具有场聚合物保护的方向性选择性接面清洁的制作方法

1.本公开内容的实施方式涉及半导体处理领域。更具体地，本公开内容的实施方式涉及用于蚀刻层的方法。


背景技术：

2.通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理，使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的方法以移除暴露的材料。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移进入底层、减薄层(thinning layer)、或减薄表面上已经存在的特征的横向尺寸。通常需要蚀刻一种材料比另一种材料更快的蚀刻处理，以促进例如图案转移处理。据说这种蚀刻处理对第一材料是选择性的。由于材料、电路和处理的多样性，已开发出对多种材料具有选择性的蚀刻处理。
3.在基板处理区域内形成的局部等离子体中产生的干式蚀刻可穿透更多受限的沟槽且比湿式蚀刻表现出更小的精细剩余结构的变形。然而，即使蚀刻处理可对第一材料比第二材料具选择性，第二材料的一些不期望的蚀刻仍然可能发生。
4.为了达到小于5nm的节点以实现低接面(junction)接触电阻，接面清洁需要完全移除外延(epitaxial)表面处的氧化硅，具有低外延损耗、最小临界尺寸(cd)爆裂，以及自对准接触(sac)所需的场和沟槽肩部上的最小介电蚀刻，实施以避免接触未对准、性能下降和不期望的良率损耗。
5.传统上使用三种清洁/蚀刻方法：使用由nh
3-hf气体混合物或远程nh
3-nf3等离子体形成的氟化铵(nh4f)或氟化铵-氟化氢(nh4f-hf)进行各向同性清洁；基于ch
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化学性质(chemistry)和聚合物保护的方向性干式蚀刻；和基于使用nh4f的等离子体的方向性选择性蚀刻。每一方法都有问题，导致cd爆裂，或场损耗，或外延损耗，或高场损耗。
6.据此，需要可用于产生高品质装置和结构的改善的系统和方法。


技术实现要素：

7.本公开内容的一个或更多个实施方式涉及一种蚀刻的方法。在一个或更多个实施方式中，所述方法包括以下步骤：流动气体混合物进入处理腔室的处理容积，处理气体包括ch
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；在所述处理容积中产生等离子体；在基板上的特征的侧壁和底表面上形成聚合物层，所述特征的顶表面位于金属栅极结构上，所述特征的所述底表面包括在外延层的顶表面上的介电层，所述外延层具有一厚度；和移除所述介电层，其中所述外延层的所述厚度减少小于约10nm。
8.其他实施方式涉及一种处理腔室。在一个或更多个实施方式中，处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有盖、底部壁、和至少一个侧壁以界定处理容积；喷嘴，所述喷嘴连接至气体管线且与所述处理容积流体连通；气源，所述气源位于所述腔室主体外部且与所述气体管线流体连通；和基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘。在一个或更多个实施方式中，所述盖和所述静电吸盘之一连接至rf功率源且所述盖和所述静电吸盘中的另一者
连接至电接地，以在所述气体容积内产生等离子体。
9.进一步的实施方式涉及一种非暂态计算机可读介质，包括指令以在由处理腔室的控制器执行时使得所述处理腔室执行以下操作：流动气体进入处理腔室的处理容积，处理气体包括ch
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；在所述处理容积中产生等离子体；在基板上的特征的侧壁和底表面上形成聚合物层，所述特征的顶表面位于金属栅极结构上，所述特征的所述底表面包括在外延层的顶表面上的介电层，所述外延层具有一厚度；和移除所述介电层，其中所述外延层的所述厚度减少小于约10nm。
附图说明
10.为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式(其中一些图示于附图中)对上面简要概述的本公开内容进行更具体的描述。然而，应注意，附图仅图示了本公开内容的典型实施方式，因此不应被视为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。
11.图1图示了根据本发明的一个或更多个实施方式的处理腔室的截面图；
12.图2图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
13.图3图示了根据一个或更多个实施方式的方法的处理流程图；
14.图4a图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
