宽带等离子体加工系统和方法与流程

宽带等离子体加工系统和方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年9月17日提交的美国非临时申请号16/572,708和于2019年12月17日提交的美国非临时申请号16/717,024的优先权，这些美国申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.本发明总体上涉及等离子体系统和操作方法，并且在具体实施例中，涉及用于宽带等离子体加工系统的方法。


背景技术：

4.通常，诸如集成电路(ic)等半导体器件是通过在半导体衬底上方依次沉积和图案化电介质材料层、导电材料层和半导体材料层来制造的，其中使用光刻和刻蚀来形成电路部件和互连元件(例如，晶体管、电阻器、电容器、金属线、触点和通孔)的结构。一些部件包括复杂的三维结构，例如，动态随机存取存储器(dram)单元中的堆叠电容器和鳍式场效应晶体管(finfet)。诸如反应离子刻蚀(rie)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、等离子体增强原子层刻蚀和沉积(peale和peald)等等离子体辅助技术已成为用于形成半导体器件结构的沉积和刻蚀工艺中不可或缺的技术。
5.通过增加堆积密度，周期性地减小最小特征尺寸以降低成本。几纳米的特征可以通过浸没式光刻和多重图案化等创新进行图案化。这种缩放趋势加剧了形成致密、高纵横比纳米结构的技术挑战。特别地，等离子体工艺需要提供形成具有准确尺寸以及精确受控的结构特征(例如，宽度、深度、边缘轮廓、膜厚度、共形性和各向异性)的纳米结构的能力，这些纳米结构通常在原子规模尺度上，且均匀地分布在宽(例如，300mm)晶圆上。已经开发了多种等离子体加工技术，诸如选择性沉积和刻蚀、同时沉积和刻蚀、脉冲等离子体工艺以及使用脉冲沉积和刻蚀循环的循环工艺，以克服制造微缩半导体器件的一些障碍。在半导体制造中成功部署这样的技术可能需要在等离子体设备设计和等离子体加工方法上进一步创新，以考虑诸如加工成本、设备可配置性和设备成本等因素。


技术实现要素：

6.根据本发明的实施例，一种用于操作等离子体加工系统的方法包括确定用于为等离子体加工室内的第一等离子体供电的第一频率。该方法包括在宽带功率放大器处生成具有该第一频率的第一放大rf信号。该方法包括供应该第一放大rf信号，以使用包括该第一等离子体的第一等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。该方法包括确定用于为该等离子体加工室内的第二等离子体供电的第二频率。该方法包括在该宽带功率放大器处生成具有该第二频率的第二放大rf信号。该方法包括供应该第二放大rf信号，以使用包括该第二等离子体的第二等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。
7.根据本发明的实施例，一种用于操作等离子体加工系统的方法包括执行第一频率
扫描调谐以生成包括第一频率的第一射频(rf)信号。该方法包括：在宽带功率放大器处，放大该第一rf信号以生成第一放大rf信号。该方法包括供应该第一放大rf信号以加工布置在等离子体加工室中的衬底，该衬底的加工由该第一放大rf信号来供电。该方法包括执行第二频率扫描调谐以生成包括第二频率的第二射频(rf)信号。该方法包括：在该宽带功率放大器处，放大该第二rf信号以生成第二放大rf信号。该方法包括供应该第二放大rf信号以加工布置在该等离子体加工室中的衬底，该衬底的加工由该第二放大rf信号供电。
8.根据本发明的实施例，一种用于操作等离子体加工系统的方法包括通过由第一放大射频信号为等离子体工艺室中的第一等离子体供电，使用该第一等离子体在衬底上执行第一刻蚀/沉积工艺，该第一放大射频信号包括多个第一脉冲并且具有第一频率和第一振幅。该方法包括将该第一等离子体改变为第二等离子体。该方法包括通过由第二放大射频信号为该等离子体工艺室中的第二等离子体供电，使用该第二等离子体在该衬底上执行第二刻蚀/沉积工艺，该第二放大射频信号包括多个第二脉冲并且具有第二频率和第二振幅，该第一频率和该第二频率具有不同的频率值，其中，该第一放大射频信号通过第一频率扫描调谐过程被调谐到该第一频率，并且该第二放大射频信号通过第二频率扫描调谐过程被调谐到该第二频率。
附图说明
9.为了更完整地理解本发明和其优点，现在参考结合附图进行的以下描述，在附图中：
10.图1是根据本发明的实施例的宽带等离子体加工系统的示意图；
11.图2是根据本发明的实施例的以截面视图展示的包括等离子体加工室的等离子体加工装置的示意图；
12.图3a至图3e展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统来执行的等离子体加工步骤的两个示例序列；
13.图4展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统的顺序等离子体加工流程的一个等离子体加工步骤的流程图；
14.图5a至图5d展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统来执行的等离子体加工步骤的示例序列；
15.图5e和5f展示了与图5a至图5d所示的等离子体加工步骤的示例序列相对应的时序图。
16.图6a至图6c展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统来执行的等离子体加工步骤的示例序列；
17.图6d展示了与图6a至图6c所示的等离子体加工步骤的示例序列相对应的时序图。
18.图7a至图7c展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统来执行的等离子体加工步骤的示例序列；
19.图7d展示了与图6a至图6c所示的等离子体加工步骤的示例序列相对应的时序图。
20.图8a至图8d展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统来执行的等离子体加工步骤的一个示例序列；
21.图8e展示了与图8a至图8d所示的等离子体加工步骤的示例序列相对应的时序图；
22.图9展示了根据本发明的实施例的使用宽带等离子体加工系统的脉冲等离子体加工流程的一个循环的流程图；
23.图10a展示了根据本发明的实施例的使用双通道宽带等离子体加工系统的双频脉冲等离子体加工示例的两个rf信号的功率谱密度；
24.图10b展示了根据本发明的实施例的使用双通道宽带等离子体加工系统的双频脉冲等离子体加工示例的时序图；以及
25.图10c展示了使用假想宽带等离子体加工系统的图10b中的示例的对应时序图。
具体实施方式
26.在本技术的实施例披露的方法中，在等离子体加工装置的单个等离子体加工室中执行一系列等离子体加工步骤，而无需在连续等离子体加工步骤之间将衬底转移出该室。不同的工艺步骤可以使用频率在宽带上分布的不同rf信号。例如，可以在低压下执行等离子体刻蚀步骤以最小化被刻蚀材料的再沉积，并且在低压下可能期望低频率以获得更均匀的等离子体。另一方面，可以在相对较高的压力和较高的rf频率下执行等离子体沉积步骤，以提供较高的离解量。rf频率通常是等离子体加工中用于实现期望的等离子体环境的重要工艺参数。
27.使用了包括宽带可调谐rf信号发生器和宽带rf功率放大器的宽带等离子体加工系统来适应宽频率范围。通常，rf频率或等离子体加工室中加工环境的变化可能会改变等离子体的阻抗，从而干扰阻抗匹配并降低从宽带rf功率放大器到等离子体加工装置的功率传递效率。在本披露内容所述的实施例中，宽带等离子体加工系统使用被称为具有中心频率偏移的频率扫描调谐的阻抗调谐方法来快速重新建立接近最佳的阻抗匹配。
28.如以下参考图1所述(并在相关申请号16/572,708中进一步详细描述)，具有中心频率偏移的频率扫描调谐改变信号频率以改变电路的频率依赖阻抗。宽带等离子体加工系统的电子反馈控制系统将宽带可调谐rf信号发生器处的rf频率与宽带rf功率放大器的输出匹配网络电路的频率依赖阻抗耦合。宽带rf功率放大器的内置功率分析器电路将表示宽带rf功率放大器与其输出端口处的负载之间的阻抗失配的反馈信号提供给可编程控制器。可编程控制器使用该反馈信号微调由宽带可调谐rf信号发生器生成的rf信号的频率。频率偏移被设计为朝着最佳阻抗匹配不断调整宽带rf功率放大器的输出匹配网络电路的频率依赖阻抗。该阻抗调谐方法与使用电磁继电器和伺服电机机械地调谐阻抗的更传统的方法相比提供了超快的阻抗匹配。在一些实施例中，具有中心频率偏移的频率扫描调谐具有微秒量级的响应时间，并且可以在数十微秒量级的收敛时间内建立接近最佳的阻抗匹配。
29.所披露的实施例提供了硬件成本降低且吞吐量更高(通过使用单室加工来实现)的多种等离子体加工技术的实施方式。由于宽带等离子体加工系统的超快阻抗匹配能力，本技术所述的方法可以有利地用于实施包括能够在脉冲之间快速转换的脉冲等离子体加工的工艺流程。
