推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置的制作方法

技术特征：
1.推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构。2.根据权利要求1所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述肖特基二极管包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管逐个串联，所述第二二极管与第三二极管之间推挽式串联连接；所述推挽式二极管倍频电路还包括隔离电路，所述隔离电路对多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行隔离；所述推挽式二极管倍频电路还包括选频输出电路，所述选频输出电路对经隔离电路隔离得到的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行选频输出。3.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述第二二极管与第三二极管的正向端背靠地连接。4.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述隔离电路包括隔离电感，所述隔离电感一端电连接到第二二极管与第三二极管之间，所述隔离电感另一端电连接到第一二极管与第二二极管之间以及第三二极管与第四二极管之间。5.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述选频输出电路包括奇次电容和偶次电容，所述奇次电容一端电连接于第四二极管之后，所述奇次电容另一端与偶次电容的一端电连接，所述偶次电容的另一端电连接于第二二极管与第三二极管之间。6.根据权利要求1所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述推挽式二极管倍频电路的输入端电连接有输入匹配电路。7.根据权利要求6所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述输入匹配电路包括输入匹配电感与输入匹配电容，所述输入匹配电感与输入匹配电容组成“γ”型匹配网络。8.根据权利要求1所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述推挽式二极管倍频电路的输出端电连接有输出选频匹配电路。9.根据权利要求8所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述输出选频匹配电路包括第一输出电感、第二输出电感、第三输出电感、第一输出电容、第二输出电容以及第三输出电容；所述第一输出电感、第二输出电感与第一输出电容并联连接于推挽式二极管倍频电路的输出端，所述第一输出电感与第一输出电容的另一端均接地，所述第二输出电感的另一端与第二输出电容的一端连接，所述第三输出电感与第三输出电容并联连接于第二输出电容的另一端，所述第三输出电感与第三输出电容的另一端均接地。10.推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，其特征在于：所述倍频装置包括权利要求1-9中任一权利要求所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。

技术总结
本发明涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。本发明电路简单；无需外加电源供电，电路功耗小；不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。相噪恶化小。相噪恶化小。


技术研发人员：杜国孟 蒋兴华 雒一 陈尘 陈美玲 赵小梅
受保护的技术使用者：成都麦克韦科技有限公司
技术研发日：2022.05.11
技术公布日：2022/7/29