陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法与流程

1.本发明涉及一种陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
2.本技术基于2020年1月31日在日本技术的日本特愿2020-015794号并主张优先权，将其内容援用于此。


背景技术：

3.以往，在制造ic、lsi、vlsi等半导体装置的半导体制造工序中，硅晶片等板状试样通过静电吸附而固定于具备静电卡盘功能的静电卡盘部件，并被实施规定的处理。
4.例如，在等离子体环境下对所述板状试样实施蚀刻处理等的情况下，有时由于等离子体的热而板状试样的表面成为高温，而产生表面的抗蚀剂膜裂开(破裂)等问题。
5.于是，为了将该板状试样的温度维持在所期望的恒定的温度，使用静电卡盘装置。静电卡盘装置具有静电卡盘部件及温度调整用基底部件。将在金属制部件的内部形成有使温度控制用冷却介质循环的流路的所述温度调整用基底部件，经由硅酮类粘接剂接合于所述静电卡盘部件的下表面，从而使其一体化。
6.在该静电卡盘装置中，使温度调整用冷却介质在温度调整用基底部件的流路中循环而进行热交换。即，将固定于静电卡盘部件的上表面的板状试样的温度维持在所期望的恒定温度，并且进行静电吸附，对该板状试样实施各种等离子体处理。
7.然而，对静电卡盘装置的静电卡盘部件要求耐腐蚀性、耐热性、耐等离子体性、对热循环的负荷的耐久性等。作为实现这些性能优异的静电卡盘装置的部件，已知由静电卡盘基体、内部电极及供电用端子构成的静电卡盘部件，所述静电卡盘基体由在绝缘性陶瓷材料中添加导电性材料而得的复合电介质陶瓷形成，所述内部电极内置于该静电卡盘基体中，所述供电用端子设成与该内部电极相接(例如参考专利文献1、专利文献2)。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本特开2003-152064号公报
11.专利文献2：日本特开2007-051045号公报


技术实现要素：

12.发明要解决的技术课题
13.专利文献1及专利文献2中所记载的静电卡盘电极内置型基座的内部电极的材料虽然没有特别的限定，但该材料为导电性高的高熔点材料，也可以为包含绝缘性陶瓷材料及导电性的高熔点材料的复合体烧结体。静电卡盘基体的复合电介质陶瓷与内部电极的接合面通常在抛光表面后接合。因此，在静电卡盘基体与内部电极的接合界面的每个面露出导电性材料。因此，在静电卡盘基体与内部电极(导电层)的界面中，容易形成导电通路，绝缘性降低。因此，存在在复合电介质陶瓷与内部电极的接合界面产生绝缘击穿(放电)的技术课题。
14.本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种抑制在陶瓷板与导电层的接合界面产生绝缘击穿(放电)的陶瓷接合体、包括陶瓷接合体的静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
15.用于解决技术课题的手段
16.为了解决上述技术课题，本发明的第一方式提供一种陶瓷接合体，所述陶瓷接合体具备：一对陶瓷板，包含导电性物质；及导电层及绝缘层，介于所述一对陶瓷板之间，所述一对陶瓷板与所述绝缘层的界面处的气孔率为4％以下，构成所述绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径与构成所述陶瓷板的绝缘性物质的平均一次粒径之比大于1。
17.本发明的第一方式还优选具有以下特征。以下特征中的2个以上可以互相组合。
18.在本发明的一实施方式中，所述导电层可以由导电性物质及绝缘性物质构成，而所述绝缘层可以由绝缘性物质构成。
19.在本发明的一实施方式中，构成所述绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径可以为1.6μm以上且10.0μm以下。
20.在本发明的一实施方式中，所述陶瓷板可以由氧化铝及碳化硅的复合体构成。
21.在本发明的一实施方式中，所述导电层及所述绝缘层中所包含的绝缘性物质可以仅由氧化铝构成。
22.在本发明的一实施方式中，所述导电层中所包含的导电性物质可以为选自由mo2c、mo、wc、w、tac、ta、sic、炭黑、碳纳米管及碳纳米纤维组成的组中的至少1种。
23.本发明的第二方式提供一种静电卡盘装置，所述静电卡盘装置是将由陶瓷形成的静电卡盘部件及由金属形成的温度调整用基底部件经由粘接剂层接合而成，所述静电卡盘部件由本发明的一实施方式所涉及的陶瓷接合体构成。
24.本发明的第三方式提供一种陶瓷接合体的制造方法，其具有：准备包含导电性物质的第1陶瓷板及包含导电性物质的第2陶瓷板的工序；对所述第1陶瓷板的一个面实施磨削加工或抛光加工，将所述第1陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下的工序；在所述第1陶瓷板的经所述加工的一个面上涂布导电层形成用膏而形成导电层涂膜的工序；在所述第1陶瓷板的经所述加工的一个面上涂布绝缘层形成用膏而形成绝缘层涂膜的工序；对所述第2陶瓷板的所述一个面实施磨削加工或抛光加工，并将所述第2陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下的工序；以所述导电层涂膜及所述绝缘层涂膜的与和所述第1陶瓷板相接的面相反的一侧的面与所述第2陶瓷板的经所述加工的一个面相接的方式，将所述第2陶瓷板与所述导电层涂膜及所述绝缘层涂膜层叠的工序；及将包括所述第1陶瓷板、所述导电层涂膜、所述绝缘层涂膜及所述第2陶瓷板的层叠体一边进行加热一边在厚度方向上进行加压的工序。
25.第三方式的制造方法能够适当地制造第一方式的陶瓷接合体。
26.发明效果
27.根据本发明，能够提供一种抑制在陶瓷板与导电层的接合界面产生绝缘击穿(放电)的陶瓷接合体、包括陶瓷接合体的静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
附图说明
28.图1是表示本发明的优选的一实施方式所涉及的陶瓷接合体的例子的概略剖视
图。
29.图2是表示本发明的优选的一实施方式所涉及的静电卡盘装置的例子的概略剖视图。
具体实施方式
30.对本发明的陶瓷接合体、静电卡盘装置、陶瓷接合体的制造方法的实施方式的优选例进行说明。
