显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.将电能转换成光能的发光器件(发光二极管：led)，由于其快速响应速度和低功耗，作为例如显示装置的光源而倍受关注(例如，专利文献1)。
3.例如，可以通过以下方式制造使用发光器件的显示设备：将其中设置有发光器件以在多个像素之上扩展的基板与在其中设置有驱动发光器件的驱动电路的基板相接合，然后在发光器件上为每个像素设置荧光体或滤色器等。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本未审查专利申请公开号2018-182282。


技术实现要素：

7.在这种显示装置中，期望抑制每个像素的亮度或色调的变化。因此，期望通过以更高的精度形成显示装置的像素周围的结构来提高显示装置中的每个像素的均匀性。
8.因此，期望提供一种显示装置，其能够进一步增加每个像素的均匀性。
9.根据本公开的一个实施例的显示装置包括：发光器件层，被设置成在二维布置的多个像素上扩展；荧光体层，按照每个像素由分隔壁分隔开；以及接合结构，夹在发光装置层与荧光体层之间，从发光装置层侧按次序层叠有第一氧化膜、接合氧化膜以及第二氧化膜。
10.根据本公开的一个实施例的显示装置，从发光器件层侧按次序堆叠第一氧化膜、接合氧化膜和第二氧化膜的接合结构被夹在被设置成在二维布置的多个像素之上扩展的发光器件层和按照每个像素由隔壁分隔开的荧光体层之间。因此，例如，显示装置可以进一步增加针对每个像素分隔荧光体层的分隔壁的高度的均匀性。
附图说明
11.图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的配置的实例的垂直截面图。
12.图2a是示出了粘合驱动基板与发光器件层的步骤的垂直截面图。
13.图2b示出了粘合驱动基板与发光器件层的步骤的垂直截面图。
14.图2c示出了粘合驱动基板与发光器件层的步骤的垂直截面图。
15.图3a示出了堆叠相对基板和荧光体层的步骤的垂直截面图。
16.图3b是示出了堆叠相对基板和荧光体层的步骤的竖直截面图。
17.图3c示出了堆叠相对基板和荧光体层的步骤的竖直截面图。
18.图3d示出了堆叠相对基板和荧光体层的步骤的垂直截面图。
19.图4a示出了接合发光器件层和荧光体层的步骤的竖直截面图。
20.图4b示出了接合发光器件层和荧光体层的步骤的竖直截面图。
21.图5是示出根据第一变形例的显示装置的配置的垂直截面图。
22.图6是示出了根据第二变形例的显示装置的配置的垂直截面图。
23.图7是示出应用根据本公开的实施方式的显示装置的电视装置的外观的示意图。
具体实施方式
24.在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。以下描述的实施方式是本公开的具体实例，并且根据本公开的技术不限于以下实施方式。此外，本公开的各个部件的布置、尺寸、尺寸比率等不限于在各个附图中示出的实施方式。
25.将按照以下顺序进行描述。
26.1.显示装置的配置
27.2.显示装置的制造方法
28.3.变形例
29.4.应用实例
30.《1.显示装置的配置》
31.首先，参照图1，将描述根据本公开的实施方式的显示装置的配置。图1是示出根据本实施方式的显示装置1的配置的实例的垂直截面图。
32.如图1所示，根据本实施方式的显示装置1包括，例如，发光器件层110、荧光体层120、分隔壁121、接合结构130、相对基板140、驱动基板150和连接部160。显示装置1是相对基板140的与设置有荧光体层120的面相对侧的面用作图像显示面的显示装置。显示装置1的图像显示面设置有二维布置的多个像素。
33.发光器件层110是包括通过施加电压自发地发光的发光器件的层。例如，发光器件层110被设置为在二维布置的多个像素上扩展。
34.发光器件层110可以在多个像素上发射相同波段的光，如uv(紫外线)光或白光，或对相应的像素发射与诸如蓝色、绿色或红色的相应颜色相对应的波段的光。
35.发光器件层110可以是例如led面板，其中，多个发光二极管(发光二极管：led)在基板上布置成矩阵。
