受光装置的制作方法

1.本公开涉及一种受光装置。


背景技术：

2.作为测量与对象的距离的方法，已知的是飞行时间(tof)传感器(受光装置)。例如，在tof传感器中，间接式tof传感器被构造成发射具有到对象的预定周期的照射光并检测照射光与反射光之间的相位差，从而测量到对象的距离。
3.引用文献列表
4.专利文献
5.专利文献1：jp 2019-4149 a


技术实现要素：

6.技术问题
7.对于这样的tof传感器(受光装置)，即使在发生制造偏差时也需要确保高的测距精度。
8.因此，鉴于这种情况，本公开提出了一种受光装置，其被构造成通过使受光装置不易受到制造偏差的影响来确保高的测距精度。
9.问题的解决方案
10.根据本公开，提供了一种受光装置。所述受光装置包括受光单元，所述受光单元包括在半导体基板上沿着行方向和列方向配置的多个受光元件。在所述受光装置中，每个所述受光元件包括：将光转换为电荷的第一光电转换单元；从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元；将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极；从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元；和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极。此外，当从所述半导体基板的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与所述列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
11.此外，根据本公开，提供了一种受光装置。所述受光装置包括受光单元，所述受光单元包括在半导体基板上沿着行方向和列方向配置的多个受光元件。在所述受光装置中，每个所述受光元件包括：将光转换为电荷的第一光电转换单元；从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元；将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极；从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元；和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极。此外，当从所述半导体基板的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着所述列方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
附图说明
12.图1是示出根据本公开实施方案的测距模块1的构成例的框图。
13.图2a是示出根据本公开实施方案的受光单元30的平面构成例的说明图(no.1)。
14.图2b是示出根据本公开实施方案的受光单元30的平面构成例的说明图(no.2)。
15.图2c是示出根据本公开实施方案的受光单元30的平面构成例的说明图(no.3)。
16.图3是根据本公开实施方案的受光元件10的等效电路图。
17.图4是说明使用根据本公开实施方案的测距模块1的距离计算方法的原理的说明图。
18.图5是示出根据本公开第一实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图。
19.图6是沿着图5中的线a-a'截取的受光元件10的截面图。
20.图7是示出根据本公开第一实施方案的第一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
21.图8是根据本公开第一实施方案的第二变形例的受光元件10的等效电路图。
22.图9是示出根据本公开第一实施方案的第二变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
23.图10是示出根据本公开第一实施方案的第三变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
24.图11是沿着图10中的线a-a'截取的受光元件10的截面图。
25.图12是示出根据本公开第一实施方案的第四变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
26.图13是示出根据本公开第一实施方案的第五变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
27.图14是根据本公开第一实施方案的第六变形例的受光元件10的等效电路图。
28.图15是示出根据本公开第一实施方案的第六变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
29.图16是示出根据本公开第一实施方案的第七变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
30.图17是示出根据本公开第一实施方案的第八变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
31.图18是示出根据本公开第一实施方案的第九变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
32.图19是示出根据本公开第一实施方案的第十变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
33.图20是示出根据本公开第一实施方案的第十一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
34.图21是示出根据本公开第一实施方案的第十二变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
35.图22是示出根据本公开第一实施方案的第十三变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
36.图23是示出根据本公开第一实施方案的第十四变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
37.图24是示出根据本公开第一实施方案的第十五变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
38.图25是根据本公开第一实施方案的第十六变形例的受光元件10的等效电路图。
39.图26是示出根据本公开第一实施方案的第十六变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
40.图27是示出根据本公开第一实施方案的第十七变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
41.图28是根据本公开第一实施方案的第十八变形例的受光元件10的等效电路图。
42.图29是示出根据本公开第一实施方案的第十八变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
43.图30是示出根据本公开第一实施方案的第十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
44.图31是示出根据本公开第一实施方案的第二十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
45.图32是示出根据本公开第一实施方案的第二十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
46.图33是示出根据本公开第一实施方案的第二十二变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
47.图34是示出根据本公开第一实施方案的第二十三变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
48.图35是示出根据本公开第一实施方案的第二十四变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
49.图36是示出根据本公开第一实施方案的第二十五变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
50.图37是示出根据本公开第一实施方案的第二十六变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
51.图38是示出根据本公开第一实施方案的第二十七变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
52.图39是示出根据本公开第一实施方案的第二十八变形例的像素阵列单元12的平面图构成例的说明图。
53.图40是示出根据本公开第一实施方案的第二十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
54.图41是示出根据本公开第一实施方案的第三十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
55.图42是示出根据本公开第一实施方案的第三十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
56.图43是示出根据本公开第一实施方案的第三十二变形例的像素阵列单元12的平
面构成例的说明图。
57.图44是示出根据本公开第一实施方案的第三十三变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
58.图45是示出根据本公开第一实施方案的第三十四变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
59.图46是示出根据本公开第一实施方案的第三十五变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
60.图47是示出根据本公开第一实施方案的第三十六至第四十变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
61.图48是示出根据本公开第一实施方案的第三十六变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
62.图49是示出根据本公开第一实施方案的第三十七变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
63.图50是示出根据本公开第一实施方案的第三十八变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
64.图51是示出根据本公开第一实施方案的第三十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
65.图52是示出根据本公开第一实施方案的第四十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
66.图53是示出根据本公开第一实施方案的第四十一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
67.图54是示出根据本公开第一实施方案的第四十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
68.图55是示出根据本公开第二实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图。
69.图56a是沿着图55中的线c-c'截取的受光元件10的截面图。
70.图56b是沿着图55中的线d-d'截取的受光元件10的截面图。
71.图57是示出根据本公开第三实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图。
72.图58a是沿着图57中的线e-e'截取的受光元件10的截面图。
73.图58b是沿着图57中的线f-f'截取的受光元件10的截面图。
74.图59是示出作为根据本公开实施方案的测距模块1适用的电子设备的智能手机900的构成例的框图。
75.图60是示出内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。
76.图61是示出内窥镜的构成的示例的图。
77.图62是示出摄像头和ccu的功能构成的示例的框图。
78.图63是示出车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
79.图64是示出车外信息检测单元和成像单元的安装位置的示例的图。
具体实施方式
80.下面将参照附图详细说明本公开的优选实施方案。注意，在本说明书和附图中，具
有大致相同功能构成的构成要素由相同的附图标记表示，并且省略多余的说明。
81.此外，在本说明书和附图中，在某些情况下，对具有大致相同功能构成的多个构成要素标注相同的附图标记后添加不同的数字来区分。然而，在不需要特别区分具有大致相同或类似功能构成的多个构成要素的情况下，各构成要素仅标注相同的附图标记。此外，在某些情况下，不同实施方案的类似构成要素通过在相同的附图标记后添加不同的字母来区分。当不需要特别区分类似的多个构成要素时，各构成要素仅标注相同的附图标记。
82.此外，以下说明中所参照的附图是用于说明和便于促进理解本公开的实施方案的附图，因此为了便于理解，附图中所示的构成要素的形状、尺寸、比例等可能与实际的构成要素不同。此外，考虑到以下说明和已知技术，可以在设计上适当地改变包括在附图所示的元件和装置中的构成要素等。
83.此外，在以下的说明中，以本公开实施方案适用的背面照射型受光装置的例子进行说明。因此，在受光装置中，光入射在基板的背面侧。因此，在以下的说明中，当将光入射的一侧定义为背面时，基板的前面表示面对背面的表面。注意，本公开的实施方案不限于适用于背面照射型受光装置，并且可以适用于例如前面照射型受光装置。
84.以下说明中的具体形状和位置关系不只表示几何定义的形状和位置关系。具体地，以下说明中的具体形状等的说明包括在元件、其制造及其使用和操作中的容许差异(误差/畸变)。例如，在以下的说明中，表述“圆形”或“大致圆形”是指该形状不限于正圆形，而是包括类似于正圆形的形状，例如椭圆形。
85.此外，在以下对电路(电气连接)的说明中，除非另有说明，否则术语“电气连接”是指多个要素相互连接以进行电气(信号)导通。以下说明中的术语“电气连接”不仅包括将多个要素直接电气连接，还包括经由其他要素将多个要素间接电气连接。
86.此外，在以下的说明中，除非另有说明，术语“共享”是指其他元素被设置为由多个的一种要素共享，换句话说，其他要素在预定数量的一种元素之间共享。
87.注意，将按以下顺序给出说明。
88.1.根据本公开实施方案的测距模块1的构成例
89.2.根据本公开实施方案的受光单元30的构成例
90.3.根据本公开实施方案的受光元件10的等效电路
91.4.使用根据本公开实施方案的测距模块1的距离计算方法的原理
92.5.本实施方案的创作背景
93.6.第一实施方案
94.7.第二实施方案
95.8.第三实施方案
96.9.总结
97.10.电子设备的构成例
98.11.内窥镜手术系统的应用例
99.12.移动体的应用例
100.13.补充说明
101.《《1.根据本公开实施方案的测距模块1的构成例》》
102.首先，将参照图1说明根据本公开实施方案的测距模块(受光装置)1的示意性构
成。图1是示出根据本公开实施方案的测距模块1的构成例的框图。具体地，如图1所示，测距模块1主要包括发光单元20、受光单元30、控制单元(发光控制单元)40和处理单元60。下面，说明根据本实施方案的测距模块1中包含的各功能块。
103.(发光单元20)
104.发光单元20包括发光二极管(led)光源(未示出)和光学元件(未示出)。可以通过适当地选择led光源来改变发射的光的波长。注意，在本实施方案中，例如，发光单元20发射但不限于波长在780nm～1000nm范围内的红外光。此外，发光单元20被构造成向对象800发射具有与从后述的控制单元40供给的诸如矩形信号等周期性信号同步地周期性变化的亮度的光。
105.(受光单元30)
106.受光单元30接收从对象800反射的反射光。受光单元30包括聚光透镜(未示出)和后述的多个受光元件10。聚光透镜具有将接收到的光会聚到各个受光元件10的功能。此外，受光元件10基于接收到的光的强度产生电荷(例如，电子)，使产生的电荷与从后述的控制单元40供给的诸如矩形信号等周期性信号同步地驱动内置的晶体管(分配晶体管vg；参照图3)，并将电荷传输到电荷累积单元mem(参照图3)。此外，传输到电荷累积单元mem的电荷被转换成信号，最终传输到处理单元60。注意，受光元件10将在后面详细说明。
107.(控制单元40)
