一种保护电路、保护方法以及光网络设备与流程

1.本技术涉及光通信领域，尤其涉及一种保护电路、保护方法以及光网络设备。


背景技术：

2.现有的光网络设备中，通常使用雪崩光电二极管(avalanche photon diode，apd)作为光电转换的器件。
3.为保护apd的安全，现有技术提供了如图1所示的保护电路，该保护电路包括依次连接的电源模块101、第一电阻103、第二电阻104以及apd102。该保护电路还包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)105，以下将mosfet简称为mos，其中，mos105的源极连接在第一电阻103和第二电阻104之间，mos105的漏极接地，mos105的栅极连接在第二电阻104和apd102之间。该电源模块101用于向apd102提供偏置电压。apd102对已接收到的光信号进行光电转换以产生电信号，在电信号的电流增大时，第一电阻103的压降增大，从而起到限流降压的作用，第二电阻104的压降增大，导致mos105导通，导通的mos105能够钳制apd102上的偏置电压进一步的增大，以避免apd102因偏置电压过大而损坏。
4.但是，不同类型的apd，对偏置电压的电压范围的要求差异比较大，为保证不同类型的apd均能获取到足够大的偏置电压，以保证各个类型的apd均能够正常的进行光电转换，则需要第一电阻103、第二电阻104的阻值比较小。但是，在第一电阻103的阻值比较小的情况下，第一电阻103的分压能力较弱，无法起到很好的限流降压的作用。第二电阻104的阻值比较小的情况下，mos105导通所需要的电压比较大，且mos105导通所需要的时间也会比较长，容易出现mos105尚未导通时，apd102可能已损坏的情况。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供了一种保护电路、保护方法以及光网络设备，其用于实现对不同类型的apd的过载保护。
6.第一方面，本发明实施例提供了一种保护电路，用于保护雪崩二极管apd，所述保护电路包括电源模块、镜像电路、处理模块以及支路切换模块；所述镜像电路包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极具有第一输出端以及第二输出端，所述第一输出端与所述第二三极管的基极连接，所述第二输出端用于与所述apd连接；所述支路切换模块包括至少两个并联的支路以及导通开关，所述至少两个并联的支路的第一端与第一发射极连接，第二发射极与所述电源模块连接，其中，所述第一发射极为所述第一三极管的发射极，所述第二发射极为所述第二三极管的发射极，或，所述第一发射极为所述第二三极管的发射极，所述第二发射极为所述第一三极管的发射极；所述导通开关连接在所述电源模块和所述至少两个并联的支路的第二端之间，所述处理模块与所述导通开关连接，所述处理模块用于控制所述导通开关导通所述电源模块和所述至少两个并联的支路中的一个支路，所述至少两个并联的支路中，不
同的支路的阻值不同。
7.可见，处理模块能够根据apd的偏置电压的大小，控制导通开关导通电源模块与支路切换模块所包括的一个支路。若apd所接收到的光信号的光功率过大，apd出现过载的概率比较大时，则导通开关所导通的支路能够降低传输至apd上的偏置电压，以避免apd出现过载的情况。若apd所接收到的光信号的光功率较小，apd出现过载的概率比较小时，则导通开关所导通的支路能够提高传输至apd上的偏置电压的大小，从而有效地保证了apd能够正常的进行光电转换。
8.可见，即便对于不同类型的apd，可根据apd对偏置电压的需求的不同，导通开关导通电源模块与支路切换模块所包括的具有不同阻值的支路，以有效地防止不同类型的apd出现过载。
9.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一发射极为所述第二三极管的发射极，所述第二发射极为所述第一三极管的发射极，所述保护电路包括连接在所述第二发射极和所述电源模块之间的第一支路；所述至少两个并联的支路包括第二支路和第三支路，所述第三支路的阻值和所述第一支路的阻值之间的比值为第一比值，所述第二支路的阻值和所述第一支路的阻值之间的比值为第二比值，所述第一比值大于所述第二比值；若所述处理模块确定所述apd的电压值大于或等于预设值，则所述处理模块控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第三支路，若所述处理模块确定所述apd的电压值小于所述预设值，则所述处理模块控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第二支路。
10.可见，在apd所接收到的光信号的光功率过大，apd出现过载的概率比较大时，则导通开关导通电源模块和第三支路，以有效地降低电源模块传输至apd的偏置电压的电压值，有效地避免了apd的过载。若apd所接收到的光信号的光功率较小，apd出现过载的概率比较小时，则导通开关导通电源模块和第二支路，以有效地提高电源模块传输至apd的偏置电压的电压值，保证apd能够正常的进行光电转换。
11.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述第一发射极为所述第一三极管的发射极，所述第二发射极为所述第二三极管的发射极，所述保护电路包括连接在所述第二发射极和所述电源模块之间的第四支路；所述至少两个并联的支路包括第五支路和第六支路，所述第五支路的阻值和所述第四支路的阻值之间的比值为第三比值，所述第六支路的阻值和所述第四支路的阻值之间的比值为第四比值，所述第三比值大于所述第四比值；若所述处理模块确定所述apd的电压值大于或等于预设值，则所述处理模块控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第五支路，若所述处理模块确定所述apd的电压值小于所述预设值，则所述处理模块控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第六支路。
12.可见，在apd所接收到的光信号的光功率过大，apd出现过载的概率比较大时，则导通开关导通电源模块和第五支路，以有效地降低电源模块传输至apd的偏置电压的电压值，有效地避免了apd的过载。若apd所接收到的光信号的光功率较小，apd出现过载的概率比较小时，则导通开关导通电源模块和第六支路，以有效地提高电源模块传输至apd的偏置电压的电压值，保证apd能够正常的进行光电转换。
13.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述处理模块用于确定所述apd的电压值，以确定所述apd的电压值是否大于或等于所述预设值。