31.另外，本实施方式只是为了更好地理解发明的宗旨而进行具体的说明，只要没有特别指定，则并不限定本发明。在不脱离本发明的范围内，能够对数量、位置、大小、数值、比率、材料等，进行变更、省略及追加。
32.[陶瓷接合体]
[0033]
(第1实施方式)
[0034]
以下，一边参考图1，一边对本发明的一实施方式所涉及的陶瓷接合体的优选例进行说明。
[0035]
另外，在以下所有附图中，有时为了更容易观察附图，适当变更各构成要件的尺寸、比率等。
[0036]
图1是表示本实施方式的陶瓷接合体的概略剖视图。如图1所示，本实施方式的陶瓷接合体1具备：一对陶瓷板2、3，包含导电性物质；及介于所述一对陶瓷板2、3之间的导电层4及绝缘层5。
[0037]
以下，将陶瓷板2称为第1陶瓷板2，并将陶瓷板3称为第2陶瓷板3。
[0038]
如图1所示，在陶瓷接合体1中，从图的上侧依次层叠有第1陶瓷板2、导电层4及绝缘层5的组合、第2陶瓷板3。即，陶瓷接合体1是第1陶瓷板2及第2陶瓷板3经由导电层4及绝缘层5接合一体化而成的接合体。图中，绝缘层5配置于导电层4的外周。导电层4与绝缘层5的界面还与配置于这些层的上方及下方的第1陶瓷板2及第2陶瓷板3接触。
[0039]
如图1所示，在第1陶瓷板2与绝缘层5的界面及第2陶瓷板3与绝缘层5的界面，存在气孔6。第1陶瓷板2与绝缘层5的界面及第2陶瓷板3与绝缘层5的界面处的气孔率为4％以下，优选为3％以下。更优选为2％以下。如果所述气孔率超过4％，则无法抑制在陶瓷板2、3与导电层4的接合界面产生绝缘击穿(放电)。所述气孔率的下限能够任意选择，但例如优选为0.1％以上，进一步优选为0.3％以上，进一步优选为0.5％以上，但并不仅限定于该例子。
[0040]
关于第1陶瓷板2与绝缘层5的界面及第2陶瓷板3与绝缘层5的界面处的气孔率的测量方法，能够通过以下所述的方法进行测量。首先，将陶瓷接合体1在厚度方向上进行切割。然后，使用场发射式扫描电子显微镜(fe-sem)(例如由jeol ltd.制造的场发射式扫描电子显微镜)来观察第1陶瓷板2、第2陶瓷板3及绝缘层5的厚度方向的切割面。然后，使用图像分析软件(例如图像分析软件(mac-view version4：由mountech co.,ltd.制造))来分析该切割面的图像，计算出气孔6的面积。根据所得到的计算结果，使用绝缘层5的面积及气孔6的面积，并按照下述式(1)，计算出气孔率(％)。图像的测量区域例如可以如下设定。
[0041]
测量区域：360μm
×
480μm(绝缘层5的区域：15μm
×
480μm，陶瓷板3的区域：345μm
×
480μm)
[0042]
另外，所述测量区域为第2陶瓷板3与绝缘层5互相相接的区域。并且，式(1)中使用
的各面积可以使用上述面积及通过上述面积确认到的气孔率。
[0043]
气孔率＝气孔的面积/(绝缘层的面积 气孔的面积)
×
100(1)
[0044]
第1陶瓷板2、第2陶瓷板3及绝缘层5由如后述的绝缘性物质构成。构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径与构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的平均一次粒径之比((构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径)/(构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的平均一次粒径))大于1，且优选为1.3以上。进而，优选为2.2以上。如果所述比小于1，则无法抑制在陶瓷板2、3与导电层4的接合界面产生绝缘击穿(放电)。所述比的上限能够任意选择，例如可以为10以下，也可以为7以下，但并不仅限定于这些例子。例如，所述比可以为2～6、3～5、4～8等。
[0045]
优选将第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的重叠面的形状设为相同。陶瓷板的形状能够任意选择，例如可以为圆形、面包圈形状、四边形、长方形，但并不仅限定于这些例子。
[0046]
第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的厚度并无特别的限定，能够任意选择，可根据陶瓷接合体1的用途适当调整。例如，虽然作为例子举出了0.3～3.0mm、0.4～0.5mm、0.5～1.5mm，但并不仅限定于这些例子。所述陶瓷板1及陶瓷板2的厚度可以相同，也可以不同。
[0047]
关于第1陶瓷板2及第2陶瓷板3，组成相同或主要成分相同。即，第1陶瓷板2及第2陶瓷板3可以具有相同的组成，也可以具有不同的组成。第1陶瓷板2及第2陶瓷板3由绝缘性物质及导电性物质的复合体构成。所述复合体优选仅由绝缘性物质及导电性物质构成。第1陶瓷板2及第2陶瓷板3中所包含的绝缘性物质虽然没有特别的限定，但例如可举出选自氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、氧化钇(y2o3)、钇
·
铝
·
石榴石(yag)等中的至少1种。并且，第1陶瓷板2及第2陶瓷板3中所包含的导电性物质虽然没有特别的限定，但例如可举出选自碳化硅(sic)、氧化钛(tio2)、氮化钛(tin)、碳化钛(tic)、碳(c)、碳纳米管(cnt)、碳纳米纤维、稀土氧化物、稀土氟化物等中的至少1种。
[0048]
复合体中的绝缘性物质的比例能够任意选择，优选为80～99质量％，优选为85～98质量％，但并不仅限定于这些例子。所述比例例如可以为80～95质量％，或也可以为83～90质量％。复合体中的导电性物质的比例能够任意选择，优选为1～20质量％，优选为2～15质量％，但并不仅限定于这些例子。所述比例例如可以为3～12质量％，或也可以为5～10质量％。
[0049]
第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的材料(复合体)优选为体积电阻率为10
13
ω
·
cm以上且10
15
ω
·
