薄膜体声波谐振器的制作方法

技术特征：
1.一种薄膜体声波谐振器，包括：依次堆叠的基底、功能层、底电极、压电层、顶电极和钝化层，其特征在于，所述功能层或所述钝化层为掺钪氮化铝。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层为掺钪氧化铝。3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述功能层和所述钝化层的掺杂浓度均小于30％。4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括谐振空腔，所述谐振空腔位于所述基底的顶部表面。5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极和所述功能层部分覆盖所述谐振空腔。6.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括：支撑层，所述支撑层位于所述基底之上、所述功能层之下；谐振空腔，所述谐振空腔位于支撑层结构中。7.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括：声学镜结构，所述声学镜结构位于所述基底之上、所述功能层之下。8.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极的边缘处设置有凸起结构和凹陷结构。9.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在顶电极的边缘处，设有顶电极桥部结构和位于所述顶电极桥部结构下的第一空气隙，以及设有顶电极桥翼结构和位于所述顶电极桥翼结构下的第二空气隙。10.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在底电极的边缘处，设有底电极桥部结构和位于所述底电极桥部结构下的第三空气隙。11.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在顶电极的边缘处，设置有凸起结构和凹陷结构，并且设有顶电极桥部结构和位于所述顶电极桥部结构下的第一空气隙，以及设有顶电极桥翼结构和位于所述顶电极桥翼结构下的第二空气隙。

技术总结
本发明公开了一种带有功能层的薄膜体声波谐振器结构，能够使得谐振器的电极结构受到保护，整体提高谐振器的性能和可靠性。该薄膜体声波谐振器包括：依次堆叠的基底、功能层、底电极、压电层、顶电极和钝化层，所述压电层为掺钪氮化铝，所述功能层和所述钝化层为掺钪氮化铝。铝。铝。


技术研发人员：张孟伦 庞慰
受保护的技术使用者：诺思（天津）微系统有限责任公司
技术研发日：2021.03.01
技术公布日：2022/9/1