108.控制单元40将周期信号供给到发光单元20和受光单元30，以控制照射光的发射时序和晶体管的驱动时序。信号的频率例如可以是5～20兆赫(mhz)，但是在本实施方案中不限于这样的频率。此外，控制单元40例如差动地控制晶体管(分配晶体管vg；参照图3)以在不同的时机操作。
109.(处理单元60)
110.处理单元60被构造成获取来自受光单元30的信号并且基于所获取的信号通过例如间接tof(itof)方式来获取到对象800的距离。注意，距离计算方法将在后面说明。
111.《《2.根据本公开实施方案的受光单元30的构成例》》
112.接下来，将参照图2a～图2c说明根据本公开实施方案的受光单元30的平面构成例，图2a～图2c是各自示出根据本公开实施方案的受光单元30的平面构成例的说明图。具体地，如图2a所示，根据本实施方案的受光单元30包括在由例如硅构成的半导体基板200上的像素阵列单元12、垂直驱动电路单元32、列信号处理电路单元34、水平驱动电路单元36、输出电路单元38、控制电路单元44等。在下面，将详细说明根据本实施方案的受光单元30的各块。
113.(像素阵列单元12)
114.像素阵列单元12包括在半导体基板200上以矩阵状(即，在行和列方向上的行列状)二维配置的多个受光元件10。各受光元件10包括将光转换成电荷(例如，电子)的光电转换单元(光电二极管pd)(未示出)、多个像素晶体管(例如，金属氧化物半导体(mos)晶体管)(未示出)等。换句话说，像素阵列单元12包括对入射光进行光电转换并根据获得的电荷输出信号的多个像素。于是，像素晶体管可以包括例如具有各种功能的晶体管，如传输晶体管、选择晶体管、复位晶体管和放大晶体管。注意，后面将详细说明各受光元件10的等效电路等。
115.这里，行方向是指受光元件10的水平方向的排列方向，列方向是指受光元件10的垂直方向的排列方向。行方向是图2a中的左右方向，列方向是图2a中的上下方向。在像素阵列单元12中，对于受光元件10的矩阵阵列，像素驱动线42针对各行沿着行方向配线，垂直信号线48针对各列沿着列方向配线。例如，像素驱动线42传输用于执行在从各个受光元件10读出信号时的驱动的驱动信号。
116.(垂直驱动电路单元32)
117.垂直驱动电路单元32例如由移位寄存器、地址解码器等构成，选择任一个像素驱动线42，将用于驱动受光元件10的脉冲供给到所选择的像素驱动线42，并且同时地或以行为单位地驱动所有的受光元件10。例如，垂直驱动电路单元32以行为单位顺次地在垂直方向(图2a中的上下方向)上选择性扫描像素阵列单元12的各个受光元件10，并且将基于根据由各个受光元件10的光电二极管pd接收的光量产生的电荷的像素信号通过各个垂直信号线48供给到后述的各个列信号处理电路单元34。
118.(列信号处理电路单元34)
119.列信号处理电路单元34配置在受光元件10的各列中，并且对从一行的受光元件10输出的信号针对各列进行诸如噪声去除等信号处理。例如，列信号处理电路单元34执行诸如相关双采样(cds)和模数(ad)转换等信号处理，以去除受光元件10固有的固定模式噪声。
120.(水平驱动电路单元36)
121.水平驱动电路单元36例如由移位寄存器、地址解码器等构成，并且被构造成顺次输出水平扫描脉冲，顺次选择上述各个列信号处理电路单元34，并且将信号从各个列信号处理电路单元34向水平信号线46输出。
122.(输出电路单元38)
123.输出电路单元38被构造成对从各个列信号处理电路单元34通过水平信号线46顺次供给的信号进行信号处理，并输出处理后的信号。输出电路单元38可以用作例如进行缓冲(buffering)的功能单元，或者可以进行诸如列偏差校正或各种数字信号处理等处理。注意，缓冲是指临时存储信号以补偿信号交换时的处理速度或传输速度的差异。
124.(控制电路单元44)
125.控制电路单元44接收输入时钟和用于指示操作模式等的数据，并输出诸如关于受光元件10的内部信息等数据。换句话说，控制电路单元44基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟生成用作垂直驱动电路单元32、列信号处理电路单元34、水平驱动电路单元36等的操作基准的时钟信号和控制信号。然后，控制电路单元44将生成的时钟信号和控制信号输出到垂直驱动电路单元32、列信号处理电路单元34、水平驱动电路单元36等。
126.(分配晶体管驱动单元50、信号处理单元52和数据存储单元54)
127.如图2b和图2c所示，受光元件10可以设置有分配晶体管驱动单元50、信号处理单元52和数据存储单元54。换句话说，分配晶体管驱动单元50、信号处理单元52和数据存储单元54可以设置在半导体基板200上。然而，本实施方案不限于此，分配晶体管驱动单元50、信号处理单元52和数据存储单元54可以设置在其他半导体基板(未示出)上。首先，分配晶体管驱动单元50控制后述的分配晶体管vg(参照图3)的操作。例如，分配晶体管驱动单元50可以如图2b所示地在列方向上设置为与像素阵列单元12相邻，或者可以如图2c所示地在行方向上设置为与像素阵列单元12相邻，并且分配晶体管驱动单元50在本实施方案中没有特别
限制。此外，信号处理单元52至少具有演算处理功能，并且基于从输出电路单元38输出的信号执行诸如演算处理等各种信号处理。对于信号处理单元52中的信号处理，数据存储单元54临时存储信号处理所需的数据。
128.注意，根据本实施方案的受光单元30的平面构成例不限于图2a～图2c所示的示例，并且可以包括但不特别限于例如其他电路等。
129.《《3.根据本公开实施方案的受光元件10的等效电路》》
130.接下来，参照图3对根据本公开实施方案的受光元件10的等效电路进行说明。图3是根据本公开实施方案的受光元件10的等效电路图。
131.具体地，如图3所示，受光元件10包括作为将光转换为电荷的光电转换元件(光电转换单元)的光电二极管pd和排出晶体管ofg(尽管排出晶体管ofg被示出为等效电路上的一个晶体管，但是排出晶体管ofg可以包括电气并联连接的多个晶体管)。此外，受光元件10包括两个分配晶体管vg、两个电荷累积单元(第一和第二电荷累积单元)mem、两个传输晶体管tg、两个浮动扩散区域fd、两个复位晶体管rst、两个放大晶体管amp和两个选择晶体管sel。
132.如图3所示，在受光元件10中，排出晶体管ofg的源极/漏极中的一个电气连接到响应于受光而产生电荷的光电二极管pd。此外，排出晶体管ofg的源极/漏极中的另一个电气连接到电源电路(电源电位vdd)。然后，排出晶体管ofg被构造成根据施加到其自身栅极的电压而导通，并且将累积在光电二极管pd中的电荷排出到电源电路(电源电位vdd)。
133.此外，如图3所示，在受光元件10中，分配晶体管vg1和vg2的每一个的源极/漏极中的一个电气连接到光电二极管pd，并且分配晶体管vg1和vg2的每一个的源极/漏极中的另一个分别电气连接到电荷累积单元mem1和mem2。然后，分配晶体管vg1和vg2被构造成根据施加到其自身栅极(第一分配栅极和第二分配栅极)的电压而导通，并且将累积在光电二极管pd中的电荷传输到电荷累积单元mem1和mem2。换句话说，在本实施方案中，施加到分配晶体管vg1和vg2的栅极的电压在不同的时机变化，因此允许将累积在光电二极管pd中的电荷分配到两个电荷累积单元mem1和mem2中的任何一个。换句话说，可以说两个电荷累积单元mem1和mem2共享一个光电二极管pd。
134.此外，如图3所示，在受光元件10中，传输晶体管tg1和tg2的每一个的源极/漏极中的一个电气连接到分配晶体管vg1和vg2的每一个的源极/漏极中的另一个以及电荷累积单元mem1和mem2中的每一个。此外，传输晶体管tg1和tg2的每一个的源极/漏极中的另一个电气连接到浮动扩散区域fd1和fd2中的每一个。然后，传输晶体管tg1和tg2被构造成根据施加到其自身栅极(传输栅极)的电压而导通，并且将累积在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷传输到浮动扩散区域fd1和fd2。注意，在本公开的实施方案中，两个电荷累积单元mem1和mem2也使得传输晶体管tg1和tg2可以共享一个浮动扩散区域fd。
135.此外，浮动扩散区域fd1和fd2电气连接到放大晶体管amp1和amp2的栅极，放大晶体管amp1和amp2中的每一个将电荷转换(放大)成电压并且输出电压作为信号(像素信号)。放大晶体管amp1和amp2的每一个的源极/漏极中的一个电气连接到选择晶体管sel1和sel2的每一个的源极/漏极中的一个，选择晶体管sel1和sel2根据选择信号将通过转换获得的信号输出到信号线vsl1和vsl2。此外，放大晶体管amp1和amp2的每一个的源极/漏极中的另一个电气连接到电源电路(电源电位vdd)。
136.此外，选择晶体管sel1和sel2的每一个的源极/漏极中的另一个电气连接到将通过转换获得的电压作为信号传输的信号线vsl1和vsl2中的每一个，并且进一步电气连接到上述的列信号处理电路单元34。此外，选择晶体管sel1和sel2的栅极分别电气连接到选择行以输出信号的选择线(未示出)，并且进一步电气连接到上述的垂直驱动电路单元32。换句话说，在选择晶体管sel1和sel2的控制下，累积在浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷被放大晶体管amp1和amp2转换为电压，并且输出到信号线vsl1和vsl2。
137.此外，如图3所示，浮动扩散区域fd1和fd2中的每一个电气连接到用于复位累积的电荷的复位晶体管rst1和rst2的每一个的漏极/源极中的一个。复位晶体管rst1和rst2中的每一个的栅极电气连接到复位分配晶体管(未示出)，并且进一步电气连接到上述的垂直驱动电路单元32。此外，复位晶体管rst1和rst2的每一个的漏极/源极中的另一个电气连接到电源电路(电源电位vdd)。然后，复位晶体管rst1和rst2被构造成根据施加到其自身栅极的电压而导通，并且复位累积在浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷(排出到电源电路(电源电位vdd))。
138.注意，根据本实施方案的受光元件10的等效电路不限于图3所示的示例，并且可以包括但不特别限于例如其他元件等。
139.这里，将简要说明受光元件10的操作示例。
140.首先，在开始受光之前，进行用于排出光电二极管pd中的电荷的排出操作。换句话说，排出晶体管ofg1和ofg2导通，并且将光电二极管pd中的电荷排出到电源电路(电源电位vdd)。
141.接下来，当开始受光时，控制分配晶体管vg1和vg2在不同的时机(例如，差动地)操作。具体地，在第一期间，分配晶体管vg1导通，从而光电二极管pd中的电荷被传输到电荷累积单元mem1。另一方面，在第二期间，分配晶体管vg2导通，从而光电二极管pd中的电荷传输到电荷累积单元mem2。换句话说，通过分配晶体管vg1和vg2将由光电二极管pd产生的电荷分配到电荷累积单元mem1和mem2。
142.接下来，进行排出浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷的排出操作。换句话说，复位晶体管rst1和rst2导通，并且将浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷排出到电源电路(电源电位vdd)。然后，在浮动扩散区域fd1和fd2中产生的电荷(ktc噪声)优选地通过驱动cds去除。
143.然后，传输晶体管tg1和tg2导通，并且将累积在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷传输到浮动扩散区域fd1和fd2。然后，当受光期间结束时，顺次选择像素阵列单元12中的受光元件10。在所选择的受光元件10中，选择晶体管sel1和sel2导通。因此，将累积在浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷作为信号输出到信号线vsl1和vsl2。
144.注意，根据本实施方案的受光元件10的操作不限于上述示例，例如，可以适当地改变顺序。在本实施方案中，允许从累积在两个浮动扩散区域fd1和fd2中的电荷的分配比获得到对象800的距离。下面，将简要说明其原理。
145.《《4.使用根据本公开实施方案的测距模块1的距离计算方法的原理》》
146.接下来，将参照图4说明使用根据本公开实施方案的测距模块1的距离计算方法(间接式)的原理。图4是说明使用根据本公开实施方案的测距模块1的距离计算方法的原理的说明图。具体地，图4示意性地示出了测距模块1中的照射光和反射光的强度随着时间的变化。
147.如图4所示，测距模块1从发光单元20向对象800发射使得光的强度周期性变化的经调制的光。发射的光被对象800反射，并且作为反射光被测距模块1的受光单元30检测到。如图4所示，检测到的反射光(图4中从上数的第二个)相对于照射光(图4中从上数的第一个)具有相位差φ，该相位差φ随着测距模块1到对象800的距离增加而增大，并且随着测距模块1到对象800的距离减小而减小。
148.如上所述，根据本实施方案的受光元件10包括例如差动操作的分配晶体管vg1和vg2。因此，分配晶体管vg1和vg2具有彼此不重叠的操作期间，并且在图4中以灰色表示的区域802a和802b的期间中，累积在光电二极管pd中的电荷被分配到电荷累积单元mem1和mem2。具体地，分配到电荷累积单元mem1和mem2的电荷被传输到浮动扩散区域fd1和fd2，最终转换成对应于表示区域802a和802b的期间中的积分值的面积的信号。因此，从图4可以清楚地看出，区域802a的积分值与区域802b的积分值之间的差异根据反射光的相位差φ而变化。因此，在本实施方案中，可以通过基于区域802a的积分值与区域802b的积分值之间的差值计算出相位差φ来计算到对象800的距离。注意，在本实施方案中，也可以通过不是使用积分值之间的差值而是使用积分值之间的比值计算出相位差φ来计算距离。
149.《《5.本实施方案的创作背景》》
150.上面说明了根据本公开实施方案的测距模块1、受光单元30以及距离计算方法的原理。在进一步说明本实施方案的细节之前，将简要说明本发明人创作本实施方案的背景。
151.如上所述，在使用间接式的测距模块1中，由来自对象800的反射光在光电二极管pd中产生的电荷通过两个分配晶体管vg1和vg2分配到电荷累积单元mem1和mem2。此外，在测距模块1中，将分配到电荷累积单元mem1和mem2的电荷转换为信号，基于转换后的信号之间的差值或比值计算出相位差φ，因此获取到对象800的距离。
152.然而，对于这样的测距模块1，为了确保高的测距精度，优选的是，在所有受光元件10中将分配晶体管vg1和vg2形成为更理想的状态，换句话说，优选的是，在所有受光元件10之间电荷分配性能可以同等。因此，换句话说，即使在大量生产过程中，分配晶体管vg1和vg2也需要均匀地形成在所有受光元件10中，即使发生制造偏差(例如，布局偏移等)。
153.例如，尽管后面将详细说明受光元件10的平面构成例，但是分配晶体管vg1和vg2的栅极电极被设置为与光电二极管pd相邻。当栅极电极被设置在到光电二极管pd相同(大致相同)的距离处时，可以说电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间大致同等。然而，当由于制造偏差而使栅极电极未被设置在到光电二极管pd相同(大致相同)的距离处时，电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间不同。此外，当由于制造偏差而使分配晶体管vg1和vg2之间的性能差异在受光元件10之间不同时，收集在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷在受光元件10中是不均匀的，因此存在着测距模块1之间的测距误差增大的可能性。
154.因此，鉴于上述情况，本发明人创作了与受光元件10的平面构成相关的本公开实施方案，其不易受到制造偏差的影响而确保了高的测距精度。具体地，在本公开的实施方案中，受光元件10的平面构成表明，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极设置在相对于延伸通过光电二极管pd的中心的中心线彼此呈线对称的位置处。在本公开的实施方案中，采用上述的平面构成，即使发生制造偏差，设置在到光电二极管pd相同(大致相同)的距离处的栅极电极也使得电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间大致同等。因此，即使发生制造偏差，也容易在所有的受光元件10中均匀地形成分配晶体管vg1和vg2，并且可以避免其中各受光
元件10在分配晶体管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况。因此，在本公开的实施方案中，收集在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷在受光元件10中变得均匀。因此，测距模块1可以确保高的测距精度。下面，顺次说明本发明人创作的本公开实施方案的细节。
155.《《6.第一实施方案》》
156.《6.1平面构成》
