阵列基板、显示面板及检测装置的制作方法

1.本技术涉及检测技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及检测装置。


背景技术：

2.阵列基板是一种多膜层器件，其生产过程是在基底上沉积各层膜层，最终形成包括晶体管的驱动电路。
3.相关技术中利用光学自动检测(automatically optical inspection，aoi)设备及阵列测试(array test)设备相结合的测试手段。然而，aoi测试仅能测试可见缺陷，无法测试不可见缺陷，并且无法判断可见缺陷是否影响电学性能。array test测试手段需驱动电路完全形成后才可测试，无法对阵列基板的各膜层分别进行测试，也就是无法对阵列基板进行过程测试，产品异常反馈时效性差，且若异常位于被覆盖的膜层修补的可能性降低。
4.相关技术中对阵列基板的测试手段的搭配缺点非常明显。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板及检测装置，能够克服相关技术中对阵列基板的测试手段的搭配缺点非常明显的问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；
7.功能膜层，位于衬底的一侧；
8.信号输入层，位于衬底与功能膜层之间或者位于衬底的远离功能膜层的一侧；其中，功能膜层在衬底上的正投影至少部分位于信号输入层在衬底上的正投影之内。
9.在第一方面一种可能的实施方式中，功能膜层包括层叠设置的缓冲层和图案化膜层，缓冲层位于信号输入层和图案化膜层之间；
10.可选的，阵列基板具有显示区和非显示区，缓冲层在非显示区设置有贯穿缓冲层的通孔，以暴露出信号输入层，暴露出信号输入层的部分为信号输入端子；
11.可选的，通孔的数量为多个，以形成多个信号输入端子，每两个相邻的信号输入端子之间的距离相同。
12.在第一方面一种可能的实施方式中，图案化膜层包括呈周期性变化的图案，呈周期性变化的图案在衬底上的正投影位于信号输入层在衬底上的正投影之内。
13.在第一方面一种可能的实施方式中，图案化膜层包括半导体层及金属层，缓冲层位于信号输入层和半导体层之间，金属层位于半导体层背向衬底的一侧且与半导体层绝缘设置，半导体层通过缓冲层与信号输入层绝缘设置。
14.第二方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括上述任意一项实施例的阵列基板。
15.第三方面，本技术实施例提供一种检测装置，用于检测阵列基板，阵列基板包括功能膜层，检测装置包括：
16.信号发送模块，用于向信号输入层发送检测信号；
17.信号接收模块，包括至少一个信号接收端子，信号接收端子用于与信号输入层耦合以接收信号，在检测阵列基板时功能膜层位于信号输入层和信号接收端子之间；
18.缺陷检测模块，用于根据信号接收端子接收的信号确定功能膜层是否存在缺陷。
19.在第三方面一种可能的实施方式中，多个信号接收端子在第二方向上呈多排分布，同一排的信号接收端子在第一方向排布；
20.可选的，每排中的多个信号接收端子在第一方向上等间距分布；
21.可选的，信号接收端子在功能膜层上的正投影呈矩形；
22.可选的，多排信号接收端子错位分布，每排中的相邻信号接收端子相对的边缘在第一方向上的间距小于或等于至少一个信号接收端子在第一方向上的尺寸。
23.在第三方面一种可能的实施方式中，缺陷检测模块具体用于根据信号接收端子接收的检测信号的波形确定异常波段，根据异常波段对应时刻信号接收端子的检测位置，确定功能膜层中缺陷的位置。
24.在第三方面一种可能的实施方式中，检测信号的波形呈周期性变化；
25.缺陷检测模块还用于，若异常波段对应的面积大于多个周期内第一位置波段的平均面积，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常波段对应的面积小于多个周期内第一位置波段的平均面积，则确定缺陷的类型为走线变窄；其中，异常波段和第一位置波段对应的走线为各周期内相同位置处的走线；
26.可选的，若异常波段的平均幅值大于多个周期内第二位置波段的平均幅值，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常波段的平均幅值小于多个周期内第二位置波段的平均幅值，则确定缺陷的类型为走线变窄；其中，异常波段和第二位置波段对应的走线为各周期内相同位置处的走线；