14.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述处理模块连接在所述第二输出端和
所述apd的阴极之间。
15.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述处理模块与所述第一三极管的集电极连接，所述处理模块还用于检测所述第一三极管的集电极输出的检测电流的大小，所述处理模块用于根据所述检测电流的大小确定所述apd的电压值。
16.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述保护电路还包括电阻和场效应管mos，所述第二三极管的集电极具有第三输出端，所述第三输出端分别与所述mos的源极和所述电阻的第一端连接，所述mos的漏极接地，所述mos的栅极以及所述电阻的第二端分别用于与所述apd的阴极连接。
17.可见，导通的mos能够进一步的降低传输至apd上的偏置电压，避免apd因出现过载而损坏的情况。
18.基于第一方面，一种可选地实现方式中，在第一时间段内，所述处理模块用于控制所述电源模块输出第一功率，所述第一时间段的起始时刻为所述电源模块开始为所述apd供电的时刻，在第二时间段内，所述处理模块用于控制所述电源模块输出第二功率，所述第二时间段的起始时刻为所述第一时间段的结束时刻，所述第一功率的功率值小于所述第二功率的功率值。
19.基于第一方面，一种可选地实现方式中，所述处理模块还与所述电源模块连接。
20.可见，处理模块在第一时间段内控制电源模块向apd传输功率值较小的第一功率，有效地避免了在第一时间段内，apd所接收的光信号的光功率过大而出现过载的情况，有效地保证了apd的安全。
21.第二方面，本发明实施例提供了一种保护方法，用于保护雪崩二极管apd，所述方法包括：根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路，所述至少两个并联的支路的第一端与镜像电路连接，所述镜像电路与所述apd连接，所述导通开关连接在所述电源模块和所述至少两个并联的支路的第二端之间，所述至少两个并联的支路中，不同的支路的阻值不同。
22.本方面所示的有益效果的说明，请详见上述第一方面所示，具体在本方面中不做赘述。
23.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路包括：若确定所述apd的电压值大于或等于预设值，则控制所述导通开关导通所述电源模块和第三支路；或，若确定所述apd的电压值小于所述预设值，则控制所述导通开关导通所述电源模块和第二支路；其中，所述镜像电路包括相互连接的第一三极管和第二三极管，所述至少两个并联的支路的第一端与所述第二三极管的发射极连接，所述第一三极管的发射极与所述电源模块连接，所述第三支路的阻值和第一支路的阻值之间的比值为第一比值，所述第二支路的阻值和所述第一支路的阻值之间的比值为第二比值，所述第一比值大于所述第二比值，所述第一支路连接在所述第一三极管的发射极和所述电源模块之间。
24.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路包括：若确定所述apd的电压值大于或等于预设值，则控制所述导通开关导通所述电源模块和第五支路；或，若确定所述apd的电压值小于所述预设值，则控制所述导通开关导通所述电源模块和第六支路；其中，所述镜
像电路包括相互连接的第一三极管和第二三极管，所述至少两个并联的支路的第一端与所述第一三极管的发射极连接，所述第二三极管的发射极与所述电源模块连接，所述第五支路的阻值和第四支路的阻值之间的比值为第三比值，所述第六支路的阻值和所述第四支路的阻值之间的比值为第四比值，所述第三比值大于所述第四比值，所述第四支路连接在所述第二三极管的发射极和所述电源模块之间。
25.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路之前，所述方法还包括：确定所述apd的电压值；确定所述apd的电压值是否大于或等于所述预设值。
26.基于第二方面，一种可选地实现方式中，确定所述apd的电压值包括：检测第一三极管的集电极输出的检测电流的大小，所述镜像电路包括相互连接的所述第一三极管和第二三极管；根据所述检测电流的大小确定所述apd的电压值。
27.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述方法还包括：在第一时间段内，控制所述电源模块输出第一功率，所述第一时间段的起始时刻为所述电源模块开始为所述apd供电的时刻；在第二时间段内，控制所述电源模块输出第二功率，所述第二时间段的起始时刻为所述第一时间段的结束时刻，所述第一功率的功率值小于所述第二功率的功率值。
28.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路之前，所述方法还包括：在起始时刻，控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第三支路，所述起始时刻为所述电源模块开始为所述apd供电的时刻。
29.基于第二方面，一种可选地实现方式中，所述根据所述apd的电压值，控制导通开关导通电源模块和至少两个并联的支路中的一个支路之前，所述方法还包括：在起始时刻，控制所述导通开关导通所述电源模块和所述第五支路，所述起始时刻为所述电源模块开始为所述apd供电的时刻。
30.第三方面，本发明实施例提供了一种光网络设备，所述光网络设备包括上述第一方面任一项所示的保护电路，所述光网络设备还包括雪崩二极管apd，所述apd的阴极与所述第二三极管的集电极的第二输出端连接，所述apd的阳极与处理模块连接；所述apd用于接收光信号，并用于进行光电转换以获取电信号，所述处理模块获取所述电信号，并用于对所述电信号进行信号处理。
31.第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，当计算机指令在计算机上运行时，使得计算机执行第二方面所示的方法。
32.第五方面，本发明实施例提供了一种芯片，包括处理器，处理器用于读取并执行存储器中存储的计算机程序，以执行第二方面所示的方法。
33.可选地，所述芯片还包括存储器，存储器与处理器通过电路或电线与存储器连接。
34.第六方面，本发明实施例提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得计算机执行第二方面所示的方法。
