esd输入电路及存储器
技术领域
1.本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种esd输入电路及存储器。
背景技术：
2.在集成电路领域，静电放电(esd)问题已经成为一个影响芯片可靠性的严重问题。当芯片发生esd事件时，外部环境以及芯片内部积累的大量静态电荷能够瞬间通过芯片的引脚流过芯片内部，从而导致pn结击穿、金属熔断、栅氧化层击穿等问题的发生。对于存储器而言，为了实现esd防护，同样需要在存储器内增加esd防护电路。但是，在部分应用中需要从外部输入负电压信号来加快存储操作，然而，当输入负电压信号时，由于esd防护电路的存在，存储器内的电位较高，导致负电压信号无法输入。
技术实现要素：
3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种esd输入电路及存储器，能够在不影响esd防护功能的情况下输入负电压信号。
4.第一方面，根据本实用新型实施例的esd输入电路，包括输入通路；esd防护晶体管，具有电源端、漏极端、源极端、栅极端和衬底端，所述esd防护晶体管的电源端与工作电源连接，所述esd防护晶体管的漏极端与所述输入通路连接，所述esd防护晶体管的源极端接地；负电压发生器，具有输出端和使能端，所述负电压发生器的输出端分别与所述esd防护晶体管的栅极端和衬底端连接，所述负电压发生器的使能端用于接收外部的使能信号。
5.根据本实用新型实施例的esd输入电路，至少具有如下有益效果：
6.当输入通路需要输入第一负电压信号时，向负电压发生器提供使能信号，负电压发生器向esd防护晶体管的栅极端和衬底端输出第二负电压信号，使esd防护晶体管反向截止，从而使输入通路能够通过第一负电压信号。
7.根据本实用新型的一些实施例，所述输入通路包括输入焊盘和输出焊盘，所述输入焊盘与所述输出焊盘连接，且所述输入焊盘和输出焊盘的连接路径上设置有连接节点。
8.根据本实用新型的一些实施例，所述输入焊盘和所述输出焊盘之间设置有第一保护电阻。
9.根据本实用新型的一些实施例，所述第一保护电阻的两端分别连接于所述连接节点和所述输出焊盘。
10.根据本实用新型的一些实施例，所述第一保护电阻的两端分别连接于所述输入焊盘和所述连接节点。
11.根据本实用新型的一些实施例，所述esd防护晶体管的栅极端与所述负电压发生器的输出端之间连接有第二保护电阻。
12.第二方面，根据本实用新型实施例的存储器，其特征在于，包括上述的esd输入电路。
13.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述
中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
14.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
15.图1为本实用新型实施例的esd输入电路的示意图之一；
16.图2为本实用新型实施例的esd输入电路的示意图之二。
具体实施方式
17.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
18.在本实用新型的描述中，“若干”的含义是一个或者多个，“多个”的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，“以上”、“以下”、“以内”等理解为包括本数。如果有描述到“第一”、“第二”等只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
19.本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
20.请参照图1，本实施例公开了一种存储器，包括esd输入电路，esd输入电路包括输入通路100、esd防护晶体管200和负电压发生器300，在本实施例中，输入通路100的第一端用于接收外部的输入信号，输入通路100的第二端用于将输入信号输出至存储器内部的后级电路。esd防护晶体管200具有电源端、漏极端、源极端、栅极端和衬底端，esd防护晶体管200的电源端与工作电源连接，esd防护晶体管200的漏极端与输入通路100连接，esd防护晶体管200的源极端接地，负电压发生器300具有输出端和使能端，负电压发生器300的输出端分别与esd防护晶体管200的栅极端和衬底端连接，负电压发生器300的使能端用于接收外部的使能信号。