cm以下左右，且具有机械强度，而且具有针对腐蚀性气体及其等离子体的耐久性的材料。作为这种材料，例如可举出氧化铝(al2o3)烧结体、氮化铝(aln)烧结体、氧化铝(al2o3)-碳化硅(sic)复合烧结体等，但从高温下的介电特性、高耐蚀性、耐等离子体性及耐热性的观点考虑，优选为氧化铝(al2o3)-碳化硅(sic)复合烧结体。
[0050]
构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的通过以下所述的方法所测量的平均一次粒径优选为0.5μm以上且3.0μm以下，更优选为0.8μm以上且2.5μm以下，进一步优选为1.0μm以上且2.0μm以下。
[0051]
如果构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的平均一次粒径为0.5μm以上且3.0μm以下，则能够得到致密且耐电压性和耐久性高的第1陶瓷板2及第2陶瓷板3。
[0052]
构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的平均一次粒径通过以下测量方法进行测量。使用场发射式扫描电子显微镜(fe-sem)(例如由jeol ltd.制造的场发射式扫描
电子显微镜)来观察第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的厚度方向的切割面。然后，对观察到的切割面，通过截距法将作为绝缘性物质的200个粒子的粒径的平均设为平均一次粒径。另外，通过fe-sem所观察到的绝缘性物质的一次粒子可被观察为等轴状粒子。
[0053]
导电层4例如为可用作如下电极的层：用于通电高频电力而产生等离子体来进行等离子体处理的等离子体产生用电极、用于产生电荷并通过静电吸附力固定板状试样的静电卡盘用电极和/或用于进行通电发热来加热板状试样的加热器电极等。导电层4的形状(俯视观察(从厚度方向观察)导电层4时的形状)及大小(厚度或俯视观察(从厚度方向观察)导电层4时的面积)并无特别的限定，可根据陶瓷接合体1的用途适当调整。导电层4的厚度例如可以为5～200mm或8～150mm，但并不仅限定于这些例子。所述厚度也可以为10～100μm。导电层4的形状能够任意选择，但例如也可以为俯视观察时的圆形、面包圈状、四边形、长方形等。
[0054]
导电层4由导电性物质及绝缘性物质构成。导电层4优选为仅由导电性物质及绝缘性物质构成的导电性复合材料。
[0055]
导电层4中所包含的导电性物质优选为选自由碳化钼(mo2c)、钼(mo)、碳化钨(wc)、钨(w)、碳化钽(tac)、钽(ta)、碳化硅(sic)、炭黑、碳纳米管及碳纳米纤维组成的组中的至少1种。通过导电层4中所包含的导电性物质为选自由所述物质组成的组中的至少1种，能够确保导电层的导电率。
[0056]
导电层4中所包含的绝缘性物质虽然没有特别的限定，但例如可举出选自氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、氧化钇(y2o3)、钇
·
铝
·
石榴石(yag)等中的至少1种。导电层4中所包含的绝缘性物质还优选与第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质相同。
[0057]
通过导电层4由导电性物质及绝缘性物质构成，与第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的接合强度以及作为电极的机械强度变强。通过导电层4中所包含的绝缘性物质为氧化铝(al2o3)，可保持高温下的介电特性、高耐蚀性、耐等离子体性及耐热性。
[0058]
导电层4中导电性物质及绝缘性物质的含量比(掺合比)并无特别的限定，可根据陶瓷接合体1的用途适当调整。
[0059]
导电层4中所使用的绝缘性物质的比例能够任意选择，相对于导电性物质及绝缘性物质的总量，优选为25～65质量％，优选为35～55质量％，但并不仅限定于这些例子。所述比例例如可以为30～60质量％、40～50质量％等。
[0060]
导电层4中所使用的导电性物质的比例能够任意选择，相对于所述总量，优选为35～75质量％，优选为45～65质量％，但并不仅限定于这些例子。所述比例例如可以为40～70质量％、50～60质量％等。
[0061]
绝缘层5是为了接合第1陶瓷板2与第2陶瓷板3的边界部即导电层4形成部以外的外缘部区域而设的层。绝缘层5的形状(俯视观察(从厚度方向观察)绝缘层5时的形状)并无特别的限定，可根据导电层4的形状适当调整。
[0062]
在本实施方式的陶瓷接合体1中，绝缘层5的厚度优选与导电层4的厚度相等。绝缘层5的形状能够任意选择，例如可以为俯视观察时的圆形、面包圈状、四边形、长方形等，但并不仅限定于这些例子。在俯视观察时，绝缘层5的形状也可以为包围导电层4的形状。
[0063]
绝缘层5仅由绝缘性物质构成。
[0064]
构成绝缘层5的绝缘性物质虽然没有特别的限定，但优选与第1陶瓷板2及第2陶瓷
板3的绝缘性物质相同。构成绝缘层5的绝缘性物质例如可举出选自氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、氧化钇(y2o3)、钇
·
铝
·
石榴石(yag)等中的至少1种。构成绝缘层5的绝缘性物质优选仅由氧化铝(al2o3)构成。通过构成绝缘层5的绝缘性物质为氧化铝(al2o3)，适当地保持高温下的介电特性、高耐蚀性、耐等离子体性及耐热性。
[0065]
构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径优选为1.6μm以上且10.0μm以下，更优选为1.6μm以上且8.0μm以下，进一步优选为1.6μm以上且6.0μm以下。所述值也可以为1.6～2.5μm、2.5～3.5μm、3.5～5.0μm等。
[0066]
如果构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径为1.6μm以上，则能够获得充分的耐电压性。另一方面，如果构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径为10.0μm以下，则磨削等加工性良好。
[0067]
构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径的测量方法与构成第1陶瓷板2及第2陶瓷板3的绝缘性物质的平均一次粒径的测量方法相同。
