声波谐振器滤波器的制作方法

声波谐振器滤波器
1.本技术要求于2021年3月2日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0027503号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种声波谐振器滤波器。


背景技术：

3.移动通信装置、化学和生物测试装置以及其他电子装置使用小且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件和/或声波谐振质量传感器。
4.诸如体声波(baw)滤波器的声波谐振器可被构造为这种小且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声谐振质量传感器以及其他组件，由于与例如电介质滤波器、金属腔滤波器和波导相比，这种体声波谐振器小并且具有改善的性能。这种体声波谐振器可用于提供高性能(例如，宽的通带带宽)的现代移动装置的通信模块中。


技术实现要素：

5.提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
6.在一个总体方面，一种声波谐振器滤波器包括：串联部，所述串联部包括至少一个串联声波谐振器，所述至少一个串联声波谐振器串联电连接在第一端口和第二端口之间；分路部，所述分路部包括多个分路声波谐振器，所述多个分路声波谐振器彼此反串联电连接在所述串联部的一个节点与地之间；以及dc电压端子，被配置为通过电连接到所述多个分路声波谐振器中的至少一个分路声波谐振器的第一电极和所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器的第二电极，在所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器的两端产生dc电压。
7.所述dc电压端子可被配置为在所述多个分路声波谐振器中的两个分路声波谐振器之间的节点与所述地之间产生所述dc电压。
8.所述dc电压端子还可被配置为在所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器的至少一个第一分路声波谐振器的两端产生第一dc电压，所述第一dc电压不同于在产生所述第一dc电压时所述多个分路声波谐振器中的至少一个其他分路声波谐振器两端的dc电压。
9.所述至少一个串联声波谐振器可包括多个串联声波谐振器，并且所述dc电压端子还可被配置为通过与所述多个串联声波谐振器中的至少一个串联声波谐振器的第一电极和所述多个串联声波谐振器中的所述至少一个串联声波谐振器的第二电极的另一电连接，在所述多个串联声波谐振器中的所述至少一个串联声波谐振器的两端产生另一dc电压。
10.当产生所述dc电压时，所述多个分路声波谐振器的多个反谐振频率之间的差可小于所述多个分路声波谐振器的多个谐振频率之间的差。
11.所述dc电压端子可被配置为产生幅值大于10v的所述dc电压。
12.所述dc电压端子还可被配置为产生幅值小于等于50v的所述dc电压。
13.所述声波谐振器滤波器还可包括：电容器，与所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器中的一个或更多个分路声波谐振器并联电连接。
14.所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器可包括两个或更多个分路声波谐振器，并且所述一个或更多个分路声波谐振器可以是单个分路声波谐振器。
15.在一个总体方面，一种声波谐振器滤波器包括：串联部，所述串联部包括多个串联声波谐振器，所述多个串联声波谐振器反串联电连接在第一端口和第二端口之间；分路部，所述分路部包括至少一个分路声波谐振器，所述分路声波谐振器电连接在所述串联部的一个节点与地之间；以及dc电压端子，被配置为通过电连接到所述多个串联声波谐振器中的至少一个串联声波谐振器的第一电极和所述多个串联声波谐振器中的所述至少一个串联声波谐振器的第二电极，在所述多个串联声波谐振器中的所述至少一个串联声波谐振器的两端产生dc电压。
16.所述dc电压端子还可被配置为在所述多个串联声波谐振器中的所述至少一个串联声波谐振器的至少一个第一串联声波谐振器的两端产生第一dc电压，所述第一dc电压不同于在产生所述第一dc电压时所述多个串联声波谐振器中的至少一个其他串联声波谐振器两端的dc电压。
17.当产生所述dc电压时，所述多个串联声波谐振器的多个反谐振频率之间的差可小于所述多个串联声波谐振器的多个谐振频率之间的差。
18.所述dc电压端子可被配置为产生幅值大于10v的所述dc电压。
19.在一个总体方面，一种声波谐振器滤波器包括：串联部，所述串联部包括至少一个串联声波谐振器，所述至少一个串联声波谐振器串联电连接在第一端口和第二端口之间；分路部，所述分路部包括多个分路声波谐振器，所述多个分路声波谐振器在所述串联部的一个节点与地之间彼此电连接；以及dc电压端子，被配置为通过电连接到所述多个分路声波谐振器中的至少一个分路声波谐振器的第一电极和所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器的第二电极，在所述多个分路声波谐振器中的所述至少一个分路声波谐振器的两端产生dc电压，其中，当产生所述dc电压时，所述多个分路声波谐振器的多个反谐振频率之间的差小于所述多个分路声波谐振器的多个谐振频率之间的差。
20.当产生所述dc电压时，所述多个分路声波谐振器的所述多个谐振频率之间的所述差可小于所述多个谐振频率中的谐振频率与所述至少一个串联声波谐振器的谐振频率之间的差，并且其中，所述多个谐振频率中的所述谐振频率可高于所述至少一个串联声波谐振器的所述谐振频率。
21.所述串联部以及所述分路部可提供通带，所述多个分路声波谐振器的所述多个反谐振频率中的每个可位于所述通带内，并且所述多个分路声波谐振器的所述多个谐振频率中的每个可位于所述通带之外。
22.所述dc电压端子可被配置为在所述多个分路声波谐振器中的两个分路声波谐振器之间的节点与所述地之间产生所述dc电压。
23.所述dc电压端子可被配置为产生幅值大于10v的所述dc电压。
24.所述dc电压端子还可被配置为产生幅值小于等于50v的所述dc电压。
25.所述声波谐振器滤波器还可包括：电容器，与所述多个分路声波谐振器中的一个或更多个分路声波谐振器并联电连接。