35.第七方面，本发明实施例提供了一种通信系统，包括光线路终端和与所述光线路终端连接的光网络单元，所述光线路终端包括如上述第一方面所示的保护电路，以用于执
行第二方面所示的方法，和/或，所述光网络单元包括如上述第一方面所示的保护电路，以用于执行第二方面所示的方法。
附图说明
36.图1为现有技术所提供的保护电路的结构示例图；
37.图2为本技术所提供的系统的结构示例图；
38.图3为本技术所提供的保护电路的第一种结构示例图；
39.图4为本技术所提供的保护方法的第一种实施例步骤流程图；
40.图5为本技术所提供的保护电路的第二种结构示例图；
41.图6为本技术所提供的保护电路的第三种结构示例图；
42.图7为本技术所提供的保护电路的第四种结构示例图；
43.图8为本技术所提供的保护电路的第五种结构示例图；
44.图9为本技术所提供的保护电路的第六种结构示例图；
45.图10为本技术所提供的保护方法的第二种实施例步骤流程图；
46.图11为本技术所提供的保护电路的第七种结构示例图；
47.图12为本技术所提供的apd上的电压的电压值的变化示例图；
48.图13为本技术所提供的光网络设备的结构示例图。
具体实施方式
49.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
50.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
51.本技术提供了一种保护电路，该保护电路用于为不同类型的apd提供过载保护，避免不同类型的apd因偏置电压过大而损坏的情况。为更好的理解本技术所提供的保护电路，以下首先结合图2所示对本技术所提供的保护电路所应用的系统的结构进行说明，本实施例以本技术所提供的保护电路所应用的系统为无源光网络(passive optical network，pon)为例进行示例性说明，其中，图2为本技术所提供的pon的一种实施例结构示例图。
52.图2中，光线路终端(optical line terminal，olt)201用于为光接入网(optical access network，oan)提供网络侧接口。olt201连接上层的网络侧设备(如交换机、路由器等)，下层连接一个或者多个光分配网络(optical distribution network，odn)202。
53.odn202包括用于光功率分配的无源光分光器、连接在无源光分光器和olt201之间的主干光纤，以及连接在无源光分光器和光网络单元(optical network unit，onu)203之间的分支光纤。
54.在olt201需要向onu203传输下行光信号时，odn202将来自olt201的下行光信号通
过无源分光器传输到各个onu。同样的，在onu203需要向olt201传输上行光信号时，odn将来自onu203的上行光信号汇聚后传输到olt201。
55.onu203为oan提供用户侧接口，同时与odn202相连。如果onu203用于光纤到户场景(fiber to the home，ftth)场景，且包含用户端口功能的onu叫做光网络终端(optical network termination，ont)。本技术将onu或ont统一称为光网络单元onu。
56.本技术所示的保护电路可设置于olt201内，用于在olt201接收到来自onu203的上行光信号时，避免apd进行光电转换的过程中过载。本技术所示的保护电路还可设置于onu203内，用于在onu203接收到来自olt201的下行光信号时，避免apd进行光电转换的过程中过载。以下结合各个实施例对本技术所提供的保护电路的结构进行说明。
57.实施例一
58.本实施例结合图3所示对保护电路的结构进行说明：
59.本实施例所示的保护电路包括电源模块301，该电源模块301的输入端与光网络设备的设备电源连接，电源模块301接收来自光网络设备的设备电源的电压，并将该电压转换为apd工作所需要的偏置电压。apd为实现正常的光电转换，则需要较高的偏置电压，该电源模块301可将来自设备电源的电压进行升压，以达到apd工作所需的偏置电压。
60.本实施例所示的保护电路还包括连接在电源模块301的输出端和apd302之间的第一电阻303，为便于说明，以下以第一电阻303的阻值为r1为例进行示例性说明。该第一电阻303在保护电路中起到限流降压的作用，以防止apd302过载。
61.具体地，在电源模块301为apd302供电的情况下，流经第一电阻303的电流为i1，则该第一电阻303的压降为i1*r1，可见，电流i1的电流值越大，则该第一电阻303的压降越大。
62.可见，电源模块301所输出的电压在经过第一电阻303分压后降低，使得传输至apd302的偏置电压减小，由此以避免apd302因接收到过大的偏置电压而过载，从而出现损坏的情况。
63.本实施例所示的保护电路还包括连接在第一电阻303和apd302之间的镜像电路，该镜像电路具体包括第一三极管304和第二三极管305，本实施例所示的第一三极管304和第二三极管305均为pnp型三极管，该第一三极管304的基极和第二三极管305的基极连接。
64.该镜像电路与第一电阻303的连接方式可为：该第一电阻303的第一端与所述电源模块301连接，该第一电阻303的第二端与第一三极管304的发射极之间连接第一支路。本实施例所示的第一支路包括一个或多个电阻，若该第一支路包括有多个电阻，则本实施例对该第一支路所包括的多个电阻的具体连接方式不做限定，例如，第一支路所包括的多个电阻以串联方式、或并联的方式，或串并联的方式连接。
65.为更好的理解，本实施例以第一支路包括一个第二电阻306为例进行示例性说明，为便于说明，以下以第二电阻306的阻值为r2为例进行示例性说明。第二电阻306的第一端与所述第一电阻303的第二端连接，第二电阻306的第二端与所述第一三极管304的发射极连接，电源模块301依次经由第一电阻303以及第二电阻306，与所述第一三极管304的发射极连接。
66.该镜像电路与apd302的连接方式可为：所述第二三极管305的集电极具有并联的第一输出端307以及第二输出端308，该第一输出端307与所述第一三极管304的基极连接，该第二输出端308与所述apd302的阴极连接。
67.该保护电路还包括支路切换模块，所述支路切换模块包括并联模块313和导通开关309，其中，该并联模块313包括两个或两个以上并联的支路。本实施例对并联模块313所包括的并联的支路的数量不做限定，只要所述并联模块313包括两个或两个以上并联的支路，且不同的支路的阻值不同即可。
68.本实施例以并联模块313包括两个并联的支路，即第二支路和第三支路为例进行示例性说明。该第二支路可包括一个或多个电阻，该第三支路也可包括一个或多个电阻，对第二支路所包括的电阻的说明以及第三支路所包括的电阻的说明，请参见第一支路所包括的电阻的说明，具体不做赘述。