[0068]
根据本实施方式的陶瓷接合体1，具备：一对陶瓷板2、3，包含导电性物质；及导电层4及绝缘层5，介于陶瓷板2、3之间，陶瓷板2、3与绝缘层5的界面处的气孔率为4％以下，构成绝缘层5的绝缘性物质的平均一次粒径与构成陶瓷板2、3的绝缘性物质的平均一次粒径之比大于1，因此能够抑制在陶瓷板2、3与导电层4的接合界面产生绝缘击穿(放电)。
[0069]
[陶瓷接合体的制造方法]
[0070]
本实施方式的陶瓷接合体的制造方法具有：对包含导电性物质的第1陶瓷板的一个面实施磨削加工或抛光加工，将第1陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下的工序(以下，称为“第1工序”。)；在实施了磨削加工或抛光加工的第1陶瓷板的一个面涂布导电层形成用膏而形成导电层涂膜，并且涂布绝缘层形成用膏而形成绝缘层涂膜的工序(以下，称为“第2工序”。)；对包含导电性物质的第2陶瓷板的一个面实施磨削加工或抛光加工，将第2陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下的工序(以下，称为“第3工序”。)；以导电层涂膜及绝缘层涂膜的与和第1陶瓷板相接的面相反的一侧的面与实施了磨削加工或抛光加工的第2陶瓷板的一个面相接的方式，层叠第2陶瓷板的工序(以下，称为“第4工序”。)；及将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体一边进行加热一边在厚度方向上进行加压的工序(以下，称为“第5工序”。)。
[0071]
所述导电层优选与所述一对陶瓷板直接接触且夹在其中，所述绝缘层优选与所述一对陶瓷板直接接触且夹在其中。
[0072]
以下，一边参考图1，一边对本实施方式的陶瓷接合体的制造方法进行说明。
[0073]
在第1工序中，对第1陶瓷板2的至少一个面即与绝缘层5相对置的面2a，实施磨削加工或抛光加工，将第1陶瓷板2的所述面2a的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下。磨削加工及抛光加工的条件能够任意选择。
[0074]
第1陶瓷板2的一个面2a的算术平均粗糙度(ra)为0.25μm以下，更优选为0.23μm以下，进一步优选为0.20μm以下。另外，更优选为0.1μm以下。但是，并不仅限定于这些例子。下限值能够任意选择，但例如算术平均粗糙度(ra)为0.005μm以上，优选为0.01μm以上，但并不仅限定于这些例子。
[0075]
使用表面粗糙度计(例如由tokyo seimitsu co.,ltd.制造的触针式的表面粗糙度计)，并遵照jis b 0601：2013“产品的几何特性规格(gps)-表面性状：轮廓曲线方式-用
语，定义及表面性状参数”测量第1陶瓷板2的一个面2a的算术平均粗糙度(ra)。
[0076]
为了将第1陶瓷板2的面2a的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下，优选在磨削加工或抛光加工时使用适当选择的粒径的磨粒。作为磨粒的粒径，例如优选使用粒度jis表示#200至#4000的范围的粒径。
[0077]
在第2工序中，通过丝网印刷法等任意选择的涂布法，在实施了磨削加工或抛光加工的第1陶瓷板2的面2a的规定的位置，涂布导电层形成用膏，形成成为导电层4的涂膜(导电层涂膜)。
[0078]
作为导电层形成用膏，优选使用将形成导电层4的导电性物质及绝缘性物质分散到任意选择的溶剂中而得的膏。
[0079]
作为导电层形成用膏中所包含的溶剂，使用异丙醇等。导电层形成用膏中的所述物质的比例能够任意选择，但优选为10～40质量％，更优选为20～30质量％。
[0080]
导电性物质的平均一次粒径优选为0.1μm～10μm，更优选为0.5μm～5μm。所述粒径可以根据需要为0.3～6μm、1～8μm、2～4μm等，但并不仅限定于这些例子。绝缘性物质的平均一次粒径优选为0.01μm～10μm，更优选为1.0μm～10μm。所述粒径可以根据需要为0.3～6μm、1～8μm、2～4μm等，但并不仅限定于这些例子。
[0081]
并且，在第2工序中，通过丝网印刷法等任意选择的涂布法，在实施了磨削加工或抛光加工的第1陶瓷板2的面2a的规定的位置涂布绝缘层形成用膏，形成成为绝缘层5的涂膜(绝缘层涂膜)。绝缘层形成用膏与导电层形成用膏可以互相重叠，但优选互不重叠。绝缘层形成用膏与导电层形成用膏可以互相并列形成，也可以互相接触。
[0082]
作为绝缘层形成用膏，优选使用将形成绝缘层5的绝缘性物质分散到任意选择的溶剂中而得的膏。
[0083]
作为绝缘层形成用膏中所包含的溶剂，使用异丙醇等。绝缘层形成用膏中的所述物质的比例能够任意选择，但优选为20～70质量％，更优选为30～50质量％。
[0084]
另外，可以先涂布绝缘层形成用膏，或也可以先涂布导电层形成用膏，也可以同时涂布。关于两种所述膏，可以在先涂布的膏干燥之后，涂布下一个膏，或也可以在干燥前涂布。
[0085]
在第3工序中，以与第1工序相同的方式，在第2陶瓷板3的至少一个面即与绝缘层5或导电层4相对置的面3a，实施磨削加工或抛光加工，将第2陶瓷板3的面3a的算术平均粗糙度(ra)设为0.25μm以下。
[0086]
第2陶瓷板3的面3a的算术平均粗糙度(ra)为0.25μm以下，更优选为0.23μm以下，进一步优选为0.20μm以下。并且，更优选为0.1μm以下。下限值能够任意选择，但例如算术平均粗糙度(ra)为0.005μm以上，优选为0.01μm以上，但并不仅限定于这些例子。
[0087]
在上述第2～第3工序中，可以包括或不包括将所涂布的膏干燥至所期望的状态为止的干燥工序。
[0088]
在第4工序中，以实施了磨削加工或抛光加工的第2陶瓷板3的面3a与导电层涂膜及绝缘层涂膜的与和第1陶瓷板2相接的面相反的一侧的面相接的方式，层叠第2陶瓷板3。
[0089]
在第5工序中，将包括第1陶瓷板2、成为导电层4的涂膜、成为绝缘层5的涂膜及第2陶瓷板3的层叠体，一边进行加热，一边在厚度方向上进行加压。在将层叠体一边进行加热一边在厚度方向上进行加压时的环境优选为真空或ar、he、n2等惰性环境。
[0090]