27.可选的，缺陷检测模块还用于，若异常波段对应的面积小于多个周期内第三位置波段的平均面积，则确定功能膜层的缺陷类型为过孔过刻；其中，异常波段和第三位置波段对应的过孔为各周期内相同位置处的过孔；
28.可选的，若异常波段的平均幅值小于多个周期内第四位置波段的平均幅值，则确定功能膜层的缺陷类型为过孔过刻；其中，异常波段和第四位置波段对应的过孔为各周期内相同位置处的过孔。
29.在第三方面一种可能的实施方式中，缺陷检测模块具体用于：
30.根据信号接收端子接收的检测信号，确定检测信号矩阵，并确定检测信号矩阵中的异常数值，根据异常数值对应时刻信号接收端子的检测位置，确定功能膜层中缺陷的位置，其中，同一信号接收端子接收的检测信号位于检测信号矩阵中的同一列或同一行。
31.在第三方面一种可能的实施方式中，检测信号矩阵中同一信号接收端子对应的检测信号呈周期性变化；
32.缺陷检测模块还用于，若异常数值大于多个周期内第五位置数值的平均值，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常数值小于多个周期内第五位置数值的平均值，则确定缺陷的类型为走线变窄，其中，异常数值和第五位置数值对应的走线为各周期内相同位置处的走线；
33.可选的，缺陷检测模块还用于，若异常数值小于多个周期内第六位置数值的平均值，则确定功能膜层的缺陷类型为过孔过刻，其中，异常数值和第六位置数值对应的过孔为
各周期内相同位置处的过孔。
34.根据本技术实施例提供的阵列基板及检测装置，阵列基板中的信号输入层与检测装置相配合，信号输入层与信号接收端子构成电容的两个极板，信号输入层与信号接收端子之间的功能膜层充当电容的介质，在功能膜层包括层叠的多个膜层的情况下，可实现对任意一个膜层的缺陷检测，不再局限于金属膜层，对非金属膜层也可进行检测，也不再局限于非透明膜层，对透明膜层也可进行检测；另外，在功能膜层包括半导体层的情况下，能够检测到由于膜质变化引起的晶体管电学性能的缺陷，实现阵列基板制备过程中的电学检测。可见，本技术实施例提供的阵列基板及检测装置，能够克服aoi检测以及array test检测搭配缺点非常明显的问题，且检测成本相对较低。
附图说明
35.通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
36.图1a示出本技术一种实施例提供的阵列基板的结构示意图；
37.图1b示出本技术一种实施例提供的阵列基板的结构示意图；
38.图2示出本技术一种实施例提供的检测装置的结构示意图；
39.图3示出本技术一种实施例提供的检测装置的检测原理示意图；
40.图4示出本技术另一种实施例提供的阵列基板的结构示意图；
41.图5示出本技术又一种实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
42.图6示出本技术另一种实施例提供的检测装置的结构示意图；
43.图7示出本技术一种实施例提供的检测示意图；
44.图8示出本技术另一种实施例提供的检测示意图。
具体实施方式
45.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本技术，并不被配置为限定本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术更好的理解。
46.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
47.应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区
域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
48.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
49.在本技术实施例中，术语“电连接”可以是指两个组件直接电连接，也可以是指两个组件之间经由一个或多个其它组件电连接。
50.在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在本技术中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本技术意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本技术的修改和变化。需要说明的是，本技术实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。