15.图4b图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
16.图5图示了根据一个或更多个实施方式的方法的处理流程图；
17.图6a图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
18.图6b图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
19.图6c图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
20.图6d图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
21.图6e图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
22.图7图示了根据一个或更多个实施方式的方法的处理流程图；
23.图8a图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
24.图8b图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
25.图8c图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；
26.图9图示了根据一个或更多个实施方式的在方法期间部分制造的半导体装置的截面图；和
27.图10图示了根据本公开内容的一个或更多个实施方式的群集工具。
具体实施方式
28.在描述本公开内容的几个示例性实施方式之前，应理解，本公开内容不限于以下描述中阐述的构造或处理步骤的细节。本公开内容能够有其他实施方式且能够以各种方式实践或实现。
29.如本文所用，术语“约”是指大约或几乎，且在所阐述的数值或范围的上下文中是指所述数值的
±
15％或更小的变化。例如，相差
±
14％、
±
10％、
±
5％、
±
2％或
±
1％的值将满足约的定义。
30.如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“基板”或“晶片”是指处理作用于其上的表面或表面的一部分。本领域技术人员也将理解，对基板的参照也可仅指基板的一部分，除非上下文另有明确指示。此外，对沉积在基板上的参照可指以下两者：裸基板、和具有沉积或形成在其上的一个或更多个膜或特征的基板。
31.如本文所使用，“基板”是指任何基板或形成在基板上的材料表面，在制造处理期间在所述基板或材料表面上进行膜处理。例如，可在基板表面上执行处理的基板表面包括材料，诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(soi)、碳掺杂氧化硅、非晶硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石，以及任何其他材料，诸如金属、金属氮化物、金属合金、和其他导电材料，取决于应用。基板包括但不限于半导体晶片。基板可暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、uv固化、电子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上进行膜处理之外，在本公开内容中，所披露的任何膜处理步骤也可在如下文更详细披露的基板上形成的底层上进行，且术语“基板表面”旨在包括上下文所指示的底层。因此，例如，当膜/层或部分膜/层已沉积到基板表面上时，新沉积的膜/层的暴露表面成为基板表面。
32.在一个或更多个实施方式中，制造半导体装置的处理涉及在垂直分离的区域之间形成电连接。在一个或更多个实施方式中，可执行蚀刻以将凹陷特征(也称为沟槽或接触孔)蚀刻进入介电材料，通常是二氧化硅(sio2)。然后可使用导电材料来填充所述孔以电连接垂直分离的区域。本文的某些实施方式涉及用于蚀刻接触孔的方法和设备。在一些其他实施方式中，本文所描述的方法和设备可用于蚀刻过孔(via)、沟槽、或其他凹陷特征。
33.可执行本发明的实施方式的处理腔室可被包括在处理平台内，诸如可从加州圣克拉拉的应用材料公司获得的系统、系统、等。图1图示了处理腔室的一个实施方式的截面图。
34.在一个或更多个实施方式中，用于蚀刻特征的方法涉及配备有射频产生器的反应腔室。在蚀刻期间，ch
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气体和等离子体用于选择性蚀刻二氧化硅。理想情况下，氧化硅被移除，同时外延层只被最小地蚀刻或完全不被蚀刻。在一个或更多个实施方式中，移除最多10nm的外延层。在其他实施方式中，移除小于9nm，或小于8nm，或小于7nm，或小于6nm，或小于5nm，或小于4nm，或小于3nm，或小于2nm，或小于1nm的外延层。