加热所述层叠体的温度(热处理温度)能够任意选择，但优选为1600℃以上且1900℃以下，更优选为1650℃以上且1850℃以下。也可以为1700℃以上且1800℃以下。如果层叠体的加热温度在1600℃以上且1900℃以下，则能够使各涂膜中所包含的溶剂挥发而在第1陶瓷板2与第2陶瓷板3之间适当地形成导电层4及绝缘层5。并且，能够经由导电层4及绝缘层5适当地接合一体化第1陶瓷板2及第2陶瓷板3。
[0091]
将所述层叠体在厚度方向上加压的压力(加压力)能够任意选择，但优选为1.0mpa以上且50.0mpa以下，更优选为3.0mpa以上且35.0mpa以下，进一步优选为5.0mpa以上且20.0mpa以下。
[0092]
如果将层叠体在厚度方向上加压的压力在1.0mpa以上且50.0mpa以下，则能够在第1陶瓷板2与第2陶瓷板3之间适当地形成互相密合的导电层4及绝缘层5。并且，能够经由导电层4及绝缘层5适当地接合一体化第1陶瓷板2及第2陶瓷板3。
[0093]
[静电卡盘装置]
[0094]
以下，一边参考图2，一边对本发明的一实施方式所涉及的静电卡盘装置进行说明。
[0095]
图2是表示本实施方式的静电卡盘装置的例子的概略剖视图。另外，在图2中，对与图1所示的陶瓷接合体相同的结构标注相同的标号，并省略重复的说明。
[0096]
如图2所示，本实施方式的静电卡盘装置100具有：圆板状静电卡盘部件102；圆板状温度调节用基底部件103，将静电卡盘部件102调整至所期望的温度；及粘接剂层104，将这些静电卡盘部件102及温度调整用基底部件103接合一体化。在本实施方式的静电卡盘装置100中，静电卡盘部件102例如由上述实施方式的陶瓷接合体1或陶瓷接合体1构成。在此，对由陶瓷接合体1构成静电卡盘部件102的情况进行说明。
[0097]
在以下说明中，有时将载置板111的载置面111a侧记为“上”、将温度调整用基底部件103侧记为“下”来表示各结构的相对位置。
[0098]
[静电卡盘部件]
[0099]
静电卡盘部件102具有：载置板111，上表面设为载置半导体晶片等板状试样的载置面111a且由陶瓷形成；支承板112，设在载置板111的与载置面111a相反的面侧；静电吸附用电极113，夹在这些载置板111与支承板112之间；环状绝缘材料114，被载置板111及支承板112夹住且包围静电吸附用电极113的周围；及供电用端子116，以与静电吸附用电极113相接的方式设在温度调节用基底部件103的固定孔115内。
[0100]
在静电卡盘部件102中，载置板111可以相当于上述的第2陶瓷板3，支承板112可以相当于上述的第1陶瓷板2，静电吸附用电极113可以相当于上述的导电层4，绝缘材料114可以相当于上述的绝缘层5。
[0101]
[载置板]
[0102]
在载置板111(第2陶瓷板3)的载置面111a适当地立设有用于支承半导体晶片等板状试样的多个凸起(省略图示)。进而，在载置板111的载置面111a的周缘部，可以以将该周缘部绕一圈的方式设有截面为四边形状的环状凸起部，以免氦(he)等冷却气体泄漏。进而，在该载置面111a上被环状凸起部包围的区域，可以设有与环状凸起部高度相同且横截面为圆形状且纵截面为大致长方形状的多个凸起部。如此，能够适当地加工载置板111。
[0103]
载置板111的厚度能够任意选择，但优选为0.3mm以上且3.0mm以下，更优选为
0.4mm以上且2.5mm以下，进一步优选为0.5mm以上且1.5mm以下。如果载置板111的厚度为0.3mm以上，则耐电压性优异。另一方面，如果载置板111的厚度为3.0mm以下，则静电卡盘部件102的静电吸附力不会降低，载置在载置板111的载置面111a的板状试样与温度调整用基底部件103之间的导热性也不会降低，而能够将处理中的板状试样的温度保持为优选的恒定温度。
[0104]
[支承板]
[0105]
支承板112(第1陶瓷板2)从下侧支承载置板111及静电吸附用电极113。
[0106]
支承板112的厚度优选为0.3mm以上且3.0mm以下，更优选为0.4mm以上且2.5mm以下，进一步优选为0.5mm以上且1.5mm以下。如果支承板112的厚度为0.3mm以上，则能够确保充分的耐电压性。另一方面，如果支承板112的厚度为3.0mm以下，则静电卡盘部件102的静电吸附力不会降低，载置在载置板111的载置面111a的板状试样与温度调整用基底部件103之间的导热性也不会降低，而能够将处理中的板状试样的温度保持为优选的恒定温度。
[0107]
[静电吸附用电极]
[0108]
在静电吸附用电极113(导电层4)中，通过施加电压，产生在载置板111的载置面111a保持板状试样的静电吸附力。
[0109]
静电吸附用电极113的厚度能够任意选择，但优选为5μm以上且200μm以下，更优选为8μm以上且150μm以下，进一步优选为10μm以上且100μm以下。也可以为20μm以上且80μm以下或40μm以上且60μm以下。如果静电吸附用电极113的厚度为5μm以上，则能够确保充分的导电性。另一方面，如果静电吸附用电极113的厚度为200μm以下，则载置在载置板111的载置面111a的板状试样与温度调整用基底部件3之间的导热性不会降低，能够将处理中的板状试样的温度保持为所期望的恒定温度。并且，等离子体透过性不会降低，能够稳定地产生等离子体。
[0110]
[绝缘材料]
[0111]
绝缘材料114(绝缘层5)用于围绕静电吸附用电极113来保护静电吸附用电极113免受腐蚀性气体及其等离子体的影响。
[0112]
通过绝缘材料114，将载置板111及支承板112经由静电吸附用电极113接合一体化。
[0113]
[供电用端子]
[0114]
供电用端子116用于对静电吸附用电极113施加电压。
[0115]
供电用端子116的数量、形状等根据静电吸附用电极113的形态，即单极型还是双极型等来任意决定。
[0116]
供电用端子116的材料只要为耐热性优异的导电性材料，则不受特别限制。作为供电用端子116的材料，优选为热膨胀系数近似于静电吸附用电极113及支承板112的热膨胀系数的材料，例如适宜地使用可伐合金、铌(nb)等金属材料、各种导电性陶瓷。
[0117]
[导电性粘接层]
[0118]
导电性粘接层117设于温度调节用基底部件103的固定孔115内及支承板112的贯穿孔118内。并且，导电性粘接层117介于静电吸附用电极113与供电用端子116之间而电连接静电吸附用电极113及供电用端子116。
