一种新型压电层及体声波滤波器的制作方法

技术特征：
1.一种新型压电层，其特征在于，所述新型压电层包括多个依次堆叠布设的掺钪压电子层和多个设置于所述掺钪压电子层延展方向一侧的非钪掺杂压电子层；其中，所述非钪掺杂压电子层的掺杂元素包括镁元素和钛元素。2.根据权利要求1所述新型压电层，其特征在于，所述掺钪压电子层包括第一掺钪压电子层、第二掺钪压电子层、第三掺钪压电子层和第四掺钪压电子层；其中，所述第一掺钪压电子层、第二掺钪压电子层、第三掺钪压电子层和第四掺钪压电子层依次沿顶电极向底电极的方向堆叠布设。3.根据权利要求2所述新型压电层，其特征在于，所述第一掺钪压电子层的布设覆盖长度与所述顶电极的覆盖长度相同；所述第二掺钪压电子层的布设覆盖长度与所述顶电极的覆盖长度相同，且所述第二掺钪压电子层的边界形状与所述顶电极的边界形状镜像对称。4.根据权利要求2所述新型压电层，其特征在于，所述第一掺钪压电子层的掺钪浓度范围为0.030-0.038；所述第二掺钪压电子层的掺钪浓度范围为0.024-0.032；所述第三掺钪压电子层的掺钪浓度范围为0.012-0.018；所述第四掺钪压电子层的掺钪浓度范围为0.015-0.020。5.根据权利要求1所述新型压电层，其特征在于，所述非钪掺杂压电子层包括第一非钪掺杂压电子层和第二非钪掺杂压电子层；所述第一非钪掺杂压电子层和第二非钪掺杂压电子层中的镁元素和钛元素的掺杂浓度均不相同。6.根据权利要求5所述新型压电层，其特征在于，所述第一非钪掺杂压电子层位于第一掺钪压电子层和第二掺钪压电子层的一侧，并且，所述第一非钪掺杂压电子层厚度为所述第一掺钪压电子层和第二掺钪压电子层的厚度之和；所述第二非钪掺杂压电子层位于底电极一侧，并且，所述第二非钪掺杂压电子层的厚度与底电极厚度一致。7.根据权利要求5所述新型压电层，其特征在于，所述第一非钪掺杂压电子层的镁元素掺杂浓度范围为0.040-0.052，所述第二非钪掺杂压电子层的钛元素掺杂浓度范围为0.017-0.027。8.根据权利要求5所述新型压电层，其特征在于，所述第二非钪掺杂压电子层的镁元素掺杂浓度范围为0.007-0.013，所述第二非钪掺杂压电子层的钛元素掺杂浓度范围为0.005-0.010。9.根据权利要求5所述新型压电层，其特征在于，所述第一非钪掺杂压电子层中镁元素掺杂浓度和钛元素掺杂浓度的掺杂总和值满足如下条件：（c1 c2）≤c
m1
c
t1
≤1.07
×
（c1 c2）其中，c1和c2分别表示第一掺钪压电子层的掺钪浓度和第二掺钪压电子层的掺钪浓度；c
m1
和c
t1
分别表示第一非钪掺杂压电子层的镁元素掺杂浓度和钛元素掺杂浓度；所述第二非钪掺杂压电子层中镁元素掺杂浓度和钛元素掺杂浓度的掺杂总和值满足如下条件：0.83c4≤c
m2
c
t2
≤1.05c4其中，c4分别表示第四掺钪压电子层的掺钪浓度；c
m2
和c
t2
分别表示第二非钪掺杂压电子层的镁元素掺杂浓度和钛元素掺杂浓度。10.一种采用新型压电层的体声波滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器包括基板（1）、底电极（2）、压电层（4）、顶电极（5）和钝化层（6）；其中，所述压电层（4）采用如权利要求
1-9任一所述新型压电层。

技术总结
本发明提出了一种新型压电层及体声波滤波器。所述新型压电层包括多个依次堆叠布设的掺钪压电子层和多个设置于所述掺钪压电子层延展方向一侧的非钪掺杂压电子层；其中，所述掺钪压电子层采用掺杂有钪元素的氮化铝形成的压电材料；所述非钪掺杂压电子层采用掺杂非钪元素的其他稀土元素的氮化铝作为压电材料；所述非钪掺杂压电子层的掺杂元素包括镁元素和钛元素。和钛元素。和钛元素。


技术研发人员：ꢀ(51)Int.Cl.H03H9/54
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：2022.07.11
技术公布日：2022/8/5