51.在阐述本技术实施例所提供的技术方案之前，为了便于对本技术实施例理解，本技术首先对相关技术中存在的问题进行具体说明：
52.阵列基板是一种多膜层器件，其生产过程是在基底上沉积各层膜层，最终形成包括晶体管的驱动电路。
53.相关技术中利用光学自动检测(automatically optical inspection，aoi)设备及阵列测试(array test)设备相结合进行测试的手段。aoi测试可理解为视觉测试，可通过对比阵列基板的功能膜层的灰阶图像判断该膜层是否存在缺陷。array test测试可测试阵列基板的驱动电路的电学性能。
54.发明人研究发现，aoi测试仅能测试可见缺陷，无法测试不可见缺陷，并且无法判断可见缺陷是否影响电学性能。array test测试手段需驱动电路完全形成后才可测试，无法对阵列基板的各功能膜层分别进行测试，也就是无法对阵列基板进行过程测试，产品异常反馈时效性差，且若异常位于被覆盖的膜层修补的可能性降低。
55.可见，相关技术中对阵列基板的测试手段的搭配缺点非常明显。
56.为解决上述问题，本技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及检测装置，以下将结合附图对阵列基板及检测装置的各实施例进行说明。
57.为了能够对阵列基板100的各膜层实现检测，本技术对阵列基板的结构进行了改进。如图1a和图1b所示，本技术实施例提供的阵列基板100包括衬底11、信号输入层12及功能膜层13。功能膜层13位于信号输入层12背向衬底11的一侧。信号输入层12可以位于衬底11与功能膜层13之间，或者信号输入层12可以位于衬底11远离功能膜层13的一侧。信号输入层12可用于在检测阶段接收检测信号。另外，功能膜层13在衬底11上的正投影至少部分位于信号输入层12在衬底11上的正投影之内。可以理解的是，相对于阵列基板的常规结构，本技术实施例提供的阵列基板100增设了信号输入层12。
58.在一些可选的实施例中，如图2所示，本技术实施例提供的检测装置200可以包括信号发送模块21、信号接收模块22及缺陷检测模块23。
59.信号发送模块21可用于向信号输入层12发送检测信号。
60.信号接收模块22包括至少一个信号接收端子221，信号接收端子用于与信号输入层耦合以接收信号，在检测阵列基板时功能膜层位于信号输入层和信号接收端子之间。作
为一个示例，可以使用检测装置200对上述实施例中的阵列基板100进行检测，在检测阶段，信号接收端子221设置于阵列基板100的功能膜层13背向信号输入层12的一侧。检测时信号接收端子221可与信号输入层12产生耦合，并接收相应的信号。示例性的，信号接收端子221为金属端子。
61.例如，可以设置少量的信号接收端子221，控制信号接收端子221与阵列基板100可相对运动，从而可实现对功能膜层13的整面检测。例如，可使阵列基板100保持静止，控制信号接收端子221可移动；或者，可使信号接收端子221保持静止，控制阵列基板100可移动；或者，控制信号接收端子221及阵列基板100都可移动。又例如，可以设置大量的信号接收端子221，使大量的信号接收端子221能够覆盖阵列基板，这样即使信号接收端子221与阵列基板100相对静止，也可以对阵列基板进行检测。
62.缺陷检测模块23可用于根据信号接收端子221接收的检测信号确定功能膜层13是否存在缺陷。
63.例如，可利用电容通交流的原理，进行缺陷检测。信号输入层12及信号接收端子221相当于电容的两个极板，功能膜层13充当信号输入层12与信号接收端子221之间的介质。检测时，信号发送模块21可发送高频检测信号并加载至信号输入层12，信号接收端子221与信号输入层12产生耦合，并接收相应的信号，如果功能膜层13发生了改变，例如存在残缺、异物残留、膜层过刻变薄等缺陷，相当于信号输入层12与信号接收端子221之间的介质发生了改变，也就是介电常数发生了改变，进而会引起信号接收端子221接收的信号发生改变，这样根据信号接收端子221接收的信号即可检测到缺陷。
64.除此之外，缺陷检测模块23还可用于在检测到缺陷之后，判断缺陷位置。
65.为了更好的理解检测装置200对阵列基板100的检测过程，以阵列基板100保持静止，信号接收端子221可移动为例。如图3所示，信号接收端子221设置在功能膜层13背向信号输入层12的一侧，并朝着一定的方向匀速运动。信号接收端子221与功能膜层13相对的两个表面之间的距离可以为20um～100um，当然也可以根据信号接收端子221接收到的实际信号大小确定两个表面之间的距离，本技术对此不做限定。