26.通过以下具体实施方式以及附图，其他特征和方面将是易于理解的。
附图说明
27.图1a至图1e是根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的电路图。
28.图2a至图2f是示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的示例修整的示图。
29.图3a和图3b是示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的各种示例修整去除陷波的曲线图。
30.图4a和图4b是示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的依据示例修整去除陷波和二次谐波的曲线图。
31.图5a是示出可包括在根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器滤波器中的声波谐振器的示例结构的平面图，图5b是沿着图5a的线i-i'截取的示例截面图，图5c是沿着图5a的线ii-ii'截取的示例截面图，并且图5d是沿着图5a的线iii-iii'截取的示例截面图。
32.在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
33.提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本技术的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本技术的公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，在理解本技术的公开内容之后，可省略本领域中已知或理解的特征的描述。
34.在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本技术的公开内容之后将是易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。在下文中，虽然将参照附图详细描述本技术的公开内容的各种实施例，但是应注意，示例不限于此。
35.在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其他要素。如在此使用的，要素的“一部分”可包括整个要素或少于整个要素。
36.如在此使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合；同样地，
“……
中的至少一个”包括相关联的所列项目中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
37.尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
38.为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”等的空间相对术语来描述例如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一要素在“上方”或“上面”的要素于是将相对于所述另一要素在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
39.在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本技术的公开内容。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
40.由于制造技术和/或公差，附图中所示出的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。
41.在此描述的示例的特征可以以在理解本技术的公开内容之后将易于理解的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解本技术的公开内容之后将易于理解的其他构造是可行的。
42.这里，应当注意，关于示例的术语“可”的使用，例如，关于示例可包括或实现的内容意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例，而所有示例不限于此。
43.图1a至图1e是根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的电路图。
44.参照图1a，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50a可包括串联部10a和分路部20a。根据射频(rf)信号的频率，可使rf信号通过第一端口p1和第二端口p2，或者可使rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间被阻隔。
45.参照图1a，串联部10a可包括一个或更多个串联声波谐振器11和13，并且分路部20a可包括一个或更多个分路声波谐振器21a和22a。
46.一个或更多个串联声波谐振器11和13之间、一个或更多个分路声波谐振器21a和22a之间以及串联部10a与分路部20a之间的电连接节点可利用具有相对低的电阻率的材料(诸如，金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金、铝(al)、铝合金等)实现，但实施例不限于此。
47.一个或更多个串联声波谐振器11和13以及一个或更多个分路声波谐振器21a和22a可各自通过压电特性将rf信号的电能转换成机械能，并且可通过压电特性将机械能转换成电能。随着rf信号的频率变得接近声波谐振器的谐振频率，多个电极之间的能量传输
率可显著增加。随着rf信号的频率变得接近声波谐振器的反谐振频率，多个电极之间的能量传输率可显著降低。声波谐振器的反谐振频率可高于声波谐振器的谐振频率。
48.例如，一个或更多个串联声波谐振器11和13以及一个或更多个分路声波谐振器21a和22a可各自是例如薄膜体声波谐振器(fbar)或固态装配谐振器(smr)。
49.一个或更多个串联声波谐振器11和13可串联电连接在第一端口p1与第二端口p2之间。随着rf信号的频率变得接近谐振频率，rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间的通过率可提高。随着rf信号的频率变得接近反谐振频率，rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间的通过率可降低。
