一种MicroLED芯片阵列集成结构的制作方法

一种micro led芯片阵列集成结构
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种micro led芯片阵列集成结构。


背景技术：

2.micro led芯片是当今应用于显示光源的一大热点，其中micro led芯片由于其尺寸远小于目前的led芯片，使得可以实现以单颗led芯片作为最小像素单元，从而大幅提升现有显示屏的分辨率，其具有低功耗，高对比度，高亮度等优势。
3.但micro led芯片在实际生产应用中面临很多的问题。首先当led芯片到达micro级别时，其led芯粒的切割难度大幅增加，其切割精度要求更高，且切割时间更长。除此以外，micro led芯片的实际生产还存在巨量转移问题，其单颗micro led芯片转移至基板时，由于micro led芯片整体芯粒尺寸小，其互联焊盘远远小于常规led芯片，使得在转移过程中，一方面micro led芯片难以抓取，另一方面抓取micro led芯片之后其电极的对位难度也大幅增加。
4.针对现在的巨量转移问题，目前已经有很多种技术方案，比如卷对卷转移，激光转移等等。尽管目前已经提出了上述转移技术，但这些技术依然存在转移精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题，同时其还需要大幅替换或增加或更改现有的设备，使得造成转移设备昂贵，制造成本大幅增加等问题，其对于生产制造都是极大的挑战。


技术实现要素：

5.基于此，本发明的目的是提供一种micro led芯片阵列集成结构，以从根本上解决现有micro led芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题。
6.根据本发明实施例的一种micro led芯片阵列集成结构，包括：
7.由x行y列的micro led芯片所阵列组成的micro led芯片阵列；
8.与每一列中x个所述micro led芯片的第一电极连接的y列第一极性驱动线路；
9.与每一行中y个所述micro led芯片的第二电极连接的x行第二极性驱动线路；
10.与每一列的所述第一极性驱动线路连接的y个第一极性电极；
11.与每一行的所述第二极性驱动线路连接的x个第二极性电极；及
12.位于所述第一极性驱动线路和所述第二极性驱动线路之间的绝缘层。
13.另外，根据本发明上述实施例的一种micro led芯片阵列集成结构，还可以具有如下附加的技术特征：
14.进一步地，所述micro led芯片包括：
15.衬底、位于所述衬底上的外延层以及位于所述外延层上的导电电极；
16.所述外延层包括在所述衬底上所依次设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述第一半导体层的极性与所述第二半导体层的极性相反；
17.所述导电电极包括与所述第一半导体层电连接的第一电极以及与所述第二半导
体层电连接的第二电极。
18.进一步地，x≥1，y≥1，且x与y不同时为1。
19.进一步地，每一所述micro led芯片的边界处均设有用于隔离相邻所述micro led芯片的隔离沟槽。
20.进一步地，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
21.所述第一绝缘层覆盖在所述micro led芯片阵列上，且所述第一极性驱动线路穿过所述第一绝缘层与所述第一电极连接；
22.所述第二绝缘层覆盖在所述第一绝缘层和所述第一极性驱动线路上，且所述第二极性驱动线路穿过所述第二绝缘层及所述第一绝缘层与所述第二电极连接。
23.进一步地，所述micro led芯片阵列集成结构还包括覆盖在所述micro led芯片阵列、所述第一极性驱动线路以及所述第二极性驱动线路上的保护层；
24.所述第一极性电极穿过所述保护层与对应的第一极性驱动线路连接，所述第二极性电极穿过所述保护层与对应的第二极性驱动线路连接。
25.进一步地，所述第一极性电极和所述第二极性电极位于所述micro led芯片阵列中的非出光面。
26.进一步地，各个所述第一极性电极和各个所述第二极性电极分别沿所述micro led芯片阵列的两个对角交错排布。
27.进一步地，所述micro led芯片中发光层的边长小于100um。
28.进一步地，所述隔离沟槽设于每列相邻的micro led芯片之间。
