集成组合件内的参考电压产生器的制作方法

技术特征：
1.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；由所述层面支撑的存储器单元；所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管；所述存储器单元的所述个别电容性单元各自包括存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料；及参考电压产生器，其包含由所述层面支撑的电阻性单元；所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包括互连单元来代替所述电容性单元，一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电阻性单元经布置成相对于彼此串联。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中至少一些所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述互连单元包括所述电容器电介质材料且包括导电结构来代替所述存储器单元的所述存储节点电极；且其中一些所述导电结构彼此短接。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述互连单元是取代所述存储器单元的所述存储节点电极、所述电容器电介质材料及所述板电极的导电块。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：电阻性组件包括通过所述互连单元彼此直接互连的电阻性单元；存在至少两个所述电阻性组件，其中所述电阻性组件中的一者是第一电阻性组件且所述电阻性组件中的另一者是第二电阻性组件；第一导电互连件将所述第一电阻性组件串联耦合到所述第二电阻性组件；所述电阻性组件经提供于vdd供应端子与vss供应端子之间，其中所述第一电阻性组件比所述第二电阻性组件更接近于所述vdd供应端子；第二导电互连件在所述vdd供应端子与所述第一电阻性组件之间，且第三导电互连件在所述第二电阻性组件与所述vss供应端子之间；两个或多于两个开关与所述基底相关联；所述开关中的第一者经耦合到所述第一导电互连件且所述开关中的第二者经耦合到所述第三导电互连件；且输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；第一馈送互连件从所述第一开关延伸到所述电馈送件，且第二馈送互连件从所述第二开关延伸到所述电馈送件。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联且在第一电阻性分组内；所述电阻性分组是所述参考电压产生器内的两个或多于两个电阻性分组中的一者；所述电阻性分组中的一者是第一电阻性分组且所述电阻性分组中的另一者是第二电阻性分组；第一导电互连件将所述第一电阻性分组串联耦合到所述第二电阻性分组；所述电阻性分组经提供于vdd供应端子与vss供应端子之间，其中所述第一电阻性分组比所述第二电阻性分组更接近于所述vdd供应端子；第二导电互连件在所述vdd供应端子与所述第一电阻性分组之间，且第三导电互连件
在所述第二电阻性分组与所述vss供应端子之间；两个或多于两个开关与所述基底相关联；所述开关中的第一者经耦合到所述第一导电互连件且所述开关中的第二者经耦合到所述第三导电互连件；且输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；第一馈送互连件从所述第一开关延伸到所述电馈送件，且第二馈送互连件从所述第二开关延伸到所述电馈送件。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述电阻性单元包含类似于所述存储器单元的所述晶体管的晶体管；所述存储器单元的所述晶体管是第一晶体管且所述电阻性单元的所述晶体管是第二晶体管；所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联且在第一电阻性分组内；所述电阻性分组是所述参考电压产生器内的两个或多于两个电阻性分组中的一者；所述电阻性分组中的一者是第一电阻性分组且所述电阻性分组中的另一者是第二电阻性分组；导电互连件将所述第一电阻性分组串联耦合到所述第二电阻性分组；所述电阻性分组经提供于vdd供应端子与vss供应端子之间，其中所述第一电阻性分组比所述第二电阻性分组更接近于所述vdd供应端子；所述第二晶体管经配置以操作为第一开关来控制所述电阻性分组内的个别电阻性单元的操作；输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；且馈送互连件从所述电馈送件延伸到所述导电互连件。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电阻性单元包含类似于所述存储器单元的所述晶体管的晶体管但经配置以始终处于导通模式中。10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述电阻性单元的所述晶体管包含重掺杂沟道材料。11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述电阻性单元的所述晶体管包含耗尽掺杂沟道材料；且其中所述电阻性单元的所述晶体管的门控区电接地。12.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；电阻器-分压器-电路系统，其从vdd供应端子延伸到vss供应端子且由所述层面支撑；所述电阻器-分压器-电路系统包含电阻性单元；所述电阻性单元各自包含第一材料的竖直延伸支柱及在所述支柱之上且与所述支柱电耦合的互连单元；所述互连单元中的每一者包含在所述支柱正上方的第一区及从所述第一区横向偏移的第二区；所述第一区具有比所述第二区更低的最底表面；所述支柱从导电区段向上延伸；一些邻近电阻性单元通过所述导电区段彼此电耦合且一些相邻电阻性单元通过所述互连单元彼此电耦合；与所述基底相关联的输出电路；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；至少两个馈送互连件，其从所述电阻器-分压器-电路系统延伸到所述电馈送件；及沿着所述馈送互连件的开关。
