盘导电层1220和第三焊盘导电层1230之间，但是本公开不限于此。根据一些实施例，绝缘层(例如，有机绝缘层)也可以定位在第一焊盘导电层1210和第二焊盘导电层1220之间，并且第一焊盘导电层1210和第二焊盘导电层1220可以通过绝缘层的接触孔彼此连接。
[0154]
集成电路40可以经由包括导电球810的各向异性导电膜(acf)800电连接到焊盘电极1200。集成电路40的凸块42可以与焊盘电极1200重叠，导电球810可以定位在凸块42和焊盘电极1200之间，并且因此凸块42可以电连接到焊盘电极1200。
[0155]
参照沿着图7的线c-c'截取的截面图(即图9)，第一有机绝缘层211的第二边缘211e2可以与集成电路40的第二边缘40e2间隔开，并且第二边缘211e2和第二边缘40e2之间的第二距离d2可以在如上所述的从大约40μm至大约80μm的范围内。
[0156]
第二有机绝缘层213可以定位在第一有机绝缘层211上，并且第二有机绝缘层213可以延伸越过第一有机绝缘层211的第二边缘211e2到达集成电路40。如同第二有机绝缘层213的第一边缘213e1那样，第二有机绝缘层213的第二边缘213e2可以比第一有机绝缘层211的第二边缘211e2更靠近集成电路40。第二有机绝缘层213的第二部分213b可以与集成电路40重叠，以形成如图9中所示的第二重叠区域ol2。第二重叠区域ol2的宽度(换言之，第二有机绝缘层213的第二边缘213e2和集成电路40的第二边缘40e2之间的距离)可以小于第二距离d2。第二重叠区域ol2的宽度可以等于或不同于参照图8描述的第一重叠区域ol1的宽度。在一些实施例中，第二重叠区域ol2的宽度可以为大约10μm。
[0157]
连接线1100可以定位在基底100和第一有机绝缘层211之间，以彼此间隔开。如图7和图9中所示，连接线1100的部分可以不与第一有机绝缘层211重叠。换言之，连接线1100的多个部分可以与第一有机绝缘层211的开口211op重叠。因此，连接线1100的多个部分可以不被第一有机绝缘层211覆盖，或者可以不与第一有机绝缘层211重叠。
[0158]
在比较示例中，当第一有机绝缘层211的第二边缘211e2与集成电路40的第二边缘40e2之间的第二距离d2超过大约80μm时，不与第一有机绝缘层211重叠的一部分的面积可能增加，并且在这种情况下，连接线1100可能被静电放电(esd)损坏，并且连接线1100及其周围的质量可能劣化。
[0159]
参照图8和图9，已经描述了第一有机绝缘层211的第一边缘211e1和第二边缘211e2、第二有机绝缘层213的第一边缘213e1和第二边缘213e2以及集成电路40的第一边缘40e1和第二边缘40e2。参照图5a和图5b描述的第一有机绝缘层211的第三边缘211e3、第二有机绝缘层213的第三边缘213e3和集成电路40的第三边缘40e3之间的结构可以与参照图8描述的结构相同。例如，根据一些实施例，第一有机绝缘层211的第三边缘211e3与集成电路40的第三边缘40e3之间的第三距离d3(参见图5b)可以为大约40μm或更大，并且可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。第二有机绝缘层213可以延伸越过第一有机绝缘层211的第三边缘211e3以与集成电路40形成第三重叠区域。第三重叠区域的宽度可以等于或不同于第一重叠区域ol1和/或第二重叠区域ol2的宽度。第二有机绝缘层213可以包括具有不同厚度的第一部分和第二部分，并且对第二有机绝缘层213的描述与参照图8描述的内容相同。
[0160]
参照图5a和图5b描述的第一有机绝缘层211的第四边缘211e4、第二有机绝缘层213的第四边缘213e4和集成电路40的第四边缘40e4之间的结构与参照图9所描述的结构相同。例如，第一有机绝缘层211的第四边缘211e4与集成电路40的第四边缘40e4之间的第四
距离d4(参见图5b)可以为大约40μm或更大，并且根据一些实施例，该第四距离d4可以在从大约40μm至大约80μm的范围内。第二有机绝缘层213可以延伸越过第一有机绝缘层211的第四边缘211e4以与集成电路40形成第四重叠区域。第四重叠区域的宽度可以等于或不同于第一重叠区域ol1和/或第二重叠区域ol2的宽度。第二有机绝缘层213可以包括具有不同厚度的第一部分和第二部分，并且对第二有机绝缘层213的描述与参照图9描述的内容相同。
[0161]
应当理解的是，本文描述的实施例应当仅被认为是描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施例内的各特征或各方面的描述通常应被认为可以用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利范围及它们的等同物限定的精神和范围的情况下，在其中可以在形式和细节上做出各种改变。