基于磁场传感芯片的圆环形阵列电流测量方法与流程

1.本技术涉及电力测量技术领域，特别是涉及一种基于磁场传感芯片的圆环形阵列电流测量方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。


背景技术：

2.针对电力系统存在的三相导线的电流测量需求，通常的测试方法是通过磁传感装置结合磁芯来进行测量，但是磁芯的使用会带来空间干扰、磁芯饱和等问题，使得测试结果不够精准。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种基于磁场传感芯片的圆环形阵列电流测量方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
4.第一方面，本技术提供了一种基于磁场传感芯片的圆环形阵列电流测量方法，所述方法包括：
5.获取三相导线上的电流在多个磁感单元分别对应产生的多个测量磁感强度，其中，所述三相导线包括具有相位差的第一导线、第二导线和第三导线，多个所述磁感单元设置在以所述三相导线的中心点为圆心的圆周上；
6.针对每一所述导线，根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及各所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，其中，所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线一一对应的磁感强度分别为第一磁感强度、第二磁感强度和第三磁感强度；
7.根据所述第一磁感强度、所述第二磁感强度、所述第三磁感强度获取各所述磁感单元处的总强度；
8.针对同一所述磁感单元，根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，其中，所述目标函数用于表征所述测量磁感强度和所述总强度的偏差；
9.根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，其中，所述额定参数至少包括各所述导线的额定电流值。
10.在其中一个实施例中，所述根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，包括：
11.确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离和敏感偏移角；其中，所述敏感偏移角为所述导线在各所述磁感单元处实际场强方向和所述敏感轴方向形成的偏移角；
12.根据毕奥萨伐尔定律和所述最短距离、所述敏感偏移角分别计算所述磁感强度。
13.在其中一个实施例中，所述确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离，包括：
14.获取所述圆心与各所述磁感单元形成的第一半径、与所述导线形成的第二半径以
及所述第一半径和所述第二半径形成的安装偏心角；
15.根据所述第一半径、所述第二半径以及所述安装偏心角确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离。
16.在其中一个实施例中，所述根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，包括：
17.根据所述测量磁感强度和所述总强度获取差值矩阵以及与所述差值矩阵对应的转置矩阵；
18.根据所述差值矩阵和所述转置矩阵的乘积获取所述目标函数。
19.在其中一个实施例中，所述根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，包括：
20.获取所述目标函数的偏导函数，并对所述偏导函数进行线性化处理；
21.基于最小二乘法以及各所述导线分别对应的各所述额定电流值对所述线性化处理后的所述偏导函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
22.在其中一个实施例中，所述对所述偏导函数进行线性化处理，包括：
23.对所述偏导函数进行泰勒级数展开处理得到展开函数；
24.根据高斯牛顿法获取所述展开函数的线性递推函数；
25.所述基于最小二乘法以及各所述导线分别对应的各所述额定电流值对所述线性化处理后的所述偏导函数进行迭代处理得到所述目标电流值，包括：
26.基于最小二乘法以及各所述额定电流值对所述线性递推函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
27.第二方面，本技术还提供了一种基于磁场传感芯片的圆环形阵列的电流测量装置，所述装置包括：
28.测量模块，用于获取三相导线上的电流在多个磁感单元分别对应产生的多个测量磁感强度，其中，所述三相导线包括具有相位差的第一导线、第二导线和第三导线，多个所述磁感单元设置在以所述三相导线的中心点为圆心的圆周上；
29.场强获取模块，用于针对每一所述导线，根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及各所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，其中，所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线一一对应的磁感强度分别为第一磁感强度、第二磁感强度和第三磁感强度；
30.计算模块，用于根据所述第一磁感强度、所述第二磁感强度、所述第三磁感强度获取各所述磁感单元处的总强度；