35.参照图1，在一个或更多个实施方式中，先进的等离子体蚀刻腔室100配备有ch
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气体，包括但不限于：甲基氟(ch3f)、氟仿(chf3)、六氟-1，3-丁二烯(c4f6)、八氟环丁烷(c4f8)、甲烷(ch4)、四氟化碳(cf4)、六氟乙烷(c2f6)、乙烯(c2h4)、乙烷(c2h6)和类似者，以及氩(ar)、氢(h2)、氨(nh3)、三氟化氮(nf3)、氦(he)、氮(n2)、氧(o2)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)、六氟化硫(sf6)、和氟化氢(hf)，且电感耦合等离子体(icp)被用作穿过腔室顶部(盖)126上的垂直或平面线圈122的源。气体可经由气体管线124、毂(hub)128、和喷嘴132进入腔室100。在一个或更多个实施方式中，高电压dc功率源130用于静电吸盘(e-chuck)114，保持晶片(或基板)134。在一个或更多个实施方式中，使用快速加热和冷却的静电吸附以保持晶片，有利地提供由上衬垫(liner)120、下衬垫106、阴极衬垫102、腔室盖126、腔室屏蔽门116、边缘环118、阴极108、rf板112、rf匹配110、等离子体屏幕(plasma screen)104、泵和具有高的热均匀性的静电吸盘114组成的真空腔室。在一个或更多个实施方式中，静电吸盘114是必要的。
36.在一个或更多个实施方式中，静电吸盘(esc)114是基座的部分。基座可包括嵌入esc的dc电极和冷却/加热底座之一或更多者。在一实施方式中，处理腔室包括阴极108。在一实施方式中，esc包括氧化铝(al2o3)材料、氮化铝(aln)、或其他陶瓷材料，包括电子装置制造领域的普通技术人员已知的多种类型陶瓷(诸如氧化铝和氧化硅)的混合物。电源(例如，高电压dc电源)可连接至静电吸盘114。在一些实施方式中，静电吸盘114包括能够将晶片/基板的温度升高到第一温度的加热器(未示出)。
37.如图1中所示，基板可经由开口136装载并放置在静电吸盘114上。腔室100包括喷嘴132以经由气体管线124输入一种或更多种处理气体。在一些实施方式中，聚合物膜沉积在腔室100中的晶片/基板上，静电吸盘114维持在约30摄氏度的温度，且压力维持在约10mtorr，通过将约600瓦施加到盖顶部上的线圈，在晶片水平上方产生等离子体。在一些实施方式中，以13.56mhz和2mhz将约100到约1000瓦的两个rf功率输送到静电吸盘，在晶片水平处产生双偏置等离子体。
38.在一实施方式中，处理腔室100是电感耦合等离子体(icp)系统。在一实施方式中，处理腔室是使用电感耦合等离子体(icp)和电容耦合等离子体(ccp)的组合的系统。
39.在一个或更多个实施方式中，为了适应多种等离子体化学性质，将特殊涂层或块状材料实施到上衬垫120、下衬垫106、阴极衬垫102、腔室盖126、喷嘴132、边缘环118和其他处理配件。在一个或更多个实施方式中，特殊涂层或块状材料包括一种或更多种陶瓷，包括但不限于：氧化铝、钇、氧化锆(zro2)、和类似者。
40.图2图示了根据一个或更多个实施方式在蚀刻处理期间部分制造的半导体装置200的截面图。图3图示了根据各种实施方式的用于执行蚀刻处理的处理流程图。将结合图2中所示的部分制造的装置来描述图3的方法。方法300始于操作302，其中向反应腔室提供基板，所述反应腔室配备有等离子体产生器以用于产生电容耦合等离子体或电感耦合等离子体或上述的组合。在一个或更多个实施方式中，部分制造的半导体装置200包括金属栅极结构202，金属栅极结构202可包括以下一者或更多者：栅极电介质(例如，氧化铪(hfo2)或其他高k介电材料)、金属栅极204、帽层206、和间隔件212和214。在金属栅极结构202之间是特征201。在一个或更多个实施方式中，介电层208在特征201的底部中。如在这方面所使用的，术语“特征”是指任何有意的表面不规则。特征的合适示例包括但不限于具有顶部、两个侧壁和底部的沟槽、具有顶部和两个侧壁的峰部。特征可具有任何合适的深宽比(特征的深度
与特征的宽度的比率)。在一些实施方式中，深宽比大于或等于约2：1、3：1、4：1、5：1、10：1或15：1。在一个或更多个实施方式中，特征具有至少5∶1的高度对宽度的深宽比。
41.在一个或更多个实施方式中，特征201包括至少一个侧壁和底表面。介电层208可包括本领域技术人员已知的任何合适的介电材料。在一个或更多个实施方式中，介电层208包括二氧化硅(sio2)。在一个或更多个实施方式中，介电层在外延层210的顶表面上。
