半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：输入端子；预失真器；放大器；以及输出端子，所述预失真器的输入部连接于所述输入端子，所述预失真器的输出部连接于所述放大器的输入部，所述预失真器具备第一晶体管。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述预失真器还具备电感元件，所述电感元件的一端与所述第一晶体管的源极连接，所述电感元件的另一端与所述第一晶体管的漏极连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述预失真器还具备：电容元件；以及增益扩展控制端子，所述电容元件的一个端子与所述第一晶体管的栅极端子连接，所述电容元件的另一个端子与接地端子连接，所述增益扩展控制端子与所述第一晶体管的栅极端子连接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述输入端子、所述预失真器、所述放大器以及所述输出端子形成于同一半导体基板。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述预失真器形成于半导体基板，所述电感元件形成于用直线对所述半导体基板进行划分而得到的两个区域中的一个区域，所述电容元件和所述增益扩展控制端子形成于该两个区域中的另一个区域，其中，所述直线是从所述预失真器的输入部和输出部通过的直线。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，所述放大器具备第二晶体管，所述预失真器的输出部连接于所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接于所述输出端子。

技术总结
在具备放大器和预失真器的半导体装置中，能在较高的工作频率下获得良好的增益扩展效果。半导体装置具备输入端子、预失真器、放大器以及输出端子，所述预失真器的输入部连接于所述输入端子，所述预失真器的输出部连接于所述放大器的输入部，所述预失真器具备第一晶体管。管。管。


技术研发人员：川崎健
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2022.02.15
技术公布日：2022/8/29