一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺的制作方法

技术特征：
1.一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于，包括：步骤一、准备lnoi片；步骤二、旋涂hsq/zep：在所述lnoi片上旋涂hsq/zep双层胶，其中：zep为底层胶，hsq为顶层胶；对zep的厚度进行调控；步骤三、光刻显影hsq：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光位置的hsq；步骤四、干法刻蚀zep：对刻蚀参数进行调控，所述刻蚀参数包括气体比例，偏压功率，反应室压力，保证zep的侧壁形貌陡直，无侧蚀现象；步骤五、分步刻蚀ln：hsq/zep作为掩膜，首先利用chf3和ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用chf3等离子体进行更短时间的刻蚀，利用化学刻蚀的各向同性减小薄膜ln波导的侧壁起伏，然后重复该步骤五，直至完成刻蚀；步骤六、去除hsq/zep：采用丁酮溶液去除hsq/zep掩膜。2.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述zep的厚度范围是100nm～400nm，保证hsq/zep去除干净和hsq/zep掩膜的整体耐刻蚀性。3.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述气体比例为o2:ar＝2:1，偏压功率为50w，反应室压力为5mtorr。4.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述短时间的范围是30s～25min。

技术总结
本发明公开了一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，属于光芯片加工技术领域，包括：一、准备LNOI片；二、旋涂HSQ/ZEP：在LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，ZEP为底层胶；对ZEP的厚度进行调控；三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光的HSQ；四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控；五、分步刻蚀LN：首先利用CHF3和Ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用CHF3等离子体进行更短时间的刻蚀，即利用化学刻蚀的各向同性减小LN波导的侧壁起伏，然后重复步骤五，直至完成刻蚀；六、去除HSQ/ZEP：采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。


技术研发人员：王磊 曲迪 李宗宴 付通 王谦 于帅 宋学颖
受保护的技术使用者：天津华慧芯科技集团有限公司
技术研发日：2022.05.26
技术公布日：2022/9/6