[0119]
构成导电性粘接层117的导电性粘接剂能够任意选择，优选包含碳纤维、金属粉末
等导电性物质及树脂。
[0120]
作为导电性粘接剂中所包含的树脂，只要是不易因热应力而发生凝聚破坏的树脂，则能够无特别限定地任意选择。例如可举出硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂等。
[0121]
在这些之中，从伸缩度强、不易因热应力变化而凝聚破坏的观点考虑，优选使用硅酮树脂。
[0122]
[温度调整用基底部件]
[0123]
温度调整用基底部件103是由金属及陶瓷中的至少一者形成的具有厚度的圆板状部件。温度调整用基底部件103的构架是兼备等离子体产生用内部电极的结构。在温度调整用基底部件103的构架的内部形成有使水、he气体、n2气体等冷却介质循环的流路121。
[0124]
温度调整用基底部件103的构架连接于外部的高频电源122。并且，在温度调整用基底部件103的固定孔115内，经由绝缘材料123而固定有其外周被绝缘材料123围绕的供电用端子116。供电用端子116连接于外部的直流电源124。
[0125]
构成温度调整用基底部件103的材料只要是导热性、导电性、加工性优异的金属或包含这些金属的复合材料，则不受特别限制。作为构成温度调整用基底部件3的材料，例如适宜地使用铝(al)、铜(cu)、不锈钢(sus)、钛(ti)等。
[0126]
优选对温度调整用基底部件103中至少暴露于等离子体的面实施氧化铝膜处理或基于聚酰亚胺系树脂的树脂涂布。并且，更优选对温度调整用基底部件103的整个面实施所述氧化铝膜处理或树脂涂布。
[0127]
通过对温度调整用基底部件103实施氧化铝膜处理或树脂涂布，温度调整用基底部件103的耐等离子体性提高，并且可防止异常放电。因此，温度调整用基底部件103的耐等离子体稳定性提高，并且能够防止温度调整用基底部件103的表面损伤的发生。
[0128]
[粘接剂层]
[0129]
粘接剂层104是将静电卡盘部102及冷却用基底部103粘接一体化的层。
[0130]
粘接剂层104的厚度能够任意选择，但优选为100μm以上且200μm以下，更优选为130μm以上且170μm以下。
[0131]
如果粘接剂层104的厚度在上述范围内，则能够充分地保持静电卡盘部102与冷却用基底部103之间的粘接强度。并且，能够充分地确保静电卡盘部102与冷却用基底部103之间的导热性。
[0132]
粘接剂层104的材料能够任意选择，但例如由加热固化硅酮类树脂组合物而得的固化体、丙烯酸树脂、环氧树脂等形成。
[0133]
硅酮类树脂组合物是具有硅氧烷键(si-o-si)的硅化合物，是耐热性、弹性优异的树脂，因此更优选。
[0134]
作为这种硅酮类树脂组合物，尤其优选热固化温度为70℃～140℃的硅酮树脂。
[0135]
在此，如果热固化温度低于70℃，则在将静电卡盘部102及冷却用基底部103以相对置的状态进行接合时，由于在接合过程中固化不会充分地进行，有操作性变差的可能性，因此不优选。另一方面，如果热固化温度超过140℃，则与静电卡盘部102及冷却用基底部103的热膨胀差大，静电卡盘部102与冷却用基底部103之间的应力增加，从而具有在这些之间产生剥离的可能性，因此不优选。
[0136]
根据本实施方式的静电卡盘装置100，由于静电卡盘部件102由陶瓷接合体1构成，因此能够抑制在静电卡盘部件102产生绝缘击穿(放电)。
[0137]
以下，对本实施方式的静电卡盘装置的制造方法进行说明。
[0138]
准备以上述方式得到的由陶瓷接合体1构成的静电卡盘部件102。
[0139]
在冷却用基底部103的一个主表面103a的规定区域涂布由硅酮类树脂组合物形成的粘接剂。在此，将粘接剂的涂布量调整成能够将静电卡盘部102及冷却用基底部103接合一体化。
[0140]
作为该粘接剂的涂布方法，除了使用刮刀等来手动涂布以外，可举出棒涂法、丝网印刷法等。
[0141]
在冷却用基底部103的一个主表面103a涂布粘接剂之后，重叠静电卡盘部102(陶瓷接合体1)及涂布有粘接剂的冷却用基底部103。
[0142]
并且，将立设的供电用端子116插入并嵌入到在冷却用基底部103中穿孔而得的固定孔115。
[0143]
接着，以规定的压力向冷却用基底部103按压静电卡盘部102，从而将静电卡盘部102及冷却用基底部103接合一体化。由此，静电卡盘部102及冷却用基底部103经由粘接剂层104而接合一体化。
[0144]
由此，可获得静电卡盘部102及冷却用基底部103经由粘接剂层104接合一体化而成的本实施方式的静电卡盘装置100。
[0145]
另外，作为本实施方式所涉及的板状试样，并不限于半导体晶片，例如可以为液晶显示器(lcd)、等离子体显示器(pdp)、有机el显示器等平板型显示器(fpd)用玻璃基板等。并且，只要根据该基板的形状及大小而设计本实施方式的静电卡盘装置即可。
[0146]
实施例
[0147]
以下，通过实施例及比较例对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于以下实施例。
[0148]
[实施例1]
[0149]“陶瓷接合体的制作”[0150]
准备91质量％的氧化铝粉末及9质量％的碳化硅粉末的混合粉末，将其成型，并进行烧结，制作出由直径450mm、厚度5.0mm的圆盘状的氧化铝-碳化硅复合烧结体(氧化铝与碳化硅的复合体)构成的陶瓷板(第1陶瓷板、第2陶瓷板)。
[0151]
对第1陶瓷板的一个面(与绝缘层相接的面)实施抛光加工，将第1陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.2μm。并且，对第2陶瓷板的一个面(与绝缘层相接的面)实施抛光加工，将第2陶瓷板的一个面(与绝缘层相接的面)的算术平均粗糙度(ra)设为0.2μm。
[0152]
接着，通过丝网印刷法，在第1陶瓷板的所述一个面上涂布导电层形成用膏，形成了导电层涂膜。并且，通过丝网印刷法，在第1陶瓷板的所述一个面上涂布绝缘层形成用膏，形成了绝缘层涂膜。绝缘层涂膜及导电层涂膜以互不重叠的方式形成。并且，将俯视观察时的导电层涂膜的形状设为圆形。绝缘层涂膜的形状形成为包围导电层的外周。将绝缘层的外周设为与第1陶瓷板的外周相等。即，形成为在俯视观察时使它们的外周一致。并且，将厚度设为与导电层涂膜的厚度相同。