66.示例性的，检测时，信号发送模块21可发送高频电压信号，并通过探针施加至信号输入层12，功能膜层13充当信号输入层12与信号接收端子221之间的介质，信号接收端子221与信号输入层12产生耦合并接收相应的信号。信号接收端子221可将接收到的信号发送至缺陷检测模块23，缺陷检测模块23根据信号接收端子221接收到的信号确定待检测膜层13是否存在缺陷，并确定缺陷位置。
67.示例性的，信号接收端子221的数量可以为多个，每个信号接收端子221作为一个独立的信号通道，检测时可以一次性检测更多面积，提高检测效率，并且对每个信号接收端子221检测的位置都可以进行定位。
68.示例性的，功能膜层13可包括非金属膜层、金属膜层、半导体层中的任意一种或多种。由于信号输入层12在功能膜层13的下方，检测时，信号接收端子221在功能膜层13的上方，即使在功能膜层13包括层叠的多个膜层的情况下，检测装置200也可实现对每个膜层的都能检测。例如，功能膜层13包括层叠的多个膜层的情况下，每制备完成一个膜层，均可利用检测装置200对其进行缺陷检测。相对于array test测试无法对阵列基板进行过程测试，产品异常反馈时效性差，且若异常位于被覆盖的膜层修补的可能性降低，本技术实施例提
供的检测装置200可对阵列基板100进行过程测试，可及时反馈产品异常，提高可修补的可能性。
69.另外，阵列基板的非金属膜层通常为透明膜层，在追求高透光率的阵列基板中，阵列基板的金属膜层及半导体膜层的透光率也较高。相关技术中，在功能膜层13是透明膜层或者透光率较高的情况下，aoi检测基本无法检测出其缺陷。而本技术实施例中，即使功能膜层13为透明膜层，阵列基板100中的信号输入层12与信号接收端子221依然能够构成电容的两个极板，在功能膜层13发生变化的情况下，例如膜层过刻变薄，对应的介电常数也会发生改变，相应的信号接收端子221接收的信号发生改变，因此检测装置200依然能够检测到缺陷并确定缺陷位置。
70.示例性的，功能膜层13可包括半导体层，半导体层可用于构成晶体管的有源层，半导体层的膜质变化则会引起对应位置处的晶体管的特性不同，影响晶体管的电学性能。例如，半导体层需要进行离子注入，离子注入浓度不同，对应位置处的膜质则不同。相关技术中，在功能膜层13包括半导体层的情况下，aoi检测以及array test检测均无法检测出由于膜质变化引起的晶体管电学性能的缺陷。而本技术实施例中，即使功能膜层13为半导体层，阵列基板100中的信号输入层12与信号接收端子221依然能够构成电容的两个极板，在功能膜层13膜质发生变化的情况下，对应的介电常数也会发生改变，相应的信号接收端子221接收的信号发生改变，因此检测装置200依然能够检测到由于膜质变化引起的晶体管学性能的缺陷。
71.根据本技术实施例提供的阵列基板100及检测装置200，阵列基板100中的信号输入层12与检测装置200相配合，信号输入层12与信号接收端子221构成电容的两个极板，信号输入层12与信号接收端子221之间的功能膜层13充当电容的介质，在功能膜层13包括层叠的多个膜层的情况下，可实现对任意一个膜层的缺陷检测，不再局限于金属膜层，对非金属膜层也可进行检测，也不再局限于非透明膜层，对透明膜层也可进行检测；另外，在功能膜层13包括半导体层的情况下，能够检测到由于膜质变化引起的晶体管学性能的缺陷，实现阵列基板制备过程中的电学检测。可见，本技术实施例提供的阵列基板100及检测装置200，能够克服aoi检测以及array test检测的搭配缺点非常明显的问题，且检测成本相对较低。
72.图3以检测装置所检测的阵列基板包括信号输入层为例，检测装置也可以对不包括信号输入层的阵列基板进行检测。例如，可以将不包括信号输入层的阵列基板(比如相关技术中的阵列基板)放在载台上，载台的上表面可以具有一层金属，例如钛、铝、镍等，这样载台表面的金属层可为信号输入层，用于接收检测信号，并与检测装置的信号接收端子耦合，如此来实现对不包括信号输入层的阵列基板的检测。
73.示例性的，衬底11可为玻璃衬底，也可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)衬底，本技术对此不做限定。
74.示例性的，信号输入层12为金属膜层。信号输入层12可整面设置在衬底11的一侧。