50.一个或更多个分路声波谐振器21a和22a可分路电连接在一个或更多个串联声波谐振器11和13与地之间。rf信号到地的通过率可随着rf信号的频率变得接近谐振频率而提高，并且可随着rf信号的频率变得接近反谐振频率而降低。
51.rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间的通过率可随着rf信号到地的通过率提高而降低。rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间的通过率可随着rf信号到地的通过率降低而提高。rf信号在第一端口p1与第二端口p2之间的通过率是指rf信号通过第一端口p1和第二端口p2两者的通过率。
52.也就是说，随着rf信号的频率变得接近一个或更多个分路声波谐振器21a和22a的谐振频率或者接近一个或更多个串联声波谐振器11和13的反谐振频率，rf信号在第一端口p1和第二端口p2之间的通过率可降低。
53.由于反谐振频率高于谐振频率，因此声波谐振器滤波器50a可具有通带带宽，所述通带带宽具有与一个或更多个分路声波谐振器21a和22a的谐振频率对应的最低频率和与一个或更多个串联声波谐振器11和13的反谐振频率对应的最高频率。
54.通带带宽可随着一个或更多个分路声波谐振器21a和22a的谐振频率与一个或更多个串联声波谐振器11和13的反谐振频率之间的差增大而增大。然而，当差值明显大时，通带带宽可能被分割，并且插入损耗可能增加。
55.当一个或更多个串联声波谐振器11和13的谐振频率略高于一个或更多个分路声波谐振器21a和22a的反谐振频率时，声波谐振器滤波器50a的带宽可较大但不分裂，或者插入损耗可降低。
56.在声波谐振器中，可基于声波谐振器的物理特性k
t2
(机电耦合系数)来确定谐振频率和反谐振频率之间的差，并且当声波谐振器的尺寸或形状改变时，谐振频率和反谐振频率可一起改变。
57.由于声波谐振器滤波器50a的通带带宽可具有与通带带宽的总频率成比例的特性，因此通带带宽可随着通带带宽的总频率提高而变大。
58.然而，通带带宽的总频率越高，通过声波谐振器滤波器50a的rf信号的波长越短。rf信号的波长越短，考虑到天线处的远程发送/接收过程中的发送/接收距离，能量衰减越大。
59.也就是说，当声波谐振器滤波器50a的通带带宽的总频率较高时，例如，与声波谐振器滤波器50a的通带带宽较低的示例相比，通过声波谐振器滤波器50a的rf信号可具有用于远程发送/接收过程的稳定性和/或平滑性的较高功率。
60.随着通过声波谐振器滤波器50a的rf信号的功率增加，由一个或更多个分路声波
谐振器21a和22a以及一个或更多个串联声波谐振器11和13中的每个的压电操作产生的热量可能增加，并且由一个或更多个分路声波谐振器21a和22a以及一个或更多个串联声波谐振器11和13中的每个产生的热量导致的损坏的可能性可能高。
61.分路部20a可包括电连接在串联部10a的一个节点和地之间的多个分路声波谐振器21a和22a。例如，多个分路声波谐振器21a和22a可彼此串联和/或并联连接。
62.随着分路部20a中包括的多个分路声波谐振器21a和22a的数量增加，多个分路声波谐振器21a和22a中的每个产生的热量可减少，并且由多个分路声波谐振器21a和22a中的每个产生的热量导致的损坏的可能性可能较低。
63.多个分路声波谐振器21a和22a可以反串联地彼此连接。例如，在多个分路声波谐振器21a和22a中的每个的多个第一电极和多个第二电极中，彼此靠近连接的多个电极可全部设置在压电层下方或压电层上方。例如，在各种实施例中，考虑到分路声波谐振器21a和22a中的每个包括上电极和下电极，反串联连接可使相应上电极彼此面对或相对(电连接)或使相应下电极彼此面对或相对(电连接)，例如，分路声波谐振器21a的下电极与分路声波谐振器22a的下电极电连接，或分路声波谐振器21a的上电极与分路声波谐振器22a的上电极电连接。
64.因此，在通过声波谐振器滤波器50a的rf信号中混合的谐波中，偶次谐波可被去除，因此，rf信号的线性度可进一步提高。
65.然而，随着多个分路声波谐振器21a和22a的数量增加，多个分路声波谐振器21a和22a之间的工艺分布参数可增加或多样化。工艺分布参数可作为改善声波谐振器滤波器50a的性能(例如，插入损耗、衰减特性、滚降特性和带宽跨度)的限制。
66.例如，多个分路声波谐振器21a和22a之间的工艺分布参数可被建模为并联连接到多个分路声波谐振器22a中的一个分路声波谐振器的寄生电容器cpara。由于寄生电容器cpara，多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的反谐振频率可降低。因此，由于多个分路声波谐振器21a和22a中的一些可作为rf信号的功率的瓶颈，因此由产生的热量导致的损坏的可能性高。可选地，由于混合在rf信号中的谐波中的偶次谐波的去除效率可能降低，因此rf信号的线性度可能降低，并且插入损耗可能增加。
67.参照图1a，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50a还可包括dc电压端子dc1，dc电压端子dc1电连接到多个分路声波谐振器21a和22a中的至少一个，以在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的第一电极和第二电极之间产生dc电压。
68.由于寄生电容器cpara导致多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的第一电极和第二电极之间的电子分布进一步偏置，因此dc电压端子dc1上的dc电压可在与电子分布的根据寄生电容器cpara的偏置方向相反的方向上使第一电极和第二电极之间的电子分布偏置。也就是说，由于dc电压端子dc1上的dc电压可消除多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的第一电极和第二电极之间的寄生电容器cpara的影响，因此声波谐振器滤波器50a可减小与寄生电容器cpara对应的工艺分布参数。