157.首先，将参照图5说明根据本公开第一实施方案的各受光元件10的平面构成例。图5是示出了根据本实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图，其中受光元件10是从半导体基板200的表面上方观察的。注意，图5中的左右方向对应于图2a中的行方向(左右方向)，图5中的上下方向对应于图2a中的列方向(上下方向)。
158.如图5所示，n型半导体区域100形成在受光元件10的中央部的p型半导体基板200内，并且n型半导体区域100部分地构成光电二极管(第一光电转换单元)pd。此外，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极(第一分配栅极和第二分配栅极)150a和150b被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点(中心)o并沿着受光元件10的上下方向(列方向)延伸的中心线(第一中心轴)600呈线对称(大致线对称)。分配晶体管vg1和vg2被构造成将在光电二极管pd中产生的电荷分配到后述的电荷累积单元mem1和mem2。分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被设置为与n型半导体区域100的至少一部分重叠。
159.具体地，分配晶体管vg1包括栅极电极150a、位于栅极电极150a和半导体基板200之间的栅极绝缘膜(未示出)、作为源极区域的n型半导体区域100以及作为漏极区域的n型半导体区域102a和102b。作为源极区域的n型半导体区域100与光电二极管pd共享，作为漏极区域的n型半导体区域与电荷累积单元mem1共享。此外，分配晶体管vg2也具有与分配晶体管vg1类似的构成。
160.此外，向其传输在光电二极管pd中产生的电荷的电荷累积单元mem1和mem2被设置为相对于中心线600镜像对称并且从两侧夹持分配晶体管vg1和vg2。换句话说，电荷累积单元mem1和mem2设置在电荷累积单元mem1和mem2相对于光电二极管pd的中心点(中心)o呈点对称(大致点对称)的位置处。具体地，电荷累积单元mem1被构造成例如是金属氧化物半导体(mos)型电容，其包括电极154a、设置在电极154a下方的绝缘膜(未示出)和设置在该绝缘膜下方的n型半导体区域(未示出)。此外，电荷累积单元mem2也具有与电荷累积单元mem1类似的构成。
161.如上所述，在本实施方案中，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于光电二极管pd的中心点o(具体地，中心线600)呈线对称。因此，根据本实施方案，电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间大致同等。因此，在本实施方案中，即使发生制造偏差(例如，布局偏移)，也可以避免其中在所有受光元件10中各受光元件10在分配晶体管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况，并且进一步地测距模块1可以确保高的测距精度。
162.此外，如图5所示，排出晶体管ofg1和ofg2的栅极电极152a和152b(第一排出栅极和第二排出栅极)被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o并沿着受光元件10的左右方向(行方向)延伸的中心线(第二中心轴)602呈线对称(大致线对称)。注意，中心线602与上述的中心线600直交。此外，排出晶体管ofg1和ofg2的栅极电极152a和152b被设置为与n型半导体区域100的至少一部分重叠。
163.具体地，排出晶体管ofg1包括栅极电极152a、位于栅极电极152a和半导体基板200
之间的栅极绝缘膜(未示出)、作为源极区域的n型半导体区域100以及作为漏极区域的n型半导体区域(未示出)。作为源极区域的n型半导体区域100与光电二极管pd共享。此外，排出晶体管ofg2也具有与排出晶体管ofg1类似的构成。
164.此外，传输晶体管tg1和tg2的栅极电极(第一传输栅极和第二传输栅极)156a和156b被设置为相对于中心线600镜像对称并且从两侧夹持分配晶体管vg1和vg2。换句话说，传输晶体管tg1和tg2的栅极电极156a和156b设置在栅极电极156a和156b相对于光电二极管pd的中心点(中心)o呈点对称(大致点对称)的位置处。具体地，传输晶体管tg1的栅极电极156a与位于栅极电极156a和半导体基板200之间的栅极绝缘膜(未示出)以及电荷累积单元mem1的电极154a在图5中的上下方向(列方向)上相邻配置，传输晶体管tg2的栅极电极156b与电荷累积单元mem2的电极154b在图5中的上下方向(列方向)上相邻配置。传输晶体管tg1和tg2被构造成将累积在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷传输到后述的浮动扩散区域fd1和fd2。具体地，传输晶体管tg1包括栅极电极156a、作为源极区域的n型半导体区域(未示出)和作为漏极区域的n型半导体区域(未示出)。此外，传输晶体管tg2也具有与传输晶体管tg1类似的构成。
165.此外，复位晶体管rst1和rst2、放大晶体管amp1和amp2以及选择晶体管sel1和sel2被配置为相对于中心线602镜像对称并且从两侧夹持排出晶体管ofg1和ofg2。换句话说，复位晶体管rst1和rst2、放大晶体管amp1和amp2以及选择晶体管sel1和sel2设置在复位晶体管rst1和rst2、放大晶体管amp1和amp2以及选择晶体管sel1和sel2相对于光电二极管pd的中心点(中心)o呈点对称(大致点对称)的位置处。注意，复位晶体管rst1、放大晶体管amp1和选择晶体管sel1在图5中的左右方向(行方向)上彼此相邻配置，复位晶体管rst2、放大晶体管amp2和选择晶体管sel2也在图5中的左右方向(行方向)上彼此相邻配置。
166.具体地，复位晶体管rst1包括栅极电极158a、位于栅极电极158a和半导体基板200之间的栅极绝缘膜(未示出)、作为源极区域的n型半导体区域(未示出)和作为源极区域的n型半导体区域。作为源极区域的n型半导体区域与浮动扩散区域fd1共享，作为漏极区域的n型半导体区域与放大晶体管amp1共享。此外，复位晶体管rst2也具有与复位晶体管rst1类似的构成。此外，放大晶体管amp1包括栅极电极160a、位于栅极电极160a和半导体基板200之间的栅极绝缘膜(未示出)、作为漏极区域的n型半导体区域(未示出)和作为源极区域的n型半导体区域(未示出)。作为漏极区域的n型半导体区域与复位晶体管rst1的漏极区域共享。此外，放大晶体管amp2也具有与放大晶体管amp1类似的构成。此外，选择晶体管sel1包括栅极电极162a、位于栅极电极162a和半导体基板200之间的栅极绝缘膜(未示出)、作为漏极区域的n型半导体区域(未示出)和作为源极区域的n型半导体区域(未示出)。作为漏极区域的n型半导体区域与放大晶体管amp1的源极区域共享。此外，选择晶体管sel2也具有与选择晶体管sel1类似的构成。
167.注意，根据本实施方案的受光元件10的平面构成不限于图5所示的示例，并且可以包括但不特别限于例如其他元件等。
168.《6.2截面构成》
169.接下来，将参照图6说明根据本公开第一实施方案的受光元件10的截面构成的示例。图6是沿着图5中的线a-a'截取的受光元件10的截面图。具体地，图6中的上侧是半导体基板200的背面侧，图6中的下侧是半导体基板200的表面侧。
170.首先，如图6所示，受光元件10包括由例如硅基板等构成的p型半导体基板200。具体地，通过在p型半导体基板200内形成n型半导体区域100a和100b来在半导体基板200内形成光电二极管pd。
171.接下来，将从图6的上侧(即，从半导体基板200的背面侧)进行说明。在半导体基板200的背面的上方设置有片上透镜208，其由苯乙烯系树脂、丙烯酸系树脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物树脂、硅氧烷系树脂等构成并且来自对象800的反射光入射到其上。由例如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、氧氮化硅(sion)等构成的平坦化膜204设置在片上透镜208的下方。此外，由绝缘膜构成的防反射膜202设置在平坦化膜204的下方。例如，防反射膜202可以由氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化硅等或其叠层形成。
172.用于防止来自对象800的反射光入射到相邻的受光元件10上的遮光膜206设置在防反射膜202的上方并且在与相邻的受光元件10的边界区域中。遮光膜206由遮光的材料构成，例如，可以使用诸如钨(w)、铝(al)或铜(cu)等金属材料形成。
173.此外，在半导体基板200的厚度方向上从半导体基板200的背面贯通到半导体基板200的中途的像素隔离部210a(深沟槽隔离(dti))设置在遮光膜206的下方。像素隔离部210a包括例如设置在半导体基板200中的沟槽和埋在沟槽中的由氧化硅等构成的绝缘膜或由铝等构成的金属膜。像素隔离部210a被构造成防止入射光进入相邻的受光元件10。因此，可以防止在相邻的受光元件10之间发生电荷串扰。
174.接下来，对图6的下侧(即，半导体基板200的表面侧)进行说明。两个分配晶体管vg1和vg2被形成为夹持n型半导体区域100b。具体地，分配晶体管vg1和vg2分别包括由例如多晶硅膜构成并且设置在半导体基板200的表面上的栅极电极150a和150b。
175.例如，电荷累积单元mem1和mem2设置在半导体基板200内，以从左右方向夹持分配晶体管vg1和vg2。例如，电荷累积单元mem1和mem2可以是mos电容，其包括由金属膜或多晶硅膜构成的电极154a和154b、由氧化膜构成的绝缘膜(未示出)和n型半导体区域(在图6中，示出为mem1和mem2)。
176.然后，传输晶体管tg1和tg2的栅极电极156a和156b在半导体基板200的表面上与电荷累积单元mem1和mem2相邻设置。此外，示出为浮动扩散区域fd1和fd2的n型半导体区域在半导体基板200内更靠近传输晶体管tg1和tg2的栅极电极156a和156b形成。
177.此外，在半导体基板200的表面上设置有配线层300。配线层300包括绝缘膜302和金属膜304。此外，电极306设置在配线层300的与半导体基板200相对的表面上。
178.此外，基板400设置在配线层300的与半导体基板200相对的表面上。基板400还包括绝缘膜402和金属膜404，并且电极406设置在更靠近配线层300的表面上。在本实施方案中，例如，配线层300的电极306和基板400的电极406由铜(cu)等形成，并且配线层300和基板400通过彼此接触而接合。
179.注意，根据本实施方案的受光元件10的截面构成不限于图6所示的示例，并且可以包括但不特别限于例如其他元件等。
180.如上所述，在本实施方案中，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于光电二极管pd的中心点o(具体地，中心线600)呈线对称。因此，根据本实施方案，电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间大致同等。因此，在本实施方案中，即使发生制造偏差(例如，布局偏移)时，也可以避免其中在所有受光元件10中各受光元件10在分配晶体
管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况，并且进一步地测距模块1可以确保高的测距精度。
181.《6.3变形例》
182.注意，上述根据本公开第一实施方案的受光元件10可以进行以下的各种变形。同样在这些变形例中，类似于上述的实施方案，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o的中心线呈线对称(大致线对称)。下面顺次说明本实施方案的变形例。
183.(第一变形例)
184.首先，参照图7说明第一变形例，图7是示出根据本实施方案第一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。同样在第一变形例中，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。此外，在第一变形例中，如图7所示，设置一个浮动扩散区域fd。换句话说，在传输晶体管tg1和tg2之间共享一个浮动扩散区域fd。根据具有这种构成的第一变形例，可以在两个两个传输晶体管tg1和tg2之间共享一个浮动扩散区域fd，从而进一步使得受光元件10的尺寸微细化。
185.(第二变形例)
186.接下来，参照图8和图9说明第二变形例。图8是根据本实施方案第二变形例的受光元件10的等效电路图，图9是示出根据本实施方案第二变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。同样在第二变形例中，如图9所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。此外，在第二变形例中，如图8所示，未设置电荷累积单元mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg2。换句话说，在第二变形例中，在光电二极管pd中产生的电荷由分配晶体管vg1和vg2直接分配到浮动扩散区域fd1和fd2。因此，根据本变形例，如上所述，未设置电荷累积单元mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg2，因此受光元件10的尺寸可以更微细化。
187.(第三和第四变形例)
188.接下来，参照图10～图12说明第三和第四变形例，图10是示出根据本实施方案第三变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图11是沿着图10中的线a-a'截取的受光元件10的截面图。图12是示出根据本实施方案第四变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。同样在第三和第四变形例中，如图10和图12所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。
189.此外，在第三变形例中，如图10中的虚线所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b具有在半导体基板200中的一对埋入的栅极部。具体地，如图11所示，栅极电极150a和150b中的每一个具有在半导体基板200中的纵型的两个埋入的栅极部170a和170b。根据第三变形例，这种构成使得通过施加到一对埋入的栅极部170a和170b的电压可以有效地调制这对埋入的栅极部170a和170b周围的半导体区域。因此，根据第三变形例，这种调制使得在半导体基板200内的深部分处的光电二极管pd中产生的电荷可以更高速度地传输到累积单元mem1和mem2。
190.此外，在第四变形例中，如图12中的虚线所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b具有在半导体基板200中的一个埋入的栅极部。同样在第四变形例中，通过施加到埋入的栅极部170a和170b的电压可以有效地调制埋入的栅极部170a和170b周围的半导
体区域，使得在半导体基板200内的深部分处的光电二极管pd中产生的电荷可以更高速度地传输到累积单元mem1和mem2。此外，在第四变形例中，由于包括在栅极电极150a和150b的每一个中的一个埋入的栅极部，因此更容易使栅极电极150a和150b的尺寸微细化。
191.此外，在第三和第四变形例中，如图10和图12中的虚线所示，排出晶体管ofg1和ofg2的栅极电极152a和152b也可以具有一对或一个埋入的栅极部。根据第三和第四变形例，这种构成使得可以有效地调制埋入的栅极部周围的半导体区域，使得在半导体基板200内的深部分处的光电二极管pd中产生的电荷可以更高速度地排出。
192.(第五变形例)
193.接下来，参照图13说明第五变形例，图13是示出根据本实施方案第五变形例的受光元件10的截面构成的示例的说明图。同样在第五变形例中，如图13所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。换句话说，中心线602是通过连接将分配晶体管vg1的栅极电极(第一分配栅极)150a的中心点(中心)o1a和光电二极管(第一光电转换单元)pd的中心点(中心)o连接的线(第一线段)以及将分配晶体管vg2的栅极电极(第二分配栅极)150b的中心点(中心)o1b和光电二极管pd的中心点o连接的线(第二线段)而形成，并且中心线602与中心线(第一中心轴)600直交。
194.此外，在第五变形例中，如图13所示，设置有一个排出晶体管ofg。具体地，在第五变形例中，如图13所示，受光元件10包括排出在光电二极管pd中产生的电荷的一个排出晶体管ofg的栅极电极(第三排出栅极)152b。此外，栅极电极152b的中心点o2位于中心线(第一中心轴)600上。根据具有这种构成的第五变形例，通过使用一个排出晶体管ofg可以使受光元件10的尺寸更微细化。