36.发光二极管(led)包括例如第一电极、第一导电类型层、有源层、第二导电类型层和第二电极按次序堆叠的结构。在发光二极管(led)中，响应于在第一电极和第二电极之间施加电压，电子从第一导电型层注入到有源层，并且空穴从第二导电型层注入到有源层。注入的电子和空穴在有源层处彼此结合，从而使得可以发射与有源层的带隙的大小相对应的光。
37.第一导电类型层可以由iii-v族元素的化合物半导体构成，诸如引入第一导电类型(例如，n型)杂质的ingan基化合物半导体或algainp基化合物半导体。有源层可以由iii-v族元素的化合物半导体构成，诸如具有比第一导电型层和第二导电型层更小的带隙的ingan基化合物半导体或algainp基化合物半导体。应注意，第一导电类型(例如，n型)杂质或第二导电类型(例如，p型)杂质可被引入有源层。第二导电类型层可以由iii-v族元素的化合物半导体构成，诸如引入第二导电类型(例如，p型)杂质的ingan基化合物半导体或algainp基化合物半导体。例如，第一电极和第二电极可包括诸如ag(银)的金属材料。
38.然而，包括在发光器件层110中的发光器件不限于上述发光二极管(led)。包括在发光器件层110中的发光器件可以是例如有机el器件(有机发光二极管：oled)。
39.荧光体层120是包含两种以上光转换物质的层，其转换从发光器件层110发射的光的颜色。例如，荧光体层120经由接合结构130设置在发光器件层110的与接合驱动基板150的面相对侧的面上。例如，荧光体层120包含两种以上光转换物质，并且可以通过将蓝光转换成红光和绿光中的每一种而发射红(r)、绿(g)或蓝(b)的三基色的光。在这种情况下，荧光体层120可以允许在显示装置1上显示彩色图像。
40.此外，荧光体层120设置有将荧光体层120按照每个像素分隔开的隔壁121，以便防止光转换物质在像素之间混合。分隔壁121可以由任何材料构成，只要该材料是半导体处理中使用的材料即可。然而，为了进一步抑制像素之间的颜色混合，分隔壁121可包含具有光屏蔽特性(或不透明)的材料。此外，为了抑制对发光器件层110或驱动基板150中的图像信号的影响，分隔壁121可以包含具有绝缘性的材料。
41.在由分隔壁121限定的区域中，例如，为每个像素设置将从发光器件层110发射的光的颜色转换成红色(r)、绿色(g)或蓝色(b)的光转换物质。例如，光转换物质可以是荧光体，该荧光体使得可以发射红光、绿光或蓝光。作为这种荧光体，可以使用无机荧光材料、有机荧光材料或量子点。
42.接合结构130是将发光器件层110和荧光体层120彼此接合的堆叠结构，并且被夹在发光器件层110和荧光体层120之间。具体地，接合结构130被设置为其中第一氧化膜131、接合氧化膜133和第二氧化膜132从发光器件层110侧按次序堆叠的结构。
43.第一氧化膜131和第二氧化膜132是通过扩散将氧原子供给至后述的接合氧化膜133的层。第一氧化膜131和第二氧化膜132可由具有透光性的无机氧化物构成。例如，第一氧化膜131和第二氧化膜132可由sio2(氧化硅)构成。
44.接合氧化膜133是通过原子扩散接合来接合设置在发光器件层110和荧光体层120中的每上的前体膜，然后用从第一氧化膜131和第二氧化膜132扩散的氧原子来氧化该前体膜来配置的膜。原子扩散接合是通过在室温的真空下将在超高真空中形成的薄膜彼此附接并且使原子在附接的薄膜之间扩散，由此将薄膜彼此接合的方法。根据本实施方式的显示装置1使得可以通过使用原子扩散结合来将发光器件层110和荧光体层120彼此结合。
45.接合氧化膜133可由具有透光性的金属或准金属的氧化物构成，以便不衰减从发光器件层110发射的光。具体地，接合氧化膜133可由sc、y、ti、v、cr、fe、co、ni、pd、cu、ag、sg、mg、sr、zn、zr、al、或si的氧化物构成，或者可由其合金的氧化物构成。更具体地，接合氧化膜133可由ti或al的氧化物构成。
46.具体地，可以通过例如以下工艺来形成接合氧化膜133，以将发光器件层110和荧光体层120彼此接合。
