高密度等离子体增强化学气相沉积腔室的制作方法

技术特征：
1.一种等离子体沉积腔室，包含：喷头，具有多个穿孔的砖，每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个；多个介电板，所述多个介电板的一个相对应至所述多个穿孔的砖的一个；和多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至所述多个介电板的一个，其中所述支撑构件包括提供前驱物气体至形成于所述电感耦合器及所述穿孔的砖之间的空间的多个入口，其中所述入口的每一个具有限流器，所述限流器包括横跨所述喷头变化的直径。2.如权利要求1所述的腔室，其中所述入口的每一个包括导管，所述导管具有第一直径和第二直径。3.如权利要求1所述的腔室，其中所述限流器的每一个包括长度，所述长度横跨所述喷头而变化。4.如权利要求1所述的腔室，进一步包含与所述电感耦合器的每一个相关联的介电板，所述介电板结合所述空间的一侧。5.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个穿孔的砖及所述多个支撑构件的每一个包括界面部分。6.如权利要求1所述的腔室，进一步包含覆盖板，定位于所述穿孔的砖的每一个四周。7.如权利要求6所述的腔室，其中所述覆盖板包括形成于其中的开口。8.如权利要求7所述的腔室，其中每一个穿孔的砖包括与形成于所述覆盖板中的所述开口对齐的开口。9.如权利要求1所述的腔室，其中所述喷头划分成分散的气体传输区，包含中心区、邻接于所述中心区的中间区、及邻接于所述中间区的外部区。10.一种用于等离子体沉积腔室的喷头，所述喷头包含：支撑构件，包含多个第一支撑表面和多个第二支撑表面，其中所述多个第一支撑表面在第一方向上从所述多个第二支撑表面以第一距离设置；多个气体传输组件，包含多个穿孔的砖和多个介电板，其中所述多个气体传输组件的每一个包含：穿孔的砖，设置于所述多个第一支撑表面的第一支撑表面上；和介电板，设置于所述多个第二支撑表面的第二支撑表面上；其中气体空间限定于所述介电板的表面及所述穿孔的砖的表面之间；多个入口，而提供前驱物气体至所述多个气体传输组件的气体空间，其中所述入口的每一个具有限流器，所述限流器包括横跨所述喷头变化的长度；和线圈，在所述喷头之中设置于所述多个气体传输组件的一个或多个上。11.如权利要求10所述的喷头，其中所述入口的每一个包括导管，所述导管具有第一直径和第二直径。12.如权利要求10所述的喷头，其中所述限流器的每一个包括直径，所述直径横跨所述喷头而变化。13.如权利要求10所述的喷头，其中所述介电板结合所述气体空间的一侧。14.如权利要求10所述的喷头，其中所述多个穿孔的砖的每一个和所述支撑构件包括界面部分。
15.如权利要求10所述的喷头，进一步包括覆盖板，定位于所述穿孔的砖的每一个四周。

技术总结
本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，包括多个穿孔的砖，其每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个，及在喷头之中的多个电感耦合器，其中多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至多个穿孔的砖的一个，其中支撑构件提供前驱物气体至形成于电感耦合器及穿孔的砖之间的空间。感耦合器及穿孔的砖之间的空间。感耦合器及穿孔的砖之间的空间。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2019.12.17
技术公布日：2022/7/21