195.(第六、第七和第八变形例)
196.此外，上述第五变形例可以进一步变形如下。将参照图14～图17说明第六、第七和第八变形例。图14是根据本实施方案第六变形例的受光元件10的等效电路图，图15是示出根据本实施方案第六变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。此外，图16是示出根据本实施方案第七变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。图17是示出根据本实施方案第八变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
197.在第六变形例的受光元件10中，如图14所示，设置一个浮动扩散区域fd、一个复位晶体管rst、一个放大晶体管amp和一个选择晶体管sel。通过采用这种构成使得第六变形例的受光元件10例如可以采用图15所示的平面构成。
198.具体地，在第六变形例中，如图15所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。更具体地，在第六变形例中，将分配晶体管vg1的栅极电极(第一分配栅极)150a的中心点(中心)o1a和光电二极管(第一光电转换单元)pd的中心点(中心)o连接的中心线(第一线段)604a(为了便于理解，中心线604a在图示中被延长)与中心线(第一中心轴)600形成锐角。此外，将分配晶体管vg2的栅极电极(第二分配栅极)150b的中心点(中心)o1b和光电二极管pd的中心点o连接的中心线(第二线段)604b(为了便于理解，中心线604b在图示中被延长)与中心线(第一中心轴)600形成锐角。注意，在第六变形例中，锐角的大小不受限制，例如可以为45度等。
199.此外，在第六变形例中，如图15所示，电荷累积单元(第一和第二电荷累积单元)mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg设置在它们相对于中心线(第一中心轴)600彼此呈线
对称(大致线对称)的位置处。
200.根据第六变形例，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b的更紧密配置使得可以将电荷高速地分配到电荷累积单元mem1和mem2，并且电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间变得更加同等。其结果，根据第六变形例，即使发生制造偏差，也可以避免其中在所有受光元件10中各受光元件10在分配晶体管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况，并且进一步地测距模块1可以确保高的测距精度。
201.此外，在第七变形例中，如图16所示，排出晶体管ofg的栅极电极152被设置为夹持在分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b之间。在第七变形例中，分配晶体管vg1和vg2以及排出晶体管ofg的更紧密配置使得当在光电二极管pd中产生的电荷的传输目的地从电荷累积单元mem1切换到电源电位vdd(排出)时，可以提高在从电荷累积单元mem2切换到电源电位vdd(排出)时的不必要电荷的传输速度。
202.具体地，在第八变形例中，如图17所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于中心线600呈线对称(大致线对称)。更具体地，在第八变形例中，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于通过光电二极管(第一光电转换单元)pd的中心点(中心)o的中心线(第一中心轴)600呈线对称。此外，在第八变形例中，如图17所示，电荷累积单元(第一和第二电荷累积单元)mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg2也设置在它们相对于中心线(第一中心轴)600彼此呈线对称(大致线对称)的位置处。
203.根据第八变形例，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为呈大致线对称，因此电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间变得更加同等。其结果是，根据第八变形例，即使发生制造偏差，也可以避免其中在所有受光元件10中各受光元件10在分配晶体管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况，并且进一步地测距模块1可以确保高的测距精度。此外，在第八变形例中，如图17所示，排出晶体管ofg的栅极电极152被设置为夹持在分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b之间。在第八变形例中，分配晶体管vg1和vg2以及排出晶体管ofg的更紧密配置使得当在光电二极管pd中产生的电荷的传输目的地从电荷累积单元mem1切换到电源电位vdd(排出)时，可以提高在从电荷累积单元mem2切换到电源电位vdd(排出)时的不必要电荷的传输速度。
204.(第九和第十变形例)
205.接下来，参照图18和图19说明第九和第十变形例。图18是示出根据本实施方案第九变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图19是示出根据本实施方案第十变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。同样在本变形例中，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o的中心线呈线对称(大致线对称)。然而，在第九和第十变形例中，该中心线不是如上所述的沿着图中的上下方向(列方向)延伸通过受光元件10的中心线600，而是沿着与该列方向以预定角度相交的方向延伸通过光电二极管(第一光电转换单元)pd的中心点(中心)o的中心线(第一中心轴)612。
206.具体地，在第九变形例中，如图18所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极(第一和第二分配栅极)150a和150b设置在栅极电极150a和150b相对于中心线(第一中心轴)612彼此呈线对称(大致线对称)的位置处。如上所述，中心线612沿着相对于图18中的上下方向(列方向)以预定角度与受光元件10相交的方向延伸通过光电二极管(第一光电转换单元)pd的中心点(中心)o。注意，在第九变形例中，预定角度没有特别限制，例如可以为45度等。
207.此外，在第七变形例中，如图18所示，排出晶体管ofg1和ofg2的栅极电极152a和152b被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o并与中心线612直交的中心线614呈线对称(大致线对称)。
208.此外，在第九变形例中，如图18所示，电荷累积单元mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg2被设置为相对于中心线612镜像对称并且从两侧夹持分配晶体管vg1和vg2。换句话说，电荷累积单元mem1和mem2以及传输晶体管tg1和tg2设置在它们相对于光电二极管pd的中心点(中心)o呈点对称(大致点对称)的位置处。
209.根据本变形例，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b等相对于列方向或行方向倾斜地配置。因此，可以提高受光元件10在半导体基板200上的布局自由度。
210.此外，在采用其中浮动扩散区域fd、复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel共享的构成的情况下，可以采用如图19所示的第十变形例的受光元件的平面构成例。根据第十变形例，由于其中浮动扩散区域fd、复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel共享的构成，更容易使受光元件10的尺寸微细化。
211.(第十一至第十四变形例)
212.在上述实施方案及其变形例中，受光元件10的各构成要素设置在一个半导体基板200上，但是在本实施方案中，各构成要素不限于上述那样的构成。因此，将说明其中受光元件10的各构成要素设置在层叠的两个基板上的第十一至第十四变形例的示例。根据第十一至第十四变形例，由于两个基板的层叠，更容易使受光元件10的尺寸微细化。
213.下面将参照图20～图23说明第十一至第十四变形例。图20是示出根据本实施方案第十一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图21是示出根据本实施方案第十二变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。此外，图22是示出根据本实施方案第十三变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图23是示出根据本实施方案第十四变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。
214.首先，在第十一变形例中，如图20所示，光电二极管pd、分配晶体管vg1和vg2、排出晶体管ofg1和ofg2、电荷累积单元mem1和mem2、传输晶体管tg1和tg2以及浮动扩散区域fd1和fd2设置在半导体基板200上。此外，放大晶体管amp1和amp2、选择晶体管sel1和sel2以及复位晶体管rst1和rst2设置在半导体基板(其他半导体基板)200b上。注意，半导体基板200和半导体基板200b例如彼此层叠，设置在半导体基板200和半导体基板200b上的由铜(cu)构成的电极接合，并且半导体基板200和半导体基板200b被构造成彼此电气连接。
215.接下来，在第十二变形例中，如图21所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b在图21中的上下方向(列方向)上配置。根据第十二变形例，在测距模块1的受光单元30的像素阵列单元12具有诸如4：3或16：9的横长视角的情况下，可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
216.接下来，在第十三变形例中，如图22所示，浮动扩散区域fd、复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel被共享。根据第十三变形例，由于其中浮动扩散区域fd、复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel被共享的构成，更容易使受光元件10的尺寸微细化。
217.接下来，在第十四变形例中，如图23所示，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极150a和150b在图23中的上下方向(列方向)上配置。根据第十四变形例，在测距模块1的受光单元30
的像素阵列单元12具有诸如4：3或16：9的横长视角的情况下，可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
218.(第十五变形例)
219.此外，在上述第十二至第十四变形例中，放大晶体管amp、选择晶体管sel和复位晶体管rst设置在每个半导体基板200b上，但是本实施方案不限于这种形式。因此，作为第十五变形例，说明其中信号线(输出配线)vsl设置在半导体基板200b上的示例。根据第十五变形例，信号线vsl不是设置在半导体基板200上而是设置在半导体基板200b上，从而增加了用于接收由信号线vsl传输的信号的电路的设计自由度。
220.下面，参照图24说明第十五变形例。图24是示出根据本实施方案第十五变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。在第十五变形例中，如图24所示，光电二极管pd、分配晶体管vg1和vg2、排出晶体管ofg1和ofg2、电荷累积单元mem1和mem2、传输晶体管tg1和tg2、浮动扩散区域fd1和fd2、放大晶体管amp1和amp2、选择晶体管sel1和sel2以及复位晶体管rst1和rst2设置在半导体基板200上。此外，信号线vsl1和vsl2设置在半导体基板200b上。根据具有这种构成的第十五变形例，信号线vsl1和vsl2不是设置在半导体基板200上而是设置在半导体基板200b上，因此可以增加用于接收由信号线vsl1和vsl2传输的信号的电路的设计自由度。
221.(第十六和第十七变形例)
222.在上述实施方案及其变形例中，受光元件10包括两个分配晶体管vg1和vg2，但是本实施方案不限于两个分配晶体管vg1和vg2。例如，受光元件10可以包括四个分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4。下面将参照图25～图27说明具有这种构成的第十六和第十七变形例。图25是根据本实施方案第十六变形例的受光元件10的等效电路图。图26是示出根据本实施方案第十六变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图27是示出根据本实施方案第十七变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。注意，在图26和图27中，为了便于理解，仅示出了光电二极管pd、分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4以及排出晶体管ofg1和ofg2(或ofg)。
223.如图25所示，第十六变形例的受光元件10包括分配晶体管vg、电荷累积单元mem、传输晶体管tg和浮动扩散区域fd的组合的四组。此外，在第十六变形例的受光元件10中，设置一个复位晶体管rst、一个放大晶体管amp和一个选择晶体管sel。根据第十六变形例，四个分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4的设置可以扩大测距范围。
224.具有这种构成的第十六变形例的受光元件10可以采用如图26所示的平面构成。同样在第十六变形例中，分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4的栅极电极150a、150b、150c和150d被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o并沿着上下方向(列方向)延伸通过受光元件10的中心线600呈线对称(大致线对称)。更具体地，在第十六变形例中，如图26所示，分配晶体管vg2和vg4的栅极电极150a和150c隔着光电二极管pd的中心点o彼此面对，分配晶体管vg2和vg4的栅极电极150b和150d隔着光电二极管pd的中心点o彼此面对。同样在第十六变形例中，由于分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4的栅极电极150a、150b、150c和150d被配置为相对于中心线600呈线对称，所以电荷分配性能在分配晶体管vg1、vg2、vg3和vg4之间变得大致同等。
225.此外，在采用一个排出晶体管ofg的情况下，可以采用如图27所示的第十七变形例的受光元件10的平面构成例。根据第十七变形例，使用一个排出晶体管ofg可以使受光元件
10的尺寸更微细化。
226.(第十八变形例)
227.此外，在本实施方案中，受光元件10也可以包括八个分配晶体管vg1～vg8。下面，参照图28和图29说明具有这种构成的第十八变形例。图28是根据本实施方案第十八变形例的受光元件10的等效电路图。图29是示出根据本实施方案第十八变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。根据本变形例，设置八个分配晶体管vg1～vg8可以扩大测距范围。
228.如图28所示，第十八变形例的受光元件10包括分配晶体管vg、电荷累积单元mem、传输晶体管tg和浮动扩散区域fd的组合的八组。此外，在第十八变形例的受光元件10中，设置一个复位晶体管rst、一个放大晶体管amp和一个选择晶体管sel。
229.具有这种构成的第十八变形例的受光元件10可以采用如图29所示的平面构成。同样在第十八变形例中，分配晶体管vg1～vg8的栅极电极150被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o并沿着上下方向(列方向)延伸通过受光元件10的中心线600呈线对称(大致线对称)。此外，分配晶体管vg1～vg8的栅极电极150被配置为相对于通过光电二极管pd的中心点o并沿着左右方向(行方向)延伸通过受光元件10的中心线602呈线对称(大致线对称)。
230.根据第十八变形例的受光元件10优选如下操作。注意，在以下的说明中，测距模块1的受光单元30的像素阵列单元12被划分为四个区域，并且每个区域根据位置被称为第一象限、第二象限、第三象限和第四象限。