69.因此，由于由多个分路声波谐振器21a和22a中的一些分路声波谐振器产生的热量导致的损坏的可能性可减小，因此根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50a的功率耐久性可进一步提高。可选地，由于通过根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50a的rf信号中混合的谐波中的偶次谐波的去除效率可提高，因此rf信号的线性度可提高，
并且插入损耗也可降低。
70.例如，dc电压端子dc1可实现为或表示包括在声波谐振器滤波器50a中的电池，并且可电连接到声波谐振器滤波器50a的外部电源管理集成电路(ic)以从电源管理ic接收dc电压。例如，电池可设置在其上设置有声波谐振器的基板的上侧上，并且可设置在结合到基板以容纳声波谐振器的盖中。例如，电源管理ic可电连接到穿透基板的金属过孔，并且金属过孔可电连接到声波谐振器。
71.例如，dc电压端子dc1可电连接到多个分路声波谐振器21a和22a中的至少一个，即，电连接在多个分路声波谐振器21a和22a中的至少一个的两端，以在地与多个分路声波谐振器21a和22a之间的节点之间产生dc电压。因此，可进一步简化dc电压端子dc1的结构，并且可稳定地产生多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的dc电压。
72.例如，dc电压端子dc1可电连接到多个分路声波谐振器21a和22a中的至少一个，使得多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22a的第一电极与第二电极之间的dc电压不同于另一分路声波谐振器的第一电极与第二电极之间的dc电压。因此，dc电压端子dc1可更有效地消除寄生电容器cpara的影响。
73.参照图1b，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50b的串联部10b可包括多个串联声波谐振器12以及串联声波谐振器13和14，多个串联声波谐振器12包括串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4。在非限制性示例中，多个串联声波谐振器12(例如，串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4)、13和14可彼此串联和/或并联连接。
74.随着串联部10b中包括的多个串联声波谐振器12(例如，包括串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4)、13和14的数量增加，多个串联声波谐振器12(例如，包括串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4)、13和14中的每个产生的热量可减少，并且由多个串联声波谐振器12(例如，包括串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4)、13和14中的每个产生的热量导致的损坏的可能性可降低。
75.在多个串联声波谐振器中，一些串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4可反串联地彼此连接。因此，可去除通过声波谐振器滤波器50b的rf信号中混合的谐波中的偶次谐波以进一步改善rf信号的线性度。
76.根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50b还可包括dc电压端子dc11和dc12，dc电压端子dc11和dc12电连接到多个串联声波谐振器中的一些串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4，使得在多个串联声波谐振器中的一个串联声波谐振器12-1或12-3的第一电极和第二电极之间产生dc电压。这里，第一dc电压端子(例如，dc11)和第二dc电压端子(例如，dc12)也可统称为dc电压端子，例如，第一dc电压端子(例如，dc11)和第二dc电压端子(例如，dc12)被配置为产生dc电压端子dc11的dc电压，并且还被配置为产生dc电压端子dc12的dc电压。因此，例如，对dc电压端子的引用可指各自连接在一个或更多个串联或分路声波谐振器的两端以产生相应的dc电压的一个或更多个dc电压端子。dc电压的产生也可指提供给声波谐振器滤波器的相应dc电压的施加或提供。
77.因此，由于可消除在多个串联声波谐振器中的一些串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4之间的工艺分布参数，因此可有效地去除基于通过声波谐振器滤波器50b的rf信号中混合的谐波的互调(imd)特性，并且可进一步改善rf信号的线性度。
78.例如，dc电压端子dc11和dc12可以以与声波谐振器滤波器50a的dc电压端子dc1的
方式相同的方式实现，并且可电连接到多个串联声波谐振器中的一些串联声波谐振器12-1、12-2、12-3和12-4，使得多个串联声波谐振器中的一个串联声波谐振器12-1或12-3的第一电极和第二电极之间的dc电压不同于另一串联声波谐振器12-2或12-4的第一电极与第二电极之间的dc电压。
79.根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50b可包括连接到串联部10b的不同节点的多个分路部20a、20c和20d。作为非限制性示例，多个分路部20a、20c和20d中的每个可包括一个或更多个分路声波谐振器21a、22a、23和24。
80.参照图1c，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50c还可包括并联连接到多个分路声波谐振器21a和22a中的至少一个分路声波谐振器21a的电容器cmod。
81.电容器cmod可消除多个分路声波谐振器21a和22a之间的根据寄生电容器cpara的特性差异，并且dc电压端子dc1可使得电容器cmod能够促进消除由寄生电容器cpara导致的影响。在另一示例中，作为电容器cmod所并联连接的目标的声波谐振器可与作为dc电压端子dc1产生dc电压的目标的声波谐振器不同。
82.参照图1d，作为非限制性示例，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50d的分路部20b可包括多个分路声波谐振器21b和22b。多个示例分路声波谐振器21b和22b中的每个可包括彼此反串联连接的多个分路声波谐振器21 、21-、22 和22-。也就是说，多个分路声波谐振器21 和21-可彼此反串联连接，并且多个分路声波谐振器22 和22-可彼此反串联连接。
