硅基异质结太阳电池及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，其特征在于；所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂非晶硅层的厚度为2nm-4nm。3.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧层的折射率为1.9-2.3之间，晶化率为35％-50％。4.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧层包括层叠设置的纳米硅氧材料层和纳米硅材料层。5.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧材料层的厚度为8nm-15nm，所述纳米硅材料层的厚度为2nm-5nm。6.根据权利要求1-5任一项所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层。7.根据权利要求6所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述本征纳米硅层的厚度为0.1nm-4nm。8.根据权利要求6所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述钝化层及所述本征纳米硅层的h的总含量在20％-28％，或所述钝化层及所述本征纳米硅层的微结构因子在55％-70％。9.一种如权利要求1-8任一项所述硅基异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：依次形成所述基底、所述钝化层、所述电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层；在所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间形成n型掺杂非晶硅层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在进行所述n型掺杂非晶硅层沉积时，工艺条件为：向rf-pecvd工艺腔通入第二工作气体，所述第二工作气体包括ph3和sih4，所述ph3和所述sih4的流量比为1:5-2:5，所述rf-pecvd工艺腔内压强为0.3mbar～0.8mbar，电源功率密度为20mw/cm
2-30mw/cm2。

技术总结
本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。上述方案可以改善电子传输层的电学性能。输层的电学性能。输层的电学性能。


技术研发人员：徐琛
受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/8/5