31.函数构建模块，用于针对同一所述磁感单元，根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，其中，所述目标函数用于表征所述测量磁感强度和所述总强度的偏差；
32.函数处理模块，用于根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，其中，所述额定参数至少包括各所述导线的额定电流值。
33.第三方面，本技术还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
34.第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所
述计算机程序被处理器执行时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
35.第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
36.上述基于磁场传感芯片的圆环形阵列的电流测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过分别获取三相导线上的电流在多个磁感单元对应的测量磁感强度和计算总强度，根据测量磁感强度和计算总强度构建目标函数，并基于各导线的额定参数采用最小二乘法对目标函数进行迭代处理，计算出三相导线的电流值，可以在无需使用磁芯的前提下对三相导线流经的电流进行准确测量，进一步提升了测量的准确性和适用性。
附图说明
37.图1为一个实施例中a相导线在磁感单元t1处产生的磁场示意图；
38.图2为一个实施例中b相导线在磁感单元t1处产生的磁场示意图；
39.图3为一个实施例中c相导线在磁感单元t1处产生的磁场示意图；
40.图4为一个实施例中电流测量方法的流程示意图；
41.图5为另一个实施例中电流测量方法的流程示意图；
42.图6为另一个实施例中电流测量方法的流程示意图；
43.图7为另一个实施例中毕奥萨伐尔定律示意图；
44.图8为另一个实施例中电流测量方法的流程示意图；
45.图9为另一个实施例中电流测量方法的流程示意图；
46.图10为一个实施例中电流测量装置的结构框图；
47.图11为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
48.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
49.本技术提供了一种非侵入式安装的电流测量方法，如图1～图3所示，待测量的导线为三相导线，三根导线100分别记为第一导线a、第二导线b、第三导线c，其对应流经的电流分别记为ia、ib、ic，其相位依次相差120度，且幅值通常近似相等。三相导线流过的电流方向与磁感单元所在的平面垂直，且三相导线构成正三角形，其中心与磁感单元的中心o重合，三相导线距离中心o的距离为r，将n个磁感单元102均匀地分布在以三相导线中心o点为圆心、半径为r的圆周上，记为t1、t2、
…
tn，两个磁感单元之间的角度为每个磁感单元的敏感轴方向总是垂直于该磁感单元与圆心的半径向量即以a导线为例，为ia在第一个磁感单元t1处的敏感轴方向上产生的磁感强度，为ia在第一个磁感单元t1处的产生的实际磁感强度方向，与的夹角定义为敏感偏移角αa，磁感单元的安装偏心角度∠iaot1＝θ，ya为t1到导线a的距离。
50.在其中一个实施例中，如图4所示，本技术提供了一种基于磁场传感芯片的圆环形阵列的三相导线的电流测量方法，所述方法包括步骤402-步骤410：
51.步骤402，获取三相导线上的电流在多个磁感单元分别对应产生的多个测量磁感强度，其中，所述三相导线包括具有相位差的第一导线、第二导线和第三导线，多个所述磁感单元设置在以所述三相导线的中心点为圆心的圆周上。
52.所述磁感单元可以为如图1所示的传感芯片，所述测量磁感强度可以直接经测量得到，将测量结果分别记为b
i,测量(i＝1,2,
…
,n)
，例如b
1,测量
代表第一个磁感单元t1处的场强测量值，其中，n代表共设置有n个磁感单元。
53.步骤404，针对每一所述导线，根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及各所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，其中，所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线一一对应的磁感强度分别为第一磁感强度、第二磁感强度和第三磁感强度。
54.其中，所述第一导线为a导线，所述第二导线为b导线，所述第三导线为c导线，所述磁感单元到各所述导线的距离记为ya、yb、yc，所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别记为αa、αb、αc，根据ya、yb、yc以及αa、αb、αc可以分别获取某一磁感单元的磁敏感轴上的第一磁感强度b
1a
、第二磁感强度b
1b
、第三磁感强度b
1c
。
55.步骤406，根据所述第一磁感强度、所述第二磁感强度、所述第三磁感强度获取各所述磁感单元处的总强度。
56.其中，将各磁感单元的磁敏感轴向上的总强度分别记为b1、b2、
…bn
。以t1为例，总强度b1为b
1a
、b
1b
、b
1c
的加和。