30.在本披露内容中，脉冲等离子体加工是指使用由以有限持续时间脉冲形式供应的rf功率维持的等离子体来执行的半导体加工。脉冲等离子体工艺可以包括诸如沉积步骤、刻蚀步骤等单个等离子体工艺步骤，或者同时沉积和刻蚀步骤。脉冲等离子体工艺也可以指循环工艺，其中，一个循环包括沉积和刻蚀步骤的某种组合。
31.单步脉冲等离子体工艺期间的rf功率可以作为周期性脉冲(rf功率的短突发)来供应。脉冲序列也可以是非周期性的：被划分为具有诸如占空比、rf频率和rf振幅等信号参数的任何组合的几个脉冲。脉冲rf波形通常包括在时间上离散的rf脉冲，但非周期性脉冲甚至可以在时间上连续，只要它们在其他方面是可分离的，例如借助于rf频率、rf振幅和脉冲持续时间或其组合。离散时间rf脉冲可以通过使用斩波器电路斩波连续波rf(cw-rf)信号来生成，如下文参考图1所述(并在相关申请号16/572,708中进一步详细描述)。然而，连续时间rf脉冲可以在没有斩波器的情况下生成。
32.单步脉冲等离子体工艺可以包括常规等离子体步骤(例如，pecvd、rie等)或原子层等离子体工艺(例如，peald或peale)。对于传统等离子体加工，当进行rf功率脉冲时，诸如气体流量、温度和压力等加工参数可能不一定要改变。相比之下，原子层沉积或刻蚀工艺步骤以几个子步骤的循环来执行，其中，这些子步骤的加工参数通常不同。
33.如本文所述，单步原子层等离子体工艺(例如，peald或peale)本质上是单步脉冲等离子体工艺。一个工艺步骤包括几个反应循环，并且每个反应循环包括例如由净化脉冲分隔的两个不同的半反应脉冲。至少一个半反应脉冲可以使用由rf功率维持的等离子体。由于连续的半反应脉冲被净化脉冲分隔，因此rf信号自然包括rf功率的短突发，即使一个半反应脉冲期间的rf波形未中断。在本披露内容中，这种rf信号可以被称为未中断脉冲rf信号，这与分段脉冲rf信号相反，其中，一个半反应脉冲期间的rf波形是子脉冲分组，每个子脉冲是rf功率的超短突发。
34.在本披露内容的各种实施例中描述了几种循环脉冲等离子体工艺。例如，所实施的工艺流程可以包括循环沉积/刻蚀工艺(例如，一个循环中的等离子体沉积脉冲和等离子体刻蚀脉冲)。等离子体沉积和等离子体刻蚀脉冲中的一者或两者可以包括传统的非限制性气相反应工艺(如在pecvd/rie中)，或自限制性表面反应工艺(如在peald/peale工艺中)。
35.在peald/peale工艺中，一个原子层沉积/刻蚀反应循环可以包括几个子步骤，如上文所述。例如，用于沉积一个氮化硅原子层的表面反应通过两个自限制性半反应来完成：第一半反应，其中，表面暴露于二氯硅烷气体；以及第二自限制性半反应，其中，表面暴露于氨等离子体。每个半反应之后是净化步骤，以清除加工室中多余的反应物和气体副产物。类似地，peale反应循环可以包括表面调节第一反应脉冲(例如，在硅的情况下为氯化)和第二反应脉冲(在此期间，从表面去除一个原子层)。在这些示例中，peald/peale工艺的一个反应循环包括两对脉冲，每对脉冲包括反应脉冲以及之后的净化脉冲。在这两个示例(peald氮化硅以及peale硅)中，反应循环中的第二反应脉冲可以使用由rf信号维持的等离子体。
36.在上述循环沉积/刻蚀工艺中的一个等离子体工艺脉冲期间使用的rf信号可以是未中断rf脉冲(连续rf功率的短突发)或分段rf脉冲(子脉冲分组，每个子脉冲是rf功率的超短突发)。宽带等离子体加工系统可以使用斩波器电路通过宽带等离子体系统中的可编程控制器的定时控制来生成各种脉冲rf波形。表1-4总结了如上所述的实施循环沉积/刻蚀技术的脉冲等离子体工艺的各种组合。表1列出了pecvd/rie组合，表2列出了pecvd/peale组合，表3列出了peald/rie组合，并且表4列出了peald/peale组合。
[0037][0038]
所披露的实施例提供了硬件成本降低且吞吐量更高(通过使用单室加工和具有中心频率偏移的频率扫描调谐来实现)的多种等离子体加工技术的实施方式。然而，应当理解，可以从所披露的实施例得出更多的可能性。除了表1-4中总结的示例外，还可以得出包括沉积和刻蚀的各种组合的多种工艺流程，其中，使用类似于本披露内容所述实施例中那样的宽带等离子体加工系统是有利的。例如，包括沉积及随后的不同沉积的工艺流程、或包括刻蚀及随后的不同刻蚀的工艺流程、或其组合，这取决于材料、选择性、共形性、轮廓、缺陷密度、关键尺寸控制等的工艺规范。这些工艺流程可以包括使用单室加工通过具有不同rf频率的连续波rf信号或脉冲rf信号来执行的常规pecvd和等离子体刻蚀加工技术或原子层加工(peald和peale)技术。
[0039]
阻抗匹配的短收敛时间有助于抑制由于在阻抗调谐期间可能出现的rf波形瞬变导致的不受控功率。阻抗失配可能导致电压尖峰，例如，当阻抗由于等离子体放电点火而骤然变化时。这可能会导致表面损坏，例如，由于在可能打算沉积时无意中进行了刻蚀。不受控的波形也可能导致易变性或脉冲丢失。在本披露内容所述的实施例中，在每一步中对供
应给等离子体加工装置的rf功率进行精确控制对于用于制造使用精确受控的特征来实现正常功能的器件结构的等离子体工艺是有利的。
[0040]
在各种实施例中，可以在顺序模式或脉冲模式下操作等离子体加工装置。在顺序操作模式下，使用单一频率的连续rf功率来执行等离子体工艺步骤。例如，首先使用第一rf频率的连续rf功率来执行第一等离子体工艺步骤(例如，pecvd工艺)，然后使用第二rf频率的连续rf功率来执行第二等离子体工艺步骤(例如，rie工艺步骤)。
[0041]
在脉冲操作模式下执行的工艺步骤使用一种或多种rf频率的脉冲rf功率。脉冲rf信号可以指连续正弦rf信号，其振幅由以约1hz至约100khz的相对较低频率在零(不活跃部分)与一(活跃部分)之间脉冲的方波调制。瞬时rf功率仅存在于一个脉冲周期的等离子体活跃部分。在工艺步骤期间，脉冲序列的参数(例如，脉冲频率和占空比)和/或rf信号的参数(例如，rf频率和rf振幅)可以根据工艺配方中的规范进行更改。
[0042]
首先，宽带等离子体加工系统的示意图和其中包括的等离子体加工装置的截面视图(图1和图2)用于提供宽带等离子体加工系统的一般描述。
[0043]
接下来，参考图3a至图3e中不同加工阶段的半导体结构的截面视图描述了展示顺序操作模式的两个示例工艺序列。然后，参考图4所示的一个工艺步骤的流程图描述了顺序操作模式的等离子体加工方法。图5、图6和图7展示了使用顺序操作模式的工艺流程的进一步示例。
[0044]
然后，参考图8a至图8d中半导体结构的截面视图描述了展示脉冲操作模式的示例工艺序列。参考图9所示的流程图解释了参考图8a至图8d描述的工艺序列的一个循环的对应等离子体加工方法。
[0045]
图1展示了可以用于以顺序模式或脉冲模式操作等离子体加工装置17以执行一系列等离子体加工步骤的示例宽带等离子体加工系统1111的示意性表示。宽带等离子体加工系统1111根据作为可编程控制器11的工艺配方10输入的指令执行等离子体工艺步骤。然后，可编程控制器11根据工艺配方10生成几个电子控制信号。传输控制信号以同步地配置宽带等离子体加工系统1111的各种部件。
[0046]
宽带可调谐rf信号发生器12提供由来自可编程控制器11的第一控制信号设置的频率的连续rf信号。传输到宽带可调谐rf信号发生器12的第一控制信号可以在工艺配方10中编码的中心频率附近的窄带宽内动态地移位rf频率。如上文所述，可编程控制器11使用指示阻抗失配的反馈信号来确定瞬时频率偏移。rf信号频率的微调将调整宽带rf功率放大器15中的输出匹配网络电路115的频率依赖阻抗，以减少阻抗失配，并且经修订的反馈信号被传输到可编程控制器。该连续反馈控制回路可以快速收敛到用于最高效地向等离子体加工装置17传递功率的rf频率。
[0047]
传输到选择器13的控制端子t的第二控制信号配置第一电子拨动开关。电子拨动开关使用固态器件(例如，晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和绝缘栅双极晶体管(igbt))来实施单刀双掷(spdt)拨动开关。选择器13用于将连续rf信号直接路由到宽带rf功率放大器15的输入端子i，或者经由斩波器电路14路由以生成脉冲rf波形(如上所述)。
[0048]
斩波器电路14使用由来自脉冲发生器114的低频方波脉冲序列门控的门控斩波器104来斩波连续rf信号。脉冲rf信号的频率和占空比由传输到斩波器电路14的脉冲发生器
114的控制端子p的第三控制信号设置。在一些实施例中，占空比可以设置为介于零和100％之间且包括零和100％在内的任何值，使得斩波器电路14还可以用作通/断开关。例如，在占空比被设置为100％的时间期间，rf信号是连续的并且可以用于使用连续rf信号的加工。零占空比会阻断rf信号。
[0049]
