一种辨别Si晶片晶向正反的方法与流程

一种辨别si晶片晶向正反的方法
技术领域
1.本发明主要涉及硅晶圆生产制造过程领域，具体是一种辨别si晶片晶向正反的方法。


背景技术：

2.半导体硅晶片的加工方式主要为切割制程、磨平制程、表面处理制程及抛光制程，切割制程为加工首战，影响后续制程的效果，处于关键位置。
3.在从晶棒进行切割成晶片的制程过程中，由于晶棒和晶片为圆形且正反相同，进行后续制程工艺时无法分辨，故会出现晶片面反，晶向错误等异常状况，造成晶片报废。晶棒按照客户产品规格的需要，都会在晶棒表面进行开平口，以便在后站加工时定位。


技术实现要素：

4.本发明提供一种辨别si晶片晶向正反的方法，本方法主要涉及硅晶圆生产制造过程领域，其特征在于，s1：先用记号笔在晶棒平口的一侧画线，并记录记号位置，可根据画线位置来判断晶片方向；s2：待晶棒进行切割制程后，根据画线的记号，把有记号位置的晶片放置到晶片平口的同一侧，确认晶片方向一致，从晶片放置的方向可判断晶片晶向的正反； s3：把放置好的晶片，按照顺序放入到晶片篮中，并放到清洗机中进行清洗制程工艺；s4：清洗后在晶片平口的同一侧再次画线，根据画线位置是否在同一侧来判断产品是否可行。
5.在本发明的一实施例中，s1记号位置为晶棒的平口处，根据画线位置来判断晶片正反方向。
6.在本发明的一实施例中，s4的记号位置为晶片的平口处，根据画线位置是否在同一侧来判断晶片的晶向。
7.基于上述，本发明实施例所提供的一种辨别si晶片晶向正反的方法，以便后站加工时，可以根据画线位置是否在同一侧来确认晶片晶向的正反，避免由于晶向错误引起的产品异常，从而提高产品的良率及检查晶片晶向正反的速度。
附图说明
8.图1本发明实施流程示意图。
9.图2本发明中晶片平口位置示意图。
具体实施方式
10.下面将通具体实施方式对本发明的技术方案进行清洗、完整地描述。
11.本方法主要涉及硅晶圆生产制造过程领域，本发明实施流程示意图如图1：步骤1先用记号笔在晶棒平口的一侧画线，并记录记号位置，可根据画线位置来判断晶片方向；步骤2 待晶棒进行切割制程后，根据画线的记号，把有记号位置的晶片放置到晶片平口(图2)的同一侧，确认晶片方向一致，从晶片放置的方向可判断晶片晶向的正反；步骤3把放置好
的晶片，按照顺序放入到晶片篮中，并放到清洗机中进行清洗制程工艺；步骤4清洗后在晶片平口(图2)的同一侧再次画线，根据画线位置是否在同一侧来判断产品是否可行。以便后站加工时，可以根据画线位置是否在同一侧来确认晶片晶向的正反，避免由于晶向错误引起的产品异常，从而提高产品的良率及检查晶片晶向正反的速度。
12.应当理解，此处所描述的具体实施方式仅用于理解本发明，并不用于限定本发明，本领域普通技术人员没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护范围。


技术特征：
1.一种辨别si晶片晶向正反的方法，所述方法s1：先用记号笔在晶棒平口的一侧画线，并记录记号位置，可根据画线位置来判断晶片方向；s2：待晶棒进行切割制程后，根据画线的记号，把有记号位置的晶片放置到晶片平口的同一侧，确认晶片方向一致，从晶片放置的方向可判断晶片晶向的正反；s3：把放置好的晶片，按照顺序放入到晶片篮中，并放到清洗机中进行清洗制程工艺；s4：清洗后在晶片平口的同一侧再次画线，根据画线位置是否在同一侧来判断产品是否可行。2.根据权利要求1所述的一种辨别si晶片晶向正反的方法，其特征在于，所述的s1记号位置为晶棒的平口处，根据画线位置来判断晶片正反方向。3.根据权利要求1所述的一种辨别si晶片晶向正反的方法，其特征在于，所诉的s4的记号位置为晶片的平口处，根据画线位置是否在同一侧来判断晶片的晶向。

技术总结
本发明公开了一种辨别Si晶片晶向正反的方法，本方法主要涉及硅晶圆生产制造过程领域，先用记号笔在晶棒开槽的一侧画线，并记录；待晶棒进行切割制程后，根据画线的记号，把有记号位置的晶片放置到晶片平口的同一侧，确认晶片方向一致，从晶片放置的方向可判断晶片晶向的正反；把放置好的晶片，按照顺序放入到晶片篮中，并放到清洗机中进行清洗制程工艺，清洗后在晶片平口的同一侧再次画线。以便后站加工时，可以根据画线位置是否在同一侧来确认晶片晶向的正反，避免由于晶向错误引起的产品异常，从而提高产品的良率及检查晶片晶向正反的速度。速度。速度。


技术研发人员：李汉生 蔡雪良 温海统
受保护的技术使用者：昆山中辰矽晶有限公司
技术研发日：2021.02.19
技术公布日：2022/8/29