29.与现有技术相比：通过设置由x行y列的micro led芯片所阵列组成的micro led芯片阵列，且每一列上设有与第一电极连接的第一极性驱动线路，每一行上设有与第二电极连接的第二极性驱动线路，且第一极性驱动线路与第一极性电极连接，第二极性驱动线路与第二极性电极连接，使得将现有的多个micro led芯片与原本需要在固晶端实现的驱动线路在芯粒端进行集成而形成micro led芯片阵列集成结构，而通过将第一极性驱动线路和第二极性驱动线路集成在芯粒端，使得实现了通过x个第一极性电极和y个第二极性电极即可使micro led芯片阵列的全部x
×
y个micro led芯片分别点亮，从而可将micro led芯片阵列作为最小切割、转移及互联单元，使得最小切割、转移及互联单元的尺寸可达到现有工艺水平可实现的量级，从而解决了解决现有micro led芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题；同时还避开micro led芯片的拾取难度大以及巨量转移的问题，使芯粒端以及固晶端都可以大幅降低生产成本；同时还大幅降低了micro led芯片阵列的转移频次，使得降低了生产成本。
附图说明
30.图1为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构的剖面结构示意图；
31.图2为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中mesa台面区域以及隔离沟槽分离出的每个micro led芯片的俯视图；
32.图3为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中第一电极与第二电极所处位置俯视图；
33.图4为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中第一绝缘层所处位置及
开孔位置俯视图；
34.图5为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中四条第一极性驱动线路所处位置俯视图；
35.图6为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中设置四条第一极性驱动线路时的剖面图；
36.图7为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中第二绝缘层所处位置及开孔位置俯视图；
37.图8为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中四条第二极性驱动线路所处位置俯视图；
38.图9为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中设置四条第二极性驱动线路时的剖面图；
39.图10为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中保护层所处位置及开孔位置俯视图；
40.图11为本发明一实施例的micro led芯片阵列集成结构中第一极性电极和第二极性电极所处位置俯视图；
41.图12为本发明另一实施例的micro led芯片阵列集成结构的剖面结构示意图；
42.图13为本发明另一实施例的micro led芯片阵列集成结构中mesa台面区域以及隔离沟槽分离出的每个micro led芯片的俯视图；
43.图14为本发明另一实施例的micro led芯片阵列集成结构中第一电极与第二电极所处位置俯视图；
44.以下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
45.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
46.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
47.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
48.实施例一
49.请参阅图1-图14，所示为本发明第一实施例中的micro led芯片阵列集成结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，本发明实施例提供的micro led芯片阵列集成结构包括：
50.由x行y列的micro led芯片所阵列组成的micro led芯片阵列；