宽带rf功率放大器15通过使用多个功率放大器在多个重叠频带中提供功率增益并在功率放大器和组合器模块105中组合它们的输出来实现宽带放大。经放大和组合的rf信号前进到并入到宽带rf功率放大器15中的输出匹配网络电路115和功率分析器电路125，如图1所示并在申请号16/572,708中进一步描述的。
[0050]
传输到内置输出匹配网络电路115的控制端子s的第四控制信号选择输出匹配网络电路115中使用的无源部件中适合于由宽带可调谐rf信号发生器12生成的rf信号的rf频率f的一个或多个无源部件(例如，几个可用负载电容器之一，c
l
)。可编程控制器11同步第一和第四控制信号，以使工艺配方10中指定的窄rf频带的中心频率与输出匹配网络电路115的所选c
l
同步。例如，工艺配方10可以使用第一频率f1和第二频率f2来指定脉冲rf双频步骤。在处理该步骤(例如，使用脉冲双频操作模式)时，可以为f1选择第一负载电容器c
l1
，但当频率切换到f2时，可能需要同步切换为第二负载电容器c
l2
。如上所述，通过微调rf信号频率来实现输出匹配网络电路115的阻抗的进一步调谐。
[0051]
来自输出匹配网络电路115的rf信号由宽带rf功率放大器15的功率分析器电路125进行分析。功率分析器电路125生成与由于输出端口o处的任何阻抗失配而在该输出端口处反射的反射功率成正比的反馈信号(归一化为宽带功率放大器15传送的正向功率)。反馈信号在内置功率分析器电路125的反馈端口z处提供，并被传输到可编程控制器11。
[0052]
功率分析器电路125可以通过使用宽带rf v-i传感器(其感测离开功率分析器电路125的rf信号的电压(v)和电流(i))或使用四端口定向耦合器来测量归一化反射功率，如申请号16/572,708中详细解释的。
[0053]
反馈端子z的反馈信号由可编程控制器11接收，并被用于完善第一控制信号。经完善的第一控制信号被传输到宽带可调谐rf信号发生器12，并对rf频率进行校正。校正的频率下的输出匹配网络电路115的阻抗将降低反射功率。如申请号16/572,708中详细解释的，该反馈回路可以完全以电子电路系统(无活动零件)来设计，以进行超快阻抗匹配。
[0054]
从输出匹配网络电路115输出的放大的高功率rf信号通过第二电子拨动开关选择的路径被路由到等离子体加工装置17。如图1所示，连接到宽带rf功率放大器15的输出端子o的第二电子拨动开关可以使用用于配置选择器13的同一(第二)控制信号将从输出匹配网络电路115输出的rf信号直接路由到等离子体加工装置17或经由带通滤波器电路16路由。只要选择器13被设置为将rf信号直接从宽带可调谐rf信号发生器12路由到宽带rf功率放大器15的输入端子i，就选择直接连接。只要选择器13被设置为将连续rf信号从宽带可调谐rf信号发生器12转向斩波器电路14以向宽带rf功率放大器15提供脉冲rf信号，就选择经由带通滤波器电路16的路径。带通滤波器电路16包括多个带通滤波器(例如，带通滤波器106和116)，其输出端连接到等离子体加工装置17的适当电极。可编程控制器11还可以根据工艺配方10以及第一和第二拨动开关的配置向用于配置等离子体加工装置17的电极的控制系统提供控制信号。
[0055]
图1还展示了在等离子体加工装置17与接地(参考电势)和由来自可编程控制器11
的控制信号配置的dc和/或rf偏置源之间可以存在的附加连接。dc电源的存在可能会影响等离子体阻抗，并且可以使用频率扫描调谐方法建立rf阻抗匹配。在图1所示的示例实施例中，这些偏置源由框18一起示出。在另一个实施例中，一些dc和rf偏置信号可以以类似于图1描绘的宽带等离子体加工系统1111中的rf源信号的方式被包括在宽带等离子体加工系统中。在这样的实施例中，可以通过将例如第二通道(或多个通道)添加到图1中的单通道可调谐信号发生器12来生成rf源和rf偏置信号。多通道放大器和匹配电路系统的组合可以替代图1所示的单通道宽带rf功率放大器15。还可以包括附加斩波器电路、拨动开关和带通滤波器。增加通道数量的优点是提供了扩展可以用于使用多通道系统的等离子体加工的rf源、rf偏置和dc偏置的连续和/或脉冲信号组合的跨度的能力。
[0056]
图2展示了在单个等离子体加工室200内具有一对rf电极的等离子体加工装置17的示例。被称为顶部rf电极206的第一rf电极位于等离子体加工室200顶部附近。第二rf电极是安装有rf分接头209的衬底固持器208，并且有时被称为底部rf电极208。衬底固持器208还可以具有由反馈温度控制系统204控制的内置加热器和冷却器。在图2所示的示例中，顶部和底部rf电极206和208分别被配置为从对应于rf频率f1和f2的带通滤波器电路的两个输出端口(参见图1中的框16)接收rf功率，以及从dc偏置源(参见图1中的框18)接收dc偏置电压v1和v2。等离子体加工室200的侧壁201、底座205和顶盖203可以由导电材料制成，并且接地或者浮动。
[0057]
如图2所示，等离子体加工室200可以具有气体输入系统(包括顶盖203中的喷淋头220和侧壁201中的入口210)以及气体排放系统(包括底座205中的出口207)。真空系统的真空泵202可以用于控制室中的压力，并从等离子体加工室200去除诸如产物气体等废气。
[0058]
宽带等离子体加工系统1111可以包括本领域技术人员已知的各种其他部件(未示出)，诸如静电网格、流量计、压力传感器、控制阀，以及诸如光发射光谱(oes)传感器、四极质谱计(qms)和朗缪尔探头等等离子体参数传感器。
[0059]
上文参考图1和图2描述的宽带等离子体加工系统1111出于说明目的而不是限制性的。例如，在一些实施例中，可以通过在100％与第二值之间切换占空比来在连续rf信号与脉冲rf信号之间切换rf信号，而不是使用如图1所示的选择器13中的第一拨动开关。
[0060]
在另一个实施例中，可以消除用于选择输出端口o与等离子体加工装置17之间的直接连接的第二拨动开关。取而代之可以将直接连接与带通滤波器16合并，并且可以使用可配置的电子切换矩阵来选择输出端口o与等离子体加工装置17之间的rf信号路径。
[0061]
在又一个实施例中，代替如图2所示的放置在等离子体加工室200内部的顶部rf电极206，放置在顶盖203上方(等离子体加工室200外部)的导电线圈可以用作顶部rf电极。
[0062]
图3a至图3e展示了具有适合于在传入晶圆的台阶特征上方形成形貌选择性膜第一工艺流程和第二工艺流程的顺序操作模式。所描绘的台阶特征可以包括线和空间结构。更一般地，台阶还可以是孔(通孔)或柱的一部分。诸如图3a至图3e所示的台阶特征等台阶特征可能出现于在逻辑、互连或存储器结构中使用的元件中，并且可以全部或部分通过包括等离子体工艺的组合刻蚀和沉积工艺进行制造，这些等离子体工艺包括传统的非限制性气相反应工艺(如在pecvd/rie中)，或自限制性表面反应工艺(如在peald/peale中)。在图3a至图3e所示的示例工艺流程中展示了pecvd/rie中的传统非限制性气相反应工艺，以说明顺序操作模式。下文进一步使用peald/peale工艺流程的示例说明脉冲操作模式。
[0063]
形貌选择性膜形成于其上的台阶特征(例如，图3a中的图案化膜310中的台阶特征)可能已经使用合适的加工技术提前形成，例如，通过沉积平坦膜并随后使用光刻和各向异性刻蚀技术图案化该膜。在任一工艺流程中，通过以顺序模式操作宽带加工系统1111的等离子体加工装置17来在单个等离子体加工室(例如，图2中的等离子体加工室200)中连续执行几个等离子体工艺。在该实施例中，顶部rf电极206可以被配置为使用与宽带rf功率放大器15的输出端口o的直接连接来接收连续rf功率。如下所述，为顶部rf电极206供电的连续rf信号的rf频率在连续的等离子体加工步骤之间可以改变。通过应用不同的rf频率并使用适当的气体化学物质，可以选择任意数量的共形等离子体沉积、共形等离子体刻蚀、非共形等离子体沉积和非共形等离子体刻蚀的组合，以在单个工艺室中实现期望的工艺特征。rf频率可以从约400khz到约300mhz，并且在一些实施例中可以高达几ghz。通常，各向同性工艺使用的rf频率比各向异性工艺更高。沉积或刻蚀的材料可以是电介质、半导体或导体。
[0064]
图3a和图3b适用于第一和第二工艺流程两者。图3a展示了传入半导体晶圆的截面视图，其中衬底300上方的表面上形成有图案化膜310。图案化膜310可以是硅线，并且衬底300可以是二氧化硅垫层，其可以是用于后续自对准刻蚀步骤的薄阻挡膜。可替代地，310可以是碳或二氧化硅芯棒结构。图案化膜310的厚度也是由图案化工艺形成的垂直台阶特征的台阶高度。在图3b中，可以使用共形pecvd工艺形成厚度与图案化层310的厚度相比较小的共形薄膜313。在一个实施例中，图案化层310的厚度(台阶高度)与共形薄膜313的厚度的比率可以是约2:1到约20:1或任何合理的比率。pecvd工艺可以使用特高频(vhf)rf信号来执行。共形薄膜313可以包含氮化硅，并且可以用作刻蚀阻挡物或扩散阻挡物，或者用作间隔物结构的一部分。rf频率可以从约30mhz到约300mhz，例如100mhz，并且在一些实施例中可以高达几ghz。共形沉积，诸如图3b所示的共形pecvd工艺，是各向同性工艺。增加自由基通量与离子通量的比率提供了更各向同性的等离子体工艺，而增加rf频率rf信号有助于增加该比率。
