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透明显示基板和透明显示装置的制作方法

2022-07-06 08:24:52 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种透明显示基板,其特征在于,包括:多个像素结构,每个所述像素结构包括显示区和非显示区,所述显示区和所述非显示区相邻设置,所述显示区包括多个膜层,所述显示区的周缘围设有围坝,所述围坝位于所述显示区与所述非显示区之间,所述围坝与所述多个膜层形成槽体,所述槽体内喷墨打印有填充物,所述非显示区设置有孔,所述孔贯穿所述显示区中的所述多个膜层,所述围坝用于限制所述填充物从所述显示区流动至所述非显示区,以使所述非显示区形成镂空结构。2.根据权利要求1所述的透明显示基板,其特征在于,所述多个像素结构阵列排布,所述多个膜层形成电路驱动组件和发光组件,所述电路驱动组件包括多个薄膜晶体管,所述发光组件包括多个发光元件,每一薄膜晶体管与每一发光元件对应设置,每个所述像素结构包括多个子像素,所述多个子像素设置在所述显示区,每个所述子像素包括一个所述薄膜晶体管和一个所述发光元件,所述电路驱动组件用于驱动所述发光组件发光,以使所述显示区显示画面。3.根据权利要求2所述的透明显示基板,其特征在于,所述多个膜层包括依次层叠设置的第一基底层、第一缓冲层、第二基底层、阻挡层、第二缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦层以及像素定义层。4.根据权利要求3所述的透明显示基板,其特征在于,所述多个膜层还包括有源层、栅极层、栅极金属层以及源漏极层,所述有源层、栅极层、栅极金属层以及源漏极层组成所述薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的透明显示基板,其特征在于,所述有源层覆盖在所述第二缓冲层上,所述栅极层覆盖在所述第一栅极绝缘层上,所述栅极金属层覆盖在所述第二栅极绝缘层上,所述源漏极层覆盖在所述层间绝缘层上且所述源漏极层的一部分延伸至所述有源层的表面。6.根据权利要求3所述的透明显示基板,其特征在于,所述多个膜层还包括阳极层、发光层以及阴极层,所述阳极层、发光层以及阴极层组成所述发光元件。7.根据权利要求6所述的透明显示基板,其特征在于,所述阳极层覆盖在所述平坦层上,所述发光层覆盖在所述像素定义层上,所述阳极层的一部分覆盖在所述像素定义层且延伸至所述发光层的表面,所述阴极层覆盖在所述像素定义层的表面且设置在所述发光层远离所述阳极层一侧。8.根据权利要求7所述的透明显示基板,其特征在于,所述围坝设置在所述像素定义层上,所述阴极层的第一部分设置在所述围坝的内表面,所述围坝与所述像素定义层形成所述槽体,在所述槽体的内表面以及所述围坝的外表面设置有第一膜层的第一部分,所述第一膜层的第一部分在所述槽体所在区域内喷墨打印有所述填充物,在所述填充物的表面以及所述围坝的外表面设置有第二膜层的第一部分。9.根据权利要求8所述的透明显示基板,其特征在于,所述阴极层的第二部分从所述像素定义层延伸至所述第二基底层的表面,所述第一膜层的第二部分从所述像素定义层延伸至所述第一基底层的底部,所述第二膜层的第二部分从所述像素定义层延伸至所述第一基底层的底部,其中,所述阴极层的第二部分、所述第一膜层的第二部分以及所述第二膜层的第二部分设置在所述显示区与所述非显示区之间,所述阴极层的第一部分与第二部分连接,所述第一膜层的第一部分与第二部分连接,所述第二膜层的第一部分与第二部分连接。
10.根据权利要求9所述的透明显示基板,其特征在于,所述第一膜层的第二部分在所述第二基底层与所述阻挡层之间设置有第一弯折区,所述第一膜层的第二部分在所述第一缓冲层设置有第二弯折区,所述第二膜层的第二部分在所述第二基底层与所述阻挡层之间设置有第三弯折区,所述第二膜层的第二部分在所述第一缓冲层设置有第四弯折区。11.根据权利要求10所述的透明显示基板,其特征在于,所述第一膜层的第二部分设置有第一斜面,所述第一斜面的自由末端与所述第一基底层的底部连接,所述第二膜层的第二部分设置有第二斜面,所述第二斜面的自由末端与所述第一基底层的底部连接。12.一种透明显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至11任一项所述的透明显示基板。

技术总结
本申请实施例公开了一种透明显示基板和透明显示装置,该透明显示基板包括多个像素结构,每个像素结构包括显示区和非显示区,显示区和非显示区相邻设置,显示区包括多个膜层,显示区的周缘围设有围坝,围坝位于显示区与非显示区之间,围坝与多个膜层形成槽体,槽体内喷墨打印有填充物,非显示区设置有孔,孔贯穿显示区中的多个膜层,围坝用于限制填充物从显示区流动至非显示区,以使非显示区形成镂空结构。本申请通过将像素结构中显示区与非显示区之间设置围坝,从而限制喷墨打印的填充物从显示区流动至非显示区,以使非显示区形成镂空结构,提升透明显示基板的透明度,并降低了成本。并降低了成本。并降低了成本。


技术研发人员:陈中明 鲜于文旭 黄灿 张春鹏
受保护的技术使用者:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:2022.03.31
技术公布日:2022/7/5
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