75.在一些可选的实施例中，如图4所示，功能膜层13可包括层叠设置的缓冲层131和图案化膜层1311。缓冲层131位于信号输入层12和图案化膜层1311之间。图4以信号输入层12位于衬底11和功能膜层13之间为例。示例性的，阵列基板100可具有显示区aa和非显示区na，缓冲层131在非显示区na设置有贯穿缓冲层131的通孔hole，以暴露出信号输入层12，暴
露出信号输入层12的部分为信号输入端子121。
76.示例性的，通孔hole的数量为多个，以形成多个信号输入端子121，每两个相邻的信号输入端子121之间的距离可以相同。
77.示例性的，图案化膜层1311可包括半导体层132及金属层133，金属层133可位于半导体层132背向衬底11的一侧且与半导体层132绝缘设置，半导体层132通过缓冲层131与信号输入层12绝缘设置。可以理解的是，金属层133与信号输入层12也是绝缘设置的。
78.根据本技术实施例，一方面，信号输入层12通过缓冲层131与功能膜层13的半导体层132、金属层133独立开，避免信号串扰，从而避免无法对半导体层132、金属层133进行缺陷检测；另一方面，利用阵列基板100原有的缓冲层131作为信号输入层12与功能膜层13之间的绝缘层，可不必额外设置绝缘层，可简化阵列基板结构，降低成本。又一方面，缓冲层131暴露出信号输入端子121，如此可方便向信号输入层12施加检测信号。示例性的，图案化膜层1311可包括呈周期性变化的图案，呈周期性变化的图案在衬底11上的正投影在信号输入层12在衬底11上的正投影之内，如此可保证能够检测到呈周期性变化的图案。
79.示例性的，请继续参考图4，金属层133可包括层叠设置的第一金属层1331、第二金属层1332、第三金属层1333以及第四金属层1334。示例性的，第一金属层1331与半导体层132之间设有栅极绝缘层gi，第二金属层1332与第一金属层1331之间设有电容绝缘层imd，第三金属层1333与第二金属层1332之间设有层间介质层ild，第三金属层1333背向第二金属层1332的一侧可设置有平坦化层pln，pln背向第三金属层1333的一侧设置有第四金属层1334及像素定义层pdl。
80.示例性的，晶体管t的半导体部可设置在半导体层132，晶体管t的栅极可设置在第一金属层1331，晶体管t的源极、漏极可设置在第三金属层1333，晶体管t的源极、漏极可通过过孔与晶体管t的半导体部连接。第二金属层1332可设置像素电路中电容的一个极板，发光元件的阳极可设置在第四金属层1334，示例性的，发光元件的阳极可通过过孔与晶体管的源极或者漏极连接。另外，阵列基板可包括设置在各金属层的扫描线、数据线、初始化信号线、电源线等，本技术对各信号线的具体位置不作限定。
81.在一些可选的实施例中，如图5所示，阵列基板100可包括显示区aa和围绕显示区aa的非显示区na。信号输入层可包括均匀分布的多个信号输入端子121，多个信号输入端子121位于阵列基板100的非显示区na。由于多个信号输入端子121均匀分布，如此可均匀的向信号输入层加载检测信号；另外，信号输入端子121位于非显示区，可避免破坏显示区的膜层结构。
82.另外，如图5所示，本技术实施例提供的阵列基板100可包括阵列分布的多个显示区aa，各显示区aa被非显示区na包围。本技术实施例提供的阵列基板100可理解为母板，其可切割为多个子阵列基板，切割得到的每个子阵列基板均包括至少一个显示区，这样在母板的制备过程中即可完成对每个子阵列基板的缺陷检测。多个信号输入端子121可位于阵列基板100的同一侧，这样不必对应每个子阵列基板均设置信号输入端子121，可减少信号输入端子121的数量。
83.本技术的第二方面提供一种显示面板，包括上述任意一项实施例的阵列基板。显示面板具有与上述实施例的阵列基板相同或相似的技术效果，在此不再赘述。
84.如图6所示，图6具体示出了检测装置200中信号接收模块22的仰视示意图。信号接
收模块22可包括多个信号接收端子221，每个信号接收端子221作为一个独立的信号通道。多个信号接收端子221在第一方向x和第二方向y上分布，第一方向x和第二方向y相互垂直，第二方向y可以是信号接收模块22的移动方向。相邻信号接收端子221在第一方向x上的间距小于等于0。可理解的是，这里的相邻信号接收端子221并非位于同一排，而是指在第一方向x上的间距最小的两个信号接收端子221。如图6示出了两排信号接收端子221，其中标号为
②