[0065]
在期望具有原子级厚度控制的极薄共形膜313的应用中(例如，对于自对准多重图案化(saxp)中的超薄阻挡层或超薄间隔物)，共形pecvd工艺可以被替换为合适的peald工艺。如上所述，peald工艺步骤可以包括使用rf功率脉冲的对应周期性序列来执行的离散等离子体半反应步骤的周期性序列。
[0066]
图3c和图3d涉及第一工艺流程中的两个连续等离子体工艺步骤，这些等离子体工艺步骤在上文参考图3b描述的pecvd步骤之后执行。这三个等离子体工艺步骤(图3b至图3d)在同一等离子体加工室200中连续执行，在等离子体加工步骤之间无需从等离子体加工室200取出半导体晶圆。
[0067]
在图3c中，执行各向异性rie工艺步骤，以选择性地从平坦水平表面上方去除共形薄膜313。共形薄膜313沿垂直台阶特征的两个相反侧壁保留，以形成薄侧壁层318。侧壁层318的厚度基本上与共形薄膜313的厚度相同。用于rie工艺的刻蚀剂被选择为使得化学反应去除共形薄膜313中的材料，同时对图案化膜310和衬底300中可能暴露于刻蚀剂的材料具有选择性。该rie工艺将是氮化硅(或氧化物膜)的典型rie工艺，并且主要涉及碳氟化合物气体或氢氟烃气体。rie工艺使用与用于图3b中的pecvd工艺的vhf rf信号相比频率更低的rf信号来执行。该rf频率可以在约3mhz到约30mhz的高频(hf)rf频带中，例如13mhz。为了获得如图3c所示的几乎垂直的侧壁轮廓，工艺参数必须被调整为提供这样的等离子体：其
中，撞击水平表面的反应物物质的每单位面积的能量远大于撞击垂直表面的反应物物质的每单位面积的能量。通常，当带电离子被在等离子体边缘附近形成的鞘区域中存在的电场垂直加速时，垂直方向上的能量会增强。因此，增加离子通量与自由基通量的比率以及增加垂直电场可以有助于优选地向垂直方向倾斜离子能量和离子角度分布，从而增加等离子体工艺的各向异性。离子通量与自由基通量的比率和鞘中的电场是频率依赖的，并且降低rf频率可以增强各向异性，例如，在上述高度各向异性的rie工艺中。
[0068]
图3d展示了在图3c中的中间结构上方执行了形貌选择性pecvd工艺后的最终结构330的截面视图。如图3d所示，形貌选择性pecvd工艺在图案化膜310的垂直台阶特征和衬底300的暴露平坦水平表面上方选择性地沉积非共形薄膜320。沉积在垂直侧壁层318上的材料量可以忽略不计。非共形薄膜320的沉积厚度与图案化层310的厚度相比较小。使用rf频率从约3mhz到约30mhz(例如，13mhz)的hf rf信号来执行各向异性形貌选择性pecvd工艺。
[0069]
图3e展示了第二工艺流程中的最终结构333。为了形成最终结构333，执行形貌选择性pecvd工艺，以在图3b所示的中间结构的平坦水平表面上方选择性地沉积非共形薄膜320。在第二工艺流程中沉积的非共形薄膜320与在第一工艺流程中沉积的非共形薄膜基本相同。然而，这两种工艺流程中发生沉积的起始表面并不相同。如图3e所示，在第二工艺流程中，沉积非共形薄膜320的起始表面是共形薄膜313。在这两种工艺流程中，形貌选择性pecvd工艺是使用rf频率从约3mhz到约30mhz(例如，13mhz)的hf rf信号来维持等离子体的各向异性等离子体工艺。
[0070]
上文参考图3a至图3e描述的各向同性和各向异性等离子体工艺步骤分别使用相对较高和较低的rf频率。使用频率扫描调谐方法顺序执行示例工艺流程中的等离子体工艺步骤，以在每次等离子体阻抗因rf频率和等离子体特性的变化而变化时进行快速阻抗匹配。已经使用传统的cw-rf等离子体沉积和刻蚀(例如，cw-rf pecvd/rie)说明了顺序操作模式。相比之下，peald/peale工艺使用自限制性反应脉冲(rf脉冲可以用于这些脉冲)，如下文进一步详细讨论的。原子层加工提供诸如以下优点：几乎理想的共形性、按原子层控制的沉积/刻蚀，以及选择性沉积和刻蚀中的高材料选择性。
[0071]
图4展示了用于执行以顺序模式执行的一系列等离子体加工步骤中的一个步骤(例如，上文参考图3b描述的第一和第二工艺流程中的共形pecvd工艺步骤)的顺序模式执行流程4444。执行流程4444可以使用宽带等离子体加工系统1111(如图1所示)来执行。流程图包括用于调谐用于为图1和图2中的等离子体加工装置17供电的rf信号的rf频率的方法。在前两个步骤41和42中，从配方中提取信息并将其用于配置宽带等离子体加工系统1111的硬件。在适当地配置硬件之后，在一起用虚线框40示出的后续步骤中实施具有中心频率偏移的频率扫描调谐方法，以通过调谐图1中的输出匹配网络115的阻抗来高效地向等离子体加工装置17(参见图1和图2)供应rf功率。参考图1、图2和图4描述的流程4444可以用于执行在使用宽带等离子体加工系统1111以顺序模式操作的等离子体加工装置17中执行的任何等离子体工艺步骤。
[0072]
顺序模式执行流程4444的第一步骤41用于解析在宽带等离子体加工系统1111(参见图1)的工艺配方10处输入的可编程控制器11的指令，以识别为当前等离子体工艺步骤指定的输入工艺参数，如rf频率(f)、等离子体加工装置17将其rf电极连接到带通滤波器16的适当端口的配置、附加dc和rf偏置等。
[0073]
在第二步骤42中，可编程控制器11(参见图1)根据输入工艺参数(例如，f的指定值)生成并传输几个控制信号，以配置宽带等离子体加工系统1111的各个部件。
[0074]
在框421中，等离子体加工装置17的适当rf、dc和接地端子被配置为根据来自可编程控制器11的相应控制信号来连接到相应的电极，例如顶部rf电极206和/或底部rf电极208(参见图2)。
[0075]
第二步骤42的框422表明，发送到宽带可调谐rf信号发生器12和输出匹配网络电路115的控制信号确保了输出匹配网络电路115的所选调谐元件(例如，c
l
)与由rf信号发生器12生成的rf信号的中心频率f相对应，如上文参考图1所述。
[0076]
在第二步骤42的框423中，使用用于同步设置第一和第二电子拨动开关(如图1所示)的控制信号来选择顺序操作模式。选择器13中的第一拨动开关将rf信号直接从rf信号发生器12连接到宽带rf功率放大器15的输入端i。宽带rf功率放大器15的端子o处的第二电子拨动开关绕过带通滤波器16将rf信号从宽带rf功率放大器15的输出端子o直接路由到等离子体加工装置17的rf电极。
[0077]
宽带等离子体加工系统1111的各种部件如图1和图2所示，例如，可编程控制器11、信号发生器12、选择器13、斩波器电路14、宽带rf功率放大器15、带通滤波器16以及等离子体加工装置17。
[0078]
在第三步骤43中，根据在第二步骤42期间接收到的控制信号，通过使用宽带可调谐rf信号发生器12生成cw-rf信号来激活宽带等离子体系统1111的rf源。
[0079]
在第四步骤44中，选择器13将rf信号路由到多频带功率放大器和组合器105(参见图1)。
[0080]
在第五步骤45中，来自多频带功率放大器和组合器105的放大的高功率rf信号通过输出匹配网络电路115(参见图1)的阻抗路由到等离子体加工装置17，从而改变rf信号的相位以进行高效的功率传递。
[0081]
在框451中，来自输出匹配网络电路115的rf信号经由功率分析器电路125(参见例如图1)传递到图1中的输出端口o，该功率分析器电路使用宽带rf v-i传感器或定向耦合器测量输出端口o(参见例如图1)处的正向功率和反射功率，如上所述以及在申请号第16/572,708中详细解释的。由于端口处的阻抗失配，可能会在该端口处检测到反射rf功率。
[0082]
在框452中，在输出端口o(参见例如图1)处出现的高功率rf信号由第二电子拨动开关路由到等离子体加工装置17的连接到在步骤42中选择的rf电极(框421和423)的端子。
[0083]
反馈回路通过第六步骤46来实现。在框461中，功率分析器电路125将指示阻抗失配程度的反馈信号传输回图1中的宽带等离子体加工系统1111的可编程控制器11。如上所述，由功率分析器电路125生成的反馈信号可以与由正向功率归一化的反射功率成正比。
[0084]
在框462中，反馈信号被可编程控制器11用于确定频率调整量δf，并且控制rf频率的新控制信号被传输到宽带可调谐rf信号发生器12以微调rf频率。经调整的频率(f δf)在降低归一化反射功率的方向上调整输出匹配网络115的频率依赖阻抗。该反馈回路在整个工艺步骤中持续保持高效的rf功率传递，在此期间，等离子体的阻抗可能随着等离子体加工室200中的动态加工环境而变化。
