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一种高阻碲锌镉晶体制备装置及方法与流程

2022-08-17 10:36:06 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高阻碲锌镉晶体制备装置,其特征在于:包括晶体生长炉(1)、石英坩埚(2)、超声波发生器(3)、加热器(4)、圆弧形导轨(5)和竖直导轨(6),所述石英坩埚(2)置于晶体生长炉(1)内且通过驱动装置沿着竖直导轨(6)运动,所述超声波发生器(3)位于晶体生长界面(7)上方并沿圆弧形导轨(5)做圆周运动,所述加热器(4)置于晶体生长炉(1)内。2.根据权利要求1所述的高阻碲锌镉晶体制备装置,其特征在于:所述超声波发生器(3)有4个,相互间隔90
°
分布于圆弧形导轨(5)上。3.一种高阻碲锌镉晶体制备方法,其特征在于,具体步骤如下:s1、将碲、锌、镉按照比例加入石英坩埚(2)中,然后加入掺杂元素;s2、将石英坩埚(2)抽真空并封装焊接好,将封装好的石英坩埚(2)放入晶体生长炉(1)中,设置分段加热程序,使温度达到1100℃~1198℃,从而使得制备晶体的原材料完全融化;s3、开启超声波发生器(3),并使超声波发生器(3)沿着圆弧形导轨(5)旋转;s4、石英坩埚(2)在竖直导轨(6)的驱动下下降,与此同时增加超声波发生器(3)的超声波频率;s5、等石英坩埚(2)全部从加热器(4)中退出,加热结束,开始降温到室温,直至晶体生长结束。4.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备方法,其特征在于:步骤s1中,碲、锌、镉的比例为1:0.1:0.9。5.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备方法,其特征在于:步骤s1中,加入的掺杂元素为fe、mn、in、ga中的一种或多种,掺杂量为300ppm~2500ppm。6.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备方法,其特征在于:步骤s2中,石英坩埚(2)的真空度为5
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pa。7.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备装置及方法,其特征在于:步骤s2中,分段加热程序分为以下三个阶段:第一阶段以10℃/h的升温速率升到450℃,并保持10~15h,第二阶段以15℃/h的升温速率升到800℃,第三阶段以20℃/h的升温速率升到1100℃~1198℃。8.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备装置及方法,其特征在于:步骤s3中,超声波频率范围为35~100khz,超声波发生器(3)沿着圆弧形导轨(5)旋转的转速为50r/min。9.根据权利要求3所述的高阻碲锌镉晶体制备装置及方法,其特征在于:步骤s4中,石英坩埚(2)的下降速率为0.01~0.3cm/h,超声波发生器(3)的超声波频率增加速率为0.8khz/h。

技术总结
本发明涉及晶体生产技术领域,特别涉及一种高阻碲锌镉晶体制备装置,石英坩埚置于晶体生长炉内且通过驱动装置在竖直导轨上运动,超声波发生器位于晶体生长界面上方并沿圆弧形导轨做圆周运动。该方法如下:将碲、锌、镉、掺杂元素加入石英坩埚中,抽真空且封装后放入晶体生长炉中,分段加热使原材料完全融化;开启超声波发生器并沿圆弧形导轨旋转;石英坩埚下降的同时增加超声波频率,等石英坩埚全部从加热器中退出,降温到室温,直至晶体生长结束。本发明在晶体生长界面上方提前形成晶核破碎,使其融化,让碲锌镉只在晶体生长界面生长,避免了大量晶核提前形成,提高了晶体生长质量,得到电阻率分布较为均匀的高阻碲锌镉晶体。电阻率分布较为均匀的高阻碲锌镉晶体。电阻率分布较为均匀的高阻碲锌镉晶体。


技术研发人员:庞昊 李勇胜
受保护的技术使用者:合肥天曜新材料科技有限公司
技术研发日:2022.04.29
技术公布日:2022/8/16
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