42.在操作304处，在反应腔室中执行第一蚀刻操作。第一蚀刻操作是电感耦合等离子体(icp)蚀刻操作。在一个或更多个实施方式中，如果场介电损耗不是问题，接面清洁可简化为：将晶片吸附至静电吸盘上而使用icp等离子体、氨(nh3)和三氟化氮(nf3)与稀释气体(例如he或ar)流动进入腔室，使用icp撞击等离子体仅几秒以在晶片/基板上形成氟化铵(nh4f)并产生薄的氟硅酸铵((nh4)2sif6)作为对外延层的保护，开启一定时间的偏压以达到目标二氧化硅(sio2)的移除，然后在进入接面金属硅化模块之前，在内部或外部进行泵送和净化，升华反应副产物(硅酸盐)。
43.图4图示了根据一个或更多个实施方式在蚀刻处理期间部分制造的半导体装置400的截面图。图5图示了根据各种实施方式的用于执行蚀刻处理的处理流程图。将结合图4中所示的部分制造的装置来描述图5的方法。在一个或更多个实施方式中，部分制造的半导体装置400包括金属栅极结构402，金属栅极结构402可包括以下一者或更多者：栅极电介质(例如，氧化铪(hfo2)或其他高k介电材料)、金属栅极404、帽层406、和间隔件412和416。在金属栅极结构402之间是特征401。在一个或更多个实施方式中，介电层408在特征401的底部中。介电层408可包括本领域技术人员已知的任何合适的介电材料。在一个或更多个实施方式中，介电层408包括二氧化硅(sio2)。在一个或更多个实施方式中，介电层在外延层410的顶表面上。
44.在一个或更多个实施方式中，为了提供聚合物保护，在有或没有偏压的情况下，使用与稀释气体(例如，he或ar)混合的ch
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的icp等离子体来沉积碳基聚合物层414，然后是nh3/nf3方向性选择性等离子体清洁。在一个或更多个实施方式中，ch
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气体包括以下一者或更多者：甲基氟(ch3f)、氟仿(chf3)、六氟-1，3-丁二烯(c4f6)、八氟环丁烷(c4f8)、甲烷(ch4)、四氟化碳(cf4)、六氟乙烷(c2f6)、乙烯(c2h4)、乙烷(c2h6)和类似者，以及氩(ar)、氢(h2)、氨(nh3)、三氟化氮(nf3)、氦(he)、氮(n2)、氧(o2)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)、六氟化硫(sf6)、和氟化氢(hf)。在一个或更多个实施方式中，聚合物沉积在特征401的至少一个侧壁和底表面上。在一些实施方式中，特征401的深宽比大于或等于约2：1、3：1、4：1、5：1、10：1或15：1。在一个或更多个实施方式中，聚合物沉积至从约5nm至约30nm的范围内、或从约8nm至约25nm的范围内、或从约10nm至约18nm的范围内的厚度。
45.在一个或更多个实施方式中，由于nh3/nf3等离子体也蚀刻碳基聚合物层414，可在达成目标总介电层408(例如，二氧化硅(sio2))的移除(诸如大于4nm)之前消耗碳基聚合物层414。在一个或更多个实施方式中，为了始终保持场保护，可实施聚合物沉积和nh3/nf3等离子体清洁的循环处理。在一个或更多个实施方式中，控制等离子体清洁步骤时间以防止场电介质见到nh3/nf3等离子体。
46.其他实施方式涉及ch
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化学性质在开始蚀刻二氧化硅(sio2)直到在外延层410的顶部上保留约1nm时的钝化和蚀刻平衡。在一个或更多个实施方式中，然后转换到氨/三氟化氮(nh3/nf3)方向性选择性等离子体清洁以移除介电层408(例如，二氧化硅(sio2))，以比
ch
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化学性质远远更好的选择性完美地停止在外延层410上。
47.硅化模块。
48.图6a至图6e图示了根据一个或更多个实施方式在蚀刻处理期间部分制造的半导体装置600的截面图。图7图示了根据各种实施方式的用于执行蚀刻处理的处理流程图。将结合图6a至图6e中所示的部分制造的装置来描述图7的方法。在一个或更多个实施方式中，部分制造的半导体装置600包括金属栅极结构602，金属栅极结构602可包括以下一者或更多者：栅极电介质(例如，氧化铪(hfo2)或其他高k介电材料)、金属栅极604和帽层606。在金属栅极结构602之间是特征601。在一个或更多个实施方式中，介电层608在特征601的底部中。介电层608可包括本领域技术人员已知的任何合适的介电材料。在一个或更多个实施方式中，介电层608包括二氧化硅(sio2)。在一些实施方式中，特征601的深宽比大于或等于约2∶1、3∶1、4∶1、5∶1、10∶1或15∶1。在一个或更多个实施方式中，介电层在外延层610的顶表面上。在一个或更多个实施方式中，聚合物614的沉积和nh3/nf3的等离子体清洁以循环发生：调谐每一循环的等离子体清洁时间以保持几纳米的聚合物的厚度616。