51.与每一列中x个micro led芯片的第一电极20连接的y列第一极性驱动线路33；
52.与每一行中y个micro led芯片的第二电极21连接的x行第二极性驱动线路35；
53.与每一列的第一极性驱动线路33连接的y个第一极性电极43；
54.与每一行的第二极性驱动线路35连接的x个第二极性电极44；及
55.位于第一极性驱动线路33和第二极性驱动线路35之间的绝缘层。
56.其中，在本发明实施例中，micro led芯片阵列由x行y列的micro led芯片阵列组成，其中x≥1，y≥1，且x与y不同时为1。其中优选的，x和y选取的数值相同，具体在本发明的一个示例中，参照图2-图5所示，其x＝4，y＝4，即micro led芯片阵列为一4
×
4的阵列单元，可以理解的，在本发明的其他实施例中，其x、y的数值还可以为其他，其根据实际使用需要进行设置，在此不做具体限定。
57.进一步的，在本发明实施例中，micro led芯片包括：衬底11、位于衬底11上的外延层以及位于外延层上的导电电极；外延层包括在衬底11上所依次设置的第一半导体层12、发光层13以及第二半导体层14，第一半导体层12的极性与第二半导体层14的极性相反；导电电极包括与第一半导体层12电连接的第一电极20以及与第二半导体层14电连接的第二电极21。
58.其中，衬底11是外延层生长的基板，具有支撑和稳定的作用。其衬底11可为绝缘性基板或导电型基板，其中衬底11的材料包括但不限于蓝宝石、氮化铝、氮化镓、硅、及碳化硅。其中，衬底11可为平面衬底11或经图案化的衬底11。
59.进一步的，其衬底11上形成有外延层，其中可通过在衬底11上由金属有机化学气相沉积(mocvd)设备生长制得外延层，也可通过透明键合层键合方式在衬底11上键合外延层。作为本发明的一个示例，其外延层包括在衬底11上所依次设置的第一半导体层12、发光层13及第二半导体层14，其中第一半导体层12的极性与第二半导体层14的极性相反。其中具体本实施例中，其第一半导体层12为n型半导体层，例如为n型氮化镓(gan)；相应的，其第二半导体层14为p型半导体层，例如为p型氮化镓。需要指出的是，其n型半导体层为通过硅掺杂或碳掺杂形成的半导体层，而p型半导体层为通过镁掺杂或锌掺杂形成的半导体层。此时相应的，其第一电极20为n电极，第二电极21为p电极；其第一极性驱动线路33为负极驱动线路，第二极性驱动线路35为正极驱动线路；其第一极性电极43为负性电极，第二极性电极44为正性电极。可以理解的，在本发明的其他实施例中，其第一半导体层12还可以为p型半导体层，第二半导体层14还可以为n型半导体层，其根据实际使用需要进行设置，在此不做具体限定。此时相应的，其第一电极20、第二电极21、第一极性驱动线路33、第二极性驱动线路35、第一极性电极43及第二极性电极44根据第一半导体层12和第二半导体层14的具体设置进行相应的设置，在此不予赘述。
60.更进一步的，发光层13包括依序周期交替生长的量子阱层和量子垒层，其中，量子阱层和量子垒层依序周期交替生长，因此可以在发光层13中形成至少一个复合阱，复合阱可以提高发光二极管芯片的发光效率。其发光层13可以是氮化镓系材料组成、砷化镓系材料等组成，且可调节半导体的元素组成比，以便射出所期望的波长，如提供紫外、蓝光、红光、红外等光辐射。进一步的，在本发明的一个实施例中，micro led芯片中发光层13的边长小于100um。
61.更进一步的，上述在外延层制作完成后，其还通过刻蚀工艺使得对其中一侧外延
层中的第二半导体层14和发光层13进行刻蚀至暴露出第一半导体层12，使得通过刻蚀形成mesa台面15，其参照图2所示，其在mesa台面15位置上依次布置有第一半导体层12、发光层13及第二半导体层14，而mesa台面15相邻位置上仅布置有第一半导体层12。此时相应的，其第一电极20位于暴露的第一半导体层12上且与第一半导体层12电性相连，其第二电极21位于mesa台面15上且与第二半导体层14电性相连，其参照图3所示。
