1.本实用新型涉及一种充电电路，特别是一种脉冲充电电路。
背景技术：
2.图2是现有的一款脉冲充电电路，充电控制芯片的pwm高频脉冲信号端输出高电平信号，通过电阻r21和电阻r22分别导通mos管q10和mos管q9，使电阻r1和电阻r16、电阻r2和电阻r17有电流通过，形成电势差使mos管q1/mos管q2导通，该脉冲充电电路与电池形成完整的充电回路，由于整个电路过于复杂繁琐，导致生产成本高，开发周期长，生产速度慢。
技术实现要素：
3.为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种结构精简的脉冲充电电路。
4.本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
5.一种结构精简的脉冲充电电路，包括充电器连接口jp1、电容c3、电阻r1、电容c1、电阻r21、mos管q1、电容c2、电阻r2、mos管q2、二极管d5、二极管d1，所述电阻r1的一端分三路，第一路接充电器连接口jp1的1引脚，第二路通过电容c3接地，第三路接mos管q1的源极，mos管q1的栅极分两路，一路接电阻r1的另一端，另一路通过电容c1和电阻r21接充电控制芯片的第一pwm高频脉冲信号端，二极管d5的负极分三路，第一路接mos管q1的漏极，第二路接mos管q2的源极，第三路接电阻r2的一端，二极管d5的正极分三路，第一路接电阻r2的另一端，第二路接mos管q2的栅极，第三路通过电容c2接所述充电控制芯片的第二pwm高频脉冲信号端，mos管q2的漏极接二极管d1的正极，二极管d1的负极接储能器件的正极，所述充电控制芯片为赛元sc92系列单片机。
6.本实用新型的有益效果是：充电控制芯片的第一pwm高频脉冲信号端和第二pwm高频脉冲信号端输出变化的高低电平信号，产生微电流后流过电容c1，微电流流过电阻r1形成分压，mos管q1导通，微电流后流过电容c2，微电流流过电阻r2形成分压，mos管q2导通，形成充电回路，如果充电控制芯片损坏，仅输出单一的高电平信号或者低电平信号，微电流是无法通过电容c1和电容c2形成回路，安全性高，本实用新型利用电容c2代替现有技术中的mos管q9、电阻r22、电阻r24，利用电容c1代替现有技术中的电阻r16、mos管q10、电阻r23，比现有技术更精简，生产成本更低，生产速度更快。
附图说明
7.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
8.图1是本实用新型的电路原理图；
9.图2是现有技术的电路原理图。
具体实施方式
10.参照图1，一种结构精简的脉冲充电电路，包括充电器连接口jp1、电容c3、电阻r1、
电容c1、电阻r21、mos管q1、电容c2、电阻r2、mos管q2、二极管d5、二极管d1，所述电阻r1的一端分三路，第一路接充电器连接口jp1的1引脚，第二路通过电容c3接地，第三路接mos管q1的源极，mos管q1的栅极分两路，一路接电阻r1的另一端，另一路通过电容c1和电阻r21接充电控制芯片的第一pwm高频脉冲信号端，二极管d5的负极分三路，第一路接mos管q1的漏极，第二路接mos管q2的源极，第三路接电阻r2的一端，二极管d5的正极分三路，第一路接电阻r2的另一端，第二路接mos管q2的栅极，第三路通过电容c2接所述充电控制芯片的第二pwm高频脉冲信号端，mos管q2的漏极接二极管d1的正极，二极管d1的负极接储能器件的正极（bat ），所述充电控制芯片（图中未示出）为赛元sc92系列单片机（pwm高频脉冲信号是本技术领域的专有名词）。
11.充电控制芯片的第一pwm高频脉冲信号端和第二pwm高频脉冲信号端输出变化的高低电平信号，产生微电流后流过电容c1，微电流流过电阻r1形成分压，mos管q1导通，微电流后流过电容c2，微电流流过电阻r2形成分压，mos管q2导通，形成充电回路，如果充电控制芯片损坏，仅输出单一的高电平信号或者低电平信号，微电流是无法通过电容c1和电容c2形成回路，安全性高，本实用新型利用电容c2代替现有技术中的mos管q9、电阻r22、电阻r24，利用电容c1代替现有技术中的电阻r16、mos管q10、电阻r23，比现有技术更精简，生产成本更低，生产速度更快。
12.以上的实施方式不能限定本发明创造的保护范围，专业技术领域的人员在不脱离本发明创造整体构思的情况下，所做的均等修饰与变化，均仍属于本发明创造涵盖的范围之内。
技术特征：
1.一种结构精简的脉冲充电电路，其特征在于包括充电器连接口jp1、电容c3、电阻r1、电容c1、电阻r21、mos管q1、电容c2、电阻r2、mos管q2、二极管d5、二极管d1，所述电阻r1的一端分三路，第一路接充电器连接口jp1的1引脚，第二路通过电容c3接地，第三路接mos管q1的源极，mos管q1的栅极分两路，一路接电阻r1的另一端，另一路通过电容c1和电阻r21接充电控制芯片的第一pwm高频脉冲信号端，二极管d5的负极分三路，第一路接mos管q1的漏极，第二路接mos管q2的源极，第三路接电阻r2的一端，二极管d5的正极分三路，第一路接电阻r2的另一端，第二路接mos管q2的栅极，第三路通过电容c2接所述充电控制芯片的第二pwm高频脉冲信号端，mos管q2的漏极接二极管d1的正极，二极管d1的负极接储能器件的正极。2.根据权利要求1所述的脉冲充电电路，其特征在于所述充电控制芯片为赛元sc92系列单片机。
技术总结
本实用新型公开了一种结构精简的脉冲充电电路，包括充电器连接口JP1、电容C3、电阻R1、电容C1、电阻R21、MOS管Q1、电容C2、电阻R2、MOS管Q2、二极管D5、二极管D1，电阻R1的一端分接充电器连接口JP1的1引脚、电容C3、MOS管Q1的源极，MOS管Q1的栅极分两路，一路接电阻R1的另一端，另一路通过电容C1和电阻R21接充电控制芯片的第一PWM高频脉冲信号端，二极管D5的负极接MOS管Q1的漏极、MOS管Q2的源极、电阻R2的一端，二极管D5的正极接电阻R2的另一端、MOS管Q2的栅极，还通过电容C2接充电控制芯片的第二PWM高频脉冲信号端，MOS管Q2的漏极接二极管D1的正极，二极管D1的负极接储能器件的正极，比现有技术更精简，生产成本更低，生产速度更快。生产速度更快。生产速度更快。
技术研发人员：陈元广 李向前 姚亚平 许润华 王洁城
受保护的技术使用者：中山市春桥电子科技有限公司
技术研发日：2022.07.01
技术公布日：2022/10/18
再多了解一些
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