47.首先，在发光器件层110和荧光体层120的相互相对面中的每个上形成金属或准金属的未氧化的前体膜，该前体膜最终在后期构造接合氧化膜133。接下来，将设置在发光器件层110侧上的前体膜和设置在荧光体层120侧上的前体膜彼此附接，并且在附接的前体膜之间产生原子扩散，以使前体膜彼此接合。随后，使用约100℃或更低的热处理将氧原子从第一氧化膜131和第二氧化膜132扩散到前体膜中以通过氧原子来氧化前体膜。因此，将发光器件层110和荧光体层120彼此接合的前体膜变成具有透光性质的接合氧化膜133。
48.通过使用原子扩散接合，接合氧化膜133可以用约几纳米的极薄膜结合发光器件层110和荧光体层120。此外，原子扩散接合允许在室温下的接合，使得即使在使用具有低耐热性的有机荧光材料、量子点等作为光转换物质的情况下，接合氧化膜133也可以接合发光器件层110和荧光体层120。
49.在根据本实施方式的显示装置1中，发光器件层110和驱动基板150被预先接合，并且相对基板140和荧光体层120被预先堆叠，在此之后，发光器件层110和荧光体层120被接合结构130接合。因此，在根据本实施方式的显示装置1中，分隔壁121和荧光体层120形成在平坦且刚性的相对基板140上。因此，在根据本实施方式的显示装置1中，按照每个像素分隔开荧光体层120的分隔壁121被设置为在相对基板140的面内方向上具有更高的均匀性。
50.顺便提及，在通过从发光器件层110的将设置接合结构130的驱动基板150侧(面)按次序堆叠连接部160、发光器件层110、接合结构130、荧光体层120和相对基板140来形成显示设备的情况下，容易在面内方向上变形。这是因为连接部160的焊料162趋于涉及熔化程度的变化，并且相应地，在驱动基板150与发光器件层110之间的距离上趋于发生变化。因此，在这种显示装置中，难以使设置在发光器件层110上的分隔壁121的高度等在荧光体层120的面内方向上均匀，导致在面内方向上每个像素的亮度或色调变化。
51.在根据本实施例的显示装置1中，由于可以提高分隔壁121在荧光体层120的面内方向上的高度的均匀性，因此可以抑制每个像素在面内方向上的亮度或色调的变化。
52.应注意，可以选择构成第一氧化膜131、接合氧化膜133、和第二氧化膜132的材料，使得对于接合结构130优化来自发光器件层110的光的光提取效率。具体地，为了控制从发光器件层110发射的光的光路，可控制用于接合结构130的构成第一氧化膜131、结合氧化膜133和第二氧化膜132的材料的折射率。例如，接合结构130可被设置成使得接合氧化膜133的折射率高于第一氧化膜131和第二氧化膜132的折射率。
53.相对基板140是保护荧光体层120免受外部环境影响的层。相对基板140设置在荧光体层120的与设置有接合结构130的面相对侧的面上。相对基板140包括允许透射可见光波段的光的透明材料，例如，以便使从发光器件层110发射的光透射通过。例如，相对基板140可以包括诸如硼硅酸盐玻璃、石英玻璃或蓝宝石玻璃的透明无机材料，或诸如丙烯酸树脂的透明有机材料。
54.在显示装置1中，从发光器件层110发射的光透射通过接合结构130，然后通过荧光体层120将其转换成每个像素的具有期望颜色的光，其后转换的光透射通过相对基板140以由用户视觉识别。因而，在显示装置1中，相对基板140的与设置有荧光体层120的面相对侧的面用作如上所述的图像显示面。
55.在显示装置1中，分隔壁121和荧光体层120形成在相对基板140上，之后接合结构130用于接合发光器件层110和荧光体层120。利用该配置，在显示装置1中，在接合发光器件层110和荧光体层120之后，通过相对基板140自动密封荧光体层120。因此，在显示装置1中，不需要在接合发光器件层110和荧光体层120之后在荧光体层120上形成密封荧光体层120的结构，使得可以减少由制造过程引起的对荧光体层120的损坏。
56.驱动基板150包括驱动设置在发光器件层110中的发光器件的电路，并且经由连接部160设置在发光器件层110的与面向荧光体层120的面相对侧的面上。驱动基板150包括针对每个像素单独地驱动设置在发光器件层110中的发光器件的像素电路和在垂直方向或水
平方向上扫描每个像素的公共电路。驱动基板150可以是例如诸如si(硅)的半导体基板或诸如pcb(聚氯化联苯)的树脂基板。