62.进一步的，在本发明的一个优选实施例中，其各个micro led芯片采用同一片衬底11，也即是在一整块衬底11上分别形成各个上述所述的外延层及导电电极，使得形成各个micro led芯片。此时为实现各个micro led芯片之间的隔离，因此每一micro led芯片的边界处均设有用于隔离相邻micro led芯片的隔离沟槽16，此时隔离沟槽16隔离出micro led芯片阵列中的每个micro led芯片，需要指出的是，其隔离沟槽16设置在衬底11上，也即是其衬底11上所设置的隔离沟槽16使得第一半导体层12及第一电极20与相邻的第二半导体层14及第二电极21相隔离，具体的参照图2所示，为micro led芯片阵列中mesa台面15区域以及隔离沟槽16分离出的每个micro led芯片的俯视图。需要指出的是，如图2所示，其各个micro led芯片用正方形表示，但是需要指出的是，其并不表示正方形边界为micro led芯片的实际可分辨的边缘，其micro led芯片实际还可以为其他形状尺寸，其根据实际使用需要进行设置，在此不做具体限定。
63.进一步的，在本发明的一个实施例中，其每一列中x个micro led芯片的第一电极20与第一极性驱动线路33电性连接，使得每一列的x个micro led芯片的第一电极20通过一条第一极性驱动线路33连接为公共第一极。其每一行中y个micro led芯片的第二电极21与第二极性驱动线路35连接，使得每一行的y个micro led芯片的第二电极21通过一条第二极性驱动线路35连接为公共第二极。具体在本实施例中，其每一列的4个micro led芯片的n电极与负极驱动线路连接为公共负极，每一行的4个micro led芯片的p电极与正极驱动线路连接为公共正极。具体的，由于上述所述的第一电极20与第一半导体层12连接，第二电极21与第二半导体层14连接，使得其第一电极20的高度低于第二电极21的高度，因此每一列中各个micro led芯片的第一电极20之间相邻无遮挡且处于同一高度平面，而每一行中各个micro led芯片的第一电极20之间存在高度更高的第二电极21，此时通过设置每一列中各个micro led芯片的第一电极20与第一极性驱动线路33连接，使得其每条第一极性驱动线路33可以直接平铺在每列高度一致的各个micro led芯片的第一电极20上。
64.其中，在本发明的一个优选实施例中，其隔离沟槽16设于每列相邻的micro led芯片之间，此时隔离沟槽16不再将每个micro led芯片进行分离，而将每列的micro led芯片进行分离，从而使第一极性驱动线路33无需经过隔离沟槽16，避免了第一极性驱动线路33在隔离沟槽16的斜坡处出现裂纹或厚度不均从而导致的可靠性问题，其参照图13所示。
65.其中，在本发明的一个优选实施例中，其还可以直接设置第一极性驱动线路33位于暴露的第一半导体层12上与第一半导体层12电性相连，使得省去了先制备各个micro led芯片中的第一电极20再通过第一极性驱动线路33连接为公共第一极的步骤，此时其第一极性驱动线路33替代了各个micro led芯片的第一电极20的作用，使得整体结构更为简单，具体参照图12及图14所示。
66.更进一步的，其绝缘层位于第一极性驱动线路33和第二极性驱动线路35之间，具体在本发明的一个实施例中，其绝缘层包括第一绝缘层32和第二绝缘层34，其中第一绝缘
层32覆盖在micro led芯片阵列上，且第一极性驱动线路33穿过第一绝缘层32与第一电极20连接；第二绝缘层34覆盖在第一绝缘层32和第一极性驱动线路33上，且第二极性驱动线路35穿过第二绝缘层34及第一绝缘层32与第二电极21连接。此时第一绝缘层32用于隔离第一电极20与第二电极21，而第二绝缘层34用于隔离第一极性驱动线路33与第二极性驱动线路35，参照图1所示，为绝缘层所处位置及开孔位置俯视图。进一步的，在本发明的一个优选实施例中，其绝缘层还可以只具备一层，此时该绝缘层为上述所述的第二绝缘层34，也即是说，其绝缘层覆盖在micro led芯片阵列和第一极性驱动线路33上，且第二极性驱动线路35穿过绝缘层与第二电极21连接。
67.更进一步的，在本发明的一个实施例中，其第一极性电极43和第二极性电极44位于micro led芯片阵列中的非出光面，具体其各个第一极性电极43和各个第二极性电极44设于上述所述的结构之上，且第一极性电极43与第一极性驱动线路33连接，第二极性电极44与第二极性驱动线路35连接。进一步的，每一列的第一极性驱动线上设有一个第一极性电极43，每一行的第二极性驱动线上设有一个第二极性电极44，且各个第一极性电极43与第二极性电极44不同时位于同一个micro led芯片上，其各个第一极性电极43与第二极性电极44可以为各种交错方式进行排布，其根据实际使用需要进行灵活的位置布置。在本发明的一个优选实施例中，其各个第一极性电极43和各个第二极性电极44分别沿micro led芯片阵列的两个对角交错排布，此时参照图11所示，也即此时其通过恒流稳压源分别连接其中一个第一极性电极43和第二极性电极44即可点亮第一极性电极43所处列及第二极性电极44所处行对应的micro led芯片。使得micro led芯片阵列中的x