69.为更好的理解，本实施例以第二支路包括一个第三电阻310以及第三支路包括第四电阻311为例进行示例性说明，为便于说明，以下以第三电阻310的阻值r3，第四电阻311的阻值为r4为例进行示例性说明。
70.以下对支路切换模块在保护电路中的连接方式进行说明：
71.支路切换模块所包括的并联模块313的第一端与第二三极管305的发射极连接，具体地，第三电阻310和第四电阻311并联，第三电阻310的第一端和第四电阻311的第一端，均与第二三极管305的发射极连接。支路切换模块所包括的并联模块313的第二端与导通开关309连接，该导通开关309还与电源模块301以及处理模块312连接。
72.并联模块313的第二端与导通开关309连接的方式可为，处理模块312控制导通开关309与第三电阻310的第二端导通，以实现并联模块313的第二端与导通开关309的连接。或者，并联模块313的第二端与导通开关309连接的方式还可为，处理模块312控制导通开关309与第四电阻311的第二端导通，以实现并联模块313的第二端与导通开关309的连接。
73.本实施例对导通开关309的具体开关类型不做限定，只要该导通开关309能够在处理模块所发送的触发信号控制下，导通电源模块301与所述并联模块313所包括的一个支路即可，本实施例所示的该导通开关可为，mos开关电路，多个单刀单掷开关，一个单刀双掷开关，或单刀多掷开关等，只要该导通开关309能够在来自处理模块的触发信号的控制下，实现电源模块301与并联模块313所包括的任一支路的通断。
74.本实施例中，通过第一支路、第二支路以及第三支路的阻值，能够调节经由第二三极管305的集电极传输至apd302的电压的大小，从而实现对apd302的过载保护，以下结合图4所示进行具体说明，其中，图4为本技术所提供的保护方法的第一种实施例的步骤流程图。
75.步骤401、在供电起始时刻，导通开关导通电源模块和第三支路。
76.若在供电起始时刻，导通开关309已导通电源模块301和第三支路，则导通开关维持导通电源模块和第三支路的状态不变。
77.若在供电起始时刻，导通开关309导通的是电源模块301和所述第二支路，或者导通开关309未导通电源模块301和并联模块313所包括的任一支路，则处理模块向导通开关发送触发信号以指示导通开关导通电源模块和第三支路。
78.具体地，所述处理模块312控制导通开关309与第四电阻311的第二端导通，以实现电源模块301与第三支路的导通，从而在供电起始时刻实现对apd302的过载保护。其中，该供电起始时刻是指，所述电源模块301开始为所述apd302供电的时刻。
79.以下对导通开关309导通所述电源模块301和所述第三支路能够在供电起始时刻，有效地避免apd302过载的原因进行说明：
80.本实施例所示的所述第三支路的阻值和所述第一支路的阻值之间的比值为第一比值k1，如图3所示的示例可知，第一比值k1＝第三支路的阻值/第一支路的阻值＝r3/r2。所述第二支路的阻值和所述第一支路的阻值之间的比值为第二比值k2，如图3所示的示例可知，第二比值k2＝第二支路的阻值/第一支路的阻值＝r4/r2。
81.本实施例所示以所述第一比值大于所述第二比值为例进行示例性说明；
82.具体地，电源模块301输出第一电流i1，第一三极管304的集电极输出检测电流i3，第二三极管305的集电极输出第二电流i2，该第二三极管305的集电极所输出的第二电流i2能够为apd302供电，以保证apd302进行正常的光电转换。
83.由镜像电路的原理可知，在导通开关309导通所述电源模块301和所述第三支路的情况下，i3/i2＝第一比值k1。在导通开关309导通所述电源模块301和第二支路的情况下，i3/i2＝第二比值k2。
84.在apd302进行光电转换所产生的第二电流i2一定的情况下，i3/i2之间的比值越大，则第一三极管304的集电极的检测电流i3就会越大，因i1＝i2 i3，可见，检测电流i3越大，则导致i1越大，由上述说明可知，第一电阻303的分压作用所产生的相应的压降为i1*r1，可见，i1越大，则第一电阻303的压降越大，从而降低了传输至apd302上的偏置电压，实现了对apd302的过载保护。本实施例对第一比值k1和第二比值k2的具体取值不做限定，只要第一比值k1大于第二比值k2即可。
85.本实施例可根据apd302进行光电转换所需要的偏置电压的大小确定第一比值k1以及第二比值k2的取值。例如，第一比值k1位于预设范围内，在第一比值k1的取值为预设范围的最大值时，传输至apd302的偏置电压能够满足apd302正常的光电转换。在第一比值k1的取值为预设范围的最小值时，apd302不会出现过载。例如，该预设范围可为大于1且小于或等于5。对第二比值k2的取值的说明，请参见第一比值k1的说明，具体不做赘述，例如，该第二比值k2取值为1。
86.本实施例中，在供电起始时刻，为避免在供电起始时刻apd302所接收到的光信号的光功率过大，从而导致apd302的偏置电压过大，出现损坏apd302的情况，则本实施例在供电起始时刻，所述导通开关309导通所述电源模块301和所述第三支路，因第一比值k1的取值比较大，第一电阻303的分压就会比较大，从而降低了传输至apd302上的偏置电压的大小，避免了在供电起始时刻apd302出现过载的情况。
87.本实施例所示的步骤401为可选执行的步骤，在其他示例中，在供电起始时刻，只要保证导通开关与并联模块所包括的一个支路导通，以保证电源模块能够向apd302供电即可。
88.步骤402、处理模块确定apd的电压值是否大于或等于预设值，若是，则执行步骤403，若否，则执行步骤404。
89.首先对本实施例所示的步骤402的执行时序的可选情况进行说明：
90.情况1
91.本实施例所示的步骤402可为执行步骤401之后执行。可见，在供电起始时刻，导通开关导通电源模块和第三支路之后，即可执行步骤402以确定apd302的电压值是否大于或等于预设值。
92.情况2
93.本实施例所示的步骤402可在供电起始时刻执行，以在供电起始时刻确定apd302的电压值是否大于或等于预设值。
94.情况3
95.本实施例所示的步骤402可在电源模块301为apd302进行供电的过程中的任一时刻执行，以避免apd302所接收到的光信号的光功率的大小发生突发的变化，导致apd过载。
96.例如，处理模块可预先设置检测周期，处理模块可每隔一个检测周期执行本实施例所示的步骤402，本实施例对该检测周期的持续时间的长度不做限定。又如，该处理模块可在电源模块301为apd302供电的过程中，随机执行本实施例所示的步骤402。
97.以下对处理模块确定apd302的电压值是否大于或等于预设值的几种可选地方案进行示例性说明：