231.具体地，如上所述，测距模块1的受光单元30的像素阵列单元12包括在行和列方向上以矩阵状二维配置的多个受光元件10。当光进入具有这种构成的像素阵列单元12的中心区域时，光的入射角大致为0度，并且由光在光电二极管pd中产生的电荷可以很容易地由分配晶体管vg1和vg2以基本类似的状态分配到电荷累积单元mem1和mem2中。然而，当光进入具有这种构成的像素阵列单元12的中心区域以外的区域时，光是倾斜入射的。因此，难以将由光在光电二极管pd中产生的电荷由分配晶体管vg1和vg2以基本类似的状态分配到电荷累积单元mem1和mem2中。因此，测距模块1难以确保高的测距精度。
232.因此，例如，在第十八变形例中，分配晶体管vg1、vg8和vg6用在像素阵列单元12的第一象限中。因此，允许在光电二极管pd中产生的电荷以基本类似的状态分配，从而缓和由于上述的倾斜入射的倾斜光所导致的测距精度的劣化。此外，在第十八变形例中，如同上述说明中那样，分配晶体管vg6、vg4和vg2用在像素阵列单元12的第二象限中。因此，允许在光电二极管pd中产生的电荷以基本类似的状态分配，从而缓和由于上述的倾斜入射的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
233.注意，在第十八变形例中，在倾斜入射的倾斜光具有轻微影响的情况下，分配晶体管vg1和vg2可以用来分配在光电二极管pd中产生的电荷，并且分配晶体管vg5可以用来排出电荷。在第十八变形例中，使用了大量的分配晶体管vg。因此，优选的是，针对像素阵列单元12的每个区域，使用位于适当位置的分配晶体管vg。
234.(第十九至第二十二变形例)
235.此外，在本实施方案中，测距模块1的受光单元30的像素阵列单元12不仅可以包括多个受光元件10，还可以包括多个成像元件。按此方式，测距模块1不仅被构造成测量距离，还获取对象800的图像(颜色信息)。下面将参照图30～图33说明具有这种构成的第十九至
第二十二变形例。图30是示出根据本实施方案第十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图31是示出根据本实施方案第二十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。此外，图32是示出根据本实施方案第二十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图33是示出根据本实施方案第二十二变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
236.首先，在第十九变形例的像素阵列单元12中，如图30所示，在半导体基板200上不仅设置多个受光元件10，而且设置多个成像元件500。成像元件500主要包括将光转换为电荷的光电二极管(第二光电转换单元)(未示出)、从光电二极管向其传输电荷的浮动扩散区域(第二浮动扩散区域)(未示出)以及将电荷从光电二极管传输到浮动扩散区域的传输晶体管的栅极(第三传输栅极)(未示出)。此外，如图30所示，多个成像元件500包括检测蓝色光的成像元件(第二成像元件)500b、检测绿色光的成像元件(第三成像元件)500g和检测红色光的成像元件(第一成像元件)500r，并且这些成像元件500b、500g和500r例如以拜耳(bayer)阵列配置。在图30中，相对于照射光以0
°
和180
°
的相位延迟操作的受光元件10a表示为i(0
°
/180
°
)，并且相对于照射光以90
°
和270
°
的相位延迟操作的受光元件10b表示为q(90
°
/270
°
)。根据第十九变形例，将获取颜色信息的rgb信号的成像元件500与进行测距的受光元件10相邻地配置在同一平面上，使得除了测距还可以进行成像。
237.此外，在第二十变形例中，如图31所示，对于配置成2
×
2的成像元件500b、500g和500r，四个受光元件10a(i(0
°
/180
°
))以2
×
2配置，并且四个受光元件10b(q(90
°
/270
°
))以2
×
2配置。根据第二十变形例，这样的配置使布局简单，并且可以容易地制造像素阵列单元12。
238.此外，在第二十一变形例中，如图32所示，多个成像元件500还包括检测近红外光(ir)的成像元件(第四成像元件)500i。注意，在本变形例中，成像元件500b、500g和500r不是以上述的拜耳阵列配置，而是将拜耳阵列之中的一个成像元件500g替换为成像元件500i。根据第二十一变形例，这种构成除了颜色信息的rgb信号之外还可以获取近红外线信号，因此例如即使在黑暗的环境中也可以获取对象800的图像。注意，在本变形例中，成像元件500i以及受光元件10a和10b的波长感度可以相同或不同。
239.此外，在第二十二变形例中，如图33所示，多个受光元件10a和10b以及多个成像元件500b、500g和500r被配置为列状。在第二十二变形例中，这种配置降低了空间分辨率，但是使布局简单。因此，配线设计容易，并且可以容易地制造像素阵列单元12。
240.(第二十三至第二十八变形例)
241.此外，在本实施方案中，成像元件500可以设置在与配置有受光元件10的半导体基板不同的半导体基板上，即，像素阵列单元12可以具有层叠结构。这种层叠结构可以使像素阵列单元12的尺寸紧凑。下面将参照图34～图39说明具有这种构成的第二十三至第二十八变形例。图34是示出根据本实施方案第二十三变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图35是示出根据本实施方案第二十四变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。此外，图36是示出根据本实施方案第二十五变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图37是示出根据本实施方案第二十六变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。此外，图38是示出根据本实施方案第二十七变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图39是示出根据本实施方案第二十八变形例的像素阵列单元12的平面构成例的
说明图。
242.首先，在第二十三变形例中，如图34所示，像素阵列单元12在半导体基板200上设置有多个受光元件10a和10b，并且多个成像元件500b、500g和500r设置在层叠在半导体基板200上的半导体基板200b上。根据第二十三变形例，以这种方式层叠两个半导体基板200和200b可以使像素阵列单元12的尺寸更加紧凑。注意，图34中的箭头表示光(hν)入射的方向，并且在本变形例中，光从一个方向入射，因此可以简化将光会聚到像素阵列单元12的聚光透镜等的构成。此外，在第二十三变形例中，如图34所示，受光元件10a和10b分别以2
×
2在拜耳阵列中配置，以简化布局，因此可以容易地制造像素阵列单元12。
243.接下来，在第二十四变形例的像素阵列单元12中，如图35中的箭头所示，光从层叠的半导体基板200和200b的两侧入射。在第二十四变形例中，光向成像元件500b、500g和500r的入射方向与光向受光元件10a和10b的入射方向不同。因此，成像元件500b、500g和500r与受光元件10a和10b可以获取高感度的信号。
244.接下来，在第二十五变形例的像素阵列单元12中，如图36所示，多个受光元件10a和多个受光元件10b在倾斜方向上配置在半导体基板200上，进一步地，多个受光元件10a的倾斜列和多个受光元件10b的倾斜列交替地配置。根据第二十五变形例，这种配置可以提高受光元件10a和10b中的测距的分辨率。
245.接下来，在第二十六和第二十七变形例的像素阵列单元12中，如图37和图38所示，除了多个受光元件10a和10b之外，多个成像元件500i设置在半导体基板200上。具体地，在第二十六变形例中，如图37所示，各成像元件500i的光谱波长比可见光的长。因此，成像元件500i形成为大于其他成像元件500b、500g和500r以及受光元件10a和10b的尺寸(面积)，从而提高感度。此外，在第二十七变形例中，如图38所示，各成像元件500i、受光元件10a和受光元件10b在一个方向上排列，以简化布局，因此可以容易地制造像素阵列单元12。在第二十六和第二十七变形例中，如上所述，根据第二十六和第二十七变形例，可以在提高分辨率的同时获取除了颜色信息的rgb信号之外的近红外线信号，因此例如即使在黑暗的环境中也可以获取对象800的图像。
246.接下来，在第二十八变形例的像素阵列单元12中，如图39所示，受光元件10a和10b以及成像元件500i分别以2
×
2配置，因此分辨率可以得到改善。
247.(第二十九至第三十五变形例)
248.此外，在本实施方案中，受光元件10a和10b可以形成为具有比成像元件500b、500g和500r大的尺寸。这种构成使得可以提高测距精度。下面将参照图40～图46说明具有这种构成的第二十九至第三十五变形例。图40是示出根据本实施方案第二十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图41是示出根据本实施方案第三十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。图42是示出根据本实施方案第三十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图43是示出根据本实施方案第三十二变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。此外，图44是示出根据本实施方案第三十三变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图45是示出根据本实施方案第三十四变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。此外，图46是示出根据本实施方案第三十五变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
249.首先，在第二十九变形例的像素阵列单元12中，如图40所示，受光元件10a和10b具
有大于成像元件500b、500g和500r的尺寸(面积)。一般而言，对于成像元件500b、500g和500r需要高分辨率，但是对于受光元件10a和10b不需要与成像元件500b、500g和500r一样高的分辨率。因此，在第二十九变形例中，通过设置具有这种大尺寸的受光元件10a和10b可以提高感度并且进一步提高测距精度，尽管分辨率差。
250.此外，在第三十和第三十一变形例的像素阵列单元12中，如图41和图42所示，受光元件10a和受光元件10b在一个方向上排列，以简化布局，因此可以容易地制造像素阵列单元12。
251.此外，同样在层叠构成中，受光元件10a和10b可以具有比成像元件500b、500g和500r大的尺寸(面积)。同样在根据第三十二至第三十四变形例的像素阵列单元12的层叠构成中，如图43～图45所示，受光元件10a和10b具有比成像元件500b、500g和500r大的尺寸(面积)。
252.此外，在第三十五变形例的像素阵列单元12中，如图46所示，成像元件500i具有比成像元件500b、500g和500r大的尺寸(面积)。根据本变形例，通过设置具有这种大尺寸的成像元件500i可以提高感度。
253.(第三十六至第四十变形例)
254.此外，在本实施方案中，像素阵列单元12可以被构造成使得多个受光元件10的方向在每个位置处被优化。下面将参照图47～图52说明具有这种构成的第三十六至第四十变形例。图47是示出根据本实施方案第三十六至第四十变形例的受光元件10的平面构成例的说明图。图48是示出根据本实施方案第三十六变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图49是示出根据本实施方案第三十七变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。图50是示出根据本实施方案第三十八变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图，图51是示出根据本实施方案第三十九变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。图52是示出根据本实施方案第四十变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
255.在下面说明的第三十六至第四十变形例中，假设各受光元件10的平面构成具有例如如图47所示的构成。具体地，图47的平面构成类似于图5所示的根据本公开第一实施方案的受光元件10的平面构成例。为了便于理解受光元件10的方向，在图47中，字母“f”显示在受光元件10上。
256.首先，在第三十六变形例的像素阵列单元12中，如图48所示，多个受光元件10全部被配置为面向相同的方向。根据第三十六变形例，如上所述，所有的受光元件10都被配置为面向相同的方向，因此可以减少制造中受光元件10的性能变化。
257.接下来，在第三十七变形例中，如图49所示，像素阵列单元12被划分为两个区域，如图49中的上半部分和下半部分，并且进一步地，在上半区域和下半区域中，多个受光元件10在各自的区域中面向限定的方向。换句话说，多个受光元件10在像素阵列单元12的上半区域和下半部之间面向不同的方向。根据第三十七变形例，以这种方式在像素阵列单元12的上半部分和下半部分之间改变受光元件10以的方向可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
258.接下来，在第三十八变形例中，如图50所示，像素阵列单元12被划分为两个区域，如图50中的右半部分和左半部分，并且进一步地，在右半区域和左半区域中，多个受光元件10面向不同的方向。根据第三十八变形例，以这种方式在像素阵列单元12的右半部分和左
半部分之间改变受光元件10以的方向可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
259.接下来，在第三十九变形例中，如图51所示，像素阵列单元12被划分为四个区域，如第一象限、第二象限、第三象限和第四象限，并且进一步地，多个受光元件10在各自的象限之间面向不同的方向。根据第三十九变形例，以这种方式在各自的象限之间改变受光元件10的方向(即，根据受光元件10的位置来优化受光元件10的方向)可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
260.接下来，在第四十变形例的像素阵列单元12中，如图52所示，图52中的中央区域及其周边区域被划分为五个区域，如第一象限、第二象限、第三象限和第四象限，并且进一步地，多个受光元件10在五个区域之间面向不同的方向。根据第四十变形例，以这种方式根据受光元件10的位置来优化受光元件10的方向可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
261.(第四十一变形例)
262.此外，在本实施方案中，即使在设置多个分配晶体管vg的情况下，也可以针对像素阵列单元12中的每个位置来优化多个受光元件10的方向。下面参照图53和图54说明具有这种构成的第四十一变形例。图53是示出根据本实施方案第四十一变形例的受光元件10的平面构成例的说明图，图54是示出根据本实施方案第四十一变形例的像素阵列单元12的平面构成例的说明图。
263.在下面说明的第四十一变形例中，假设各受光元件10的平面构成具有例如如图53所示的构成。具体地，图53的平面构成类似于图29所示的根据本公开第一实施方案的第十八变形例的受光元件10的平面构成例。为了便于理解受光元件10的方向，在图53中，字母“f”显示在受光元件10上。
264.接下来，在第四十一变形例中，如图54所示，像素阵列单元12被划分为四个区域，如第一象限、第二象限、第三象限和第四象限，并且进一步地，多个受光元件10在各自的象限之间面向不同的方向。在第四十一变形例中，例如，在位于像素阵列单元12的角部的各受光元件10中，优选的是，仅仅使用位于靠近角部的位置的分配晶体管vg。根据第四十一变形例，以这种方式针对各象限改变受光元件10的方向并且改变将要使用的分配晶体管vg可以缓和由于倾斜入射在像素阵列单元12上的倾斜光所导致的测距精度的劣化。
265.《《7.第二实施方案》》
266.此外，在上述第一实施方案及其变形例中，电荷累积单元mem1和mem2的绝缘膜(未示出)、放大晶体管amp1和amp2的栅极绝缘膜(未示出)等可以减小厚度。这种构成使得可以在不增大电荷累积单元mem1和mem2的尺寸的情况下增大其容量。此外，由于栅极绝缘膜内的结晶缺陷的减少或晶体管的相互电导gm的增大而引起的结晶缺陷的影响降低，或者由热处理时间的缩短或热处理温度的降低引起的界面态的减少，使得可以减少放大晶体管amp1和amp2的随机噪声。