[0085]
使用适合于形成在多重图案化技术(称为侧壁图像转移(sit)技术)中使用的图案化硬掩模的工艺流程说明了使用顺序操作模式的具有一系列等离子体工艺步骤的单室加
工的另一个示例。
[0086]
如图5a至图5d所示的sit技术通过使用在最小节距线的两个相反垂直侧面上形成的两个侧壁来使最小节距下的特征密度加倍。在形成侧壁层之后，在不去除侧壁层的情况下选择性地去除被称为芯棒的最小节距线。剩余的侧壁层可以用作图案化硬掩模层。例如，侧壁随后可以用作硬掩模，以在例如暴露在侧壁之间的衬底中刻蚀沟槽。在连续的加工阶段处的结构截面视图序列中描绘了工艺流程，如图5a至图5d所示。
[0087]
如图5a所示，该示例中的传入晶圆是一次性芯棒510的图案化层。用于芯棒的材料可以包括碳、氧化硅、氧化锆等。图5a中的一次性芯棒510是具有几乎垂直的边缘的最小节距线，并且可以通过在半导体衬底500上方沉积(例如使用诸如cvd、pecvd、ald、peald等合适的沉积技术)和图案化(使用任何合适的方法来图案化，例如应用光致抗蚀剂掩模的各向异性rie技术)牺牲膜来形成。可以使用宽带等离子体加工系统1111在以顺序模式操作的等离子体加工室200中执行图5b至图5d所示的接下来的三个步骤。
[0088]
在图5b中，硬掩模材料(例如，氧化硅、氮化硅等)的共形薄膜513可以使用共形pecvd工艺来形成，其中，等离子体由以vhf rf频带(30mhz至300mhz)中的第一信号频率(f1，例如，100mhz)供应的rf功率维持。如上文针对图3b所示的共形pecvd工艺步骤所解释的，这里使用vhf rf信号来生成高自由基通量也是有利的。共形膜513的材料和pecvd工艺的等离子体参数被选择为使得衬底500上的成核速率与芯棒510上的成核速率大致相同，以有助于实现良好的厚度均匀性。
[0089]
与图3所示的工艺流程类似，如果期望原子级的控制和共形性，这里也可以将pecvd工艺替换为使用脉冲模式下的宽带等离子体加工系统1111来执行的peald工艺。
[0090]
在图5c中，已经在每个一次性芯棒510的相反侧面上形成了sit技术的侧壁518。执行高度各向异性的rie工艺步骤，以从平坦水平表面上选择性地清除共形膜513。在使用氮化硅作为示例共形层513的情况下，可以使用基于碳氟化合物的rie工艺实现高度各向异性刻蚀。如果期望对氧化物膜的高选择性和高度各向异性，则可以将氮化硅膜暴露于氢离子并随后暴露于更高压的nf3等离子体。
[0091]
同样，如果期望原子级控制，则rie工艺可以被替换为使用脉冲模式下的宽带等离子体加工系统1111来执行的peale工艺。
[0092]
如图5c所示，附着在芯棒510边缘的硬掩模材料形成侧壁518。刻蚀工艺的高各向异性使得侧壁518具有几乎垂直边缘和与共形膜513的厚度基本相同的厚度。rie工艺的刻蚀化学物质被选择为使得从暴露于刻蚀剂的芯棒510和衬底500的部分去除的材料可以忽略不计。出于与针对用于形成侧壁层318(如图3c所示)的rie步骤解释的相同原因，可以在用于形成侧壁518的各向异性rie步骤中使用高频(hf)rf频带(3mhz至100mhz，例如13mhz)中的第二rf频率(f2)。
[0093]
图5d展示了选择性地去除图5c中的芯棒510后的结构，留下了位于衬底500顶表面上方的侧壁518。各向同性等离子体刻蚀工艺可以用于去除暴露的芯棒510，如图5c所示。用于去除芯棒510的刻蚀剂可以被选择为对用于侧壁518以及芯棒510下方和侧壁之间的衬底500的材料具有可忽略的低去除速率。对于各向同性等离子体刻蚀，优选相对较高的自由基通量与离子通量的比率，这与共形pecvd类似，因为这两种工艺都是各向同性等离子体工艺。对于大多数各向同性等离子体工艺，使用30mhz至300mhz频带内的vhf rf信号是有利
的。在芯棒包括氧化硅的实施例中，可以使用例如选择性非常高的化学氧化物去除(cor)等离子体工艺来去除芯棒，其中，使用nf3/h2等离子体来生成自由基。用于去除芯棒510的各向同性等离子体刻蚀工艺可以使用vhf rf频带中的第三频率(f3)，例如60mhz。
[0094]
应当理解，尽管peald和peale工艺提供了附加优势，但出于与上文在参考图3a至图3e描述的工艺流程的上下文中提到的相同原因，在图5a至图5d所示的工艺中使用了传统的cw-rf pecvd/rie作为顺序操作模式的示例。
[0095]
图5e展示了在等离子体加工室200中连续执行并且分别在图5b、图5c和图5d中展示的三个等离子体工艺期间的rf信号的波形。(在本披露内容中，所示出的近似波形仅出于说明目的，且未按比例绘制。)在图5e中的时间t1中使用例如f1＝100mhz的rf信号来执行用于形成共形膜513的共形pecvd工艺。在时刻t1与t2之间，宽带等离子体加工系统1111准备根据相应配方来执行下一个等离子体工艺。从图5e中的时刻t2到时刻t3，使用例如f2＝13mhz的rf信号来执行下一步骤，即用于形成侧壁518的各向异性rie。用于去除芯棒510的各向同性等离子体刻蚀是第三等离子体步骤，其是在图5e中t4与t5之间的时间段期间、使用例如f3＝60mhz的rf信号来执行的。可以在t3与t4之间进行宽带等离子体加工系统1111的准备，以执行第三等离子体步骤。
[0096]
参考图5a至图5e描述的示例实施例说明了包括使用三种不同频率的cw-rf信号顺序执行的三个等离子体工艺步骤的工艺流程。在另一个实施例中，这些等离子体加工步骤中的一个或多个可以使用相同频率的脉冲rf信号来执行。例如，在用于形成图5b中的共形膜513的共形pecvd步骤中使用的rf信号可以使用脉冲rf信号，如图5f中展示的波形所示。在图5f中，图5e中的f1＝100mhz的cw-rf信号被划分成频率相同(f1＝100mhz)的四个子脉冲。
[0097]
参考图6a至图6c展示了使用顺序操作模式的具有多个等离子体工艺步骤的单室加工的又一示例。在该示例中，精确侧壁间隔物形成工艺在两个连续的等离子体刻蚀步骤中实施：第一刻蚀步骤是主刻蚀步骤，之后的第二刻蚀步骤是精确过度刻蚀步骤。在间隔物为氮化硅的情况下，用于这两个刻蚀步骤的工艺气体可以包括在从约30mtorr到约50mtorr的中等压力至低压力下的cf4、chf3、c4f8和h2。
[0098]
图6a展示了该工艺流程的传入晶圆。传入晶圆包括例如：包括具有薄氧化硅覆盖层602的晶体硅601的衬底600；包括在衬底600上方形成的离散台阶(例如，多晶硅线)的图案化层610；以及在图案化层610和衬底600上方形成的侧壁间隔物材料(例如，氮化硅)的连续共形薄膜613。在一些实施例中，图案化层610可以包括栅极线，并且可以使用相同的工艺(即，类似于图3a中描述的工艺的各向异性刻蚀工艺)来形成。
[0099]
图6b展示了第一刻蚀步骤完成后的图6a的结构。在第一刻蚀步骤中执行各向异性rie，其选择性地从布置在图案化层610的顶表面上方和在图案化层610覆盖的区域之外的半导体衬底600的部分上方的共形薄膜613的水平表面去除共形薄膜的大部分材料。各向异性rie工艺的形貌选择性方面形成非共形膜615，其中，覆盖图案化层610的边缘的侧壁间隔物材料的厚度基本上与共形薄膜613的厚度相同，但是覆盖水平表面(例如，图案化层610的顶表面和在图案化层610覆盖的区域之外的半导体衬底600的部分)的剩余侧壁间隔物材料的厚度显著更小。由于第一刻蚀步骤去除了水平表面上方的大部分侧壁间隔物材料，因此其被称为主刻蚀。出于与针对参考图3c和图5c描述的各向异性rie步骤解释的相同原因，可
以使用hf rf信号来执行主刻蚀。rf频率(f1)可以从约3mhz到约100mhz，例如13mhz。
[0100]
在图6c中，第二刻蚀步骤在主刻蚀后立即启动并执行。第二刻蚀步骤(称为过度刻蚀步骤)被精确地控制为以比主刻蚀慢得多的去除速率从水平表面上清除剩余的侧壁间隔物材料。过度刻蚀工艺可以是提供侧壁间隔物材料的缓慢各向同性去除的等离子体刻蚀工艺，以进行精确的定时和厚度控制。如本领域技术人员已知的，使用低功率vhf rf信号以缓慢的去除速率执行各向同性等离子体刻蚀(如过度刻蚀步骤)是有利的。该等离子体可以包括氢含量高且碳氟化合物或nf3含量低的工艺气体混合物。刻蚀化学物质以缓慢的速率去除氮化硅，并且对氧化硅具有高度选择性。还可以调整等离子体刻蚀工艺参数，以提供各向异性刻蚀成分。rf频率(f2)可以从约30mhz到约300mhz，例如60mhz。在主刻蚀和过度刻蚀都完成之后的最终结构具有在图案化层610中的台阶边缘上形成的精确厚度的侧壁间隔物618，如图6c所示。
[0101]
图6d展示了在主刻蚀和过度刻蚀步骤期间rf信号的频率和功率的变化。产生非共形膜615的各向异性rie主刻蚀使用例如f1＝13mhz的高功率hf rf信号来执行，直到在图6d中的时刻t1为止。短持续时间过度刻蚀在时刻t1处启动，并在时刻t2处终止。如图6d所示，用于过度刻蚀的各向同性等离子体刻蚀工艺使用例如f2＝60mhz的相对低功率的vhf rf信号。