[0153]
作为导电层形成用膏，使用了将氧化铝粉末及碳化钼粉末分散到异丙醇中而得的
膏。将导电层形成用膏中的氧化铝粉末的含量设为25质量％，并将碳化钼粉末的含量设为25质量％。作为绝缘层形成用膏，使用了将平均一次粒径为2.0μm的氧化铝粉末分散到异丙醇中而得的膏。将绝缘层形成用膏中的氧化铝粉末的含量设为50质量％。
[0154]
接着，以导电层涂膜及绝缘层涂膜的与和第1陶瓷板相接的面相反的一侧的面与实施了磨削加工或抛光加工的第2陶瓷板的一个面相接的方式，层叠了第2陶瓷板。
[0155]
接着，在氩气环境下，将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体，一边进行加热，一边在厚度方向上进行了加压。将热处理温度设为1700℃，将加压力设为10mpa，将热处理及加压时间设为2小时。
[0156]
通过以上工序，得到了如图1所示的实施例1的陶瓷接合体。
[0157]
(气孔率的测量)
[0158]
在所得到的陶瓷接合体中，测量了第1陶瓷板与绝缘层的界面及第2陶瓷板与绝缘层的界面处的气孔率。将结果示于表1中。
[0159]
以如下方式测量了第1陶瓷板与绝缘层的界面及第2陶瓷板与绝缘层的界面处的气孔率。通过由jeol ltd.制造的场发射式扫描电子显微镜(fe-sem)观察第1陶瓷板、第2陶瓷板及绝缘层的厚度方向的切割面，并通过图像分析软件(mac-view version4：由mountech co.,ltd.制造)分析该切割面的图像，计算出气孔的面积。另外，将分析中使用的区域及条件设为360μm
×
480μm(绝缘层5：15μm
×
480μm，陶瓷板3的区域：345μm
×
480μm)。另外，所述测量区域为第2陶瓷板3与绝缘层5互相相接的区域。
[0160]
根据所得到的计算结果，使用绝缘层的面积及气孔的面积，并按照下述式(1)计算出气孔率(％)。
[0161]
气孔率＝气孔的面积/(绝缘层的面积 气孔的面积)
×
100(1)
[0162]
(绝缘性物质的平均一次粒径的测量)
[0163]
在所得到的陶瓷接合体中，测量了构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径。并且，测量构成绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径(在表1中，记为“al2o3粉末(粒子)的平均一次粒径”)的结果，为2.0μm。进而，计算构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比(在表1中，记为“al2o3粉末(粒子)的平均一次粒径之比”)的结果，为1.3。将结果示于表1中。
[0164]
另外，以如下方式测量了构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径以及构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径。将所得到的陶瓷接合体进行切割。然后，使用由jeol ltd.制造的场发射式扫描电子显微镜(fe-sem)，观察第1陶瓷板及第2陶瓷板的厚度方向的切割面，并通过截距法将200个绝缘性物质的粒径的平均设为平均一次粒径。在上述观察中，能够观察陶瓷板中或绝缘层中所包含的绝缘性物质即al2o3粒子，并且能够通过观察及计算得到其平均一次粒径。
[0165]
(绝缘性评价)
[0166]
以如下方式，评价了陶瓷接合体的绝缘性。
[0167]
在陶瓷接合体的侧面(陶瓷接合体的厚度方向的侧面)，以与第1陶瓷板、绝缘层及第2陶瓷板相接的方式，贴附了碳胶带。另外，由于导电层被绝缘层包围，因此不与碳胶带相接。
[0168]
将第1陶瓷板在其厚度方向上贯穿，形成了从第1陶瓷板的与和导电层相接的面相
反的一侧的面至导电层的贯穿电极。贯穿电极设为与导电层接触。
[0169]
经由碳胶带及贯穿电极，对陶瓷接合体施加电压，而测量了陶瓷接合体发生绝缘击穿(放电)的电压。具体而言，在施加3000v电压的状态下施加rf电压并保持10分钟，然后以每次500v的方式逐渐地施加电压并保持10分钟，当所测量的电流值超过0.1ma(毫安培)时，视为绝缘击穿。将结果示于表1中。
[0170]
[实施例2]
[0171]
将第1陶瓷板的一个面及第2陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.07μm，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了实施例2的陶瓷接合体。
[0172]
以与实施例1相同的方式，测量实施例2的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0173]
[实施例3]
[0174]
将第1陶瓷板的一个面及第2陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.01μm，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了实施例3的陶瓷接合体。
[0175]
以与实施例1相同的方式，测量实施例3的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0176]
[实施例4]
[0177]
对95.5质量％的氧化铝粉末及4.5质量％的碳化硅粉末的混合粉末进行成型及烧结，制作出由直径450mm、厚度5.0mm的圆盘状的氧化铝-碳化硅复合烧结体构成的陶瓷板(第1陶瓷板、第2陶瓷板)。
[0178]
将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径设为3.0μm，将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比设为2.0，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了实施例4的陶瓷接合体。
[0179]