57.像素电路包括多个mosfet，并且为每个像素设置。例如，像素电路经由连接部160电耦接至发光器件层110的相应像素。公共电路包括顺序扫描彼此正交的相应垂直驱动线和水平驱动线的垂直驱动电路和水平驱动电路，并设置在像素电路的外周上。每个像素对应于垂直驱动线和水平驱动线的每个交叉点，并且显示装置1可以通过顺序驱动包括在公共电路中的垂直驱动线和水平驱动线来驱动每个像素。
58.连接部160通过所谓的倒装芯片连接将发光器件层110与驱动基板150电耦接。连接部160可以是，例如，其中通过焊料162接合设置在驱动基板150侧上的多个凸块161和设置在发光器件层110侧上的多个凸块(未示出)的结构。
59.具体地，连接部160可以例如通过以下工艺形成。
60.首先，将焊料162放置在设置在驱动基板150的像素电路和公共电路中的每一个上的凸块161上。接着，使发光器件层110和驱动基板150彼此面对，使得设置在发光器件层110上的凸块和设置在驱动基板150上的凸块161彼此对应。随后，使彼此面对的发光器件层110和驱动基板150彼此紧密接触，并且然后加热以熔化焊料162。结果，设置在发光器件层110上的凸块和设置在驱动基板150上的凸块161通过熔融焊料162电耦接和物理接合。
61.根据本实施方式的显示装置1通过经由接合结构130接合发光器件层110和荧光体层120来配置。利用该配置，显示装置1可以在在面内方向上具有高平坦度的相对基板140上形成分隔壁121和荧光体层120，使得可以提高分隔壁121在面内方向上的高度的均匀性。因此，显示装置1可以抑制由分隔壁121的高度变化引起的每个像素的亮度或色调的面内变化。
62.此外，显示装置1可以在室温下接合发光器件层110和荧光体层120的叠层，使得可以防止荧光体层120中包含的光转换物质的特性由于热而降低。
63.《2.显示装置的制造方法》
64.接下来，参照图2a至图4b，将描述制造根据本实施方式的显示装置1的方法。图2a至图2c各自是示出了接合驱动基板150和发光器件层110的步骤的垂直截面图。图3a至图3d各自是示出了堆叠相对基板140和荧光体层120的步骤的垂直截面图。图4a和图4b各自是示出了接合发光器件层110和荧光体层120的步骤的垂直截面图。
65.首先，参照图2a至图2c，将描述接合驱动基板150和发光器件层110的过程。
66.如图2a所示，发光器件层110a和驱动基板150使用凸块161和焊料162彼此接合。具体而言，首先，制备在半导体基板上形成多个发光二极管的发光器件层110a。此外，制备驱动基板150，该驱动基板150形成有驱动设置在发光器件层110a中的发光二极管的像素电路和在垂直方向或水平方向上扫描发光二极管的驱动的公共电路。接着，使发光器件层110a和驱动基板150彼此面对，使得设置在发光器件层110a和驱动基板150中的每个上的凸块彼此面对，焊料162介于其间。随后，焊料162通过加热熔化，从而电耦接发光器件层110a和驱动基板150并将它们彼此物理接合。
67.随后，如图2b所示，通过使用cmp(化学机械抛光)方法等使包含在发光器件层110a中的半导体基板变薄。具体地，通过cmp方法等，通过从在与驱动基板150的结合面的相对侧上的面抛光发光器件层110a，减薄其上形成发光二极管的半导体基板。结果，在如此变薄的
发光器件层110中，可以从在驱动基板150的接合面的相对侧上的面提取从发光二极管发射的光。
68.接下来，如图2c所示，第一氧化膜131形成在发光器件层110的与面向驱动基板150的面相对侧的面上。例如，第一氧化膜131可以由sio2(二氧化硅)形成。
69.接下来，参照图3a至图3d，将描述堆叠相对基板140和荧光体层120的过程。
70.如图3a所示，制备透明相对基板140。相对基板140可以是例如硼硅酸盐玻璃基板或石英基板。
71.随后，如图3b所示，分隔壁121以对应于每个像素之间的区域的方式形成在相对基板140的一个表面上。分隔壁121例如可以通过使用光刻和蚀刻的sin(氮化硅)形成。此时，在平坦的相对基板140上使用光刻和蚀刻形成分隔壁121，允许分隔壁121形成为使得其高度在相对基板140的面内方向上变得更均匀。
72.接下来，如图3c所示，通过将每个像素的光转换物质引入由分隔壁121限定的区域中来形成荧光体层120。作为光转换物质，例如，可以使用发射与像素的颜色对应的荧光的有机荧光材料等。有机荧光材料可以使用例如气相沉积法或印刷法引入由分隔壁121限定的区域中。
