一种扇出型封装基板结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s10、提供asic芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对所述asic芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述asic芯片和所述核心元器件的塑封层；s20、在所述塑封层一侧制作第一线路结构；s30、在所述塑封层内制作导电柱以及在所述塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使所述第二线路结构通过所述导电柱与所述第一线路结构电连接，制得基板；s40、对所述基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。2.根据权利要求1所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤s10具体包括以下步骤：s10a、提供asic芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，将所述asic芯片和所述核心元器件倒装贴于载板上；s10b、对所述asic芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述asic芯片和所述核心元器件的塑封层。3.根据权利要求1所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤s20具体为：在所述塑封层远离所述载板的一侧制作图形化的第一线路层，即所述第一线路结构。4.根据权利要求3所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤s30具体包括以下步骤：s30a、拆键合，然后将所述第一线路层贴于载板上；s30b、在所述塑封层远离所述第一线路层的一侧制作第一绝缘层；s30c、对所述第一绝缘层和所述塑封层进行开孔处理，形成使所述asic芯片和所述核心元器件的i/o口外露的第一孔结构和使所述第一线路层部分外露的第二孔结构；s30d、在所述第一孔结构内制作第一连接柱、在所述第二孔结构内制作导电柱以及在所述第一绝缘层表面制作图形化的第二线路层，并使所述第一连接柱和所述导电柱分别与所述第二线路层电连接。5.根据权利要求4所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤s30还包括以下步骤：s30e、在所述第二线路层上制作第二绝缘层；s30f、对所述第二绝缘层进行开孔处理，形成使所述第二线路层部分外露的第三孔结构；s30g、在所述第三孔结构内制作第二连接柱以及在所述第二绝缘层表面制作图形化的第三线路层，并使所述第二线路层分别与所述第二连接柱和所述第三线路层电连接。6.根据权利要求5所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤s30还包括以下步骤：拆键合，然后在所述第一线路层上制作第一阻焊层以及在所述第三线路层上制作第二阻焊层；分别对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层进行开孔处理，使所述第一线路层的焊盘区和所述第三线路层的焊盘区外露。7.一种采用权利要求1～6任一项所述的制备方法制得的扇出型封装基板结构，其特征在于，包括基板和沿所述基板的厚度方向开设的声孔，所述基板包括：asic芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件；
塑封层，沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面，所述塑封层包裹所述asic芯片和所述核心元器件，且所述asic芯片和所述核心元器件的i/o口与所述塑封层的第一侧面平齐；第一线路结构，位于所述塑封层的第二侧面；导电柱，嵌于所述塑封层内并沿所述所述塑封层的厚度方向贯穿所述塑封层，所述导电柱的一端与所述第一线路结构电连接；第二线路结构，位于所述塑封层的第一侧面并与所述asic芯片和所述核心元器件的i/o口电连接。8.根据权利要求7所述的扇出型封装基板结构，其特征在于，所述第二线路结构包括相互电连接的第二线路层和第三线路层，所述第二线路层与所述asic芯片和所述核心元器件的i/o口电连接，所述第三线路层位于所述第二线路层远离所述塑封层的一侧，所述第三线路层的下方设有覆盖所述第二线路层和所述塑封层的绝缘层，所述导电柱延伸至所述绝缘层内与所述第二线路层电连接。9.根据权利要求8所述的扇出型封装基板结构，其特征在于，所述第二线路结构还包括第一连接柱和第二连接柱，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述塑封层与所述第二线路层之间，所述第一连接柱贯穿所述第一绝缘层并分别与所述第二线路层和asic芯片和所述核心元器件的i/o口电连接，所述导电柱一端穿过所述第一绝缘层于所述第二线路层电连接，所述第二绝缘层位于所述第三线路层的下方并覆盖所述第二线路层和所述第一绝缘层，所述第二连接柱贯穿所述第二绝缘层并分别与所述第二线路层和所述第三线路层电连接。10.根据权利要求8所述的扇出型封装基板结构，其特征在于，还包括第一阻焊层和第二阻焊层，所述第一阻焊层覆盖所述第一线路层，且所述第一线路层的焊盘区外露于所述第一阻焊层，所述第二阻焊层覆盖所述第三线路层，且所述第三线路层的焊盘区外露于所述第二阻焊层。

技术总结
本发明公开一种扇出型封装基板结构的制备方法，包括以下步骤：S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对ASIC芯片和核心元器件进行塑封，形成包覆ASIC芯片和核心元器件的塑封层；S20、在塑封层一侧制作第一线路结构；S30、在塑封层内制作导电柱以及在塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使第二线路结构通过导电柱与第一线路结构电连接，制得基板；S40、对基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。本发明通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板替代传统的PCB，以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品的使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。低生产成本。低生产成本。


技术研发人员：杨斌 崔成强 张鸿平 何键豪 刘宇 单欣
受保护的技术使用者：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
技术研发日：2022.03.24
技术公布日：2022/7/1