21.在输入通路100接收正电压信号的情况下，esd防护晶体管200的作用与二极管类似，利用二极管的正向导通特性来将输入通路100的输入信号限定在预设的电压范围内。当输入通路100需要输入第一负电压信号时，外部的器件例如cpu，向负电压发生器300提供使能信号，负电压发生器300向esd防护晶体管200的栅极端和衬底端输出第二负电压信号，使esd防护晶体管200反向截止，从而使输入通路100能够通过第一负电压信号。需要说明的是，第二负电压信号的绝对值大于第一负电压信号的绝对值，例如，当第一负电压信号为-1v时，第二负电压信号可以采用-2v，此时输入通路100的电位高于esd防护晶体管200的电位，输入通路100能够通过第一负电压信号。
22.在本实施例中，输入通路100包括输入焊盘310和输出焊盘320，输入焊盘310与输出焊盘320连接，且输入焊盘310和输出焊盘320的连接路径上设置有连接节点330。其中输
入焊盘310用于接收第一负电压信号，输出焊盘320与存储器内的后级电路连接。
23.请参照图2，在本实施例中，输入焊盘310和输出焊盘320之间设置有第一保护电阻400，第一保护电阻400可以对输入信号起到限流作用。
24.在一些应用示例中，第一保护电阻400的两端分别连接于连接节点330和输出焊盘320，第一保护电阻400可以对输入信号起到限流作用，从而避免输入信号过大而损坏存储器内的后级电路。
25.在一些应用示例中，第一保护电阻400的两端分别连接于输入焊盘310和连接节点330，第一保护电阻400可以起到限流作用，可以对esd防护晶体管200起到限流保护作用。
26.同样的，esd防护晶体管200的栅极端与负电压发生器300的输出端之间连接有第二保护电阻500，第二保护电阻500可以起到分压作用，可以对esd防护晶体管200的栅极端进行保护，避免大电流对esd防护晶体管200的栅极端造成损坏。
27.上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
技术特征：
1.一种esd输入电路，其特征在于，包括：输入通路(100)；esd防护晶体管(200)，具有电源端、漏极端、源极端、栅极端和衬底端，所述esd防护晶体管(200)的电源端与工作电源连接，所述esd防护晶体管(200)的漏极端与所述输入通路(100)连接，所述esd防护晶体管(200)的源极端接地；负电压发生器(300)，具有输出端和使能端，所述负电压发生器(300)的输出端分别与所述esd防护晶体管(200)的栅极端和衬底端连接，所述负电压发生器(300)的使能端用于接收外部的使能信号。2.根据权利要求1所述的esd输入电路，其特征在于，所述输入通路(100)包括输入焊盘(310)和输出焊盘(320)，所述输入焊盘(310)与所述输出焊盘(320)连接，且所述输入焊盘(310)和输出焊盘(320)的连接路径上设置有连接节点(330)。3.根据权利要求2所述的esd输入电路，其特征在于，所述输入焊盘(310)和所述输出焊盘(320)之间设置有第一保护电阻(400)。4.根据权利要求3所述的esd输入电路，其特征在于，所述第一保护电阻(400)的两端分别连接于所述连接节点(330)和所述输出焊盘(320)。5.根据权利要求3所述的esd输入电路，其特征在于，所述第一保护电阻(400)的两端分别连接于所述输入焊盘(310)和所述连接节点(330)。6.根据权利要求1至5任意一项所述的esd输入电路，其特征在于，所述esd防护晶体管(200)的栅极端与所述负电压发生器(300)的输出端之间连接有第二保护电阻(500)。7.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至6任意一项所述的esd输入电路。
技术总结
本实用新型公开了一种ESD输入电路及存储器，包括输入通路、ESD防护晶体管和负电压发生器，ESD防护晶体管具有电源端、漏极端、源极端、栅极端和衬底端，ESD防护晶体管的电源端与工作电源连接，ESD防护晶体管的漏极端与输入通路连接，ESD防护晶体管的源极端接地，负电压发生器具有输出端和使能端，负电压发生器的输出端分别与ESD防护晶体管的栅极端和衬底端连接，负电压发生器的使能端用于接收外部的使能信号。当输入通路需要输入第一负电压信号时，向负电压发生器提供使能信号，负电压发生器向ESD防护晶体管的栅极端和衬底端输出第二负电压信号，使ESD防护晶体管反向截止，从而使输入通路能够通过第一负电压信号。通路能够通过第一负电压信号。通路能够通过第一负电压信号。
技术研发人员：张登军 马亮 安友伟 伍惠瑜 刘大海
受保护的技术使用者：合肥博雅半导体有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/7/22
再多了解一些
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