的信号接收端子221与标号为
①
、
③
的信号接收端子221相邻。标号为
①
、
③
的两个信号接收端子221可位于同一排，标号为
②
的信号接收端子221位于另一排。标号为
②
的信号接收端子221与标号为
①
的信号接收端子221在第一方向x上的间距可小于等于0，标号为
②
的信号接收端子221与标号为
③
的信号接收端子221在第一方向x上的间距小于等于0。
85.本技术实施例中，由于相邻信号接收端子221在第一方向x上的间距小于等于0，相邻信号接收端子221在功能膜层上的正投影在第一方向x上的间距也小于等于0，如此在信号接收端子221移动过程中，可对功能膜层无间隔检测，从而可无漏洞地检测功能膜层是否存在缺陷。
86.在一些可选的实施例中，请继续参考图6，多个信号接收端子221可在第二方向y上呈多排分布，同一排的信号接收端子121在第一方向x上排布。图6以两排示意，可理解的是，多个信号接收端子221在第二方向y上呈三排、四排等分别均可以。多排信号接收端子221可以错位分布，每排中的相邻信号接收端子221相对的边缘在第一方向x上的间距可小于或等于至少一个信号接收端子221在第一方向x上的尺寸。这样实现对功能膜层无间隔检测。
87.可选的，每排中的多个信号接收端子221在第一方向x上等间距分布。相邻信号接收端子221在功能膜层上的正投影在第一方向x上的间距等于0，如此，可避免重复检测功能膜层的一些区域。
88.可选的，信号接收端子221在功能膜层上的正投影呈矩形。例如，信号接收端子221在功能膜层上的正投影呈10um～100um的矩形。本技术对信号接收端子221的具体尺寸不作限定，可理解的是，信号接收端子221越小，检测精度越高。
89.可选的，每排中的相邻信号接收端子221在第一方向x上的间距与信号接收端子221在第一方向x上的尺寸相等。信号接收端子221在功能膜层上的正投影尺寸与阵列基板的像素尺寸可以大致相等。例如，信号接收端子221在功能膜层上的正投影呈20um的方形。
90.阵列基板的功能膜层设置有呈周期性变化的图形化结构，该图形化结构的呈规律性变化，信号接收模块22的扫描移动方法可与功能膜层的正交性对应，因此信号接收端子221接收的检测信号呈规律性变化，通过周期性的比对检测信号即可实现缺陷的检测。示例性的，如图7所示，信号接收端子221可沿纵向移动，或者，如图8所示，信号接收端子221也可沿横向移动。
91.在一些可选的实施例中，缺陷检测模块23可具有以下第一功能和/或第二功能。
92.第一功能：用于根据信号接收端子221接收的检测信号的波形确定异常波段，根据异常波段对应时刻信号接收端子221的检测位置，确定功能膜层中缺陷的位置。
93.可选地，根据信号接收端子221接收的检测信号的波形确定异常波段，具体可以包括：根据多个周期内同一位置波段的面积来确定是否有异常波段，或者，根据多个周期内同一位置波段的幅值来确定是否有异常波段。比如，获取多个周期内同一位置波段的面积，若一周期内的一位置波段的面积与其他周期内该位置波段的平均面积不同，则确定有异常波
段。
94.示例性的，图7示出了功能膜层13设置有呈周期性变化的图形化结构，例如，该图形化结构可以是半导体结构。信号接收端子221沿纵向移动，由于图形化结构在纵向上呈周期循环图像，因此信号接收端子221接收的检测信号大小变化呈周期波动，也就是检测信号的波形应该呈周期性波动。若功能膜层13存在异常，则信号接收端子221接收的检测信号对应的波形会存在异常波段，图7以标号为
①
的信号接收端子221扫描经过的功能膜层13存在异常为例，则标号为
①
的信号接收端子221对应的波形存在异常波段，进而可根据该异常波段对应时刻标号为
①
的信号接收端子221的检测位置，确定功能膜层13中的缺陷位置。
95.可理解的是，在确定异常波段时，比较的是同一个信号接收端子221对应的波形中的各波段，而非是将不同信号接收端子221对应的波形之间进行比较。
96.示例性的，对于某一时刻信号接收端子221的检测位置的确定，可在阵列基板上设置mark标识，缺陷检测模块23可用于读取mark标识的位置信息，并确定检测初始时刻信号接收端子221与mark标识的相对位置信息，相对位置信息可包括在横向以及纵向上的相对位置信息。控制信号接收端子221匀速移动，根据移动的时间以及信号接收端子221与mark标识的相对位置信息，即可确定某一时刻信号接收端子221的检测位置。