83.dc电压端子dc2可在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器21-的第一电极和第二电极之间产生dc电压。dc电压端子dc3可在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器22-的第一电极和第二电极之间产生dc电压。因此，可消除由多个寄生电容器cpara1和cpara2导致的影响。
84.参照图1e，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器50e的dc电压端子dc4可并联连接到多个分路声波谐振器21b和22b。因此，可在多个分路声波谐振器中的至少一个的第一电极和第二电极之间产生dc电压。
85.图2a至图2f是示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的示例修整的示图。
86.参照图2a，受寄生电容器cpara影响的分路声波谐振器的阻抗曲线z2的反谐振频率fa2可低于不受寄生电容器cpara影响的分路声波谐振器的阻抗曲线z1的反谐振频率fa1。谐振频率fr2可几乎不受寄生电容器cpara的影响。
87.参照图2b，分路声波谐振器的阻抗曲线z3的反谐振频率fa3和谐振频率fr3可增加，其中，dc电压通过dc电压端子产生。例如，反谐振频率fa3可与图2a的反谐振频率fa1相同。
88.也就是说，dc电压端子可在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器的第一电极和第二电极之间产生dc电压，使得多个分路声波谐振器的多个反谐振频率之间的差(例如，收敛于零)小于多个谐振频率之间的差(例如，fr2和fr3之间的差)。dc电压可形成在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器的第一电极和第二电极之间。
89.参照图2b和图2f，由于反谐振频率fa(例如，图2b和图2c的fa2)和fa3可位于通带带宽bw内，因此反谐振频率fa和fa3可对声波谐振器滤波器的性能具有相对大的影响。另
外，由于谐振频率fr3和fr(例如，图2b的fr2)可位于通带带宽之外，因此谐振频率fr3和fr可对声波谐振器滤波器的性能几乎没有影响。图2f示出了声波谐振器滤波器的第一端口与第二端口之间的s参数s12。
90.因此，当反谐振频率fa3被修整为接近图2a的反谐振频率fa1时，声波谐振器滤波器的性能(例如，功率耐久性和谐波的去除效果)可进一步改善。
91.串联声波谐振器的谐振频率可位于通带带宽bw内，并且串联声波谐振器的反谐振频率可位于通带带宽(bw)之外。因此，多个分路声波谐振器的多个谐振频率之间的差(例如，fr2和fr3之间的差)可小于多个谐振频率中的较高谐振频率与一个或更多个串联声波谐振器的谐振频率之间的差。
92.参照图2c，当通过dc电压端子施加正电压时，分路声波谐振器的反谐振频率fa2可改变为较高的反谐振频率fa3 ，并且当通过dc电压端子施加负电压时，分路声波谐振器的反谐振频率fa2可改变为较低的反谐振频率fa3-。
93.反谐振频率fa2的移位距离可依据通过dc电压端子产生的dc电压的幅值的绝对值。因此，可基于图2a的反谐振频率fa2和反谐振频率fa1之间的差来确定dc电压的幅值的绝对值。
94.参照图2d，施加有高于50v的dc电压并且彼此反串联连接的多个串联或分路声波谐振器之间的s参数s3 的最小值(陷波)可低于dc电压为50v的多个串联或分路声波谐振器的s参数s2的最小值。
95.参照图2e，施加有低于50v的dc电压并且彼此反串联连接的多个串联或分路声波谐振器的s参数s3-的最小值(陷波)可低于dc电压为50v的多个串联或分路声波谐振器的s参数s2的最小值。
96.s参数的最小值越低，s参数的陷波越大。陷波越小，集中在声波谐振器中的能量和产生的热量越少，因此，声波谐振器损坏的可能性越低。陷波越小，谐波去除效率越高。
97.根据一个或更多个实施例的声波谐振器可通过向声波谐振器施加dc电压使得陷波小而具有改进的性能(例如，功率耐久性和谐波的去除)。
98.图3a和图3b是示出根据一个或更多个实施例的依据声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的各种示例修整去除陷波的曲线图。
99.参照图3a，当施加 30v的dc电压时，图1a所示的声波谐振器滤波器的多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器的阻抗特性z参数的反谐振频率可进一步增加。
100.参照图3b，当施加 10v的dc电压时，图1a所示的声波谐振器滤波器的s参数的最小值可增加(或陷波减小)，并且当施加高于 10v(例如， 20v或 30v)的dc电压时，可显著接近平均值。最小值越大或陷波越小，例如与没有施加dc电压的情况相比，声波谐振器滤波器的性能(例如，功率耐久性和谐波的去除效果)可得到更多改善。
101.也就是说，dc电压端子可被配置为在多个分路声波谐振器中的一个分路声波谐振器的第一电极和第二电极之间产生幅值高于10v的dc电压，因此，可消除由多个分路声波谐振器的寄生电容器导致的影响(例如，陷波)。
102.在通过dc电压端子施加的dc电压为 30v的一个非限制性示例中，可优化多个分路声波谐振器的性能(例如，功率耐久性和谐波的去除效果)。在一个或更多个示例中，通过dc电压端子施加的dc电压的幅值范围可大于10v且小于等于50v。
103.图4a和图4b是示出根据一个或更多个实施例的依据声波谐振器滤波器的分路声波谐振器的示例修整去除陷波和二次谐波的曲线图。
104.参照图4a和图4b，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器可具有通带带宽，该通带带宽在比图2a至图3b的声波谐振器滤波器的频率(约3.5ghz)低的频率(约2.5ghz)处形成。
105.参照图4a，与未通过dc电压端子施加dc电压(未修整)的声波谐振器滤波器的s参数的陷波相比，可减小不完全(例如，高于零且低于上述示例10v)施加dc电压(不完全修整)的声波谐振器滤波器的s参数的陷波。另外，可进一步减小dc电压被完全(例如，在上述示例10v至50v范围内)施加(完全或接近完全修整)的声波谐振器滤波器的s参数的陷波。
