静电防护版图结构及集成电路的制作方法

1.本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种静电防护版图结构及集成电路。


背景技术：

2.在集成电路设计中，mos管是基本元件之一。在进行大规模集成电路设计时，通常需要利用mos管进行组合，例如利用pmos管和nmos管进行组合，从而实现反相器或esd管的功能。对于mos管而言，其esd(静电释放)防护能力较弱。目前集成电路的esd防护设计大多是针对整个电路模块，相邻的mos管之间的esd防护能力较弱。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种静电防护版图结构及集成电路，能够提高esd防护能力和节约布线面积。
4.第一方面，根据本实用新型实施例的静电防护版图结构，包括第一mos区，设置在p型衬底上，所述第一mos区设置有至少两个同向排布的第一mos组件，相邻的所述第一mos组件之间设置有第一间隔；第二mos区，设置在所述p型衬底上，且位于所述第一mos区的一侧，所述第二mos区设置有与所述第一mos组件适配的第二mos组件，相邻的所述第二mos组件之间设置有第二间隔；静电防护带，设置在所述p型衬底上，且将所述第一mos区和所述第二mos区分隔在相对的两侧，所述静电防护带包括依次排布的第一p型注入区、第一n阱区和第二p型注入区，所述第一p型注入区、所述第一n阱区和所述第二p型注入区均为条状结构且相互平行。
5.根据本实用新型实施例的静电防护版图结构，至少具有如下有益效果：
6.在使用时，第一p型注入区和第二p型注入区均可将静电导入地端，第一n阱区分别第一p型注入区和第二p型注入区形成反偏的pn结，具有较高的阻抗，可以将第一mos区和第二mos区分隔在两个区域，有利于提高第一mos区和第二mos区之间的esd防护能力，且第一mos区内的至少两个第一mos组件和第二mos区内的第二mos组件共用静电防护带，可以节约布线面积，有利于提高布线密度。
7.根据本实用新型的一些实施例，所述第一p型注入区和所述第一n阱区之间设置有第一间隙，所述第一n阱区和所述第二p型注入区之间设置有第二间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的距离相等。
8.根据本实用新型的一些实施例，所述第一mos区的外侧设置有第一接地防护环，所述第二mos区的外侧设置有第二接地防护环。
9.根据本实用新型的一些实施例，所述第一mos区为pmos区，所述第一接地防护环为n型接地防护环。
10.根据本实用新型的一些实施例，所述第二mos区为nmos区，所述第二接地防护环为p型接地防护环。
11.根据本实用新型的一些实施例，所述第一p型注入区、所述第一n阱区、所述第二p型注入区、所述第一接地防护环和所述第二接地防护环均连接有通孔区。
12.根据本实用新型的一些实施例，所述通孔区连接有金属区。
13.第二方面，根据本实用新型实施例的集成电路，包括上述的静电防护版图结构。
14.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
15.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
16.图1为本实用新型实施例的静电防护版图结构的示意图之一；
17.图2为本实用新型实施例的静电防护版图结构的示意图之二。
具体实施方式
18.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
19.在本实用新型的描述中，“若干”的含义是一个或者多个，“多个”的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，“以上”、“以下”、“以内”等理解为包括本数。如果有描述到“第一”、“第二”等只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
20.本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
21.请参照图1，本实施例公开了一种集成电路，包括静电防护版图结构，该静电防护版图结构包括第一mos区100、第二mos区200和静电防护带300，第一mos区100和第二mos区200均设置在p型衬底上，第一mos区100设置有至少两个同向排布的第一mos组件101，相邻的第一mos组件101之间设置有第一间隔102，第二mos区200位于第一mos区100的一侧，第二mos区200设置有与第一mos组件101适配的第二mos组件201，例如第二mos组件201的数量和排列方向均与第一mos组件101相适应，相邻的第二mos组件201之间设置有第二间隔202，静电防护带300设置在p型衬底上，且将第一mos区100和第二mos区200分隔在相对的两侧，静电防护带300包括依次排布的第一p型注入区310、第一n阱区320和第二p型注入区330，第一p型注入区310、第一n阱区320和第二p型注入区330均为条状结构且相互平行。
22.在使用时，第一p型注入区310和第二p型注入区330均接地，当静电通过p型衬底传导时，第一p型注入区310和第二p型注入区330均可将静电导入地端，第一n阱区320接电源，使第一n阱区320分别第一p型注入区310和第二p型注入区330形成反偏的pn结，具有较高的阻抗，当少量静电越过第一p型注入区310或第二p型注入区330后，由于pn结具有较高阻抗，
从而阻挡静电传导，可以将第一mos区100和第二mos区200分隔在两个区域，有利于提高第一mos区100和第二mos区200之间的esd防护能力，即使极少量的静电越过pn结，第二p型注入区330或第一p型注入区310也能将静电导入地点，有利于提高esd防护能力。而且第一mos区100内的至少两个第一mos组件101和第二mos区200内的第二mos组件201共用静电防护带300，例如，当利用一个第一mos组件101和一个第二mos组件201组成esd管时，可以将两个esd进行并排布置，使两个esd管共用静电防护带300，可以节约布线面积，有利于提高布线密度。
23.请参照图2，在本实施例中，第一p型注入区310和第一n阱区320之间设置有第一间隙，第一n阱区320和第二p型注入区330之间设置有第二间隙，第一间隙和第二间隙的距离相等，在使用时可以使第一间隙和第二间隙形成性能相同的pn结，有利于形成对称的esd防护结构。
24.为了进一步提高esd防护效果，第一mos区100的外侧设置有第一接地防护环(ground ring)110，第二mos区200的外侧设置有第二接地防护环210。在本实施例中，第一mos区100和第二mos区200的俯视结构均为矩形，因此，第一接地防护环110是围绕第一mos区100布置的环形结构，同样，第二接地防护环210是围绕第二mos区200布置的环形结构。在使用时，第一接地防护环110和第二接地防护环210均进行接地处理，可以将通过p型衬底传导的静电导入地端，实现esd防护。
25.在一些应用示例中，第一mos区100为pmos区，第一接地防护环110为n型接地防护环。如图2所示，pmos区和n型接地防护环制作在第二n阱区120内。
26.在一些应用中，第二mos区200为nmos区，第二接地防护环210为p型接地防护环。需要说明的是，在实际设计中，第一mos区100可以为nmos区，第二mos区200可以为pmos区，通过不同的mos区进行组合，可以组成不同的功能电路，从而实现相应的功能。
27.在一些应用示例中，第一p型注入区310、第一n阱区320、第二p型注入区330、第一接地防护环110和第二接地防护环210均连接有通孔区(未图示)，通孔区用于形成导电通孔，其中通孔区位于第一p型注入区310、第一n阱区320、第二p型注入区330、第一接地防护环110和第二接地防护环210的上层，通孔区连接有金属区(未图示)，金属区一般采用铜加工得到。金属区内布置有线路结构，例如第一线路结构和第二线路结构，第一线路结构接地，第二线路结构接电源。第一p型注入区310、第一n阱区320、第二p型注入区330、第一接地防护环110和第二接地防护环210通过对应的通孔区与第一线路结构连接，第一n阱区320通过对应的通孔区与第二线路结构连接。
28.上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。