[0102]
在各种实施例中，可以得出类似的工艺流程(类似于参考图6描述的过度刻蚀工艺流程)，以解决类似的问题。示例包括减少纵横比依赖刻蚀(arde)或反向arde中的纵梁(stringer)缺陷、或用于表面调节的原位清洁、或去除残留物，例如残留的光致抗蚀剂和其他聚合物。
[0103]
图7a至图7c展示了在宽带等离子体加工系统的单个等离子体加工室(例如，图2中宽带等离子体加工系统1111的等离子体加工室200)中使用顺序操作模式连续执行的等离子体工艺步骤的另一个示例。在该示例中，使用了非共形沉积和精确各向同性刻蚀来在包括台阶特征的图案化层上方形成覆盖层。
[0104]
图7a展示了包括半导体衬底700和形成在半导体衬底700上的图案化层710的传入晶圆。图7a示出了具有基本垂直的边缘的图案化层710的一个台阶。图案化层710可以使用类似于参考图3a描述的层310的技术来形成。
[0105]
在图7b中，使用非共形pecvd工艺形成了非共形层713。非共形层713可以包括例如使用例如pecvd技术沉积的氮化硅或碳基材料，其中可以使用甲烷和氢的气体混合物获得期望的等离子体特性。如图7b所示，沉积工艺具有形貌选择性和区域选择性两者。因此，非共形层713不仅在图案化层710的台阶的垂直和水平表面上方以不同的厚度形成，而且在以下两种类型的水平表面上方也以不同的厚度形成：图案化层710的水平表面和半导体衬底700的水平表面。如图7b所示，图案化层710的水平顶表面上方的非共形层713具有第一厚度d1，而在半导体衬底700的水平顶表面上方，非共形层713具有第二厚度d2。在图案化层710中的台阶的垂直边缘上沉积第三厚度d3的非共形层713。在图7a至图7c所示的示例实施例中，d3《d2《d1；沉积的非共形层713在图案化层710的台阶顶部上方最厚，并且在垂直边缘上最薄。作为各向异性等离子体工艺，非共形pecvd工艺使用第一rf频率(例如，3mhz到30mhz之间的hf rf频带中的f1＝13mhz)的hf rf信号来执行。
[0106]
现在参考图7c，使用短持续时间、低功率各向同性等离子体刻蚀工艺去除非共形
层713的一部分。该等离子体可以是包括例如在相对较高的压力(例如，约100mtorr至约200mtorr)下与氧气混合的cf4或臭氧的气体混合物，以避免再沉积。可以调节气体的流速以维持低浓度的氧，使得混合物可以是约5％到约10％的氧化剂。在一些实施例中，还可以使用非常低的rf偏置功率。刻蚀将暴露在图案化层710覆盖的区域之外的半导体衬底700的水平顶表面，而不暴露图案化层710的台阶的水平顶表面(非共形层713的沉积厚度在该处最高)。图案化层710中的台阶的垂直侧面(非共形层713在该处最薄)也通过该刻蚀被暴露。低刻蚀速率各向同性等离子体刻蚀工艺可以用于执行该刻蚀，其中，rf信号的持续时间被精确控制，以在去除的材料足以暴露半导体衬底700的水平顶表面之后终止刻蚀。精确的厚度控制留下了具有受控的第四厚度d4的薄盖层715，该薄盖层保留在图案化层710的台阶的水平顶表面上方，如图7c所示。厚度d4基本上接近图案化层710的水平顶表面上方的非共形层713(图案化层710的最厚部分)的沉积厚度d1与图案化层710的其他两个部分(被去除以暴露相应下方层)中较厚部分的厚度之间的差值。在该示例中，d3《d2。因此，盖层715的厚度(d4)接近于(d
1-d2)。类似于上文参考图6b和图6c描述的过度刻蚀工艺，低刻蚀速率各向同性等离子体刻蚀工艺使用例如60mhz到300mhz之间的vhf rf频带中f2＝100mhz的第二rf频率的vhf rf信号来执行。
[0107]
图7d展示了在等离子体加工室200中连续执行的非共形pecvd和各向同性等离子体刻蚀工艺步骤期间rf信号的频率和功率的变化。如图7d中的时序图所示，在时间段t1内使用例如f1＝13mhz的hf rf信号，在此期间，非共形pecvd形成图7b所示的非共形层713。在时刻t1与t2之间，可以根据下一个等离子体工艺的配方重新配置宽带等离子体加工系统1111。下一步骤是短持续时间、低功率各向同性等离子体刻蚀。如图6d所示，从时刻t2到时刻t3，各向同性等离子体刻蚀工艺使用例如f2＝60mhz的相对低功率的vhf rf信号。
[0108]
图8a至图8c所示的单室等离子体加工的下一个示例是宽带等离子体系统1111在双频脉冲操作模式下执行的循环区域选择性沉积工艺。该示例中的循环区域选择性沉积利用循环沉积和刻蚀技术。区域选择性沉积工艺，如本文所述的循环区域选择性沉积工艺，可以用于实现自下而上的图案化。应当理解，循环沉积和刻蚀技术的其他应用(例如，通常用于刻蚀硅以形成贯穿硅通孔的bosch刻蚀工艺)也可以受益于使用宽带等离子体加工系统(如图1和图2所示的宽带等离子体加工系统1111)来执行的工艺流程。
[0109]
在一个实施例中，循环区域选择性沉积工艺的每个循环包括两个部分。在第一部分期间，使用利用第一rf频率f1的peald步骤来沉积材料薄层。在第二部分中，使用利用第二rf频率f2的peale步骤去除沉积的材料的一部分，如下文进一步详细描述的。可以使用各种材料组合。例如，在一个实施例中，可以以对金属或氧化物的选择性来沉积氮化硅。在一些其他实施例中，可以以对金属或氮化物的选择性来沉积氧化硅。
[0110]
图8a展示了具有包括以下两个区域的顶表面的传入晶圆；第一材料的第一区域800和第二材料的第二区域810。例如，第一区域800可以是诸如块体晶体硅等半导体的表面，并且第二区域810可以包括镶嵌在硅衬底中的诸如氧化硅等绝缘体，如图8a所示。
[0111]
在图8b中，使用例如peald技术来形成材料薄层815，例如氮化硅薄层。在示例实施例中，氮化硅成核首先发生在包括例如硅的第一区域800上方，优先于包括例如氧化硅的第二区域810。因此，通过peald工艺在第一区域800上方选择性地沉积了薄层815。然而，在第二区域810中的氧化硅表面上方可能发生延迟成核，这会导致包括氮化硅的小离散区域的
岛状缺陷820，如图8b所示。这些不期望的岛状缺陷820会降低沉积工艺的选择性，并且如果未被去除，甚至有可能在第二区域810上方形成例如氮化硅的连续膜。因此，在示例实施例中，在形成薄层815的预定第一时段之后中断peald，并且等离子体加工装置17(参见图1和图2)被重新配置为使用peale技术来执行短暂各向同性等离子体刻蚀，以去除可能已在第二区域810上方形成的任何岛状缺陷820。
[0112]
在图8c中，岛820已被去除。在示例实施例中，在peald的预定第一时段完成之后，在第二时段内通过执行短暂各向同性peale步骤来实现去除。在peale步骤完成之后，等离子体加工装置17可以被重新配置为在另一时段内继续进行peald。一个peald步骤和一个peale步骤这对加工步骤构成循环区域选择性沉积工艺的一个循环。通过使用各向同性等离子体刻蚀步骤周期性地去除岛820，循环区域选择性沉积工艺保持高区域选择性。在各向同性等离子体刻蚀步骤期间，薄层815的一部分也可能损失。图8c所示的刻蚀后的层825包括薄氮化硅层815在循环区域选择性沉积工艺的第一循环结束时剩余在第一区域800上方的部分。
[0113]
图8d展示了为了使沉积层830达到目标厚度而执行了循环区域选择性沉积工艺的多个循环之后的结构。
[0114]
通过在该示例实施例中的每个循环中使用的peald步骤和peale步骤来实施参考图8a至图8d描述的循环区域选择性沉积工艺。peald和peale步骤可以由宽带等离子体加工系统1111通过在脉冲模式下操作等离子体加工装置17来执行。图8e展示了根据一个实施例的循环区域选择性沉积工艺的一个循环的对应rf脉冲。出于说明目的，在图8e中，循环区域选择性沉积工艺的一个循环的脉冲rf信号由peald工艺的一个反应循环和peale工艺的一个反应循环的rf脉冲来表示。应当理解，在工艺配方中，循环区域选择性沉积工艺的一个循环可以包括几个peald反应循环和几个peale反应循环。原子层工艺的一个反应循环通常包括：第一反应脉冲，在此期间执行第一自限制性半反应；以及第二反应脉冲，在此期间执行第二自限制性半反应，其将完成实现一个原子层的沉积(peald)或去除(peale)的化学反应。每个反应脉冲之后是净化脉冲，在该净化脉冲期间，气体副产物和多余的反应物可以由真空泵202通过等离子体加工室200的出口207(参见图2)进行去除。
[0115]