57.步骤408，针对同一所述磁感单元，根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，其中，所述目标函数用于表征所述测量磁感强度和所述总强度的偏差。
58.本技术的计算过程可以基于最小二乘法，需要先构建最小二乘法所需的目标函数，所述测量磁感强度为磁场强度的测量值，所述总强度为磁敏感轴向上的磁场强度的总计算值，根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，则所述目标函数用于表征三相导线在磁感单元处产生的磁场强度的测量值和总计算值之间的偏差大小。
59.步骤410，根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，其中，所述额定参数至少包括各所述导线的额定电流值。
60.根据最小二乘估计理论，当求解得到的电流为待测的三相导线的电流时，所述目标函数理论上等于零。由于多传感芯片测量存在误差，因此在实际测量时，满足目标函数最小的解即为待求解的量。
61.其中，所述额定电流值为预设的初始迭代解，在求解过程中，需要选择一个初始迭代解进行迭代，当初始迭代解与实际值较为接近时，所述目标函数的收敛速度较快。当所述目标函数收敛到一定程度时，目标函数达到最小，即所述测量值和总计算值之间的偏差达到最小，此时对应的解即为待求解的未知量。
62.本实施例中，通过分别获取三相导线上的电流在多个磁感单元对应的测量磁感强度计算总强度，根据测量磁感强度和总强度构建目标函数，并基于各导线的额定参数采用最小二乘法对目标函数进行迭代处理，计算出三相导线的电流值，可以在无需使用磁芯的前提下对三相导线流经的电流进行准确测量，进一步提升了测量的准确性和适用性。
63.在其中一个实施例中，如图5所示，所述根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，包括步骤502-步骤504：
64.步骤502，确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离和敏感偏移角；其中，所述敏感偏移角为所述导线在各所述磁感单元处实际场强方向和所述敏感轴方向形成的偏移角。
65.步骤504，根据毕奥萨伐尔定律和所述最短距离、所述敏感偏移角分别计算所述磁感强度。
66.具体的，以t1为例，所述磁感单元相对于各所述导线的最短距离记为ya、yb、yc，各所述敏感偏移角记为αa、αb、αc。根据毕奥萨伐尔定律，待测的三相导线的电流在各所述磁感单元处的敏感轴向上产生的场强与磁感单元到各所述导线的最短距离和所述敏感偏移角有关，可根据所述最短距离和所述敏感偏移角计算出待测载流导线在各所述磁感单元处产生的总场强。
67.本实施例中，通过先确定出各磁感单元到各导线的距离和敏感偏移角，可以根据毕奥萨伐尔定律分别计算出各所述导线在磁感单元的敏感轴向上产生的磁感应强度。
68.在其中一个实施例中，如图6所示，所述确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离，包括步骤602-步骤604：
69.步骤602，获取所述圆心与各所述磁感单元形成的第一半径、与所述导线形成的第二半径以及所述第一半径和所述第二半径形成的安装偏心角。
70.步骤604，根据所述第一半径、所述第二半径以及所述安装偏心角确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离。
71.具体的，请继续参考图1-图3，以磁感单元t1为例进行说明，所述第一半径为r，所述第二半径为r，所述磁感单元t1的安装偏心角用θ表示。
72.如图7所示，根据毕奥萨伐尔定律(biot-savart law)，各导线在磁感单元t1处产生的场强表示为：
[0073][0074]
其中，μ0是真空磁导率；为被测导线的电流向量；为磁场传感单元的磁敏感轴方向的单位向量，即方向的单位向量，即为传感单元相对于所述导线所在位置的向量。当流过一次电流的无限长直导体，也即三相导线与和构成的平面垂直时，则有
[0075][0076]
其中，为便于计算，将计算系数记为根据(2)可以得到：
[0077][0078]
[0079][0080]
联立(3)～(5)可求得所述第一磁感强度b
1a
：
[0081][0082]
针对导线b：
[0083][0084][0085][0086]
联立(7)～(9)可求得所述第二磁感强度b
1b
：
[0087][0088]
针对导线c：
[0089][0090][0091][0092]
联立(11)～(13)可求得所述第三磁感强度b
1c
：
[0093][0094]
则磁感单元t1的敏感轴向上理论计算总磁场强度b1为：
[0095][0096]
在实际应用中只需要分别求解ia、ib、ic的幅值，以ia的相位角作为参考，即：
[0097][0098]
由几何关系可知，第i个磁感单元与导线ia的位置关系可以用该磁感单元的安装偏心角表示，其中安装偏心角度根据(15)-(16)可得第i个磁感单元的磁敏感轴方向的计算总强度bi为：
[0099][0100]
本实施例中，通过确定各磁感单元的安装偏心角以及各磁感单元到各所述导线的最短距离，进一步达到了根据毕奥萨伐尔定律对各磁感单元处的敏感轴方向的计算总场强进行计算的目的。
[0101]
在其中一个实施例中，如图8所示，所述根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，包括步骤802-步骤804：
[0102]
步骤802，根据所述测量磁感强度和所述总强度获取差值矩阵以及与所述差值矩阵对应的转置矩阵。
