一种相变存储器光刻工艺优化方法

技术特征：
1.一种相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。2.根据权利要求1所述的相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，所述步骤(1)具体为：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，对每片晶圆在光刻中应用不同的曝光条件；光刻后，对所述相变材料层进行刻蚀，刻蚀后分别对各晶圆上同一特定图形的线宽和边缘粗糙度进行测量；其中，所述同一特定图形为晶圆上不同曝光区域中同一位置的电路图形；根据刻蚀后的测量数据及工艺规格要求，来调整同一特定图形在光刻时的线宽和边缘粗糙度要求，并确定晶圆表面不平整度为α时相变存储器的第一光刻工艺窗口。3.根据权利要求2所述的相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，所述对每片晶圆在光刻中应用不同的曝光条件时，以晶圆为单位进行曝光。4.根据权利要求1所述的相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为：当特定图形周期和线宽不一致时，在光刻中，对每片晶圆的不同曝光区域应用不同曝光条件；光刻后，对相变材料层进行刻蚀，刻蚀后对各曝光条件下不同特定图形的线宽和边缘粗糙度进行测量；其中，所述不同特定图形为晶圆上不同曝光区域中不同位置的电路图形；根据刻蚀后的测量数据及工艺规格要求，来调整不同特定图形在光刻时的线宽和边缘粗糙度要求，并确定相变存储器不同特定图形的共同光刻工艺窗口，将所述共同光刻工艺窗口作为第二光刻工艺窗口。5.根据权利要求4所述的相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，所述确定相变存储器不同特定图形的共同光刻工艺窗口，具体为：根据刻蚀后的测量数据与预设工艺要求，得出曝光能量与聚焦值，构建基于所述曝光能量与聚焦值的坐标轴，在所述基于曝光能量与聚焦值的坐标轴中作出所有不同特定图形的工艺窗口；取所有不同特定图形的工艺窗口的重叠部分作为共同光刻工艺窗口。6.根据权利要求4所述的相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，所述当特定图形周期和线宽不一致时，所述晶圆采用单层工艺晶圆，用于消除晶圆表面不平整度的影响。

技术总结
本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。存储器的最优光刻工艺窗口。存储器的最优光刻工艺窗口。


技术研发人员：张家睿 周智全 钟旻 冯高明 宋志棠
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2022.03.21
技术公布日：2022/7/9