图8e展示了脉冲rf信号和控制脉冲序列两者，斩波器电路14(参见图1)可以使用该控制脉冲序列来调制cw-rf信号以生成包括未中断rf脉冲的未中断脉冲rf信号。在该示例实施例中，第一rf脉冲对应于peald反应循环的第二反应脉冲。在第一反应脉冲期间(图8e中的持续时间t1)，可以在没有等离子体的情况下执行前体吸附。在图8e的时序图中，在没有等离子体的情况下的反应脉冲用虚线矩形表示。紧接着第一反应脉冲的净化脉冲在t1处开始并在t2处结束。通过t2处的脉冲的低-高转换使得rf信号能够传递通过斩波器电路14，并且用于peald反应循环的第二反应脉冲的等离子体被点燃。rf频率f1可以是约10mhz到约300mhz，例如100mhz。在持续时间(t3-t2)之后，peald反应循环的第二自限制性半反应完成，并且第二净化脉冲启动。在图8e中的t3处，通过使用调制脉冲的高-低转换阻断斩波器电路14处的rf信号来切断rf功率，以在净化脉冲期间熄灭等离子体放电。一个peald反应循环随着第二净化脉冲的完成而完成。根据相应的工艺配方10(参见图1)，可以在循环区域选择性沉积工艺的一个循环的第一部分期间执行多个peald反应循环(未示出)。
[0116]
在图8e中，第一部分在预定时刻t4处完成，并且第二部分开始，在该第二部分期
间，执行peale步骤。第一peale反应循环在t4处以第一反应脉冲开始，该第一反应脉冲可以包括表面调节阶段。与peald反应循环的第一反应脉冲类似，在peale反应循环的第一反应脉冲的脉冲持续时间(t5-t4)期间，可以不存在等离子体。第一净化脉冲可以在t5处开始并在t6前完成。在t6处，可以启动peale反应循环的第二反应脉冲。peale反应循环的第二反应脉冲使用通过使用由调制脉冲的低-高转换触发的rf信号来维持的等离子体，并在t7处随着调制脉冲通过使用高-低转换切断rf电源来熄灭等离子体而完成。peale rf脉冲的rf频率f2可以是约10mhz到约300mhz，例如13mhz。t7与t8之间的净化脉冲完成peale反应循环。根据相应的工艺配方10(参见图1)，可以执行多个peale反应循环(未示出)，以完成循环区域选择性沉积工艺的一个循环。
[0117]
(由图1中的可调谐rf信号发生器12生成的)peald和peale rf信号的频率和振幅、(在图1中的斩波器电路14处生成的)调制脉冲的定时以及(在图1中的输出匹配网络115中的)c
l
的选择可以由图1中的宽带等离子体加工系统1111的可编程控制器11来控制。在该实施例中，未中断脉冲rf信号的rf脉冲可以具有相对较长的持续时间。在一些其他实施例中，peald和peale步骤可以使用分段脉冲rf信号，其中，每个分段rf脉冲是包括持续时间非常短的多个子脉冲的分组，该持续时间诸如约10微秒到1000微秒的子脉冲持续时间，例如100微秒。
[0118]
图9展示了循环的两部分(例如，沉积部分和刻蚀部分)等离子体加工流程(如上文参考图8a至图8e描述的加工流程)的一个循环的流程图9999。在图8a至图8e所示的示例实施例中，未中断rf脉冲的持续时间被示出为与相应的反应脉冲的持续时间相同。如上所述，在另一个实施例中，这些相对较长持续时间的rf脉冲可以被替换为几个短持续时间的子脉冲的分组。与顺序模式执行流程4444(参见图4)类似，如框91所示的脉冲模式执行流程9999中的第一步骤是解析工艺配方10(参见图1)，以识别输入工艺参数，诸如相应的第一部分和第二部分的rf频率f1和f2，以及相应的脉冲持续时间和占空比。如图4中一样，接下来配置宽带等离子体加工系统1111的硬件，如图9中的框92和93所示。来自可编程控制器11的控制信号用于电连接到等离子体加工装置17(如框921所示)，并设置两个拨动开关(框923)以经由斩波器电路14和带通滤波器16路由rf信号。例如，f1的带通滤波器的输出端口连接到由频率f1的脉冲rf信号供电的rf电极。如果一个循环的第一部分和第二部分使用同一rf电极，则带通滤波器16的两个相应输出端口可以连接到一个rf电极。在整个循环期间rf电极连接可以固定不变。
[0119]
只要频率从f1变为f2就需要由可编程控制器11调整的配置如框93(对于f1)和95(对于f2)中所示。在框931和951中，选择输出匹配网络115的负载电容器c
l
，并且在框933和953中，配置斩波器电路14的脉冲发生器，如图9所示。
[0120]
在恰当配置了硬件之后，生成循环的第一部分的脉冲rf信号，并且采用具有中心频率偏移的频率扫描调谐方法，以通过在以f1为中心的频带内调整脉冲rf信号的rf频率来快速调整输出匹配网络115的阻抗，如框94所示。用于实现最小阻抗失配的电子反馈控制系统与上文参考图1、图2和图4详细描述的系统相同。当完成了使用具有中心频率f1的脉冲rf信号的第一部分时，针对该循环的第二部分，可编程控制器11在重新配置输出匹配网络115和斩波器电路14的硬件之后，将rf中心频率切换到f2，如框95和96所示。在第一循环的这两个部分结束时，硬件设置被重置为频率f1的设置，以执行第二循环，如图9中的执行流程
9999所示。
[0121]
在上述顺序模式或脉冲模式的所有实施例和执行流程中使用了两种或更多种rf中心频率。此外，所有实施例都利用单通道宽带等离子体加工系统。接下来，我们披露了单频脉冲模式操作的一个示例实施例，以及使用双通道宽带等离子体加工系统的双频脉冲模式操作的一个示例(在申请16/572,708中详细描述)。
[0122]
在等离子体加工装置以单频脉冲模式操作的实施例中，rf频率在总加工时间期间是固定的，但是总加工时间可以被划分为多个部分，其中，在每个部分期间，rf脉冲的数量和/或占空比可以根据等离子体工艺步骤的工艺配方中的规范进行更改。例如，总加工时间为t0＝150秒的诸如rie步骤等等离子体工艺步骤可以被划分为五个部分：主刻蚀第一部分可以具有加工时间t1＝100秒以及占空比d1＝50％，而随后的四个部分可以具有各10秒的加工时间t2、t3、t4和t5以及依次缩短的占空比(例如，d2＝40％、d3＝30％、d4＝20％以及d5＝10％)，以逐步降低给等离子体的平均rf功率。该示例中的rf信号包括五个分段；每个分段包括占空比逐步降低的rf脉冲。
[0123]
在另一个实施例中，具有中心频率f1的第一脉冲rf信号向等离子体加工装置17的rf电极(例如，顶部电极206(参见图2))提供rf源功率。具有中心频率f2的第二脉冲rf信号向底部电极208(参见图2)提供rf偏置功率。脉冲等离子体工艺可以在用于形成栅极结构、间隔物结构、自对准接触结构等的工艺流程中使用。可以使用双通道宽带等离子体加工系统将这两个脉冲rf信号提供给等离子体加工装置17。如申请16/572,708中详细描述的，双通道宽带等离子体加工系统使用双通道宽带可调谐rf信号发生器和双通道宽带rf功率放大器，从而同时提供两个高功率rf信号，以为同一单室等离子体加工装置17的rf电极供电。双通道版本通过并行使用两个单通道单元或在一个集成单元中复制单通道版本来实现。通过使用单独的电子反馈信号来在每个通道中实现快速阻抗匹配，这些电子反馈信号向控制双通道宽带等离子体加工系统硬件的一个可编程控制器提供反馈。
[0124]
图10a展示了第一(rf源)和第二(rf偏置)脉冲rf信号的rf功率脉冲的功率谱，并且图10b展示了这两个脉冲rf信号的rf功率与时间的关系。在该实施例中，rf源功率和rf偏置功率在频域和时域中均不重叠。然而，应当理解，在一些实施例中，这两个脉冲rf信号可以在某种程度上重叠。如图10a中的功率谱密度所示，相对于rf源的频带(f1±
δf1)，rf偏置位于较低的频带(f2±
δf2)。图10b所示的rf功率随时间的曲线图示出，rf偏置功率在rf源功率的连续脉冲之间以脉冲形式供应。
[0125]
使用具有中心频率偏移的频率扫描调谐方法快速建立阻抗匹配的一个益处是rf功率的精确控制。图10c展示了假想宽带等离子体加工系统的rf功率随时间的波形，其中，使用相对较慢的方法(例如，机械地调谐可变电容器的电容)而不是具有中心频率偏移的快速频率扫描调谐方法来调谐输出匹配网络115的阻抗。如图10c所示，每次启动rf脉冲时，rf功率都会表现出显著的瞬态行为，该瞬态行为最终稳定到稳定值，如针对阻抗变化相对缓慢的输出匹配网络而预期的那样。例如，直到脉冲的相当长时间已经过去之后(例如，只有在脉冲宽度的10％到20％已经过去之后)才会达到(或者可替代地，有时永远不会达到)标称功率，这将导致不均匀且不可预测的沉积/刻蚀速率。相比之下，图10b中的对应波形示出，快速得到了稳态值(例如，在少于1％的脉冲宽度内)，因此瞬态行为是不可察觉的。在各种实施例中，可以在微秒量级(例如，10微秒)内达到稳态值。快速达到稳态的能力还能够支
持在诸如刻蚀和沉积工艺等不同类型的等离子体条件之间快速切换或循环，这在展现出较大瞬态的系统中是不可能的。图10c中可见的瞬态行为是不可预测且不受控的。因此，本披露内容中的实施例通过使用具有中心频率偏移的快速频率扫描调谐方法以减少或抑制rf功率瞬变提供了精确的rf功率控制的益处。
[0126]