97.第二功能：用于根据信号接收端子接收的检测信号，确定检测信号矩阵，并确定检测信号矩阵中的异常数值，根据异常数值对应时刻信号接收端子的检测位置，确定功能膜层中缺陷的位置，其中，同一信号接收端子接收的检测信号位于检测信号矩阵中的同一列或同一行。
98.以同一信号接收端子接收的检测信号位于检测信号矩阵中的同一列，在确定异常数值时，是将同一列的数值进行比较，而非是比较不同列中的数值。同理，同一信号接收端子接收的检测信号位于检测信号矩阵中的同一行时，是将同一行的数值进行比较，而非是比较不同行中的数值。
99.示例性的，缺陷检测模块23可具有上述第一功能和第二功能中的任意一种功能，或者两种功能均具有。在两种功能均具有的情况下，缺陷检测模块23具体还可以用于：若两种功能均确定功能膜层的同一位置处有同一类型缺陷，则确定该位置确实存在该类型缺陷，若仅有一者确定功能膜层的同一位置处有缺陷，则记录该位置以供进一步检测。
100.根据本技术实施例，无论是基于波形确定缺陷，还是基于矩阵确定缺陷，均可准确对功能膜层进行缺陷检测。
101.在一些可选的实施例中，仍如图7所示，功能膜层包括设置有呈周期性变化的图案化走线。信号接收端子接收的检测信号对应的波形呈周期性变化。
102.缺陷检测模块23还具有以下第三功能至第五功能。
103.第三功能：若异常波段对应的面积大于多个周期内第一位置波段的平均面积，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常波段对应的面积小于多个周期内第一位置波段的平均面积，则确定缺陷的类型为走线变窄；其中，异常波段和第一位置波段对应的走线为各周期内相同位置处的走线。
104.波段对应的面积可以指波段与纵向轴围城的面积。异常波段对应的面积越大，则检测信号的值越大，可理解为该位置的功能膜层的介电常数变大了，介电常数与走线线宽呈正相关，走线线宽越大，介电常数越大，反之，走线线宽越小，介电常数越小。
105.由于图案化走线整体上呈周期性变化，在忽略缺陷的情况下，可以理解为图案化走线包括多个周期，各周期内相同位置处的走线并非指异常波段和第一位置波段对应的走线位于功能膜层的同一位置，而是指异常波段和第一位置波段对应的走线在各周期内的相对位置相同。如图7所示，椭圆虚线内的波段为异常波段以及多个周期内与异常波段在其所属的周期内位置相同的波段。
106.示例性的，本技术中与异常波段作比较的多个周期可以是相邻的周期，也可以分别位于异常波段所属周期的两侧。
107.示例性的，可以利用积分的方式计算波段对应的面积。或者，可以将波段内各幅值的和作为该波段的面积。
108.第四功能：若异常波段的平均幅值大于多个周期内第二位置波段的平均幅值，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常波段的平均幅值小于多个周期内第二位置波段的平均幅值，则确定缺陷的类型为走线变窄。异常波段和第二位置波段对应的走线为各周期内相同位置处的走线。
109.同理，异常波段的平均幅值越大，则检测信号的值越大，可理解为该位置的功能膜层的介电常数变大了，走线线宽变大了。异常波段的平均幅值越小，则检测信号的值越小，可理解为该位置的功能膜层的介电常数变小了，走线线宽变小了。
110.示例性的，上述检测信号矩阵中同一信号接收端子对应的检测信号呈周期性变化。
111.第五功能：若异常数值大于多个周期内第五位置数值的平均值，则确定缺陷的类型为走线变宽，若异常数值小于多个周期内第五位置数值的平均值，则确定缺陷的类型为走线变窄，其中，异常数值和第五位置数值对应的走线为各周期内相同位置处的走线。
112.同理，由于图案化走线整体上呈周期性变化，在忽略缺陷的情况下，可以理解为图案化走线包括多个周期，各周期内相同位置处的走线并非指异常数值和第五位置数值对应的走线位于功能膜层的同一位置，而是指异常数值和第五位置数值对应的走线在各周期内的相对位置相同。
113.例性的，本技术中与异常数值作比较的多个周期可以是相邻的周期，也可以分别位于异常波段所属周期的两侧。示例性的，缺陷检测模块23可具有上述第三功能、第四功能、第五功能中的任意一种或多种。在三种功能均具有的情况下，缺陷检测模块23具体还可以用于：若三种功能中的至少两者均确定功能膜层的同一位置处有同一类型缺陷，则确定该位置确实存在该类型的缺陷，若仅有一者确定功能膜层的同一位置处有同一类型缺陷，则记录该位置以供进一步检测。
114.根据本技术实施例，检测装置100能够准确检测线宽的变化，进一步可基于检测结果进行准确修补。