106.参照图4b，与未通过dc电压端子施加dc电压(未修整)的声波谐振器滤波器的二次谐波s参数相比，未完全施加dc电压(不完全修整)的声波谐振器滤波器的二次谐波s参数可以是均匀的。另外，当完全施加dc电压时，完全施加dc电压(完全修整)的声波谐振器滤波器的二次谐波s参数可更均匀。
107.图5a是示出可包括在根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器中的声波谐振器的示例结构的平面图，图5b是沿着图5a的线i-i'截取的示例截面图，图5c是沿着图5a的线ii-ii'截取的示例截面图，并且图5d是沿着图5a的线iii-iii'截取的示例截面图。
108.参照图5a至图5d，声波谐振器100a可包括支撑基板1110、绝缘层1115、谐振部1120和疏水层1130。
109.支撑基板1110可以是硅基板。作为非限制性示例，硅晶圆或绝缘体上硅(soi)基板可用作支撑基板1110。
110.绝缘层1115可设置在支撑基板1110的上表面上，以使支撑基板1110和谐振部1120彼此电绝缘。另外，当在声波谐振器100a的制造期间形成腔c时，绝缘层1115可防止支撑基板1110被蚀刻气体蚀刻。
111.作为非限制性示例，绝缘层1115可利用二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化铝(al2o3)和氮化铝(aln)中的至少一种形成，并且可通过化学气相沉积(cvd)工艺、射频(rf)磁控溅射工艺和蒸镀工艺中的一种形成。
112.支撑层1140可形成在绝缘层1115上，并且可以围绕腔c和蚀刻停止部1145设置。
113.腔c可形成为空的空间，并且可通过去除在提供支撑层1140的工艺期间形成的牺牲层的一部分来形成，并且支撑层1140可利用牺牲层的剩余部分形成。
114.支撑层1140可利用诸如多晶硅或聚合物的容易蚀刻的材料形成，但是实施例不限于此。
115.蚀刻停止部1145可沿着腔c的边界设置。可提供蚀刻停止部1145，以防止在形成腔c期间蚀刻超出腔区域。
116.膜层1150可形成在支撑层1140上，并且可构成腔c的上表面。因此，膜层1150也可利用在形成腔c期间不容易去除的材料形成。
117.在非限制性示例中，当使用诸如氟(f)或氯(cl)等的卤化物基蚀刻气体来去除支撑层1140的一部分(例如，腔区域)时，膜层1150可利用与上述蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在这种情况下，作为非限制性示例，膜层1150可包括二氧化硅(sio2)和氮化硅(si3n4)中的至少一种。
118.另外，膜层1150可利用包含氧化镁(mgo)、二氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、二氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、二氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)中的至少一种的介电层或利用包含铝(al)、镍(ni)、铬(cr)、铂(pt)、镓(ga)和铪(hf)中的至少一种的金属层形成，注意，实施例不限于此。
119.谐振部1120可包括第一电极1121、压电层1123和第二电极1125。在谐振部1120中，第一电极1121、压电层1123和第二电极1125可从下方依次堆叠。因此，在谐振部1120中，压电层1123可设置在第一电极1121与第二电极1125之间。
120.由于谐振部1120形成在膜层1150上，因此膜层1150、第一电极1121、压电层1123和第二电极1125可顺序地堆叠在支撑基板1110上，以构成谐振部1120。
121.谐振部1120的压电层1123可响应于施加到第一电极1121和第二电极1125的信号而谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。
122.谐振部1120可被分成中央部s和延伸部e，在中央部s中，第一电极1121、压电层1123和第二电极1125基本上平坦地堆叠，在延伸部e中，插入层1170介于第一电极1121和压电层1123之间。
123.中央部s可以是设置在谐振部1120的中央的区域，并且延伸部e可以是沿着中央部s的外周设置的区域。因此，延伸部e可以是从中央部s向外延伸的区域，并且可指沿着中央部s的外周以连续的环形形状形成的区域。然而，在示例中，延伸部e可以以不连续的环形形状形成，延伸部e的一些区域是断开的。
124.因此，如图5b所示，在谐振部1120的穿过中央部s截取的截面中，延伸部e可设置在中央部s的两端上。另外，插入层1170可设置在延伸部e的两侧上。
125.插入层1170可具有厚度在远离中央部s的方向上增加的倾斜部，倾斜部可具有倾斜表面l。
126.在延伸部e中，压电层1123和第二电极1125可设置在插入层1170上。因此，设置在延伸部e中的压电层1123和第二电极1125可具有与插入层1170的形状一致的倾斜表面。
127.延伸部e可被定义为包括在谐振部1120中。因此，谐振也可发生在延伸部e中，但是实施例不限于此。在示例中，依据延伸部e的结构，谐振可不发生在延伸部e中，但是谐振可仅发生在中央部s中。
128.第一电极1121和第二电极1125可利用导电材料形成，导电材料可包括例如金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍等金属，或可包括包含它们中的至少一种的合金，但是导电材料不限于此。
129.在谐振部1120中，第一电极1121可形成为具有比第二电极1125的面积大的面积，并且第一金属层1180可沿着第一电极1121的外周设置在第一电极1121上。因此，第一金属层1180可设置为与第二电极1125间隔开预定距离，并且可以以围绕谐振部1120的形式设置。
130.作为非限制性示例，由于第一电极1121设置在膜层1150上，因此第一电极1121可完全平坦地形成。另一方面，由于第二电极1125设置在压电层1123上，例如，第二电极1125可弯曲以对应于压电层1123的形状。
131.第一电极1121可用作分别输入和输出诸如射频(rf)信号的电信号的输入电极和输出电极中的一个。