[0103]
步骤804，根据所述差值矩阵和所述转置矩阵的乘积获取所述目标函数。
[0104]
本技术的计算过程基于最小二乘法进行求解，最小二乘模型表示为：
[0105]bi；测量
＝bi(x) e
ꢀꢀꢀ
(18)
[0106]
其中，x是要求解的未知量x(ia,ib,ic,θ)的向量表示；e是测量误差向量。根据所述计算值b
i(i＝1,2,
…
,n)
和所述测量值b
i,测量(i＝1,2,
…
,n
)获取所述差值矩阵以及所述差值矩阵的转置，并构造目标函数j(x)：
[0107]
j(x)＝[b
i；测量-bi(x)]
t
[b
i；测量-bi(x)]
ꢀꢀꢀ
(19)
[0108]
本实施例中，通过获取所述测量磁感强度和计算总强度的差值矩阵和转置矩阵，达到了根据差值矩阵和转置矩阵构建目标函数的目的。
[0109]
在其中一个实施例中，如图9所示，所述根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，包括步骤902-步骤904：
[0110]
步骤902，获取所述目标函数的偏导函数，并对所述偏导函数进行线性化处理。
[0111]
所述目标函数用于表征三相导线产生的磁场强度的测量值和计算值之间的偏差大小，理论情况下目标函数应当为零，实际测量中，认为当目标函数最小时对应的解即为要求解的未知量。
[0112]
其中，所述目标函数的偏导函数g(x)可通过以下公式(20)求解：
[0113][0114]
其中，是量测方程的雅可比矩阵。
[0115]
所述对所述偏导函数进行线性化处理，包括：
[0116]
对所述偏导函数进行泰勒级数展开处理得到展开函数、根据高斯牛顿法获取所述展开函数的线性递推函数。
[0117]
令非线性函数g(x)为零并在状态相量xk处进行泰勒级数展开，得到如下形式的展开函数：
[0118]
g(x)＝g(xk) g(xk)(x-xk)
…
＝0
ꢀꢀꢀ
(21)
[0119]
忽略上述形式的高阶项，获得高斯牛顿法的线性递推函数：
[0120]
x
k 1
＝x
k-[g(xk)-1
]
·
g(xk)
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(22)
[0121][0122]
g(xk)＝-dh(xk)
t
[z-h(xk)]
ꢀꢀꢀꢀ
(24)
[0123]
其中，k表示迭代次数，xk表示第k次迭代的解；g(x)被称为增益矩阵。
[0124]
[g(xk)]δx
k 1
＝dh(xk)
t
r-1
[z-h(xk)]
ꢀꢀꢀ
(25)
[0125]
其中，δx
k 1
＝x
k 1-xk。
[0126]
步骤904，基于最小二乘法以及各所述导线分别对应的各所述额定电流值对所述线性化处理后的所述偏导函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
[0127]
具体的，包括基于最小二乘法以及各所述额定电流值对所述线性递推函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
[0128]
待求解的未知量有4个变量x(ia,ib,ic,θ)，则在测量过程中至少配置4个磁感单元，且在磁感单元安装过程中，通常使所述三相导线的电流方向与所述磁感单元形成的圆周所在平面近似垂直。为了便于求解，将初始迭代解选择为x(i
额定值
,i
额定值
,i
额定值
,0)，即，电流预设初始迭代解为额定电流，预设初始安装偏心角为0。其中，i
额定值
为各导线的额定电流值，三根导线的额定电流值相等。基于所述初始迭代解以及公式(22)、(25)进行多次迭代可以得到目标函数j(x)最小时对应的解，其中，求解得到的ia、ib、ic即为待测的三相导线的电流值。
[0129]
本实施例中，通过对目标函数的偏导函数进行线性化处理，并通过最小二乘法对线性化处理后的偏导函数进行反复迭代，可以求解得到目标函数最小时对应的电流值，实现了对三相导线的电流值的准确测量。
[0130]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0131]
基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的基于磁场传感芯片的圆环形阵列的三相导线电流测量方法的电流测量装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个测量装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于三相导线电流测量方法的限定，在此不再赘述。
[0132]
在其中一个实施例中，如图10所示，本技术还提供了一种三相导线的电流测量装置，所述装置包括测量模块1002、场强获取模块1004、计算模块1006、函数构建模块1008、函数处理模块1010：
[0133]
测量模块1002，用于获取三相导线上的电流在多个磁感单元分别对应产生的多个测量磁感强度，其中，所述三相导线包括具有相位差的第一导线、第二导线和第三导线，多个所述磁感单元设置在以所述三相导线的中心点为圆心的圆周上。
[0134]
场强获取模块1004，用于针对每一所述导线，根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及各所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，其中，所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线一一对应的磁感强度分别为第一磁感强度、第二磁感强度和第三磁感强度。