49.在一个或更多个实施方式中，ch
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气体包括以下一者或更多者：甲基氟(ch3f)、氟仿(chf3)、六氟-1，3-丁二烯(c4f6)、八氟环丁烷(c4f8)、甲烷(ch4)、四氟化碳(cf4)、六氟乙烷(c2f6)、乙烯(c2h4)、乙烷(c2h6)和类似者，以及氩(ar)、氢(h2)、氨(nh3)、三氟化氮(nf3)、氦(he)、氮(n2)、氧(o2)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)、六氟化硫(sf6)、和氟化氢(hf)。在一个或更多个实施方式中，聚合物沉积在特征601的至少一个侧壁和底表面上。
50.在一个或更多个实施方式中，需要将聚合物614沉积到场上，但不需要在沟槽底部沉积聚合物。在一个或更多个实施方式中，源和偏压的等离子体功率、气体流量、压力、氧(o2)或二氧化碳(co2)或一氧化碳(co)和稀释气体的添加，以及包括先进水平到水平(level-to-level)脉冲的rf功率脉冲可用于最佳化聚合物沉积处理，在沟槽底部涂上最少的涂层。在一个或更多个实施方式中，水平到水平脉冲已证明了场上的厚聚合物且在沟槽内部没有或只有最少的聚合物。
51.图8a至8c图示了根据一个或更多个实施方式在蚀刻处理期间部分制造的半导体装置800的截面图。在一个或更多个实施方式中，部分制造的半导体装置800包括金属栅极结构802，金属栅极结构802可包括以下一者或更多者：栅极电介质(例如，氧化铪(hfo2)或其他高k介电材料)、金属栅极804和帽层806。在金属栅极结构802之间是特征801。在一个或更多个实施方式中，介电层808在特征801的底部中。介电层808可包括本领域技术人员已知的任何合适的介电材料。在一个或更多个实施方式中，介电层808包括二氧化硅(sio2)。在一个或更多个实施方式中，为了保护场边的沟槽肩部，需要相应地调整肩部上的聚合物覆盖率，以及调谐沟槽底部处有最少的聚合物。在一个或更多个实施方式中，这涉及如图8a至图8c中所示的2步骤聚合物沉积处理。
52.参考图9，另外，在一个或更多个实施方式中，使用ictp与氨(nh3)或氮(n2)/氢(h2)的混合物的聚合物剥离处理可用于从晶片和接面接触沟槽852移除任何聚合物残留物862，释放甲烷(ch4)858和/或氟化氢(hf)860，这对于在硅化之前确保原始外延层界面是必要的。在一个或更多个实施方式中，这可在本发明中提出的相同腔室或分开的腔室中进行。
53.本公开内容的额外实施方式涉及可与一个或更多个实施方式的处理腔室一起使用以执行所述方法的处理工具900，如图10中所示。
54.群集工具900包括至少一个具有多个侧的中央传送站921、931。机械手925、935定位在中央传送站921、931内且被配置为将机械叶片和晶片移动到多个侧的每一者。
55.群集工具900包括多个处理腔室902、904、906、908、910、912、914、916和918，也称为处理站，连接到中央传送站。各种处理腔室提供与相邻处理站隔离的分开的处理区域。处理腔室可为任何合适的腔室，包括但不限于预清洁腔室、缓冲腔室、传送空间、晶片定向器/脱气腔室、冷却腔室、沉积腔室、退火腔室、蚀刻腔室、热处理(rtp)腔室、等离子体氧化腔室、等离子体氮化腔室、和原子层沉积(ald)腔室。处理腔室和部件的具体布置可根据群集工具而变化，且不应被视为限制本公开内容的范围。
56.在图10中所示的实施方式中，工厂界面950连接至群集工具900的前部。工厂界面950包括在工厂界面950的前部951上的装载腔室954和卸载腔室956。虽然装载腔室954被示出为在左侧而卸载腔室956被示出为在右侧，但本领域技术人员将理解这仅代表一种可能的配置。
57.装载腔室954和卸载腔室956的尺寸和形状可根据例如在群集工具900中待处理的基板而变化。在所示的实施方式中，调整装载腔室954和卸载腔室956的尺寸以保持晶片盒，有多个晶片位于盒内。
58.机械手952在工厂界面950内且可在装载腔室954和卸载腔室956之间移动。机械手952能够经由工厂界面950从装载腔室954中的盒传送晶片至装载锁定腔室960。机械手952也能够经由工厂界面950从装载锁定腔室962传送晶片至卸载腔室956中的盒。如本领域技术人员将理解的，工厂界面950可具有多于一个机械手952。例如，工厂界面950可具有在装载腔室954和装载锁定腔室960之间传送晶片的第一机械手，和在装载锁定腔室962和卸载腔室956之间传送晶片的第二机械手。
