单芯片多波段发光二极管的制作方法

技术特征：
1.一种发光二极管，包括：n型氮化物半导体层；v形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有v形坑；活性层，位于所述v形坑生成层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上部，其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述v形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述v形坑生成层的v形坑内形成的第二阱层部分，所述发光二极管在不使用荧光体的情形下在单芯片级别发出至少两个峰值波长的光。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一阱层部分发出第一峰值波长的光，所述第二阱层部分发出至少一个第二峰值波长的光。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一阱层部分发出黄色系列的峰值波长的光，所述第二阱层部分发出蓝色系列的峰值波长的光。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一阱层部分发出黄色系列的峰值波长的光，所述第二阱层部分发出蓝色系列的峰值波长的光及绿色系列的峰值波长的光。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一阱层部分具有比所述第二阱层部分更多的in含量。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述第一阱层部分比所述第二阱层部分更厚。7.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括：p型al
x
ga
1-x
n层，夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间，其中，所述p型al
x
ga
1-x
n层内的al的组成比x大于0且小于0.3。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述p型al
x
ga
1-x
n层具有小于100nm的厚度。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述v形坑生成层具有大于450nm的厚度。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，形成于所述v形坑生成层的v形坑包括入口宽度大于230nm的v形坑。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述活性层具有包括多个阱层及多个阻挡层的多量子阱结构，并且还包括夹设于所述阱层与阻挡层之间并覆盖所述阱层的覆盖层，所述覆盖层含有al。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，所述覆盖层含有相对于覆盖层内的全部组成的10原子％以上的al。13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述p型氮化物半导体层包括位于所述v形坑上的凹陷部。14.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述活性层与所述v形坑生成层接触。15.一种发光二极管，其特征在于，包括：n型氮化物半导体层；v形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有v形坑；活性层，位于所述v形坑生成层上；以及p型algan层，位于所述活性层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述p型algan层上，其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述v形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述v形坑生成层的v形坑内形成的第二阱层部分，所述第一阱层部分发出第一峰值波长的光，所述第二阱层部分发出与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的光，并且所述发光二极管不包括荧光体。16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述第二阱层部分相比于所述第一阱层部分发出短波长的光。17.根据权利要求16所述的发光二极管，其中，所述第二阱层部分发出至少两个峰值波长的光，所述两个峰值波长与所述第一峰值波长不同。18.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述p型algan层由通式al
x
ga
1-x
n表示，所述p型algan层内的al的组成比x大于0且小于0.3。19.根据权利要求18所述的发光二极管，其中，所述p型alga
x
n层具有小于100nm的厚度。20.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述v形坑生成层具有大于450nm的厚度，形成于所述v形坑生成层的v形坑包括入口宽度大于230nm的v形坑。

技术总结
根据一实施例的发光二极管包括：n型氮化物半导体层；V形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有V形坑；活性层，位于所述V形坑生成层上；以及p型AlGaN层，位于所述活性层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述p型AlGaN层上，其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述V形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述V形坑生成层的V形坑内形成的第二阱层部分，所述第一阱层部分发出第一峰值波长的光，所述第二阱层部分发出与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的光，并且所述发光二极管不包括荧光体。述发光二极管不包括荧光体。述发光二极管不包括荧光体。


技术研发人员：白龙贤 姜志勳 金材宪 朴志焄
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司
技术研发日：2021.02.03
技术公布日：2022/9/13