98.方案1
99.本方案所示的结构可参见图5所示，处理模块包括处理器502和检测器501，处理器502分别与所述电源模块301、导通开关309以及所述检测器501连接，所述检测器501连接在所述处理器502和所述apd302的阴极之间，具体地，所述检测器501连接在所述apd阴极和所述第二三极管305的集电极的第二输出端308之间。
100.该检测器501用于检测所述apd302的电压值，本实施例对该检测器501的具体类型不做限定，例如，该检测器501可为模数转换器(analog to digital converter，adc)，所述检测器501能够将检测到的apd302的电压值传输给处理器502。
101.处理器502预先存储该预设值，处理器502判断来自检测器501的apd302的电压值是否大于或等于该预设值。本实施例对处理器502的设备类型不做限定，例如，该处理器502可以是一个或多个现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)、专用集成芯片(application specific integrated circuit，asic)、系统芯片(system on chip，soc)、中央处理器(central processor unit，cpu)、网络处理器(network processor，np)、数字信号处理电路(digital signal processor，dsp)、微控制器(micro controller unit，mcu)，可编程控制器(programmable logic device，pld)或其它集成芯片，具体在本实施例中不做限定。
102.方案2
103.在方案1中，处理模块所包括的处理器和检测器为两个独立的器件为例进行说明，本方式所示的处理器和检测器可为同一器件，例如，处理器可为asic，该asic能够实现方案1中的检测器的功能。
104.方案3
105.如图6所示，本方案所示的处理模块也包括处理器503和比较器601，对处理器503的说明，请参见上述方案1所示，具体不做赘述。
106.本方案所示的该比较器601的输入端与所述apd302的阴极连接，该比较器601的输出端与所述处理器503连接，该比较器601还连接基准电压源602，该基准电压源602用于向所述比较器601传输基准电压，该基准电压的电压值为该预设值。
107.该比较器601若确定apd302的电压值大于或等于该预设值，则向处理器503发送第一指示信息，所述处理器503根据所述第一指示信息确定apd302的电压值大于或等于预设值。该比较器601若确定apd302的电压值小于该预设值，则向处理器503发送第二指示信息，
该处理器503根据所述第二指示信息确定apd302的电压值小于预设值。
108.方案4
109.如图7所示，本方案所示的处理模块包括检测器701和处理器702，对检测器701和处理器702的说明，请参见方案1或方案2所示，具体不做赘述。
110.本方案所示的检测器701分别与所述处理器702和所述第一三极管304的集电极连接，该检测器701用于检测所述第一三极管304的集电极输出的检测电流i3的大小，并将该检测电流i3的电流值发送给处理器702。
111.处理器702根据检测电流i3的大小，确定所述apd302的电压值，具体过程可为如下所示：
112.首先，由步骤401所示可知，导通开关309处于导通所述电源模块301和第四电阻311的状态，则i3/i2＝第一比值k1，在处理器702已获取到检测电流i3的情况下，即可确定i2，其中i2＝i3/第一比值k1。还能够确定i1，其中i1＝i2 i3。
113.其次，处理器702确定u
apd
＝u1-u2-u3，其中，u
apd
为apd302的电压值，u1为电源模块301输出的电压，u2为第一电阻303的电压＝i1*r1，若导通开关已导通电源模块301和第三电阻310，则u3＝i3*r3，若导通开关已导通电源模块301和第四电阻311，则u3＝i3*r4，或者u3＝i3*r2。
114.再次，处理器702预先存储该预设值，处理器702即可判断apd302的电压值u
apd
是否大于或等于该预设值。
115.步骤403、处理模块控制导通开关导通电源模块和第三支路。
116.本实施例中，在处理模块确定apd302的电压值大于或等于预设值，则说明当前apd302所接收到的光信号为大光信号，其中，大光信号是指光信号的光功率大于阈值。apd302接收到该大光信号以进行光电转换容易出现过载，本实施例控制导通开关309导通电源模块301和该第三支路，从而降低了传输至apd302的偏置电压的大小，有效地避免了apd302出现过载。
117.若在处理模块确定apd302的电压值大于或等于预设值的情况下，该电源模块与第三支路处于导通的状态，则处理模块无需切换当前导通开关的通断状态，保持电源模块和第三支路的导通状态即可。
118.步骤404、处理模块控制导通开关导通电源模块和第二支路。
119.在处理模块确定apd302的电压值小于预设值，则说明当前apd302所接收到的光信号为小光信号，其中，小光信号是指光信号的光功率小于或等于阈值。apd302接收到该小光信号以进行光电转换不容易出现过载，在apd302不过载的情况下，处理模块可控制导通开关309导通电源模块301和第二支路，能够尽量提高传输至apd302上的电压值，以提高apd302进行光电转换的效率。
120.若在处理模块确定apd302的电压值小于预设值的情况下，该电源模块与第二支路处于导通的状态，则处理模块无需切换当前导通开关的通断状态，保持电源模块和第二支路的导通状态即可。
121.步骤405、在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第三支路。
122.本实施例所示的供电结束时刻是指，发送至apd302的光信号已断开，例如，若本实施例所示的保护电路设置在onu中，则该供电结束时刻是指olt已不再向onu发送下行光信
号的时刻。又如，若该保护电路设置在olt中，则该供电结束时刻是指onu已不再向olt发送上行光信号的时刻。
123.若在供电结束时刻之前，处理模块所执行的步骤为步骤403，则在供电结束时刻，导通开关维持电源模块和第三支路的导通状态不变。若在供电结束时刻之前，处理模块所执行的步骤为步骤404，则在供电结束时刻，处理模块控制导通开关导通电源模块和第三支路。
124.在供电结束时刻，导通开关309导通电源模块301和第三支路，能够有效地保证在apd302再次接收到光信号的情况下，有效地实现对apd302的过载保护，具体说明请参见步骤401所示，具体不做赘述。
