包含包括能带偏移材料的传递字线的设备以及相关方法和系统与流程

技术特征：
1.一种设备，其包括：有源字线，其在半导电材料内延伸；传递字线，其邻近于所述半导电材料内的所述有源字线而延伸；隔离区，其邻近于所述传递字线；以及能带偏移材料，其邻近于所述传递字线和所述隔离区，所述半导电材料展现第一能带隙，且所述能带偏移材料展现第二不同能带隙。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二不同能带隙相对大于所述第一能带隙。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导电材料的所述第一能带隙在约0.4ev与约1.4ev之间，且所述带隙偏移材料的所述第二能带隙在约1.5ev与约4.0ev之间。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述半导电材料包括多晶硅材料，且所述能带偏移材料包括砷化铝、砷化镓、磷化镓和硫化锌中的一或多者。5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述能带偏移材料沿着所述传递字线的高度直接接触所述半导电材料，所述能带偏移材料与所述半导电材料之间的界面包括异质结。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述能带偏移材料展现在所述半导电材料的晶格常数或键长的倍数的约
±
5％内的晶格常数。7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述隔离区包括具有固定负电荷的绝缘材料。8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述有源字线基本上不含所述能带偏移材料。9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其进一步包括：所述半导电材料的第一柱；以及邻近于所述第一柱的所述半导电材料的第二柱，其中所述有源字线在所述第一柱中的一者与所述第二柱中的一者之间延伸，且所述传递字线在所述第二柱中的两者之间延伸。10.根据权利要求9所述的设备，进一步包括电耦合到所述第二柱的存储装置，其中所述设备为包括至少一个存储器单元阵列的动态随机存取存储器dram装置。11.一种形成设备的方法，所述方法包括：在半导电材料中的开口内形成能带偏移材料，所述能带偏移材料的能带隙不同于所述半导电材料的能带隙；形成隔离结构，所述隔离结构包括邻近于所述半导电材料中的所述开口内的所述能带偏移材料的绝缘材料；形成邻近于所述能带偏移材料的介电材料；以及形成邻近于所述介电材料的导电材料。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述能带偏移材料包括在所述半导电材料的暴露表面上直接保形地形成所述能带偏移材料。13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述能带偏移材料包括在所述半导电材料中的所述开口内外延地生长所述能带偏移材料。14.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：在材料中形成第一开口图案；
形成从所述材料中的所述第一开口图案横向偏移的第二开口图案；以及在形成所述能带偏移材料之前将所述第一开口图案和所述第二开口图案转印到所述半导电材料。15.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在使所述隔离结构的所述绝缘材料的部分凹入的同时移除所述隔离结构之间的所述半导电材料的部分。16.根据权利要求15所述的方法，其中移除所述半导电材料的所述部分包括在所述隔离结构之间形成所述半导电材料的柱。17.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在所述隔离结构之间形成有源区，其中形成所述能带偏移材料包括在含有所述隔离结构的所述半导电材料中的所述开口内形成所述能带偏移材料而不在所述有源区内形成所述能带偏移材料。18.一种系统，其包括：处理器，其以可操作方式耦合到输入装置和输出装置；以及存储器装置，其以可操作方式耦合到所述处理器且包括至少一个电子装置，所述至少一个电子装置包括：在基底材料内的凹入式存取装置，所述凹入式存取装置包括第一电极；传递字线，其邻近于所述基底材料内的所述凹入式存取装置，所述传递字线包括第二电极；能带偏移材料，其邻近于所述传递字线；以及隔离结构，其包括邻近于所述传递字线的绝缘材料，所述能带偏移材料将所述绝缘材料与所述基底材料分离。19.根据权利要求18所述的系统，其中所述能带偏移材料展现与所述基底材料的电子迁移率相比相对较高的电子迁移率。20.根据权利要求18或权利要求19所述的系统，其进一步包括：第一介电材料，其直接在所述第一电极与所述基底材料之间；以及第二介电材料，其直接在所述第二电极与所述能带偏移材料之间。21.根据权利要求20所述的系统，其中所述第一介电材料和所述第二介电材料中的每一者的材料组成不同于所述隔离结构的所述绝缘材料的材料组成。22.根据权利要求18或权利要求19所述的系统，其进一步包括上覆所述第一电极和所述第二电极的额外绝缘材料，其中所述额外绝缘材料包括二氧化硅，且所述隔离结构的所述绝缘材料基本上不含二氧化硅。23.根据权利要求18或权利要求19所述的系统，其中所述隔离结构在所述传递字线下方，且所述能带偏移材料横向邻近于所述隔离结构和所述传递字线中的每一者。

技术总结
本申请案涉及包含包括能带偏移材料的传递字线的设备以及相关方法和系统。所述设备包括在半导电材料内延伸的有源字线、邻近于所述半导电材料内的所述有源字线而延伸的传递字线、邻近于所述传递字线的隔离区，以及邻近于所述传递字线和所述隔离区的能带偏移材料。所述半导电材料展现第一能带隙，且所述能带偏移材料展现第二不同能带隙。材料展现第二不同能带隙。材料展现第二不同能带隙。


技术研发人员：N
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/8/1