×
y个micro led芯片通过x个第一极性电极43和y个第二极性电极44可实现每个micro led芯片的单独点亮并与基板实现互联。
68.更进一步的，在本发明的一个实施例中，micro led芯片阵列集成结构还包括覆盖在micro led芯片阵列、第一极性驱动线路33以及第二极性驱动线路35上的保护层40；且第一极性电极43穿过保护层40与对应的第一极性驱动线路33连接，第二极性电极44穿过保护层40与对应的第二极性驱动线路35连接，具体参照图1所示，其保护层40用于保护micro led芯片阵列，以防止水汽及空气中的脏污入侵。
69.具体的，在具体制备该micro led芯片阵列集成结构时，以上述的4行4列的micro led芯片阵列为例：
70.其先，在一整块衬底11上通过金属有机化学气相沉积(mocvd)设备分别生长制得其各个外延层，也即是在衬底11上依次生长第一半导体层12(n型半导体)、发光层13及第二半导体层14(p型半导体)，并通过刻蚀形成mesa台面15使部分第一半导体层12暴露，并在衬底11上刻蚀形成隔离沟槽16，使得隔离沟槽16隔离出micro led芯片阵列中各个micro led芯片(4
×
4个micro led芯片)，具体参照图2所示。进一步的，在本发明的一个优选实施例中，参照图13所示，其隔离沟槽16设于每列相邻的micro led芯片之间，此时隔离沟槽16不再将每个micro led芯片进行分离，而将每列的micro led芯片进行分离，使得后续制作的第一极性驱动线路33无需经过隔离沟槽16，避免了第一极性驱动线路33在隔离沟槽16的斜坡处出现裂纹或厚度不均从而导致的可靠性问题。
71.进一步的，在暴露第一半导体层12的位置上设置与第一半导体层12电性相连第一电极20(n电极)，在mesa台面15位置上设置与第二半导体层14电性相连的第二电极21(p电
极)，使得制备形成4行4列的micro led芯片阵列，具体参照图3所示。其中，在本发明的一个优选实施例中，其还可以不设置该第一电极20。
72.进一步的，在micro led芯片阵列上设置第一绝缘层32，此时第一绝缘层32整面覆盖在micro led芯片阵列上，同时其第一绝缘层32上形成有开孔，具体形成有16个第一电极开孔30(n极开孔)和16个第二电极开孔31(p极开孔)，其中16个第一电极开孔30设置在每个micro led芯片的第一电极20对应位置上，16个第二电极开孔31设置在每个micro led芯片的第二电极21对应位置上，使得可暴露出各个micro led芯片的部分第一电极20与第二电极21，具体参照图4所示。
73.进一步的，在第一绝缘层32上与每一列各个micro led芯片的第一电极20对应的位置均设置第一极性驱动线路33(负极驱动线路)，也即设置4列第一极性驱动线路33，此时每列的4个micro led中的第一电极20通过4个第一电极开孔30与一条第一电极20驱动线路电性相连，也即上述所述的第一极性驱动线路33穿过第一绝缘层32与第一电极20连接，从而一共形成4个公共第一极(公共负极)，具体参照图5及图6所示。其中，在本发明的一个优选实施例中，当未设置第一电极20时，其第一电极20驱动线路还可直接与第一半导体层12电性连接，使得省去了先制备各个micro led芯片的第一电极20再通过第一极性驱动线路33连接为公共第一极的步骤，此时其第一极性驱动线路33替代了各个micro led芯片的第一电极20的作用，使得整体结构更为简单，其参照图12所示。
74.进一步的，在上述所述的结构上设置第二绝缘层34，此时第二绝缘层34整面覆盖在第一绝缘层32和第一极性驱动线路33上，同时其第二绝缘层34形成有开孔，具体形成有16个第二电极开孔31和4个第一极性电极开孔41(负极开孔)，其中16个第二电极开孔31设置在每个micro led芯片的第二电极21对应位置上，使得可暴露出各个micro led芯片的部分第二电极21，其4个第一极性电极开孔41位于4条第一极性驱动线路33上，使每条第一极性驱动线路33暴露出部分区域，具体的本发明中的4个第一极性电极开孔41依次设于micro led芯片阵列的对角位置，具体参照图7所示。