267.这里，在本公开的第三实施方案中，将参照图55、图56a和图56b说明具有减小厚度的绝缘膜的电荷累积单元mem1和mem2以及放大晶体管amp1和amp2。注意，图55是示出根据本实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图，其中受光元件10是从半导体基板200的表面的上方观察的。图55的受光元件10类似于图17所示的第一实施方案的第八变形例的受
光元件10。图56a是沿着图55中的线c-c'截取的受光元件10的截面图，图56b是沿着图55中的线d-d'截取的受光元件10的截面图。具体地，在图56a和图56b的每一个中，图中的上侧是半导体基板200的表面侧，图中的下侧是半导体基板200的背面侧。在图56a中，未示出栅极电极160上的接触部。
268.具体地，在本实施方案中，例如，如图56a所示，位于放大晶体管amp1的被侧壁730覆盖的栅极电极160下方的绝缘膜720a例如由氧化膜(第三氧化膜)构成，并且其膜厚小于位于复位晶体管rst1的栅极电极158和选择晶体管sel1的栅极电极162下方的由氧化膜(第三氧化膜)构成的绝缘膜720。
269.此外，在本实施方案中，电荷累积单元mem1包括电极154a、绝缘膜720a和n型半导体区域。具体地，例如，如图56b所示，位于电荷累积单元mem1的被侧壁730覆盖的电极154下方的绝缘膜720a例如由氧化膜(第一氧化膜)构成，并且其膜厚小于位于传输晶体管tg1的栅极电极156下方的由氧化膜(第二氧化膜)构成的绝缘膜720。
270.注意，在本实施方案中，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜720a和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜720a可以是由相同材料构成的氧化膜，或者可以具有大致相同的膜厚。
271.更具体地，在本实施方案中，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜720a和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜720a由氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)等氧化膜构成。此外，在本实施方案中，考虑到由于厚度减小而导致的随机噪声降低的效果以及由于漏电流增加而导致的功耗增加，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜720a和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜720a中的每一个的膜厚优选为位于其他元件(传输晶体管tg、复位晶体管rst和选择晶体管sel)的栅极电极156、158和162下方的绝缘膜720的膜厚的大约一半，更优选例如为1.0nm以上和5.0nm以下。
272.此外，在本实施方案中，当从半导体基板200的上方观察时，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜720a和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜720a优选比栅极电极160和电极154宽到相邻元件不被干涉的程度。
273.注意，本实施方案不限于仅减小电荷累积单元mem1和mem2的绝缘膜720a以及放大晶体管amp1和amp2的栅极绝缘膜720a的膜厚。在本实施方案中，可以仅减小电荷累积单元mem1和mem2的绝缘膜720a的厚度，并且可以减小与受光元件10上的各元件(电荷累积单元mem、传输晶体管tg、分配晶体管vg、排出晶体管ofg、放大晶体管amp、复位晶体管rst和选择晶体管sel)的栅极电极150、152、154、156、158、160和162以及电极154接触的绝缘膜720的厚度。
274.如上所述，根据本实施方案，减小电荷累积单元mem的绝缘膜720a的厚度、放大晶体管amp的栅极绝缘膜720a的厚度等使得可以在不增大其尺寸的情况下增大电荷累积单元mem的容量，从而降低晶体管的随机噪声。因此，本实施方案的构成适用于具有对称布局的第一实施方案的构成。因此，可以准确地形成将要减小的绝缘膜720a。因此，除了由均匀地收集到电荷累积单元mem1和mem2中的电荷所导致的测距模块1的测距精度提高的效果之外，电荷累积单元mem1和mem2的容量增加，并且晶体管的随机噪声降低。因此，可以进一步提高测距模块1的测距精度。注意，本实施方案可以结合上述第一实施方案及其变形例来实施。
275.《《8.第三实施方案》》
276.顺便提及的是，在上述第二实施方案中，各电荷累积单元mem的绝缘膜720a的厚度、放大晶体管amp的栅极绝缘膜720a的厚度等被减小以增大各电荷累积单元mem的容量，并且降低放大晶体管amp的随机噪声。然而，在进一步减小各栅极绝缘膜720a的厚度的情况下，尽管可以获得上述效果，但是漏电流增加，从而在膜厚减小方面具有限制。因此，本发明人已经想到，即使具有相同的膜厚，与上述氧化膜相比也能够增大电荷累积单元mem的容量的具有较高相对介电常数的高介电膜被用来代替绝缘膜720a。即使减小膜厚，使用高介电膜作为绝缘膜720a也可以实现电荷累积单元mem的容量的增大和放大晶体管amp的随机噪声的降低这二者，同时避免漏电流的增加。
277.这里，将参照图57、图58a和图58b说明根据本公开第三实施方案的具有包含高介电膜的绝缘膜的电荷累积单元mem1和mem2以及放大晶体管amp1和amp2。注意，图57是示出根据本实施方案的受光元件10的平面构成例的说明图，其中受光元件10是从半导体基板200的表面的上方观察的。图57的受光元件10类似于第一实施方案的受光元件10。此外，图58a是沿着图57中的线e-e'截取的受光元件10的截面图，图58b是沿着图57中的线f-f'截取的受光元件10的截面图。具体地，在图58a和图58b的每一个中，图中的上侧是半导体基板200的表面侧，图中的下侧是半导体基板200的背面侧。
278.具体地，在本实施方案中，例如，如图58a所示，位于放大晶体管amp1的被侧壁730覆盖的栅极电极160下方的绝缘膜(第三绝缘膜)740包含高介电膜。于是，绝缘膜740的相对介电常数高于位于复位晶体管rst1的栅极电极158和选择晶体管sel1的栅极电极162下方的绝缘膜(第三绝缘膜)720的相对介电常数。
279.此外，在本实施方案中，例如，如图58b所示，位于电荷累积单元mem1的被侧壁730覆盖的电极154下方的绝缘膜(第一绝缘膜)740包含高介电膜。绝缘膜740的相对介电常数高于位于传输晶体管tg1的栅极电极156下方的绝缘膜(第二绝缘膜)720的相对介电常数。
280.注意，在本实施方案中，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜740和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜740可以由相同的材料形成。
281.更具体地，在本实施方案中，高介电膜包含相对介电常数比氧化硅(sio2)的相对介电常数(3.9)更高的材料，并且优选是具有4以上的相对介电常数的材料。在本实施方案中，例如，高介电膜是金属氧化物膜，并且可以由诸如al2o3、hfsion、y2o3、ta2o5、la2o3、tio2、hfo2、zro2或hfzro2等材料形成。
282.当使用高介电膜作为绝缘膜740时，为了调整vth(阈值电压)，可以使用诸如tin、tan或nisi等金属材料作为形成栅极电极150、152、154、156、158、160和162的材料。
283.此外，在本实施方案中，当从半导体基板200的上方观察时，位于放大晶体管amp1的栅极电极160下方的绝缘膜740和位于电荷累积单元mem1的电极154下方的绝缘膜740优选比栅极电极160和电极154宽到相邻元件不被干涉的程度。
284.注意，本实施方案不限于通过使用高介电膜仅形成电荷累积单元mem1和mem2的绝缘膜740以及放大晶体管amp1和amp2的栅极绝缘膜740。此外，仅电荷累积单元mem1和mem2的绝缘膜740可以由高介电膜形成，并且与受光元件10上的各元件(电荷累积单元mem、传输晶体管tg、分配晶体管vg、排出晶体管ofg、放大晶体管amp、复位晶体管rst和选择晶体管sel)的栅极电极150、152、154、156、158、160和162以及电极154接触的绝缘膜720可以由高
介电膜形成。
285.如上所述，根据本实施方案，通过使用高介电膜形成电荷累积单元mem的绝缘膜740、放大晶体管amp的栅极绝缘膜740等使得可以与使用sio2相比在不减小其膜厚的情况下实现电荷累积单元mem的容量的增大和放大晶体管amp的随机噪声的降低这二者。因此，本实施方案的构成适用于具有对称布局的第一实施方案的构成。因此，可以准确地形成包含高介电膜的绝缘膜720。因此，除了由均匀地收集到电荷累积单元mem1和mem2中的电荷所导致的测距模块1的测距精度提高的效果之外，电荷累积单元mem1和mem2的容量增加，并且晶体管的随机噪声降低。因此，可以进一步提高测距模块1的测距精度。注意，本实施方案可以结合上述第一实施方案及其变形例来实施。
286.《《9.总结》》
287.如上所述，在本公开的实施方案及其变形例中，受光元件10的平面图构成表明，分配晶体管vg1和vg2的栅极电极设置在相对于延伸通过光电二极管pd的中心的中心线彼此呈线对称的位置处。在本公开的实施方案中，采用上述的平面构成，即使发生制造偏差，设置在到光电二极管pd相同(大致相同)的距离处的栅极电极也使得电荷分配性能在分配晶体管vg1和vg2之间大致同等。因此，即使发生制造偏差，也容易在所有的受光元件10中均匀地形成分配晶体管vg1和vg2，并且可以避免其中各受光元件10在分配晶体管vg1和vg2之间的性能上存在差异的状况。因此，在本公开的实施方案中，收集在电荷累积单元mem1和mem2中的电荷在受光元件10中变得均匀。因此，测距模块1可以确保高的测距精度。
288.尽管本公开已经说明了实施方案及其变形例、应用例，但是本公开不限于上述实施方案，并且各种变形和变更或组合是可能的。注意，本说明书中记载的效果仅仅是示例性的。本公开的效果不限于本说明书中记载的效果。本公开可以具有本说明书中记载的效果以外的效果。
289.注意，在上述本公开的实施方案及其变形例中，上述各个半导体区域的导电类型可以颠倒，例如，本实施方案及其变形例适用于使用空穴作为电荷而不是电子的元件。
290.此外，在上述本公开的实施方案及其变形例中，半导体基板不一定是硅基板，也可以是其他基板(例如，绝缘体上硅(soi)基板、sige基板等)。此外，上述半导体基板可以具有形成在这样的各种基板上的半导体结构等。
291.此外，在上述本公开的实施方案及其变形例中，受光元件10可以连同发光单元、处理电路等一起形成在一个芯片上，或者受光元件10可以设置在一个包装内，但不特别限制于此。
292.在本公开的实施方案及其变形例中，形成上述各层、各膜、各元件等的方法的例子包括物理气相沉积(pvd)法、cvd法等。pvd法的例子包括使用电阻加热或高频加热的真空气相沉积法、电子束(eb)气相沉积法、各种溅射法(磁控溅射法、射频(rf)-直流电(rf)耦合模式偏压溅射法、电子回旋共振(ecr)溅射法、对向靶溅射法、高频溅射法等)、离子镀法、激光烧蚀法、分子束外延(mbe)法、激光转印法等。cvd法的例子包括等离子体cvd法、热cvd法、金属有机(mo)cvd法和光学cvd法。此外，其他方法包括电解镀法、化学镀法和旋涂法；浸渍法；铸造法；微接触印刷；滴延法；诸如丝网印刷法、喷墨印刷法、胶版印刷法、凹版印刷法、柔版印刷法等各种印刷法；烫印法；喷雾法；以及各种涂布法，如气刀涂布法、抹刀涂布法、棒涂法、刮刀涂布法、挤压涂布法、反向辊涂布法、转印辊涂布法、凹版涂布法、吻涂法、流延涂布
法、喷涂法、狭缝孔口涂布法和压延涂布法。此外，各层的图案化方法的例子包括：诸如荫罩、激光转印和光刻等化学蚀刻；和使用紫外线、激光等的物理蚀刻。此外，平坦化技术的例子包括化学机械抛光(cmp)法、激光平坦化法和回流法。换句话说，可以使用现有的半导体装置的制造工艺容易且廉价地制造根据本公开实施方案及其变形例的元件。
293.《《10.电子设备的构成例》》
294.此外，受光元件10不仅可适用于上述测距模块1，还可适用于诸如具有测距功能的相机、具有测距功能的智能手机等各种电子设备。将参照图59说明作为本技术适用的电子设备的智能手机900的构成例。图59是示出作为根据本公开实施方案的测距模块1适用的电子设备的智能手机900的构成例的框图。
295.如图59所示，智能手机900包括中央处理单元(cpu)901、只读存储器(rom)902和随机存取存储器(ram)903。此外，智能手机900包括存储装置904、通信模块905和传感器模块907。此外，智能手机900包括上述测距模块1适用的测距模块908，还包括成像装置909、显示装置910、扬声器911、麦克风912、输入装置913和总线914。此外，代替cpu 901或除了cpu 901之外，智能手机900可以包括诸如数字信号处理器(dsp)等处理电路。
296.cpu 901用作演算处理单元和控制装置，并且根据记录在rom 902、ram 903、存储装置904等中的各种程序来控制智能手机900内的全部或部分操作。rom 902存储由cpu 901使用的程序、演算参数等。ram 903主要存储在cpu 901的执行中使用的程序或者在程序的执行中适宜改变的参数等。cpu 901、rom 902和ram 903通过总线914相互连接。此外，存储装置904是被构造为智能手机900的存储单元的示例的数据存储装置。存储装置904例如包括诸如硬盘驱动器(hdd)等磁存储装置、半导体存储装置、光存储装置等。存储装置904存储由cpu 901执行的程序、各种数据、从外部获取的各种数据等。
297.通信模块905是包括例如用于连接到通信网络906的通信设备等的通信接口。通信模块905可以是例如有线或无线局域网(lan)、蓝牙(注册商标)、无线usb(wusb)用的通信卡等。此外，通信模块905可以是光通信用的路由器、非对称数字用户线(adsl)用的路由器、各种通信用的调制解调器等。通信模块905例如通过使用诸如tcp/ip等预定协议向/从互联网或其他通信设备发送/接收信号等。此外，连接到通信模块905的通信网络906是以有线或无线方式连接的网络，例如是因特网、家庭lan、红外线通信、卫星通信等。
298.传感器模块907包括例如各种传感器，如运动传感器(例如，加速度传感器、陀螺仪传感器、地磁传感器等)、生物信息传感器(例如，脉搏传感器、血压传感器、指纹传感器等)或位置传感器(例如，全球导航卫星系统(gnss)接收器等)。
299.测距模块908设置在智能手机900的表面上，并且被构造成获取例如用户面朝表面的指尖、手掌、面部等的凹凸形状或运动作为测距结果。这样的测距结果可以用于用户的认证和用户手势的识别。此外，测距模块908也被构造成获取例如从智能手机900到对象800的距离或关于对象800的表面的三维形状数据。
300.成像装置909设置在智能手机900的表面上，并且被构造成对位于智能手机900周围的对象800等进行成像。具体地，成像装置909可以包括诸如互补型mos(cmos)图像传感器等成像元件(未示出)和对由成像元件进行光电转换获得的信号执行成像信号处理的信号处理电路(未示出)。此外，成像装置909还可以包括光学系统机构(未示出)(其包括成像透镜、光圈机构、变焦透镜、聚焦透镜等)以及控制光学系统机构的操作的驱动系统机构(未示
出)。然后，成像元件收集来自对象800的入射光作为光学图像，信号处理电路将形成的光学图像以像素为单位进行光电转换，读出各像素的信号作为成像信号，并且执行图像处理以获取拍摄的图像。
301.显示装置910设置在智能手机900的表面上，其可以是诸如液晶显示器(lcd)或有机电致发光(el)显示器等显示装置。显示装置910被构造成显示操作画面、由上述成像装置909获取的拍摄图像等。
302.扬声器911被构造成向用户输出诸如呼叫语音、由上述显示装置910显示的伴随图像内容的语音等。
303.麦克风912被构造成收集例如用户的呼叫语音、包括用于激活智能手机900的功能的命令的语音以及智能手机900的周围环境中的声音。
304.输入装置913是用户操作的诸如按钮、触摸面板或鼠标等装置。输入装置913包括基于用户输入的信息生成输入信号并将输入信号输出到cpu 901的输入控制电路。用户可以操作输入装置913以将各种数据输入到智能手机900或者给出处理操作的指令。
305.上面，说明了智能手机900的构成例。上述各构成要素可以使用通用的部件，或者可以包括专用于各构成要素的功能的硬件。这样的构成可以根据当前实施的技术水平适宜地变更。
306.《《11.内窥镜手术系统的应用例》》
307.本发明的技术(本技术)应用于各种产品，例如，本发明的技术可以应用于内窥镜手术系统。
308.图60是示出根据本公开的技术(本技术)可以适用的内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。
309.图60示出了其中手术者(医生)11131正在使用内窥镜手术系统11000对病床11133上的患者11132进行手术的状态。如图所示，内窥镜手术系统11000包括内窥镜11100、诸如气腹管11111和能量处置器械11112等其他手术器械11110、支撑内窥镜11100的支撑臂装置11120和其上安装有用于内窥镜手术的各种装置的推车11200。