59.所示的群集工具900具有第一区段920和第二区段930。第一区段920经由装载锁定腔室960、962连接至工厂界面950。第一区段920包括第一传送腔室921，将至少一个机械手925放置于第一传送腔室921中。机械手925也被称为机械晶片传送机构。第一传送腔室921相对于装载锁定腔室960、962、处理腔室902、904、916、918和缓冲腔室922、924居中。一些实施方式的机械手925是多臂机械手，能够一次独立移动多于一个晶片。在一个或更多个实施方式中，第一传送腔室921包括多于一个机械晶片传送机构。第一传送腔室921中的机械手925被配置为在第一传送腔室921周围的腔室之间移动晶片。个别晶片被载送在位于第一机械机构的远端处的晶片传送叶片上。
60.在第一区段920中处理晶片之后，晶片可经由穿通腔室(pass-through chamber)被传递至第二区段930。例如，腔室922、924可为单向或双向穿通腔室。穿通腔室922、924可用于例如在第二区段930中处理之前冷却晶片，或在移回到第一区段920之前允许晶片冷却或后处理。
61.系统控制器990与第一机械手925、第二机械手935、第一多个处理腔室902、904、916、918和第二多个处理腔室906、908、910、912、914通信。系统控制器990可以是能够控制处理腔室和机械手的任何合适的部件。例如，系统控制器990可以是包括中央处理单元、存储器、合适的电路和储存的计算机。
62.处理通常可作为软件程序储存在系统控制器990的存储器中，当由处理器执行时，使处理腔室执行本公开内容的处理。软件程序也可由远离由处理器控制的硬件的第二处理
器(未示出)储存和/或执行。本公开内容的一些或全部方法也可在硬件中执行。因此，处理可在软件中实施并使用计算机系统在硬件中执行，例如作为专用集成电路或其他类型的硬件实施，或作为软件和硬件的组合。当由处理器执行时，软件程序将通用计算机转换成控制腔室操作的专用计算机(控制器)，从而执行处理。
63.空间相关术语，例如“底下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”和类似者，在本文中可用于描述方便以描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如图中所示。应理解，除了图中描绘的定向之外，空间相关术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“底下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方和下方两者的定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且相应地诠释本文使用的空间相对描述符。
64.在描述本文所讨论的材料和方法的上下文中(特别是在以下权利要求的上下文中)，术语“一”和“一个”和“所述”和类似指代的使用被解释为同时涵盖单数和复数，除非本文另有说明或与上下文明显矛盾。除非本文另有说明，否则本文对数值范围的叙述仅旨在作为单独提及落入所述范围内的每个单独值的速记方法，且将每个单独值并入本说明书中，如同其在本文中单独叙述。除非本文另有说明或与上下文明显矛盾，本文所描述的所有方法都可以任何合适的顺序执行。除非另有声明，本文提供的任何和所有示例或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅旨在更好地说明材料和方法，且不对范围构成限制。本说明书中的任何语言都不应被解释为表明任何未主张的元素对于所披露的材料和方法的实现是必要的。
65.在整个说明书中对“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或更多个实施方式”或“一实施方式”的引用意味着结合实施方式描述的具体特征、结构、材料或特性被包括于本公开内容的至少一个实施方式中。因此，诸如“在一个或更多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的短语在整个说明书的各个地方的出现不一定是指本公开内容的同一实施方式。在一个或更多个实施方式中，以任何合适的方式来组合具体特征、结构、材料或特性。
66.尽管已参考具体实施方式描述了本文的公开内容，但应理解，这些实施方式仅是对本公开内容的原理和应用的说明。对本领域技术人员而言显而易见的是，在不背离本公开内容的精神和范围的情况下，可对本公开内容的方法和设备进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在包括在所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变化。