73.此后，如图3d所示，第二氧化膜132形成在荧光体层120的与面对相对基板140的面相对侧的面上。例如，第二氧化膜132可由sio2(二氧化硅)形成。
74.进一步地，参考图4a和图4b，将描述接合发光器件层110和荧光体层120的过程。
75.如图4a所示，使荧光体层120和发光器件层110彼此面对，在荧光体层120侧的第二氧化膜132上形成前体膜133b，并且在发光器件层110侧的第一氧化膜131上形成前体膜133a。
76.具体地，相对基板140和荧光体层120的叠层以及驱动基板150和发光器件层110的接合体被引入到同一真空室中。接着，在超高真空下在第一氧化膜131上形成前体膜133a，在第二氧化膜132上形成前体膜133b。前体膜133a和133b是未氧化的金属膜，其在稍后阶段最终变成接合氧化膜133，并且可通过例如形成al(铝)或ti(钛)的极端薄膜(例如，约几纳米)来形成。
77.随后，如图4b所示，通过使前体膜133a和前体膜133b在真空下彼此接触来执行原子扩散结合。由此，能够使荧光体层120侧的前体膜133b与发光元件层110侧的前体膜133a接合。另外，在接合之后，通过加热约100℃，使第一氧化膜131和第二氧化膜132所含有的氧原子扩散到前体膜133a、133b中，使前体膜133a、133b氧化。这使得可以形成由透明al2o3(氧化铝)或tio2(氧化钛)构成的接合氧化膜133。
78.通过以上步骤，可以制造根据本实施方式的显示装置1。
79.在根据本实施方式的显示装置1的制造方法中，分隔壁121形成在在面内方向上具有高平坦度的相对基板140上，使得可以提高分隔壁121在面内方向上的高度的均匀性。因此，显示装置1可以抑制由分隔壁121的高度变化引起的每个像素的亮度或色调的面内变化。
80.进一步地，在根据本实施方式的显示装置1的制造方法中，待施加至荧光体层120的温度至多为约100℃，使得可以抑制荧光体层120中包括的光转换物质由于热而降低特性。此外，在根据本实施方式的显示设备1的制造方法中，可以在不损坏荧光体层120的情况
下通过对置基板140密封荧光体层120。
81.《3.变形例》
82.接下来，参考图5和图6，将描述根据本实施方式的显示装置1的变形例。根据本实施方式的显示装置1的变形例是其中除了凸块161和焊料162被应用于接合驱动基板150和发光器件层110的连接部分160之外的配置的那些显示装置。图5是示出根据第一变形例的显示设备2的配置的垂直截面图，图6是示出根据第二变形例的显示设备3的配置的垂直截面图。
83.应当注意，对于除了与驱动基板150和发光器件层110的接合相关的连接部160之外的配置，根据本实施方式的显示设备1与根据第一变形例的显示设备2和根据第二变形例的显示设备3基本上相似。因此，这里将省略对这些配置的描述。
84.(第一变形例)
85.如图5所示，在根据第一变形例的显示装置2中，接合驱动基板150和发光器件层110的连接部170可由在绝缘层171的表面上暴露的焊盘电极173a和在绝缘层172的表面上暴露的焊盘电极173b配置。
86.具体地，驱动基板150设置有由例如sio2(二氧化硅)、sin(氮化硅)等形成的绝缘层171，并且绝缘层171设置有由例如cu(铜)等形成的焊盘电极173a，并且被设置为在绝缘层171的表面上暴露。另一方面，类似地，发光器件层110设置有由例如sio2(二氧化硅)、sin(氮化硅)等形成的绝缘层172，并且绝缘层172设置有由例如cu(铜)等形成的焊盘电极173b，并且设置为暴露在绝缘层172的表面上。
87.这里，通过使绝缘层171和绝缘层172彼此面对，使得焊盘电极173a和焊盘电极173b彼此接触并且执行加热处理，来接合驱动基板150和发光器件层110。因此，利用这种连接部170，驱动基板150和发光器件层110通过焊盘电极173a和焊盘电极173b电耦接，并且通过绝缘层171和绝缘层172物理接合。基于暴露在相应绝缘层171和绝缘层172的表面上的焊盘电极173a和焊盘电极173b的接合结构也被称为cu-cu连接结构。
