一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法

技术特征：
1.一种压敏电阻基体芯片，其特征在于，包括压敏电阻瓷体(1)，在压敏电阻瓷体(1)两端面的外边缘自由边，以及侧面均设置有绝缘涂层(2a)；在压敏电阻瓷体(1)两端面且未设置绝缘涂层(2a)处设置有腐蚀凹坑(1a)，在腐蚀凹坑(1a)上方设置有金属表面电极层(3)。2.基于权利要求1所述的一种压敏电阻基体芯片的高能量型电涌保护器阀片，其特征在于，包括压敏电阻基体芯片、紧密设置在压敏电阻基体芯片两端面的金属电极片(4)、以及包封在压敏电阻基体芯片外的环氧树脂包封层(6)。3.根据权利要求2所述的一种高能量型电涌保护器阀片，其特征在于，所述的金属电极片(4)上设置有引出电极(4b、4c)，分别通过焊锡层(5)与金属表面电极层(3)紧密连接，并且两个引出电极(4b、4c)引出方向相同，分别引伸出环氧树脂包封层(6)之外；所述的金属电极片(4)上还设置有通气孔(4a)。4.基于上述权利要求2或3所述的一种高能量型电涌保护器阀片的制造方法，其特征在于，具体步骤如下：(1).贴玻璃粉生胶带：将玻璃粉生胶带(2)粘贴并完全包覆在压敏电阻瓷体(1)两端面上的外边缘自由边以及压敏电阻瓷体(1)侧面；(2).回火：将步骤1中包覆好带有玻璃粉生胶带(2)的压敏电阻瓷体，放入炉中450℃～700℃回火，保温0.2小时～2小时，随炉降温取出，玻璃粉生胶带(2)软化后完全贴合其包覆面，形成绝缘涂层(2a)，即得到一种压敏电阻保护基体；(3).刻蚀：将步骤2中压敏电阻保护基体浸入重量百分比为2％～5％的氢氟酸溶液中腐蚀3～20秒钟后，立即取出，并使用去离子水将腐蚀过的压敏电阻保护基体冲洗干净，在压敏电阻瓷体两端面上未设有绝缘涂层的区域刻蚀形成有腐蚀凹坑(1a)；(4).表面电极化：在步骤3中刻蚀形成的腐蚀凹坑(1a)上丝网印刷银电极浆料，并使银电极浆料完全覆盖压敏电阻瓷体两端面上的整个腐蚀凹坑(1a)；然后在60℃～300℃条件下将上述银电极浆料烘干后，在480℃～650℃下保温0.2～2小时，表面电极化形成表面电极(3)，即得到压敏电阻基体芯片；(5).刷锡和焊接：在步骤4制得的压敏电阻基体芯片两端的表面电极上丝网印刷锡膏层，烘干、回流焊后，得到带两端电极的压敏电阻基体芯片模块；(6).包封：将步骤5中带两端电极的压敏电阻基体芯片模块用环氧树脂包封层(6)进行包封、固化后，即得到一种高能量型电涌保护器阀片。5.根据权利要求4所述的一种高能量型电涌保护器阀片的制造方法，具体步骤如下：(1).贴玻璃粉生胶带：将玻璃粉生胶带粘贴并完全包覆在压敏电阻瓷体两端面上的外边缘自由边以及压敏电阻瓷体侧面；(2).回火：将步骤1中包覆好带有玻璃粉生胶带的压敏电阻瓷体，放入550℃回火，保温30分钟，随炉降温取出，玻璃粉生胶带软化后完全贴合其包覆面，形成绝缘涂层，得到一种压敏电阻保护基体；(3).刻蚀：将步骤2中压敏电阻保护基体浸入重量百分比为5％的氢氟酸溶液中腐蚀3秒钟后，快速取出，并立即使用去离子水快速将腐蚀过的压敏电阻保护基体冲洗干净，压敏电阻瓷体两端面上未设有绝缘涂层的区域形成有25微米～35微米深的腐蚀凹坑；(4).表面电极化：在步骤3中刻蚀形成的腐蚀凹坑上丝网印刷银电极浆料，并使银电极浆料完全覆盖压敏电阻瓷体两端面上的整个腐蚀凹坑；然后在150℃条件下将上述银电极
浆料烘干后，在550℃下保温70分钟，表面电极化形成表面电极，得到压敏电阻基体芯片；(5).刷锡和焊接：在步骤4制得的压敏电阻基体芯片两端的表面电极上丝网印刷锡膏层，烘干、回流焊后，得到带两端电极的压敏电阻基体芯片模块；(6).包封：将步骤5中带两端电极的压敏电阻基体芯片模块环氧树脂包封、190℃固化2小时后，得到一种高能量型电涌保护器阀片。

技术总结
一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法，包括压敏电阻基体芯片，设置在与压敏电阻基体芯片两端面紧密连接的金属电极片、以及压敏电阻基体芯片外的环氧树脂包封层；压敏电阻基体芯片是由压敏电阻瓷体两端面的外边缘自由边以及侧面均设置有绝缘涂层，压敏电阻瓷体两端面无绝缘涂层处设置有腐蚀凹坑，以及在腐蚀凹坑上方设置有金属表面电极层；本发明将压敏电阻瓷体粘贴玻璃粉生胶带、高温回火、刻蚀、表面电极化、刷锡、焊接、环氧树脂包封后制造得到；本发明采用压敏电阻刻蚀技术，有效增加金属表面电极与压敏电阻瓷体的结合力，从而可以有效提升阀片的通流容量、能量耐受能力和工频耐受能力。能量耐受能力和工频耐受能力。能量耐受能力和工频耐受能力。


技术研发人员：宋彩利
受保护的技术使用者：西安石油大学
技术研发日：2022.04.25
技术公布日：2022/7/5