125.在其他示例中，在供电结束时刻，处理模块可返回执行步骤402，若处理模块经由步骤402确定apd的电压值大于或等于预设值，则在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第三支路，以便于apd在下一次接收到光信号时，电源模块经由第三支路为apd供电。
126.若处理模块经由步骤402确定apd的电压值小于预设值，则在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第二支路，以便于apd在下一次接收到光信号时，电源模块经由第二支路为apd供电。
127.由本实施例所示可知，处理模块能够根据apd的偏置电压的大小，控制导通开关导通电源模块与并联模块中的一个支路，即在apd302的电压值大于或等于预设值时，导通开关所导通的支路能够降低传输至apd302上的偏置电压，以避免apd302出现过载的情况。在apd302的电压值小于预设值时，导通开关所导通的支路能够提高传输至apd302上的偏置电压的大小，从而有效地保证了apd302能够正常的进行光电转换。
128.可见，即便对于不同类型的apd，可根据apd对偏置电压的需求的不同，导通开关导通电源模块与并联模块中具有不同阻值的支路，以保障在该apd接收到的光信号的光功率过大时，不会出现过载的情况，还能够保证apd能够正常的进行光电转换。
129.实施例二
130.基于实施例一，本实施例所提供的保护电路能够更好的为apd提高过载保护，在apd接收到同样光功率大小的光信号的情况下，实施例二所示的保护电路能够进一步的降低apd过载的可能性。
131.如图8所示，本实施例所示的保护电路包括电源模块801、第一电阻802、镜像电路803、支路切换模块804以及处理模块805，具体说明请参见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
132.本实施例所示的保护电路还包括第五电阻807和场效应管mos806，为便于说明，以下以第五电阻807的阻值为r5为例进行示例性说明。
133.镜像电路803所包括的第二三极管808的集电极具有并联的第一输出端、第二输出端以及第三输出端，该第一输出端和第二输出端的说明，请详见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
134.该第二三极管808的集电极的第三输出端分别与所述mos806的源极和第五电阻807的第一端连接，所述mos806的漏极接地，所述mos806的栅极以及所述第五电阻807的第二端分别与apd809的阴极连接，对apd809的具体说明，请详见实施例一所示，具体不做赘述。
135.以下对本实施例所示的mos806的作用进行说明：
136.本实施例以mos806具体为n型金属-氧化物-半导体(n-metal-oxide-semiconductor，nmos)晶体管为例进行说明，在其他示例中，该mos806也可为p型金属-氧化物-半导体(positive channel metal oxide semiconductor，nmos)晶体管。
137.本实施例中，若第五电阻807的压降大于或等于导通阈值，则该mos806导通，其中，第五电阻807的压降为i2*r5，该i2为第二三极管808的集电极输出的电流。电源模块801在mos806导通的情况下，所输出的第一电流i1变大，第一电阻802的压降＝i1*r1，可见，在i1变大的情况下，第一电阻802的压降变大，第一电阻802的分压变大，以导致传输至apd809上的偏置电压减小，由此可以避免apd809出现过载而损坏。若第五电阻807的压降小于导通阈值，则该mos806截止，从而在apd809不会出现过载的情况下，提高传输至apd809上的偏置电压，以提高apd809进行光电转换的效率。
138.可见，本实施例所示，能够通过导通的mos进一步的降低传输至apd上的偏置电压，避免apd因出现过载而损坏的情况。
139.实施例三
140.本实施例结合图9所示对保护电路的另一种结构进行说明：
141.本实施例所示的保护电路包括电源模块901、镜像电路903、处理模块904以及第一电阻905，具体说明请详见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
142.该第一电阻905的第一端与电源模块901连接，该第一电阻905的第二端与镜像电路903所包括的第二三极管906的发射极之间连接第四支路。
143.本实施例所示的第四支路包括一个或多个电阻，对第四支路包括一个或多个电阻的方式的说明，请参见实施例一所示的第一支路包括一个或多个电阻的说明，具体在本实施例中不做限定。
144.为更好地理解，本实施例以第四支路包括一个第六电阻908为例进行示例性说明，为便于说明，以下以第六电阻908的阻值为r6为例进行示例性说明。可见，第六电阻908的第一端与所述第一电阻905的第二端连接，第六电阻908的第二端与所述第二三极管906的发射极连接。电源模块901以及经由第一电阻905以及第六电阻908与所述第二三极管906的发射极连接。
145.本实施例所示的第二三极管906与apd909的连接方式的说明，请参见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
146.该保护电路还包括支路切换模块，所述支路切换模块包括并联模块910和导通开关911。其中，并联模块910包括两个或两个以上的并联的支路。本实施例对并联模块910所包括的并联的支路的数量不做限定，只要所述并联模块910包括两个或两个以上的并联的支路，且不同的支路的阻值不同即可。
147.本实施例以并联模块910包括两个并联的支路，即第五支路和第六支路为例进行示例性说明。该第五支路可包括一个或多个电阻，该第六支路也可包括一个或多个电阻，对第五支路以及第六支路所包括的电阻的说明，请参见第一支路所包括的电阻的说明，具体不做赘述。
148.为更好的理解，本实施例以第五支路包括一个第七电阻912以及第六支路包括第八电阻913为例进行示例性说明，为便于说明，以下以第七电阻912的阻值为r7，第八电阻
913的阻值为r8为例进行示例性说明。
149.以下对支路切换模块在保护电路中的连接方式进行说明：
150.支路切换模块所包括的并联模块910的第一端与第一三极管907的发射极连接，具体地，第七电阻912和第八电阻913并联，第七电阻912的第一端和第八电阻913的第一端，均与第一三极管907的发射极连接。
151.支路切换模块所包括的并联模块910的第二端与导通开关911连接，该导通开关911还与电源模块901以及处理模块904连接。