115.在一些可选的实施例中，功能膜层可包括半导体层。缺陷检测模块23还可以用于：确定异常波段对应位置处的半导体层存在膜质异常；和/或，确定异常数值对应位置处的半导体层存在膜质异常。
116.如上文所述，半导体层需要进行离子注入，离子注入浓度不同，对应位置处的膜质则不同，对应的介电常数也会发生改变。因此在检测半导体膜层时，若存在异常波段和/或异常数值，可确定该位置处的半导体层存在膜质异常。半导体层的膜质变化会引起的晶体
管电学性能的缺陷，因此本技术实施例能够检测出膜质变化引起的晶体管的电学特性问题。
117.示例性的，缺陷检测模块23可具有上述异常波形确定膜质异常的功能和异常数值确定膜质异常的功能中的任意一种功能，或者两种功能均具有。在两种功能均具有的情况下，缺陷检测模块23具体还可以用于：若两者均确定功能膜层的同一位置处存在膜质异常的缺陷，则确定该位置确实存在该类型缺陷，若仅有一者确定功能膜层的同一位置处存在膜质异常的缺陷，则记录该位置以供进一步检测。
118.在一些可选的实施例中，功能膜层包括非金属层，非金属层设置有过孔。
119.缺陷检测模块23还具有以下第六功能至第七功能。
120.第六功能：若异常波段对应的面积小于多个周期内第三位置波段的平均面积，则确定缺陷的类型为过孔过刻；其中，异常波段和第三位置波段对应的过孔为各周期内相同位置处的过孔。和/或，若异常波段的平均幅值小于多个周期内第四位置波段的平均幅值，则确定缺陷的类型为过孔过刻；异常波段和第四位置波段对应的过孔为各周期内相同位置处的过孔。
121.异常波段对应的面积越大，则检测信号的值越大，可理解为该位置的功能膜层的介电常数变大了，过孔深度越小，介电常数越大，反之，过孔深度越大，介电常数越小。
122.第七功能：若异常数值小于多个周期内第六位置数值的平均值，则确定缺陷的类型为过孔过刻，其中，异常数值和第六位置数值对应的过孔为各周期内相同位置处的过孔。
123.示例性的，缺陷检测模块23可具有上述第六功能和第七功能中的任意一种功能，或者两种功能均具有。在两种功能均具有的情况下，缺陷检测模块23具体还可以用于：若两种功能均确定功能膜层的同一位置处有同一类型缺陷，则确定该位置确实存在该类型缺陷，若仅有一者确定功能膜层的同一位置处有缺陷，则记录该位置以供进一步检测。
124.根据本技术实施例，检测装置100能够准确检测过孔的刻蚀情况，进一步可基于检测结果进行准确修补。
125.需要说明的是，例如在阵列基板的制备过程中，可以在某个功能膜层上制备过孔，然后填充材料，进一步形成走线。在形成走线之前，该功能膜层可以理解为不包括走线结构的，然后可利用检测装置检测过孔是否存在缺陷，例如根据波段面积或者波段的幅值判断过孔是否过刻。在形成走线之后，可利用检测装置检测走线是否存在缺陷，例如根据波段面积或者波段的幅值判断走线是否变宽或变窄。示例性的，缺陷检测模块可用于判断所检测的功能膜层的类型，例如缺陷检测模块可用于判断所检测的功能膜层是走线膜层还是过孔膜层，这样，在确定所检测的功能膜层是走线膜层的情况下，则可以确定走线是否存在缺陷，在确定所检测的功能膜层是过孔膜层的情况下，则可以确定过孔是否存在缺陷。
126.本技术还提供一种显示面板。本技术实施例提供的显示面板可以包括上述任一实施例所述的阵列基板。本技术实施例提供的显示面板可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板。
127.本领域内技术人员应该理解，在本技术的其他实现方式中，显示面板还可以微型发光二极管(micro led)显示面板，量子点显示面板等。
128.本技术实施例提供的显示面板，具有本技术实施例提供的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
129.本技术还提供了一种显示装置，包括本技术提供的显示面板。本技术实施例提供的显示装置，可以是手机、可穿戴产品、电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本技术对此不作具体限制。本技术实施例提供的显示装置，具有本技术实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
130.依照本技术如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该申请仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。