310.内窥镜11100包括其中距远端预定长度的区域被插入患者11132的体腔内的透镜筒11101和连接到透镜筒11101的近端的摄像头11102。在所示的示例中，示出了被构造为具有硬性透镜筒11101的所谓硬镜的内窥镜11100，但是内窥镜11100可以被构造为具有软性透镜筒的所谓的软镜。
311.物镜装配到其中的开口部设置在透镜筒11101在远端。光源装置11203连接到内窥镜11100，由光源装置11203生成的光通过延伸到透镜筒11101内部的光导被引导到透镜筒的远端，并且经由物镜朝向在患者11132的体腔内的观察对象发射。注意，内窥镜11100可以是直视内窥镜、斜视内窥镜或侧视内窥镜。此外，根据本公开实施方案的测距模块1的发光单元20和受光单元30可以内置在镜筒11101的远端。安装这种测距模块1的一部分使得除了由医生目视进行的手术之外还可以通过参照来自测距模块1的距离信息进一步提高手术的精度。
312.例如，如同在示出内窥镜11100的构成示例的图61的构成中，作为根据本公开实施方案的测距模块1的发光单元20和受光单元30的itof传感器15004设置在摄像头11102中。具体地，来自观察对象的反射光(观察光)通过镜筒11101，被摄像头11102内的透镜15001会
聚，被半反射镜15002反射，并被itof传感器15004接收。观察光由itof传感器15004光电转换，生成与观察光相对应的电气信号，并存储在存储器15005中，然后传输到后述的测距信号处理装置11209。
313.此外，如图61所示，成像元件15003设置在摄像头11102内部，并且来自观察对象的反射光(观察光)通过镜筒11101，被透镜15001会聚，被半反射镜15002反射，并被成像元件15003接收。观察光由成像元件15003光电转换，并且生成与观察光相对应的电气信号，即，与观察图像相对应的图像信号。图像信号暂时存储在存储器15005中，然后作为raw数据被传输到相机控制单元(ccu)11201。
314.ccu 11201由中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)等构成，并且综合控制内窥镜11100和显示装置11202的操作。此外，ccu 11201接收来自摄像头11102的图像信号，并且例如对图像信号执行诸如显像处理(去马赛克处理)等用于显示基于该图像信号的图像的各种图像处理。
315.显示装置11202在ccu 11201的控制下显示基于由ccu 11201经过图像处理的图像信号的图像。
316.例如，光源装置11203包括诸如发光二极管(led)等光源，并且将用于对手术部位等成像的照射光供给到内窥镜11100。
317.输入装置11204是用于内窥镜手术系统11000的输入接口。使用者可以经由输入装置11204向内窥镜手术系统11000输入各种信息和指令。例如，使用者通过使用内窥镜11100输入指令等，以改变成像条件(照射光的类型、放大率、焦距等)。
318.处置器械控制装置11205控制能量处置器械11112的驱动，用于组织的烧灼和切开、血管的密封等。气腹装置11206经由气腹管11111向患者11132的体腔内注入气体以使患者11132的体腔膨胀，用于确保内窥镜11100的视野并确保手术者的工作空间。记录器11207是能够记录与手术有关的各种信息的装置。打印机11208是能够以诸如文本、图像、图形等各种形式打印与手术有关的各种信息的装置。测距信号处理装置11209是设有根据本公开实施方案的测距模块1的控制单元40和处理单元60并且被构造成获取距离信息的装置。
319.注意，将手术部位成像时的照射光供给到内窥镜11100的光源装置11203可以由例如led、激光光源或具有它们的组合的白色光源构成。在白色光源通过rgb激光光源的组合构造的情况下，由于可以高精度地控制各种颜色(各波长)的输出强度和输出定时，因此可以在光源装置11203中进行所捕获的图像的白平衡的调整。此外，在这种情况下，通过将来自每个rgb激光光源的激光按时间分割地照射到观察对象上并且与照射定时同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动，也可以按时间分割地捕获对应于rgb的每个的图像。根据该方法，可以在成像元件中未设置滤色器的情况下获得彩色图像。
320.此外，可以控制光源装置11203的驱动，从而在每预定的时间改变要输出的光的强度。通过与光强度的改变的定时同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动以按时间分割地获取图像并合成图像，可以生成不具有所谓的曝光不足的阴影和曝光过度的高亮的高动态范围的图像。
321.此外，光源装置11203可以被构造为供给与特殊光观察相对应的预定波长带的光。在特殊光观察中，例如，进行所谓的窄带域光观察(窄带域成像)，其中通过使用身体组织中的光吸收的波长依赖性，通过照射与普通观察时的照射光(即，白光)相比更窄带域的光以
高对比度对诸如粘膜表层的血管等预定组织进行成像。可选择地，在特殊光观察中，可以进行用于通过照射激发光产生的荧光获得图像的荧光观察。在荧光观察中，例如，可以用激发光照射身体组织，以观察来自身体组织的荧光(自体荧光观察)，或者以将诸如吲哚菁绿(icg)等试剂局部地注射到身体组织中并用与试剂的荧光波长相对应的激发光照射身体组织来获得荧光图像。光源装置11203可以被构造为供给与这种特殊光观察相对应的窄带域光和/或激发光。
322.图62是示出图60所示的摄像头11102和ccu 11201的功能构成的示例的框图。
323.摄像头11102包括透镜单元11401、成像单元11402、驱动单元11403、通信单元11404和摄像头控制单元11405。ccu 11201包括通信单元11411、图像处理单元11412和控制单元11413。摄像头11102和ccu11201通过传输线缆11400彼此可通信地连接。
324.透镜单元11401是设置在与透镜筒11101的连接部分处的光学系统。从透镜筒11101的远端接收的观察光被引导到摄像头11102，并且入射到透镜单元11401。透镜单元11401通过组合包括变焦透镜和焦点透镜的多个透镜来构造。
325.成像单元11402由成像元件构成。构成成像单元11402的成像元件的数量可以是一个元件(所谓的单板型)或多个(所谓的多板型)。当成像单元11402被构造为多板型时，例如，可以通过每个成像元件生成与rgb的每个相对应的图像信号，并且可以通过组合图像信号来获得彩色图像。可选择地，成像单元11402可以包括一对成像元件，用于获取与三维(3d)显示相对应的右眼和左眼用图像信号。通过进行3d显示，手术者11131可以更加准确地把握手术部位中的身体组织的深度。注意，当成像单元11402被构造为多板型时，可以设置与每个成像元件相对应的多个透镜单元11401。
326.此外，成像单元11402不必须设置在摄像头11102中。例如，成像单元11402可以设置在透镜筒11101内部的物镜的正后方。
327.驱动单元11403包括致动器，并且在摄像头控制单元11405的控制下使透镜单元11401的变焦透镜和焦点透镜沿光轴移动预定距离。因此，可以适当地调整由成像单元11402捕获的图像的放大率和焦点。
328.通信单元11404包括用于向/从ccu 11201传输和接收各种信息的通信装置。通信单元11404将从成像单元11402获取的图像信号作为raw数据经由传输线缆11400传输到ccu 11201。
329.此外，通信单元11404从ccu 11201接收用于控制摄像头11102的驱动的控制信号，并且将控制信号供给到摄像头控制单元11405。控制信号例如包括与成像条件有关的信息，诸如用于指定所捕获的图像的帧速率的信息、用于指定在成像时的曝光值的信息和/或用于指定所捕获的图像的放大率和焦点的信息等。
330.注意，诸如帧速率、曝光值、放大率和焦点等成像条件可以由使用者适当地指定，或者可以由ccu 11201的控制单元11413基于捕获的图像信号来自动设定。在后一种情况下，所谓的自动曝光(ae)功能、自动对焦(af)功能和自动白平衡(awb)功能安装在内窥镜11100中。
331.摄像头控制单元11405基于经由通信单元11404从ccu 11201接收的控制信号来控制摄像头11102的驱动。
332.通信单元11411包括用于向和从摄像头11102传输和接收各种信息的通信装置。通
信单元11411经由传输线缆11400接收从摄像头11102传输的图像信号。
333.此外，通信单元11411将用于控制摄像头11102的驱动的控制信号传输到摄像头11102。图像信号和控制信号可以通过电气通信、光通信等来传输。
334.图像处理单元11412对作为从摄像头11102传输的raw数据的图像信号进行各种图像处理。
335.控制单元11413进行与通过使用内窥镜11100进行的手术部位等的成像以及通过对手术部位等成像获得的所捕获的图像的显示有关的各种控制。例如，控制单元11413生成用于控制摄像头11102的驱动的控制信号。
336.此外，控制单元11413基于由图像处理单元11412经过图像处理的图像信号使显示装置11202显示手术部位等的所捕获的图像。此时，控制单元11413可以通过使用各种图像识别技术来识别所捕获的图像内的各种物体。例如，控制单元11413可以通过检测包括在所捕获的图像中的物体的边缘形状和/或颜色等识别诸如钳子等手术器械、特定活体部位、出血、使用能量处置器械11112时的雾等。当在显示装置11202中显示所捕获的图像时，通过使用识别结果，控制单元11413可以叠加并显示与手术部位的图像有关的各种手术支持信息。由于手术支持信息被叠加并显示，并且呈现给手术者11131，因此可以缓和手术者11131的负担，并且手术者11131可以可靠地进行手术。
337.将摄像头11102和ccu 11201连接的传输线缆11400是与电气信号的通信相对应的电气信号线缆、与光通信相对应的光纤或其复合线缆。
338.这里，在所示的示例中，通过使用传输电缆11400有线地进行通信，但是可以无线地进行摄像头11102和ccu 11201之间的通信。
339.已经说明了根据本公开的技术可以适用的内窥镜手术系统的示例。根据本公开的技术可以应用于上述构成之中的成像单元11402。具体地，可以作为成像单元11402的构成的一部分适用受光元件10。作为成像单元11402的构成的一部分适用根据本公开的技术可以高精度地测量到手术部位的距离，并且可以获得更清晰的手术部位图像。
340.注意，这里已经说明了内窥镜手术系统的示例，但是根据本公开的技术可以进一步适用于例如显微镜手术系统等。
341.《《12.移动体的应用例》》
342.根据本公开的技术(本技术)可以适用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以被实现为安装在诸如汽车、电动汽车、混合电动汽车、摩托车、自行车、个人移动装置、飞机、无人飞行器、船舶、机器人等任何类型的移动体上的装置。
343.图63是作为根据本公开的技术可以适用的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性构成例的框图。
344.车辆控制系统12000包括经由通信网络12001彼此连接的多个电子控制单元。在图63所示的示例中，车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、主体系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040和综合控制单元12050。此外，作为综合控制单元12050的功能构成，示出了微型计算机12051、音频/图像输出单元12052和车载网络接口(i/f)12053。
345.驱动系统控制单元12010根据各种程序来控制与车辆的驱动系统有关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元12010用作诸如内燃机或驱动电机等用于产生车辆的驱动力的
驱动力产生装置、用于向车轮传递驱动力的驱动力传递机构、用于调整车辆的转向角的转向机构、用于产生车辆的制动力的制动装置的控制装置。
346.主体系统控制单元12020根据各种程序来控制安装到车体的各种装置的操作。例如，主体系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动窗装置或诸如头灯、尾灯、刹车灯、转向信号灯或雾灯等各种灯的控制装置。在这种情况下，用于代替按键的从便携式装置传递的无线电波或各种开关的信号可以输入到主体系统控制单元12020。主体系统控制单元12020接收无线电波或信号的输入并控制车辆的门锁装置、电动窗装置、灯等。
347.车外信息检测单元12030检测安装车辆控制系统12000的车辆的外部的信息。例如，成像单元12031连接到车外信息检测单元12030。车外信息检测单元12030使成像单元12031捕获车辆外部的图像并接收所捕获的图像。车外信息检测单元12030可以基于接收到的图像进行诸如人、汽车、障碍物、标志、道路上的文字等物体检测处理或距离检测处理。例如，itof传感器12032连接到车外信息检测单元12030。itof传感器12032被构造为用作根据本公开实施方案的测距模块1。
348.成像单元12031是接收光并输出对应于受光量的电气信号的光学传感器。成像单元12031可以输出电气信号作为图像，或者可以输出电气信号作为测距信息。此外，由成像单元12031接收的光可以是可见光或诸如红外线等不可见光。
349.车内信息检测单元12040检测车内的信息。例如，检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测单元12041连接到车内信息检测单元12040。例如，驾驶员状态检测单元12041包括对驾驶员成像的相机，并且基于从驾驶员状态检测单元12041输入的检测信息，车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳度或集中度，或者可以判断驾驶员是否瞌睡。
350.例如，微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的车辆内部和外部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或制动装置的控制对象值，并且可以向驱动系统控制单元12010输出控制指令。例如，微型计算机12051可以进行协调控制，以实现包括车辆的碰撞避免或碰撞缓和、基于车辆之间的距离的追踪行驶、车辆速度保持行驶、车辆碰撞警告和车辆的车道偏离警告等的高级驾驶员辅助系统(adas)的功能。
351.此外，微型计算机12051可以通过基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的关于车辆周围的信息来控制驱动力产生装置、转向机构、制动装置等来进行协调控制，以实现其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的自动驾驶等。
352.此外，微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030获得的车辆外部的信息将控制指令输出到主体系统控制单元12030。例如，微型计算机12051可以通过根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或对向车辆的位置控制头灯来进行协调控制，以实现诸如将远光灯切换为近光灯等防止眩光。
353.音频/图像输出单元12052将音频和图像至少一者的输出信号传递到能够在视觉上或听觉上通知车辆乘员或车辆外部的信息的输出装置。在图63的示例中，作为输出装置，音频扬声器12061、显示单元12062和仪表板12063被示出。例如，显示单元12062可以包括车载显示器和平视显示器中的至少一种。
354.图64是示出成像单元12031的安装位置的示例的图。
355.在图64中，车辆12100包括作为成像单元12031的成像单元12101、12102、12103、12104和12105。
356.成像单元12101、12102、12103、12104和12105设置在例如车辆12100的车头、侧视镜、后保险杠、后门和车内的挡风玻璃的上部等位置。设置在车头的成像单元12101和设置在车内的挡风玻璃上部的成像单元12105主要获得车辆12100的前方的图像。设置在侧视镜的成像单元12102和12103主要获得车辆12100的侧方的图像。设置在后保险杠或后门的成像单元12104主要获得车辆12100的后方的图像。由设置在车内侧的挡风玻璃上部的成像单元12105主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号、交通标志、车道等。内部包括根据本公开实施方案的测距模块1的发光单元20和受光单元30的itof传感器模块12201例如设置在车辆12100的车头。