152.并联模块910的第二端与导通开关911连接的方式可为，处理模块904控制导通开关911与第七电阻912的第二端导通，以实现并联模块910的第二端与导通开关911的连接。或者，并联模块910的第二端与导通开关911连接的方式还可为，处理模块904控制导通开关911与第八电阻913的第二端导通，以实现并联模块910的第二端与导通开关911的连接。
153.本实施例所示的导通开关911的具体开关类型的说明，请参见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
154.本实施例中，通过第四支路、第五支路以及第六支路的阻值，能够调节经由第一三极管907的集电极传输至apd909的偏置电压的大小，从而实现对apd909的过载保护，以下结合图10所示进行具体说明，其中，图10为本技术所提供的保护方法的第二种实施例的步骤流程图。
155.步骤1001、在供电起始时刻，导通开关导通电源模块和第五支路。
156.若在供电起始时刻，导通开关911已导通电源模块901和第五支路，则导通开关维持导通电源模块和第五支路的状态不变。
157.若在供电起始时刻，导通开关911导通的是电源模块901和所述第六支路，或者导通开关911未导通电源模块901和并联模块910所包括的任一支路，则处理模块向导通开关发送触发信号以指示导通开关导通电源模块和第五支路。
158.具体地，所述处理模块904控制导通开关911与第七电阻912的第二端导通，以实现电源模块901与第五支路的导通，从而在供电起始时刻实现对apd909的过载保护。其中，该供电起始时刻是指，所述电源模块901开始为所述apd909供电的时刻。
159.以下对导通开关911导通所述电源模块901和所述第五支路能够在供电起始时刻，有效地避免apd909过载的原因进行说明：
160.本实施例所示的所述第五支路的阻值和所述第四支路的阻值之间的比值为第三比值k3，如图9所示的示例可知，第三比值k3＝第五支路的阻值/第四支路的阻值＝r7/r6。
161.所述第六支路的阻值和所述第四支路的阻值之间的比值为第四比值k4，如图9所示的示例可知，该第四比值k4＝第六支路的阻值/第四支路的阻值＝r8/r6。
162.本实施例所示以所述第三比值k3大于所述第四比值k4为例进行示例性说明。
163.具体地，电源模块901输出第一电流i1，第一三极管907的集电极输出检测电流i3，第二三极管906的集电极输出第二电流i2，该第二三极管906的集电极所输出的第二电流i2能够为apd909供电，以保证apd909进行正常的光电转换。
164.由镜像电路的原理可知，在导通开关911导通所述电源模块901和所述第五支路的情况下，i3/i2＝第三比值k3。在导通开关911导通所述电源模块901和第六支路的情况下，i3/i2＝第四比值k4。
165.在apd909进行光电转换所产生的第二电流i2一定的情况下，i3/i2之间的比值越大，则在第一三极管907的集电极消耗的检测电流i3就会越大，因i1＝i2 i3，可见，检测电流i3越大，则导致i1越大，由上述说明可知，第一电阻905的分压作用所产生的相应的压降为i1*r1，可见，i1越大，则第一电阻905压降越大，从而降低了传输至apd909上的偏置电压，实现了对apd909的过载保护。本实施例对第三比值k3和第四比值k4的具体取值不做限定，只要第三比值k3大于第四比值k4即可。
166.本实施例可根据apd909进行光电转换所需要的偏置电压的取值确定第三比值k3以及第四比值k4的取值，具体取值的说明，可参见实施例一所示的对第一比值k1以及第二比值k2的取值的说明，具体在本实施例中不做赘述。
167.本实施例中，在供电起始时刻，为避免在供电起始时刻apd909所接收到的光信号的光功率过大，从而导致apd909的偏置电压过大，出现损坏apd909的情况，则本实施例在供电起始时刻，所述导通开关911导通所述电源模块901和所述第五支路，因第三比值k3的取值比较大，第一电阻905的分压就会越大，从而降低了传输至apd909上的偏置电压的大小，避免了在供电起始时刻apd909过载的情况。
168.本实施例所示的步骤1001为可选执行的步骤，在其他示例中，在供电起始时刻，只要保证导通开关与并联模块所包括的一个支路导通，以保证电源模块能够向apd909供电即可。
169.步骤1002、处理模块确定apd的电压值是否大于或等于预设值，若是，则执行步骤1003，若否，则执行步骤1004。
170.首先对本实施例所示的步骤1002的执行时序的可选情况进行说明：
171.情况1
172.本实施例所示的步骤1002可为执行步骤1001之后执行。可见，在供电起始时刻，处理模块控制导通开关导通电源模块和第五支路之后，即可执行步骤1002以确定apd的电压值是否大于或等于预设值。
173.情况2
174.本实施例所示的步骤1002可在供电起始时刻执行，以在供电起始时刻确定apd的电压值是否大于或等于预设值。
175.情况3
176.本实施例所示的步骤1002可为电源模块901为apd进行供电的过程中的任一时刻执行，以避免apd所接收到的光信号的光功率的大小发生突发的变化，导致apd过载，具体说明请参见实施例一所示，具体不做赘述。
177.本实施例所示的处理模块确定apd909的电压值是否大于或等于预设值的具体方式的说明，请参见实施例一所示，具体在本实施例中不做赘述。
178.步骤1003、处理模块控制导通开关导通电源模块和第五支路。
179.本实施例所示的步骤1003所示的执行过程，请参见实施例一的步骤403所示的导通开关导通电源模块和第三支路的过程的说明，具体在本实施例中不做赘述。
180.步骤1004、处理模块控制导通开关导通电源模块和第六支路。
181.本实施例所示的步骤1004所示的执行过程，请参见实施例一所示的步骤404所示的导通开关导通电源模块和第二支路的过程的说明，具体在本实施例中不做赘述。
182.步骤1005、在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第五支路。
183.对供电结束时刻的说明，请详见实施例一的步骤405所示，具体在本实施例中不做赘述。
184.若在供电结束时刻之前，处理模块所执行的步骤为步骤1003，则在供电结束时刻，导通开关维持电源模块和第五支路的导通状态不变。若在供电结束时刻之前，处理模块所执行的步骤为步骤1004，则在供电结束时刻，处理模块控制导通开关导通电源模块和第五支路。
185.在其他示例中，在供电结束时刻，处理模块可返回执行步骤1002，若处理模块经由步骤1002确定apd的电压值大于或等于预设值，则在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第五支路，以便于apd在下一次接收到光信号时，电源模块经由第五支路为apd供电。