在各种实施例中，诸如用于栅极、栅极间隔物、自对准触点、自下而上图案化、bosch工艺的工艺流程等工艺流程可以包括使用具有同时、循环或顺序使用的离散rf频率的脉冲rf信号或cw-rf信号的等离子体工艺。这些工艺流程可以包括其中使用了传统等离子体加工(例如，pecvd和rie)和/或原子层等离子体加工(例如，peald和peale)的等离子体步骤。在这些应用中，使用本披露内容中描述的方法的实施例并获得由宽带等离子体加工系统中实施的频率扫描调谐方法提供的快速阻抗匹配的益处可能是有利的。
[0127]
这里总结了本发明的示例实施例。从说明书的整体以及本文提出的权利要求中也可以理解其他实施例。
[0128]
示例1.一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括确定用于为等离子体加工室内的第一等离子体供电的第一频率。该方法包括在宽带功率放大器处生成具有该第一频率的第一放大rf信号。该方法包括供应该第一放大rf信号，以使用包括该第一等离子体的第一等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。该方法包括确定用于为该等离子体加工室内的第二等离子体供电的第二频率。该方法包括在该宽带功率放大器处生成具有该第二频率的第二放大rf信号。该方法包括供应该第二放大rf信号，以使用包括该第二等离子体的第二等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。
[0129]
示例2.根据示例1所述的方法，其中，该第一放大rf信号包括多个第一脉冲，并且其中，该第二放大rf信号包括多个第二脉冲。
[0130]
示例3.根据示例1或2之一所述的方法，其中，该第一放大rf信号包括连续波，并且其中，该第二放大rf信号包括多个脉冲。
[0131]
示例4.根据示例1至3之一所述的方法，其中，该第一放大rf信号包括第一连续波，并且其中，该第二放大rf信号包括第二连续波。
[0132]
示例5.根据示例1至4之一所述的方法，其中，该第一放大rf信号或该第二放大rf信号包括多个非周期性脉冲。
[0133]
示例6.根据示例1至5之一所述的方法，其中，确定该第一频率包括通过测量传递到该第一等离子体的功率来生成第一反馈信号，以及基于该第一反馈信号确定该第一频率；并且其中，确定该第二频率包括通过测量传递到该第二等离子体的功率来生成第二反馈信号，以及基于该第二反馈信号确定该第二频率。
[0134]
示例7.根据示例1至6之一所述的方法，进一步包括：在确定该第一频率之前，基于第一工艺配方来将输出匹配网络的负载电容器选择为第一电容值，并且为该第一等离子体供电；以及在确定该第二频率之前，基于第二工艺配方来将该输出匹配网络的负载电容器选择为第二电容值，并且为该第二等离子体供电。
[0135]
示例8.根据示例1至7之一所述的方法，进一步包括：使用该第一等离子体在该衬底上方沉积层，并且使用该第二等离子体刻蚀该层的一部分，其中，该第一频率大于该第二频率；或者使用该第一等离子体在布置在该衬底上方的特征上方沉积共形层，并且使用该第二等离子体各向异性地刻蚀该共形层的一部分，其中，该第一频率大于该第二频率；或者
使用该第一等离子体来执行各向异性刻蚀工艺，以从该衬底去除层的第一部分，并且使用该第二等离子体来执行各向异性刻蚀工艺，以从该衬底去除该层的第二部分，其中，该第一频率小于该第二频率；或者使用该第一等离子体在布置在该衬底上方的特征上方沉积非共形层，并且使用该第二等离子体各向同性地刻蚀该共形层的一部分，其中，该第一频率小于该第二频率。9.根据示例1至7之一所述的方法，进一步包括：使用该第一等离子体在布置在该衬底上方的特征上方沉积共形层；以及使用该第二等离子体各向异性地刻蚀该共形层的一部分，其中，该第一频率大于该第二频率；基于测量传递到该等离子体加工室内的第三等离子体的功率，确定用于为该第三等离子体供电的第三频率；在该宽带功率放大器处生成第三放大rf信号；供应该第三放大rf信号，以使用包括该第三等离子体的第三等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底；以及使用该第三等离子体各向同性地刻蚀该特征。
[0136]
示例10.一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括执行第一频率扫描调谐以生成包括第一频率的第一射频(rf)信号。该方法包括：在宽带功率放大器处，放大该第一rf信号以生成第一放大rf信号。该方法包括供应该第一放大rf信号以加工布置在等离子体加工室中的衬底，该衬底的加工由该第一放大rf信号来供电。该方法包括执行第二频率扫描调谐以生成包括第二频率的第二射频(rf)信号。该方法包括：在该宽带功率放大器处，放大该第二rf信号以生成第二放大rf信号。该方法包括供应该第二放大rf信号以加工布置在该等离子体加工室中的衬底，该衬底的加工由该第二放大rf信号供电。
[0137]
示例11.根据示例10所述的方法，其中，该第一射频(rf)信号包括连续波，其中，该第二射频(rf)信号包括多个脉冲，该多个脉冲中的每个脉冲包括脉冲持续时间和该第二频率。12.根据示例10所述的方法，其中，该第一放大rf信号被供应到该等离子体加工室的第一电极，并且该第二放大rf信号被供应到该等离子体加工室的第二电极。
[0138]
示例12.根据示例10或11之一所述的方法，其中，该第一放大rf信号和该第二放大rf信号一起为在该等离子体加工室内生成的等离子体供电。
[0139]
示例13.根据示例10至12之一所述的方法，其中，供应该第一放大rf信号包括使用第一等离子体工艺加工该衬底，该第一等离子体工艺包括由该第一放大rf信号供电的第一等离子体；并且其中，供应该第二放大rf信号包括使用第二等离子体工艺加工该衬底，该第二等离子体工艺包括由该第二放大rf信号供电的第二等离子体。
[0140]
示例14.根据示例10至13之一所述的方法，其中，执行该第一频率扫描调谐包括测量来自该等离子体加工室的第一归一化反射功率，以及基于测量该第一归一化反射功率，调整在第一频带附近生成的第一初步rf信号的频率，以便生成该第一频率的第一rf信号；并且其中，执行该第二频率扫描调谐包括测量来自该等离子体加工室的第二归一化反射功率，以及基于测量该第二归一化反射功率，调整在第二频带附近生成的第二初步rf信号的频率，以便生成该第二频率的第二rf信号。
[0141]
示例15.根据示例10至14之一所述的方法，其中，该第一射频(rf)信号包括多个第一脉冲，该多个第一脉冲中的每个脉冲包括第一脉冲持续时间和该第一频率，其中，该第二射频(rf)信号包括多个第二脉冲，该多个第二脉冲中的每个脉冲包括第二脉冲持续时间和该第二频率。
[0142]
示例16.根据示例10至15之一所述的方法，进一步包括：提供分离该多个第一脉冲
中的相邻脉冲的多个第一净化脉冲；以及提供分离该多个第二脉冲中的相邻脉冲的多个第二净化脉冲。
[0143]
示例17.根据示例10至16之一所述的方法，其中，该第一放大rf信号和该第二放大rf信号耦合到第一电极。
[0144]
示例18.一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括通过由第一放大射频信号为等离子体工艺室中的第一等离子体供电，使用该第一等离子体在衬底上执行第一刻蚀/沉积工艺，该第一放大射频信号包括多个第一脉冲并且具有第一频率和第一振幅。该方法包括将该第一等离子体改变为第二等离子体。该方法包括通过由第二放大射频信号为该等离子体工艺室中的第二等离子体供电，使用该第二等离子体在该衬底上执行第二刻蚀/沉积工艺，该第二放大射频信号包括多个第二脉冲并且具有第二频率和第二振幅，该第一频率和该第二频率具有不同的频率值，其中，该第一放大射频信号通过第一频率扫描调谐过程被调谐到该第一频率，并且该第二放大射频信号通过第二频率扫描调谐过程被调谐到该第二频率。
[0145]
示例19.根据示例18所述的方法，其中，该第一刻蚀/沉积工艺包括沉积工艺，并且其中，该第二刻蚀/沉积工艺包括刻蚀工艺，其中，该第二频率大于该第一频率。
[0146]
示例20.根据示例18或19之一所述的方法，其中，该第一频率扫描调谐过程包括测量来自该第一等离子体的第一归一化反射功率，以及基于测量该第一归一化反射功率，调整在第一频带附近生成的第一初步射频信号的频率，以便生成该第一频率的第一放大射频信号；并且其中，该第二频率扫描调谐过程包括测量来自该第二等离子体的第二归一化反射功率，以及基于测量该第二归一化反射功率，调整在第二频带附近生成的第二初步射频信号的频率，以便生成该第二频率的第二放大射频信号。
[0147]
尽管已经参考说明性实施例描述了本发明，但是此描述并非旨在以限制性的意义来解释。参考描述，说明性实施例以及本发明的其他实施例的各种修改和组合对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，意图是所附权利要求涵盖任何这样的修改或实施例。