[0135]
计算模块1006，用于根据所述第一磁感强度、所述第二磁感强度、所述第三磁感强度获取各所述磁感单元处的总强度。
[0136]
函数构建模块1008，用于针对同一所述磁感单元，根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，其中，所述目标函数用于表征所述测量磁感强度和所述总强度的偏差。
[0137]
函数处理模块1010，用于根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，其中，所述额定参数至少包括各所述导线的额定电流值。
[0138]
本实施例中，通过测量模块和场强获取模块以及计算模块分别获取三相导线上的电流在多个磁感单元对应的测量磁感强度和计算总强度，函数构建模块根据测量磁感强度和总强度构建目标函数，函数处理模块基于各导线的额定参数采用最小二乘法对目标函数进行迭代处理，计算出三相导线的电流值，可以在无需使用磁芯的前提下对三相导线流经的电流进行准确测量，进一步提升了测量的准确性和适用性。
[0139]
在其中一个实施例中，所述场强获取模块1004，用于针对每一所述导线，根据各所述磁感单元到所述导线的距离、以及所述磁感单元相对于所述导线的敏感偏移角分别对应获取所述导线在所述磁感单元的敏感轴上产生的磁感强度，包括：
[0140]
确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离和敏感偏移角；其中，所述敏感偏移角为所述导线在各所述磁感单元处实际场强方向和所述敏感轴方向形成的偏移角。
[0141]
根据毕奥萨伐尔定律和所述最短距离、所述敏感偏移角分别计算所述磁感强度。
[0142]
在其中一个实施例中，所述场强获取模块1004，用于确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离，还包括：
[0143]
获取所述圆心与各所述磁感单元形成的第一半径、与所述导线形成的第二半径以及所述第一半径和所述第二半径形成的安装偏心角。
[0144]
根据所述第一半径、所述第二半径以及所述安装偏心角确定各所述磁感单元相对于所述导线的最短距离。
[0145]
在其中一个实施例中，所述函数构建模块1008，用于根据所述测量磁感强度和所述总强度构建目标函数，包括：
[0146]
根据所述测量磁感强度和所述总强度获取差值矩阵以及与所述差值矩阵对应的转置矩阵。
[0147]
根据所述差值矩阵和所述转置矩阵的乘积获取所述目标函数。
[0148]
在其中一个实施例中，所述函数处理模块1010，用于根据各所述导线的额定参数和所述目标函数确定所述三相导线的电流值，包括：
[0149]
获取所述目标函数的偏导函数，并对所述偏导函数进行线性化处理。
[0150]
基于最小二乘法以及各所述导线分别对应的各所述额定电流值对所述线性化处理后的所述偏导函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
[0151]
在其中一个实施例中，所述函数处理模块1010，用于对所述偏导函数进行线性化处理，还包括：
[0152]
对所述偏导函数进行泰勒级数展开处理得到展开函数。
[0153]
根据高斯牛顿法获取所述展开函数的线性递推函数。
[0154]
所述函数处理模块1010，用于基于最小二乘法以及各所述导线分别对应的各所述额定电流值对所述线性化处理后的所述偏导函数进行迭代处理得到所述目标电流值，还包括：
[0155]
基于最小二乘法以及各所述额定电流值对所述线性递推函数进行迭代处理得到所述目标电流值。
[0156]
上述基于磁场传感芯片的圆环形阵列的三相导线的电流测量装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0157]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过wifi、移动蜂窝网络、nfc(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种三相导线的电流测量方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
[0158]
本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0159]
在其中一个实施例中，本技术还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
[0160]
在其中一个实施例中，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
[0161]
在其中一个实施例中，本技术还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现前述任一项三相导线的电流测量方法的步骤。
[0162]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0163]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0164]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。