132.第二电极1125可完全设置在中央部s中，并且可部分地设置在延伸部e中。因此，第二电极1125可分成设置在稍后描述的压电层1123的压电部1123a上的部分和设置在压电层1123的弯曲部1123b上的部分。
133.例如，第二电极1125可以以覆盖压电层1123的整个压电部1123a和倾斜部11231的一部分的形式设置。因此，设置在延伸部e中的第二电极(图5d的1125a)可形成为具有比倾斜部11231的倾斜表面的面积小的面积，并且谐振部1120中的第二电极1125可形成为具有比压电层1123的面积小的面积。
134.因此，如图5b所示，在谐振部1120的穿过中央部s截取的截面中，第二电极1125的端部可设置在延伸部e中。另外，第二电极1125的设置在延伸部e中的端部可设置成使得第二电极1125的端部的至少一部分与插入层1170叠置。术语“叠置”是指当第二电极1125投影到其上设置有插入层1170的平面上时，投影到该平面的第二电极1125的形状在空间上与插入层1170重合。
135.第二电极1125可用作用于分别输入和输出诸如射频(rf)信号的电信号的输入电极和输出电极中的一个。例如，当第一电极1121用作输入电极时，第二电极1125可用作输出电极，并且当第一电极1121用作输出电极时，第二电极1125可用作输入电极。
136.如图5d所示，当第二电极1125的端部设置在稍后将描述的压电层1123的倾斜部11231上时，谐振部1120的声阻抗可形成为从中央部s向外具有稀疏/密集/稀疏/密集结构，以增加向谐振部1120的内部反射横向波的反射界面。因此，大多数或至少大部分的横向波不会逸出到谐振部1120的外部，而是向谐振部1120的内部反射，从而可改善声波谐振器的性能。
137.压电层1123可产生压电效应以将电能转换成弹性波形式的机械能，并且可形成在第一电极1121和插入层1170上。
138.作为非限制性示例，可选择性地使用氧化锌(zno)、氮化铝(aln)、掺杂的氮化铝、锆钛酸铅(pzt)、石英等作为压电层1123的材料。掺杂的氮化铝还可包括例如稀土金属、过渡金属或碱土金属。稀土金属可包括钪(sc)、铒(er)、钇(y)和镧(la)中的至少一种。过渡金属可包括铪(hf)、钛(ti)、锆(zr)、钽(ta)和铌(nb)中的至少一种。碱土金属可包括镁(mg)，注意示例不限于此。掺杂到氮化铝(aln)中的元素的含量可在0.1at％至30at％的范围内。
139.作为非限制性示例，压电层可利用掺杂有钪(sc)的氮化铝(aln)形成。在这样的掺杂示例中，可增加压电常数，从而增加体声波谐振器的k
t2
。
140.压电层1123可包括设置在中央部s中的压电部1123a和设置在延伸部e中的弯曲部1123b。
141.压电部1123a可直接堆叠在第一电极1121的上表面上。因此，压电部1123a可介于第一电极1121和第二电极1125之间，并且可与第一电极1121和第二电极1125一起平坦地形成。
142.弯曲部1123b可被定义为从压电部1123a向外延伸到延伸部e中的位置的区域。
143.弯曲部1123b可设置在稍后描述的插入层1170上，并且可与插入层1170一致形成为具有上表面抬升的形状。对此，压电层1123可在压电部1123a与弯曲部1123b之间的边界处弯曲，并且弯曲部1123b可抬升以对应于插入层1170的厚度和形状。
144.弯曲部1123b可被分成倾斜部11231和延伸部11232。
145.倾斜部11231可指形成为沿着稍后将描述的插入层1170的倾斜表面l倾斜的部分。另外，延伸部11232可指从倾斜部11231向外延伸的部分。
146.倾斜部11231可形成为平行于插入层1170的倾斜表面l，并且倾斜部11231的倾斜角度可与插入层1170的倾斜表面l的倾斜角度相同。
147.插入层1170可沿着由膜层1150、第一电极1121和蚀刻停止部1145限定的表面设置。因此，插入层1170可部分地设置在谐振部1120中，并且可设置在第一电极1121和压电层1123之间。
148.插入层1170可围绕中央部s设置，以支撑压电层1123的弯曲部1123b。因此，压电层1123的弯曲部1123b可根据插入层1170的形状分成倾斜部11231和延伸部11232。
149.插入层1170可设置在除了中央部s之外的区域中。例如，插入层1170可设置在基板1110的除了中央部s之外的整个基板1110上，或者设置在基板1110的除了中央部s之外的部分上。
150.插入层1170的一部分的厚度可在远离中央部s的方向上增加。作为非限制性示例，插入层1170的与中央部s相邻的侧表面可以是具有预定倾斜角度θ的倾斜表面l。在非限制性示例中，倾斜表面l的倾斜角度θ可大于等于5
°
，或者小于等于70
°
且大于0
°
，或者大于等于5
°
且小于等于70
°
。
151.压电层1123的倾斜部11231可沿着插入层1170的倾斜表面l形成，并且可以以与插入层1170的倾斜表面l的倾斜角度相同的倾斜角度形成。因此，在示例中，与插入层1170的倾斜表面l类似或对应，倾斜部11231的倾斜角度可以在大于等于5
°
且小于等于70
°
的范围内。显然，这样的构造也可同样地应用于堆叠在插入层1170的倾斜表面l上的第二电极1125。
152.插入层1170可利用诸如二氧化硅(sio2)、氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)、氮化硅(si3n4)、氧化锰(mno)、二氧化锆(zro2)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、二氧化铪(hfo2)、二氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)的电介质形成，但是可利用与压电层1123的材料不同的材料形成。
153.另外，插入层1170可用金属实现。由于当声波谐振器100a用于5g通信时在谐振部1120中产生大量的热，因此可期望顺利释放在谐振部1120中产生的热量。为此，仅作为示例，插入层1170可利用包含sc的铝合金形成。
154.谐振部1120可通过形成为空的空间的腔c与支撑基板1110间隔开。
155.在制造声波谐振器期间，可通过以下方式形成腔c：向入口孔(图5a中的h)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)来去除支撑层1140的对应部分。