13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中相同数目个所述电阻性单元与所述馈送互连件中的每一者相关联。14.根据权利要求12所述的集成组合件，其中与所述馈送互连件中的一者相关联的所述电阻性单元的数目不同于与所述馈送互连件中的另一者相关联的所述馈送互连件的数目。15.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述电阻性单元经布置于所述vdd与vss供应端子之间的所述电阻性单元的行中；且其中通过所述导电区段及所述互连单元的所述耦合沿着所述电阻性单元的所述行相继交替。16.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一材料包含导电材料。17.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一材料包含重掺杂半导体材料。18.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一材料包含耗尽掺杂半导体材料。19.根据权利要求18所述的集成组合件，其中所述电阻性单元包含可操作地邻近所述第一材料的导电门控区；且其中所述门控区电接地。20.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述导电区段是第一导电区段；且其中所述互连单元包含将所述相邻电阻性单元彼此电耦合的第二导电区段；且包含所述第二导电区段之上的电容性区。21.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；电阻器-分压器-电路系统，其从vdd供应端子延伸到vss供应端子且由所述层面支撑；所述电阻器-分压器-电路系统包含竖直延伸区段及水平延伸于所述竖直延伸区段之间的电阻性单元；所述竖直延伸区段包含第一区段及第二区段；所述第二区段包括竖直交替的宽区及窄区；所述电阻性单元各自包含第一材料的水平延伸支柱；第一材料的所述支柱从所述第一区段延伸到所述第二区段且与所述第二区段的所述宽区水平对准；与所述基底相关联的输出电路；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；及至少一个馈送互连件，其从所述电阻器-分压器-电路系统延伸到所述电馈送件。22.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述第一区段沿着所述第一区段的整个竖直范围具有基本上均匀宽度。23.根据权利要求22所述的集成组合件，其中所述第一及第二区段横向布置成在一对所述第一区段之间包含一对所述第二区段的重复图案。24.根据权利要求23所述的集成组合件，其包括：第一互连区段，其将邻近第一区段彼此横向接合；及第二互连区段，其将邻近第二区段彼此横向接合。25.根据权利要求24所述的集成组合件，其包括：至少两个所述馈送互连件，其从所述电阻器-分压器-电路系统延伸到所述电馈送件；及沿着所述馈送互连件的开关。26.根据权利要求25所述的集成组合件，其中所述馈送互连件与所述第一及第二互连区段电耦合。
27.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述第一材料包含导电材料。28.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述第一材料包含重掺杂半导体材料。29.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述第一材料包含耗尽掺杂半导体材料。30.根据权利要求29所述的集成组合件，其中所述电阻性单元包含可操作地邻近所述第一材料的导电门控区；且其中所述门控区电接地。31.根据权利要求21所述的集成组合件，其中：所述第一材料包含半导体材料；所述电阻性单元中的每一者包含可操作地邻近所述第一材料的导电门控区；且所述门控区经配置以操作为开关来控制个别电阻性单元的操作。

技术总结
本申请案涉及集成组合件内的参考电压产生器。一些实施例包含集成组合件，其具有基底之上的层面且具有由所述层面支撑的存储器单元。所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管。所述存储器单元的所述个别电容性单元各自具有存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料。参考电压产生器包含由所述层面支撑的电阻性单元。所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包含互连单元来代替所述电容性单元。一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。电阻性单元的所述互连单元彼此短接。电阻性单元的所述互连单元彼此短接。


技术研发人员：李贤义 铃木尊雅 佐藤康夫 何源
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.10.19
技术公布日：2022/7/14