357.此外，图64示出了成像单元12101～12104的成像范围的示例。成像范围12111表示设置在车头的成像单元12101的成像范围，成像范围12112和12113分别表示设置在侧视镜的成像单元12102和12103的成像范围，并且成像范围12114表示设置在后保险杠或后门的成像单元12104的成像范围。例如，通过叠加由成像单元12101～12104捕获的图像数据，获得车辆12100的从上方看到的鸟瞰图像。
358.成像单元12101～12104中的至少一个可以具有获取距离信息的功能。例如，成像单元12101～12104中的至少一个可以是包括多个成像元件的立体相机，或者可以是具有相位差检测用的像素的成像元件。
359.例如，基于从成像单元12101～12104获得的距离信息，通过获得距成像范围12111～12114内的各立体物的距离和距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度)，微型计算机12051提取在车辆12100的行驶路线上的特别是最靠近的立体物且在与车辆12100的大致相同的方向上以预定速度(例如，0km/h以上)行驶的立体物作为前方车辆。此外，微型计算机12051可以设定针对前方车辆的预先确保的车辆间的距离，并且可以进行自动制动控制(包括追踪行驶停止控制)、自动加速控制(包括追踪行驶开始控制)等。如上所述，可以进行其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的用于自动驾驶等的协调控制。
360.例如，基于从成像单元12101～12104获得的距离信息，微型计算机12051可以将关于立体物的立体物数据分类为两轮车辆、普通车辆、大型车辆、行人和诸如电线杆等其他立体物，提取立体物数据，并且使用立体物数据自动避开障碍物。例如，微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物识别为可以由车辆12100的驾驶员视觉识别的障碍物和难以视觉识别的障碍物。然后，微型计算机12051判断指示与每个障碍物碰撞的危险度的碰撞风险，并且当碰撞风险等于或高于设定值并且存在碰撞的可能性时，可以通过经由音频扬声器12061和显示单元12062向驾驶者输出警告或者经由驱动系统控制单元12010进行强制减速或回避转向来进行用于碰撞避免的驾驶辅助。
361.成像单元12101～12104中的至少一个可以是检测红外线的红外相机。例如，微型计算机12051可以通过判断行人是否存在于由成像单元12101～12104捕获的图像中来识别行人。例如，通过提取由作为红外相机的成像单元12101～12104捕获的图像中的特征点的步骤以及对指示物体的轮廓的一系列特征点进行图案匹配处理以判断该物体是否为行人的步骤来进行行人的识别。当微型计算机12051判断行人存在于由成像单元12101～12104捕获的图像中并且识别出行人时，音频/图像输出部12052使显示单元12062在所识别的行
人上叠加并显示用于强调的四边形轮廓线。此外，音频/图像输出部12052可以使显示单元12062在期望的位置显示指示行人的图标等。
362.上面已经说明了根据本公开的技术可以适用的移动体控制系统的示例。根据本公开的技术可以适用于车外信息检测单元12030或成像单元12031。具体地，受光元件10或测距模块1适用于车外信息检测单元12030或成像单元12031的距离检测处理块。根据本公开的技术适用于车外信息检测单元12030或成像单元12031使得可以高精度地测量到诸如人、汽车、障碍物、标志或路面上的文字等物体的距离，并且利用所获得的距离信息，可以减轻驾驶员的疲劳或者提高驾驶员或车辆的安全性。
363.《13.补充说明》
364.以上已经参照附图详细说明了本公开的优选实施方案。然而，本公开的技术范围不限于这样的示例。对于本公开领域的技术人员来说显而易见的是，在权利要求中记载的技术思想的范围内可以想到各种变更和变化，并且自然地落入本公开的技术范围内。
365.此外，本说明书中记载的效果仅是说明性或示例性的，而不是限制性的。换句话说，除了上述效果之外或代替上述效果，根据本公开的技术还可以表现出从本说明书的记载对本领域技术人员显而易见的其他效果。
366.注意，本技术还可以采用以下构成。
367.(1)一种包括受光单元的受光装置，所述受光单元包括在半导体基板上沿着行方向和列方向配置的多个受光元件，其中
368.每个所述受光元件包括：
369.将光转换为电荷的第一光电转换单元；
370.从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元；
371.将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极；
372.从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元；和
373.将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极，和
374.当从所述半导体基板的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与所述列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
375.(2)根据(1)所述的受光装置，其中所述预定角度为45度。
376.(3)一种包括受光单元的受光装置，所述受光单元包括在半导体基板上沿着行方向和列方向配置的多个受光元件，其中
377.每个所述受光元件包括：
378.将光转换为电荷的第一光电转换单元；
379.从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元；
380.将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极；
381.从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元；和
382.将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极，和
383.当从所述半导体基板的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着所述列方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
384.(4)根据(1)～(3)中任一项所述的受光装置，其中
385.每个所述受光元件还包括用于排出第一光电转换单元中的电荷的第一排出栅极和第二排出栅极，和
386.当从所述半导体基板的上方观察时，第一排出栅极和第二排出栅极设置在相对于与通过第一光电转换单元的中心的第一中心轴直交的第二中心轴彼此呈线对称的位置处。
387.(5)根据(4)所述的受光装置，其中
388.第一分配栅极和第二分配栅极或者第一排出栅极和第二排出栅极中的任一个包括在所述半导体基板中的一个或多个埋入的栅极部。
389.(6)根据(4)所述的受光装置，其中
390.当从所述半导体基板的上方观察时，第一电荷累积单元和第二电荷累积单元设置在相对于第一光电转换单元的中心彼此呈点对称的位置处。
391.(7)根据(3)所述的受光装置，其中
392.每个所述受光元件还包括用于排出第一光电转换单元中的电荷的第三排出栅极，和
393.当从所述半导体基板的上方观察时，第三排出栅极的中心位于第一中心轴上。
394.(8)根据(7)所述的受光装置，其中
395.当从所述半导体基板的上方观察时，
396.将第一分配栅极的中心和第一光电转换单元的中心连接的第一线段以及将第二分配栅极的中心和第一光电转换单元的中心连接的第二线段与第一中心轴直交。
397.(9)根据(7)所述的受光装置，其中
398.当从所述半导体基板的上方观察时，
399.将第一分配栅极的中心和第一光电转换单元的中心连接的第一线段与第一中心轴形成锐角，和
400.将第二分配栅极的中心和第一光电转换单元的中心连接的第二线段与第一中心轴形成锐角。
401.(10)根据(9)所述的受光装置，其中
402.当从所述半导体基板的上方观察时，第一电荷累积单元和第二电荷累积单元设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处。
403.(11)根据(3)所述的受光装置，其中
404.每个所述受光元件还包括：
405.设置在所述半导体基板内的一个或多个第一浮动扩散区域；
406.第一传输栅极，其设置在所述半导体基板上以将传输到第一电荷累积单元的电荷传输到所述的一个或多个第一浮动扩散区域；和
407.第二传输栅极，其设置在所述半导体基板上以将传输到第二电荷累积单元的电荷传输到所述的一个或多个第一浮动扩散区域。
408.(12)根据(11)所述的受光装置，其中
409.每个所述受光元件还包括：
410.一个或多个放大晶体管，其放大传输到第一浮动扩散区域的电荷并作为像素信号输出；
411.一个或多个选择晶体管，其根据选择信号输出所述像素信号；和
412.一个或多个复位晶体管，其复位累积在第一浮动扩散区域中的电荷。
413.(13)根据(12)所述的受光装置，其中第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每一个包括电极、第一绝缘膜和半导体层的叠层。
414.(14)根据(13)所述的受光装置，其中第一绝缘膜由膜厚为5.0nm以下的氧化膜构成。
415.(15)根据(13)所述的受光装置，其中
416.第一绝缘膜的相对介电常数为4以上。
417.(16)根据(13)所述的受光装置，其中
418.第一绝缘膜由第一氧化膜构成，
419.第一传输栅极和第二传输栅极中的每一个具有设置在所述半导体基板上的第二氧化膜，和
420.第一氧化膜具有小于第二氧化膜的膜厚。
421.(17)根据(16)所述的受光装置，其中
422.所述放大晶体管、所述选择晶体管和所述复位晶体管中的每一个具有设置在所述半导体基板上的第三氧化膜，和
423.所述放大晶体管的第三氧化膜的膜厚小于所述选择晶体管和所述复位晶体管的第三氧化膜的膜厚。
424.(18)根据(13)所述的受光装置，其中
425.第一传输栅极和第二传输栅极中的每一个具有设置在所述半导体基板上的第二绝缘膜，和
426.第一绝缘膜具有高于第二绝缘膜的相对介电常数。
427.(19)根据(18)所述的受光装置，其中
428.所述放大晶体管、所述选择晶体管和所述复位晶体管中的每一个具有设置在所述半导体基板上的第三绝缘膜，和
429.所述放大晶体管的第三绝缘膜的相对介电常数高于所述选择晶体管和所述复位晶体管的第三绝缘膜的相对介电常数。
430.(20)根据(12)所述的受光装置，其中所述的一个或多个放大晶体管、所述的一个或多个选择晶体管和所述的一个或多个复位晶体管设置在所述半导体基板上。
431.(21)根据(12)所述的受光装置，其中所述的一个或多个放大晶体管、所述的一个或多个选择晶体管和所述的一个或多个复位晶体管设置在另一个半导体基板上。
432.(22)根据(3)所述的受光装置，其中所述多个受光元件在所述受光单元中被配置为面向相同的方向。
433.(23)根据(3)所述的受光装置，其中
434.所述受光单元被划分为多个区域，和
435.在每个所述区域中，所述多个受光元件被配置为针对每个该区域面向限定的方向。
436.(24)根据(3)所述的受光装置，其中
437.所述受光单元还包括多个成像元件，和
438.每个所述成像元件包括：
439.将光转换为电荷的第二光电转换单元；
440.从第二光电转换单元向其传输电荷的第二浮动扩散区域；和
441.将电荷从第二光电转换单元传输到第二浮动扩散区域的第三传输栅极。
442.(25)根据(24)所述的受光装置，其中所述多个成像元件包括检测红色光的第一成像元件、检测蓝色光的第二成像元件和检测绿色光的第三成像元件。
443.(26)根据(25)所述的受光装置，其中
444.所述多个成像元件还包括检测近红外光的第四成像元件。
445.(27)根据(24)～(26)中任一项所述的受光装置，其中所述多个成像元件设置在所述半导体基板上。
446.附图标记列表
447.1 测距模块
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10,10a,10b 受光元件
448.12 像素阵列单元
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20 发光单元
449.30 受光单元
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32 垂直驱动电路单元
450.34 列信号处理电路单元
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
36 水平驱动电路单元
451.38 输出电路单元
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
40 控制单元
452.42 像素驱动线
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
44 控制电路单元
453.46 水平信号线
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
48 垂直信号线
454.50 分配晶体管驱动单元
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
52 信号处理单元
455.54 数据存储单元
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
60 处理单元
456.100,102a,102b n型半导体区域
457.150a,150b,150c,150d,152,152a,152b,156a,156b,158a,158b,160a,160b,162a,162b 栅极电极
458.154a,154b,306,406 电极
459.200,200b 半导体基板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
202 防反射膜
460.204 平坦化膜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
206 遮光膜
461.208 片上透镜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
210a 像素隔离部
462.300 配线层
463.302,402,720,720a,740 绝缘膜
464.304,404金属膜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
400 基板
465.500,500b,500g,500r,500i 成像元件
466.600,602,604a,604b,612,614 中心线
467.710 过孔
468.730 侧壁
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
800 对象
469.802a,802b 区域
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
900 智能手机
470.901 cpu
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
902 rom
471.903 ram
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
904 存储装置
472.905 通信模块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
907 传感器模块
473.908 测距模块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
909 成像装置
474.910 显示装置
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
911 扬声器
475.912 麦克风
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
913 输入装置
476.amp,amp1,amp2 放大晶体管
477.fd,fd1,fd2,fd3,fd4,fd5,fd6,fd7,fd8 浮动扩散区域
478.mem,mem1,mem2,mem3,mem4,mem5,mem6,mem7,mem8 电荷累积单元
479.o,o1a,o1b,o2 中心点
480.ofg,ofg1,ofg2 排出晶体管
481.pd 光电二极管
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
rst,rst1,rst2 复位晶体管
482.sel,sel1,sel2 选择晶体管
483.tg,tg1,tg2,tg3,tg4,tg5,tg6,tg7,tg8 传输晶体管
484.vdd 电源电位
485.vg,vg1,vg2,vg3,vg4,vg5,vg6,vg7,vg8 分配晶体管
486.vsl,vsl1,vsl2 信号线