156.因此，腔c可具有由膜层1150限定的上表面(顶表面)和侧表面(壁表面)，并且可设置为底表面由支撑基板1110或绝缘层1115限定的空间。依据相应制造方法的不同示例顺序，膜层1150可以仅形成在腔c的上表面(顶表面)上，或可以不仅仅形成在腔c的上表面(顶表面)上。
157.保护层1160可沿着声波谐振器100a的表面设置，以保护声波谐振器100a免受外部环境的影响。保护层1160可沿着由第二电极1125和压电层1123的弯曲部1123b限定的表面设置。
158.在制造工艺期间，可部分去除保护层1160以在最终工艺中调整频率。例如，保护层
1160的厚度可在制造工艺期间通过频率修整来调整。
159.为此，保护层1160可包括适用于频率修整的二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化镁(mgo)、二氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、二氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、二氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)、非晶硅(a-si)和多晶硅(p-si)中的一种，但实施例不限于此。
160.第一电极1121和第二电极1125可向谐振部1120的外部延伸。另外，第一金属层1180和第二金属层1190可分别设置在通过延伸形成的部分的上表面上。
161.作为非限制性示例，第一金属层1180和第二金属层1190可利用金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金、铝(al)和铝合金中的一种形成。作为非限制性示例，铝合金可以是铝-锗(al-ge)合金或铝-钪(al-sc)合金。
162.第一金属层1180和第二金属层1190可用作连接布线，该连接布线将声波谐振器的电极1121和1125中的每个电连接到在支撑基板1110上彼此相邻设置的其他声波谐振器的电极。
163.第一金属层1180的至少一部分可与作为钝化层的保护层1160接触并且可结合到第一电极1121。
164.在谐振部1120中，第一电极1121可形成为具有比第二电极1125的面积大的面积，并且第一金属层1180可形成在第一电极1121的外周部分上。
165.因此，第一金属层1180可沿着谐振部1120的外周设置，并且可以以围绕第二电极1125的形式设置。然而，实施例不限于此。
166.在声波谐振器中，疏水层1130可设置在保护层1160的表面和腔c的内壁上。疏水层1130可抑制水和羟基(oh基团)的吸附，从而显著减小频率波动，因此，谐振器性能可保持一致。
167.疏水层1130可利用自组装单层(sam)形成材料而不是聚合物形成。当疏水层1130利用聚合物形成时，由聚合物导致的质量负载可影响谐振部1120。然而，在示例中，由于声波谐振器的疏水层1130利用自组装单层形成，因此可显著减小声波谐振器的谐振频率的波动。另外，腔c中的疏水层1130厚度可以是一致的。
168.疏水层1130可通过气相沉积具有疏水性的前驱体(precursor)来形成。在这种情况下，疏水层1130可沉积为厚度为或更小(例如，至至)的单层。具有疏水性的前驱体材料可以是或包括沉积后与水的接触角为90
°
或更大的材料。例如，作为非限制性示例，疏水层1130可含有氟(f)成分，并且可包括氟(f)和硅(si)。例如，可使用具有硅头(silicon head)的碳氟化合物，但是实施例不限于此。
169.在制造方法中，在形成疏水层1130之前，可在保护层1160的表面上形成结合层，以改善构成疏水层1130的自组装单层与保护层1160之间的粘合强度。
170.可以通过在保护层1160的表面上气相沉积具有疏水性官能团的前驱体来形成结合层。
171.可使用具有硅头的碳氢化合物或具有硅头的硅氧烷作为用于沉积结合层的前驱体，但是实施例不限于此。
172.由于在形成第一金属层1180和第二金属层1190之后形成疏水层1130，因此可沿着保护层1160的表面、第一金属层1180的表面和第二金属层1190的表面形成疏水层1130。
173.在附图中，示出了疏水层1130未设置在第一金属层1180的表面上和第二金属层1190的表面上。然而，实施例不限于这样的示例，并且疏水层1130也可设置在金属层1190的表面上。
174.另外，疏水层1130可设置在腔c的内表面上以及保护层1160的上表面上。
175.形成在腔c中的疏水层1130可形成在形成腔c的整个内壁上。因此，疏水层1130也可形成在限定谐振部1120的下表面的膜层1150的下表面上。在这种情况下，例如，可抑制羟基吸附到谐振部1120的下部。
176.羟基的吸附不仅可发生在保护层1160中，而且可发生在腔c中。因此，例如，不仅可在保护层1160中阻止羟基的吸附，而且可在腔c的上表面(膜层的下表面)、谐振部的下表面中阻止羟基的吸附，以显著降低由羟基的吸附导致的质量负载和由质量负载导致的频率的降低。
177.另外，当疏水层1130形成在腔c的上表面和下表面上，和/或形成在腔c的侧表面上时，可在形成腔c之后的制造方法的湿法工艺或清洁工艺中抑制谐振部1120通过表面张力粘附到绝缘层1115的粘连现象。
178.已经描述了疏水层1130形成在腔c的整个内壁上的示例，但是实施例不限于此。还存在各种示例，诸如可仅在腔c的上表面上形成疏水层1130以及仅在腔c的下表面和侧表面的一部分上形成疏水层1130。
179.如上所述，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器可具有反串联结构，以进一步改善消除偶次谐波的性能，因此，可进一步改善通过声波谐振器滤波器的rf信号的线性度。
180.另外，根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器可减小由寄生电容器或工艺分布参数导致的局部集中功率，以具有进一步改善的功率耐久性。
181.虽然上面已经示出并且描述了具体示例，但是在理解本公开之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其他组件或其等同方案来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的全部变型将被解释为被包含在本公开中。