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一种兼容不用功率的语音降压电路的制作方法

2022-08-13 02:05:29 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及电路技术领域,具体地说,本实用新型涉及一种兼容不用功率的语音降压电路。


背景技术:

2.目前市面上用户端话机种类繁多,功率不同,降压部分不同厂家的二极管、三极管及电容规格不同,且不同芯片厂家的驱动能力不同,易造成语音馈电不足。


技术实现要素:

3.为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种适用范围广的兼容不用功率的语音降压电路。
4.本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种兼容不用功率的语音降压电路,其改进之处在于:包括驱动芯片、降压电路、电流采样电路、反馈电路和直流供电电路;
5.所述降压电路与驱动芯片连接,用于接收驱动芯片的指令对电流进行降压整流;
6.所述电流采样电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于对降压电路的电流采样并发送至驱动芯片;
7.所述反馈电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于将降压电路的电压变化发送至驱动芯片;
8.所述直流供电电路与降压电路连接,用于提供供电通道。
9.上述技术方案中所述降压电路包括mos管q1、电阻r140、耦合电容c150、耦合电容c142、耦合电容c138、整流二极管d17、整流二极管d16、整流二极管d15、电容c144、电容c152和电容c137;
10.mos管q1的栅极与驱动芯片连接,电阻r140的一端连接于mos管q1和驱动芯片之间,另一端接地;耦合电容c150、耦合电容c142和耦合电容c138并联后连接于mos管q1的漏极,电容c137、整流二极管d15和耦合电容c138相串联,电容c144、整流二极管d16和耦合电容c142相串联,电容c152、整流二极管d17和耦合电容c150相串联;所述电流采样电路包括电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290;
11.电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290相并联后两端与mos管q1的源极和驱动芯片连接。
12.上述技术方案中所述反馈电路包括电阻r150和电容c149;所述电阻r150一端与驱动芯片连接,另一端与电容c149连接,电容c149的一端与电阻r150连接,另一端接地。
13.上述技术方案中所述直流供电电路包括电阻r128、功率电感l2、功率电感l32、震荡抑制用电容c135和震荡抑制用电阻r133;
14.所述电容c135和电阻r133相串联后与电感l2和电感l35相并联,并联后与电阻r128相串联,电容c132一端连接于电阻r128,另一端接地。
15.本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的一种兼容不用功率的语音降压电路满足不同芯片厂家的驱动能力,降低物料规格差异带来的驱动能力不足的问题,可以根据不同客户要求上料,避免多版本设计。
附图说明
16.图1为本实用新型一种兼容不用功率的语音降压电路的原理框图。
17.图2为本实用新型一种兼容不用功率的语音降压电路的具体实施例图。
具体实施方式
18.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
19.以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本实用新型的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本实用新型保护的范围。另外,专利中涉及到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
20.参照图1,如图所示,本实用新型提供了一种兼容不用功率的语音降压电路,包括驱动芯片1、降压电路2、电流采样电路3、反馈电路4和直流供电电路5;
21.所述降压电路2与驱动芯片1连接,用于接收驱动芯片1的指令对电流进行降压整流;
22.所述电流采样电路3连接于降压电路2和驱动芯片1之间,用于对降压电路2的电流采样并发送至驱动芯片1;
23.所述反馈电路4连接于降压电路2和驱动芯片1之间,用于将降压电路2的电压变化发送至驱动芯片1;
24.所述直流供电电路5与降压电路2连接,用于提供供电通道。
25.可满足不同厂家不同型号的驱动芯片,适用范围广,无需多版本涉及。
26.参照图2,如图所示,对于降压电路2和电流采集电路3,本实用新型提供了一具体实施例,降压电路2包括mos管q1、电阻r140、耦合电容c150、耦合电容c142、耦合电容c138、整流二极管d17、整流二极管d16、整流二极管d15、电容c144、电容c152和电容c137;
27.mos管q1的栅极与驱动芯片1连接,电阻r140的一端连接于mos管q1和驱动芯片1之间,另一端接地;耦合电容c150、耦合电容c142和耦合电容c138并联后连接于mos管q1的漏极,电容c137、整流二极管d15和耦合电容c138相串联,电容c144、整流二极管d16和耦合电容c142相串联,电容c152、整流二极管d17和耦合电容c150相串联;所述电流采样电路3包括电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290;电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290相并联后两端与mos管q1的源极和驱动芯片1连接。
28.驱动芯片1pwm波形输出控制mos管q1,经整流二极管d17、二极管d16和二极管d15整流,电容c144、电容c152、电容c147、电容c136和电容c137进行储能。电流采样电路3设置在mos管q1的源极,用于对驱动芯片1输出的pwm波形高电平期间,mos管q1导通时的电流采
样。
29.对于反馈电路4,本实用新型提供了一具体实施,反馈电路4包括电阻r150和电容c149;所述电阻r150一端与驱动芯片1连接,另一端与电容c149连接,电容c149的一端与电阻r150连接,另一端接地。驱动芯片1的驱动控制端根据反馈电路4反馈的电压,控制驱动输出端pwm波形的占空比。
30.对于直流供电电路5,本实用新型提供了一具体实施例,直流供电电路5包括电阻r128、功率电感l2、功率电感l32、震荡抑制用电容c135和震荡抑制用电阻r133;
31.所述电容c135和电阻r133相串联后与电感l2和电感l35相并联,并联后与电阻r128相串联,电容c132一端连接于电阻r128,另一端接地。确保在mos管q1导通及关闭后,电感中的电流有泄放通路。
32.以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明,但本实用新型创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。