186.若处理模块经由步骤1002确定apd的电压值小于预设值，则在供电结束时刻，导通开关导通电源模块和第六支路，以便于apd在下一次接收到光信号时，电源模块经由第六支路为apd供电。
187.可选地，本实施例所示的保护电路的结构还可参见图11所示，如图11所示，本实施例所示的保护电路包括电源模块1101、第一电阻1102、镜像电路1103、支路切换模块1104以及处理模块1105，具体说明请参见实施例三所示，具体在本实施例中不做赘述。
188.本实施例所示的保护电路还包括第五电阻1107和场效应管mos1106，为便于说明，以下以第五电阻1107的阻值为r5为例进行示例性说明，本实施例所示的第五电阻1107和场效应管mos1106的具体说明，请参见实施例二所示，具体在本实施例中不做赘述。
189.可见，本实施例所示，能够通过导通的mos1106进一步的降低传输至apd上的偏置电压，避免apd接收到光功率过大的光信号出现损坏的情况，从而对apd提供更为安全的过载保护。
190.由本实施例所示可知，处理模块能够根据apd的偏置电压的大小，控制导通开关导通电源模块与并联模块中的一个支路导通，即在apd的电压值大于或等于预设值时，导通开关所导通的支路能够降低传输至apd上的偏置电压，以避免apd出现过载的情况。在apd的电压值小于预设值时，导通开关所导通的支路能够提高传输至apd上的偏置电压的大小，从而有效地保证了apd能够正常的进行光电转换。
191.可见，即便对于不同类型的apd，可根据apd对工作偏置电压的需求的不同，导通开关导通电源模块与并联模块中具有不同阻值的支路，以保障在该apd接收到的光信号的光功率过大时，不会出现过载的情况，还能够保证apd能够正常的进行光电转换。
192.实施例四
193.基于实施例一至实施例三中的任一实施例，以下结合图12所示对上述实施例能够避免apd过载进行具体说明：
194.图12所示的坐标系中，横坐标表示时刻，单位可为秒，纵坐标表示apd的电压值，单位可为伏特。图12中的曲线1201为有已有方案所示的apd的偏置电压的电压值，随着电源模块为apd供电的时间的推移的变化，曲线1202为本技术所示的apd的偏置电压的电压值，随着电源模块为apd供电的时间的推移的变化。其中，t0时刻为上述实施例所示的供电起始时刻，具体说明请详见实施例一中对供电起始时刻的说明，具体不做赘述。
195.图12所示的电压值vm，为apd的阈值电压。其中，该阈值电压是指，若电源模块传输
至apd的偏置电压的电压值大于或等于该阈值电压，则该apd出现过载。若电源模块传输至apd的偏置电压的电压值小于该阈值电压，则该apd处于安全的状态，不会出现过载。
196.采用已有方案所示，若电源模块刚开始为apd进行供电，且apd所接收到的光信号的光功率过大，则导致电源模块向apd所传输的电压值超过了阈值电压vm，导致apd过载。继续如图12的曲线1201所示，电源模块在为apd供电的t0至t1之间，电源模块向apd所传输的阈值电压的电压值已超过该apd的阈值电压，从而导致apd因过载而损坏。
197.采用本技术所示，若apd所接收到的光信号的光功率过大，处理模块能够通过控制导通开关导通电源模块和上述任一实施例所示的并联模块所包括的一个支路，从而降低传输至apd的电压值，具体说明请详见实施例一至实施例三所示的支路切换模块的调节方式的说明，具体不做赘述。继续如图12的曲线1202所示，电源模块在为apd供电的t0至t1之间，采用了实施例一至实施例三任一实施例所示的调节过程，导致电源模块传输至apd的偏置电压的电压值降低，从而保证了apd的电压不会超过该阈值电压。
198.本实施例所示的处理模块能够进一步的降低apd过载的可能，有效地提高apd的安全。本实施例所示，在第一时间段内，所述处理模块控制所述电源模块输出第一功率，在第二时间段内，所述处理模控制所述电源模块输出第二功率，所述第二时间段的起始时刻为所述第一时间段的结束时刻，所述第一功率的功率值小于所述第二功率的功率值。
199.继续参见图12所示，曲线1201所示为已有方案所示的，电源模块输出的功率固定，则容易在t0至t1时刻出现apd过载的情况。而曲线1202所示为本实施例所示的方案，处理模块在刚开始为apd供电的时间段(即第一时间段)内，控制电源模块输出具有较低功率值(即第一功率值)的电压，从而保证在第一时间段内，有效地避免了apd出现过载的情况。在第二时间段内，控制电源模块输出具有较高功率值(即第二功率值)的电压，从而保证了在第二时间段内，有效地提高了apd进行光电转换的效率。
200.实施例五
201.本实施例提供了一种光网络设备，该光网络设备包括上述实施例一至实施例四任一实施例所示的保护电路，本实施例所示的光网络设备可为olt或onu，具体在本实施例中不做限定，以下结合图13所示对本实施例所示的光网络设备的结构进行说明：
202.本实施例所示以光网络设备所包括的保护电路的结构为图3所示为例进行说明，该保护电路与apd302的阴极302连接，具体地，所述apd302的阴极与所述第二三极管305的集电极的第二输出端连接。
203.该apd302的阳极与放大器1301连接，本实施例对该放大器1301的类型不做限定，只要该放大器1301能够对来自apd302的电信号的功率进行放大即可，例如，该放大器1301可为跨阻放大器(trans-impedance amplifier，tia)。
204.本实施例所示的保护电路还与信号强度测量模块1302连接，具体地，保护电路所包括的第一三极管304的集电极与信号强度测量模块1302连接，所述信号强度测量模块1302用于根据来自第一三极管304的集电极的电流测量信号强度指示(received signal strength indication，rssi)，通过该rssi实现对用于传输光信号的线路的监控。
205.所述apd302用于接收光信号，并用于进行光电转换以获取电信号，所述放大器1301用于获取来自apd302的电信号，并对所述电信号进行放大，以获取放大后电信号，所述处理模块用于获取来自放大器1301的放大后电信号，并对所述放大后电信号进行信号处
理。
206.本实施例以处理模块312用于实现对来自放大器1301的放大后电信号进行信号处理为例进行示例性说明，在其他示例中，该光网络设备还可包括与处理模块312独立的信号处理模块，该信号处理模块与放大器1301连接，该信号处理模块用于实现对来自放大器1301的放大后电信号进行信号处理，对信号处理模块的类型的说明，可参见实施例一所示的处理器的说明，具体不做赘述。
207.以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。