以与实施例1相同的方式，测量实施例4的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0180]
[实施例5]
[0181]
将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径设为3.3μm，并将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比设为2.2，并将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体的热处理温度设为1750℃，除此之外，以与实施例4相同的方式，得到了实施例5的陶瓷接合体。
[0182]
以与实施例1相同的方式，测量实施例5的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0183]
[实施例6]
[0184]
将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径设为5.8μm，并将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比设为3.9，并将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体的热处理温度设为1800℃，除此之外，以与实施例4相同的方式，得到了实施例6的陶瓷接合体。
[0185]
以与实施例1相同的方式，测量实施例6的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0186]
[比较例1]
[0187]
将第1陶瓷板的一个面及第2陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度(ra)设为0.3μm，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了比较例1的陶瓷接合体。
[0188]
以与实施例1相同的方式，测量比较例1的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0189]
[比较例2]
[0190]
将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径设为1.5μm，并将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比设为1.0，并将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体的热处理温度设为1650℃，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了比较例2的陶瓷接合体。
[0191]
以与实施例1相同的方式，测量比较例2的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0192]
[比较例3]
[0193]
将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径设为1.0μm，并将构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成第1陶瓷板及第2陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比设为0.7，并将包括第1陶瓷板、导电层涂膜、绝缘层涂膜及第2陶瓷板的层叠体的热处理温度设为1600℃，除此之外，以与实施例1相同的方式，得到了比较例3的陶瓷接合体。
[0194]
以与实施例1相同的方式，测量比较例3的陶瓷接合体的气孔率及al2o3粒子的平均一次粒径，评价了绝缘性。将结果示于表1中。
[0195]
[表1]
[0196][0197]
从表1的结果可知，气孔率为4.5％(超过4％)的比较例1的陶瓷接合体的绝缘耐压低，但气孔率为3.0％以下的实施例1～实施例6的陶瓷接合体的绝缘耐压高。
[0198]
并且，可知构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比为1.0以下的比较例2及比较例3的陶瓷接合体的绝缘耐压低。与此相对地，可知构成绝缘层的al2o3粒子的平均一次粒径与构成陶瓷板的al2o3粒子的平均一次粒径之比超过1的实施例1～实施例6的陶瓷接合体的绝缘耐压高。
[0199]
产业上的可利用性
[0200]
本发明提供一种抑制在陶瓷板与导电层的接合界面产生绝缘击穿(放电)的陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。在本发明的陶瓷接合体中，一对陶瓷板与绝缘层的界面处的气孔率为4％以下，构成绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径与构成陶瓷板的绝缘性物质的平均一次粒径之比大于1。因此，抑制在陶瓷板与导电层的接合界面产生绝缘击穿(放电)。因此，本发明的陶瓷接合体可适宜地用于静电卡盘装置的静电卡盘部
件，其有用性非常大。
[0201]
标号说明
[0202]
1-陶瓷接合体
[0203]
2-陶瓷板(第1陶瓷板)
[0204]
2a-第1陶瓷板的一个面
[0205]
3-陶瓷板(第2陶瓷板)
[0206]
3a-第2陶瓷板3一个面
[0207]
4-导电层
[0208]
5-绝缘层
[0209]
6-气孔
[0210]
100-静电卡盘装置
[0211]
102-静电卡盘部件
[0212]
103-温度调整用基底部件(冷却用基底部)
[0213]
103a-冷却用基底部的一个主表面
[0214]
104-粘接剂层
[0215]
111-载置板
[0216]
111a-载置板的载置面
[0217]
112-支承板
[0218]
113-静电吸附用电极
[0219]
114-绝缘材料
[0220]
115-固定孔
[0221]
116-供电用端子
[0222]
117-导电性粘接层
[0223]
118-贯穿孔
[0224]
121-流路
[0225]
122-高频电源
[0226]
123-绝缘材料
[0227]
124-直流电源