技术特征:
1.一种兼容不用功率的语音降压电路,其特征在于:包括驱动芯片、降压电路、电流采样电路、反馈电路和直流供电电路;所述降压电路与驱动芯片连接,用于接收驱动芯片的指令对电流进行降压整流;所述电流采样电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于对降压电路的电流采样并发送至驱动芯片;所述反馈电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于将降压电路的电压变化发送至驱动芯片;所述直流供电电路与降压电路连接,用于提供供电通道。2.根据权利要求1所述的一种兼容不用功率的语音降压电路,其特征在于:所述降压电路包括mos管q1、电阻r140、耦合电容c150、耦合电容c142、耦合电容c138、整流二极管d17、整流二极管d16、整流二极管d15、电容c144、电容c152和电容c137;mos管q1的栅极与驱动芯片连接,电阻r140的一端连接于mos管q1和驱动芯片之间,另一端接地;耦合电容c150、耦合电容c142和耦合电容c138并联后连接于mos管q1的漏极,电容c137、整流二极管d15和耦合电容c138相串联,电容c144、整流二极管d16和耦合电容c142相串联,电容c152、整流二极管d17和耦合电容c150相串联。3.根据权利要求2所述的一种兼容不用功率的语音降压电路,其特征在于:所述电流采样电路包括电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290;电阻r144、电阻r145、电阻r146、电阻r147、电阻r148和电阻r290相并联后两端与mos管q1的源极和驱动芯片连接。4.根据权利要求1所述的一种兼容不用功率的语音降压电路,其特征在于:所述反馈电路包括电阻r150和电容c149;所述电阻r150一端与驱动芯片连接,另一端与电容c149连接,电容c149的一端与电阻r150连接,另一端接地。5.根据权利要求1所述的一种兼容不用功率的语音降压电路,其特征在于:所述直流供电电路包括电阻r128、功率电感l2、功率电感l32、震荡抑制用电容c135和震荡抑制用电阻r133;所述电容c135和电阻r133相串联后与电感l2和电感l35相并联,并联后与电阻r128相串联,电容c132一端连接于电阻r128,另一端接地。

技术总结
本实用新型公开了一种兼容不用功率的语音降压电路,包括驱动芯片、降压电路、电流采样电路、反馈电路和直流供电电路;所述降压电路与驱动芯片连接,用于接收驱动芯片的指令对电流进行降压整流;所述电流采样电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于对降压电路的电流采样并发送至驱动芯片;所述反馈电路连接于降压电路和驱动芯片之间,用于将降压电路的电压变化发送至驱动芯片;所述直流供电电路与降压电路连接,用于提供供电通道。满足不同芯片厂家的驱动能力,降低物料规格差异带来的驱动能力不足的问题。不足的问题。不足的问题。


技术研发人员:崔宏顺 张莹
受保护的技术使用者:深圳市华迅光通信有限公司
技术研发日:2022.02.25
技术公布日:2022/8/11
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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