75.进一步的，在第二绝缘层34上与每一行各个micro led芯片的第二电极21对应的位置均设置第二极性驱动线路35(正极驱动线路)，也即设置4行第二极性驱动线路35，此时每行的4个micro led中的第二电极21通过4个第二电极开孔31与一条第二电极21驱动线路电性相连，也即上述所述的第二极性驱动线路35穿过第一绝缘层32和第二绝缘层34与第二电极21连接，从而一共形成4个公共第二极(公共正极)，具体参照图8及图9所示。
76.进一步的，在本发明的一个优选实施例中，其还可以在micro led芯片阵列上直接设置上述所述的第二绝缘层34而不设置上述第一绝缘层32，也即是第二绝缘层34覆盖在micro led芯片阵列和第一极性驱动线路33上，且第二极性驱动线路35穿过第二绝缘层34与第二电极21连接，使得该第二绝缘层34可实现第一极性驱动线路33与第二极性驱动线路35的电气隔离，其参照图12所示。
77.进一步的，在上述所述的结构上设置保护层40，此时保护层40整面覆盖在第二绝缘层34和第二极性驱动线路35上，同时其保护层40上形成有开孔，具体形成有4个第一极性电极开孔41和4个第二极性电极开孔42(正极开孔)，其中4个第一极性电极开孔41与上述所述的第一极性电极开孔41相对应，4个第二极性电极开孔42位于4条第二极性驱动线路35上，使每条第二极性驱动线路35暴露出部分区域，具体的本发明中的4个第二极性电极开孔
42依次设于micro led芯片阵列的对角位置且与上述所述的4个第一极性电极开孔41交错设置，具体参照图10所示。
78.进一步的，在保护层40上对应第一极性电极开孔41的位置设置第一极性电极43(负性电极)，从而使得4个第一极性电极43通过4个第一极性电极开孔41与4条第一电极20驱动线路电性相连，也即第一极性电极43穿过保护层40与对应的第一极性驱动线路33连接。相应的，在保护层40上对应第二极性电极开孔42的位置设置第二极性电极44(正极电极)，从而使得4个第二极性电极44通过4个第二极性电极开孔42与4条第二电极21驱动线路电性相连，也即第二极性电极44穿过保护层40与对应的第二极性驱动线路35连接，具体参照图11所示。此时保护层40用于保护micro led芯片阵列，以防止水汽及空气中的脏污入侵。
79.相应的，此时通过将第一极性驱动线路33和第二极性驱动线路35集成在芯粒端，使得实现了通过4个第一极性电极43和4个第二极性电极44即可使micro led芯片阵列的全部16个micro led芯片分别点亮，具体的，其通过恒流稳压源分别连接其中一个第一极性电极43和第二极性电极44即可点亮第一极性电极43所处列及第二极性电极44所处行对应的micro led芯片。此时可将16个micro led芯片总和作为最小切割、转移及互联单元。使得切割、转移及互联单元为至少16倍的单一micro led芯片大小，解决了micro led芯片由于芯粒过小，转移切割精度难控制，芯粒拾取难度大的问题，同时大幅降低了转移频次降低了生产成本。
80.综上，本发明上述实施例当中的micro led芯片阵列集成结构，通过设置由x行y列的micro led芯片所阵列组成的micro led芯片阵列，且每一列上设有与第一电极连接的第一极性驱动线路，每一行上设有与第二电极连接的第二极性驱动线路，且第一极性驱动线路与第一极性电极连接，第二极性驱动线路与第二极性电极连接，使得将现有的多个micro led芯片与原本需要在固晶端实现的驱动线路在芯粒端进行集成而形成micro led芯片阵列集成结构，而通过将第一极性驱动线路和第二极性驱动线路集成在芯粒端，使得实现了通过x个第一极性电极和y个第二极性电极即可使micro led芯片阵列的全部x
×
y个micro led芯片分别点亮，从而可将micro led芯片阵列作为最小切割、转移及互联单元，使得最小切割、转移及互联单元的尺寸可达到现有工艺水平可实现的量级，从而解决了解决现有micro led芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题；同时还避开micro led芯片的拾取难度大以及巨量转移的问题，使芯粒端以及固晶端都可以大幅降低生产成本；同时还大幅降低了micro led芯片阵列的转移频次，使得降低了生产成本。
81.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
82.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保
护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。