88.利用根据第一变形例的显示装置2，也可以通过上述cu-cu连接结构电耦接驱动基板150和发光器件层110。
89.(第二变形例)
90.如图6所示，在根据第二变形例的显示装置3中，接合驱动基板150和发光器件层110的连接部180可由设置在驱动基板150和发光器件层110中的每一个上的柱状凸块181和柱状凸块182配置。
91.具体地，驱动基板150设置有由cu(铜)等形成的圆柱形的柱状凸块181。柱状凸块181的上表面设置有用于与设置在发光器件层110侧上的柱状凸块182接合的半球形焊料(未示出)。另一方面，类似地，发光器件层110设置有由cu(铜)等形成的柱状的柱状凸块182。
92.这里，通过使柱状凸块181和柱状凸块182彼此接触，接着进行加热处理，并且熔化夹在柱状凸块181和柱状凸块182之间的焊料，接合驱动基板150和发光器件层110。通过这种连接部180，驱动基板150和发光器件层110通过夹在柱状凸块181和柱状凸块182之间的焊料电气和物理耦接。
93.利用根据第二变形例的显示装置3，也可以通过上述柱状凸块连接结构电耦接驱
动基板150和发光器件层110。
94.《4.应用实例》
95.可以将根据本实施方式的显示装置1应用于显示从外部输入的图像信号或内部生成的图像信号的各种电子装置。例如，可以将根据本实施方式的显示装置1应用于电视装置、数码相机、笔记本式个人计算机、移动电话、智能电话等。参考图7，示出了根据本实施方式的显示装置1的应用实例的实例。图7是示出应用了根据本实施方式的显示装置1的电视装置的外观的示意图。
96.如图7所示，例如，电视设备200具有包括前面板220和滤光玻璃的图像显示部210。根据本实施例的显示装置1可以应用于这样的图像显示部210。
97.上面已经参照实施方式和变形例描述了根据本公开的技术。然而，根据本公开的技术不限于上述实施方式等，并且可以进行各种修改。
98.例如，可以将根据本实施例的显示装置1应用于各种显示器。具体地，还可以将根据本实施例的显示装置1应用于液晶显示器、等离子体平板显示器、oled显示器、微型led显示器等。
99.此外，并不是在各个实施方式中描述的所有配置和操作对于本公开的配置和操作都是必要的。例如，在各个实施方式中的元件之中，基于本公开的最普遍的概念的独立权利要求中未陈述的元件应被理解为可选部件。
100.贯穿本说明书和所附权利要求书所使用的术语应被解释为“非限制性的”术语。例如，术语“包含(including)”或“包含(included)”应被解释为“不限于将其描述为包含(including)”的实施方式。术语“具有”应被解释为“不限于其中它被描述为具有”的实施例。
101.在本说明书中使用的术语仅用于方便描述，并且包括不用于限制配置和操作的目的的术语。例如，诸如“右”、“左”、“上”和“下”的术语仅表示所参考的附图中的方向。此外，术语“内部”和“外部”分别仅仅表示朝向所关注的元件的中心以及远离所关注的元件的中心的方向。这同样适用于与这些术语相似的术语和具有相似含义的术语。
102.应当注意，根据本公开内容的技术可以具有以下配置。根据具有以下配置的本公开的技术，可以通过将从发光器件层侧按次序堆叠第一氧化膜、接合氧化膜和第二氧化膜的接合结构夹在发光器件层与荧光体层之间来接合发光器件层和荧光体层。因此，显示装置可以进一步增加按照每个像素分隔荧光体层的分隔壁的高度的均匀性，并且因此进一步增加每个像素的亮度或色调。由根据本公开的技术施加的效果不必限于本文中描述的效果，并且可以是本公开中描述的任何效果。
103.(1)
104.一种显示装置，包括：
105.发光器件层，被设置成在二维布置的多个像素上扩展；
106.荧光体层，按照每个所述像素由分隔壁分隔开；以及
107.接合结构，夹在所述发光器件层和所述荧光体层之间，并且其中，从所述发光器件层侧按次序堆叠第一氧化膜、接合氧化膜和第二氧化膜。
108.(2)
109.根据(1)所述的显示装置，其中，所述粘合氧化膜由具有透光性的氧化物构成。
019371的权益，其全部内容通过引用并入本文。
139.本领域技术人员应理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变更，只要它们在所附权利要求或其等效物的范围内即可。