半导体光元件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体光元件，该半导体光元件集成有射出光的发光区域和对所述光进行调制的调制器区域，其特征在于，所述半导体光元件具备：第一台面，其设置于所述发光区域，沿所述光的传播方向延伸，向与所述光的传播方向交叉的方向突出，且包含活性层；第一隐埋层以及第二隐埋层，它们设置于与所述光的传播方向交叉的方向上的所述第一台面的两侧，且沿所述第一台面的突出方向依次层叠；第一半导体层，其设置于所述第一台面以及所述第二隐埋层之上；第二台面，其设置于所述调制器区域，沿所述光的传播方向延伸，向与所述光的传播方向交叉的方向突出，且包含光吸收层；以及第三隐埋层，其设置于所述第二台面的两侧，所述第一半导体层以及所述第一隐埋层具有第一导电型，所述第二隐埋层具有与所述第一导电型不同的第二导电型，所述第三隐埋层为半绝缘性的半导体层。2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，所述第一台面包含依次层叠的第二半导体层以及所述活性层，所述第二台面包含依次层叠的第三半导体层、所述光吸收层以及第四半导体层，所述第二半导体层以及所述第三半导体层具有所述第二导电型，所述第四半导体层具有所述第一导电型。3.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，所述半导体光元件具备树脂层，所述树脂层设置于所述第二台面的两侧且设置于所述第三隐埋层的外侧。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述第一半导体层以及所述第一隐埋层包含p型的磷化铟，所述第二隐埋层包含n型的磷化铟。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述第三隐埋层包含半绝缘性的磷化铟。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述第二台面具有：第一锥形部，其在所述光的传播方向上从所述调制器区域侧朝向所述发光区域侧而前端变细；以及第二锥形部，其从所述发光区域侧朝向所述调制器区域侧而前端变细。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述第一台面具有沿所述光的传播方向延伸的衍射光栅。8.一种半导体光元件的制造方法，所述半导体光元件集成有射出光的发光区域和对所述光进行调制的调制器区域，其特征在于，所述半导体光元件的制造方法具有如下工序：
在所述发光区域形成包含活性层的第一台面；在与所述光的传播方向交叉的方向上的所述第一台面的两侧，沿所述第一台面的突出方向依次层叠第一隐埋层以及第二隐埋层；在所述第一台面以及所述第二隐埋层之上形成第一半导体层；在所述调制器区域形成包含光吸收层的第二台面；以及在所述第二台面的两侧设置第三隐埋层，所述第一半导体层以及所述第一隐埋层具有第一导电型，所述第二隐埋层具有与所述第一导电型不同的第二导电型，所述第三隐埋层为半绝缘性的半导体层。9.根据权利要求8所述的半导体光元件的制造方法，其特征在于，形成所述第二台面的工序是形成具有比所述第一台面大的宽度的所述第二台面的工序，层叠所述第一隐埋层以及所述第二隐埋层的工序包含在所述第一台面以及所述第二台面的两侧层叠所述第一隐埋层以及所述第二隐埋层的工序，所述半导体光元件的制造方法具有去除所述第二台面的两侧的所述第一隐埋层以及所述第二隐埋层且使所述第二台面变细的工序，设置所述第三隐埋层的工序是在使所述第二台面变细的工序后的所述第二台面的两侧设置所述第三隐埋层的工序。

技术总结
本发明提供半导体光元件及其制造方法。半导体光元件集成有射出光的发光区域和调制光的调制器区域，具备：第一台面，其设置于发光区域，沿光的传播方向延伸，向与光的传播方向交叉的方向突出，包含活性层；第一隐埋层及第二隐埋层，它们设置于与光的传播方向交叉的方向上的第一台面的两侧，沿第一台面的突出方向依次层叠；第一半导体层，其设置于第一台面及第二隐埋层之上；第二台面，其设置于调制器区域，沿光的传播方向延伸，向与光的传播方向交叉的方向突出，包含光吸收层；及第三隐埋层，其设置于第二台面的两侧，第一半导体层及第一隐埋层具有第一导电型，第二隐埋层具有与第一导电型不同的第二导电型，第三隐埋层为半绝缘性的半导体层。导体层。导体层。


技术研发人员：伊藤友树 江川满
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/7/9