OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板与流程

oled显示面板的制作方法及oled显示面板
技术领域
1.本技术涉及显示领域，特别涉及一种oled显示面板的制作方法及oled显示面板。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示器具有主动发光、亮度高、对比度高、低功耗、宽视角、响应速度快、工作温度范围宽、轻薄等特性，在显示领域得到广泛应用。
3.现有的oled显示面板的制作方法中，在制备oled器件时通常采用蒸镀法结合掩膜版来制备图案化的发光层，在制备oled器件的封装结构时通常采用化学气相沉积法结合掩膜版来制备图案化的无机封装层。由于掩膜版本身存在制作偏差、对位偏差及热形变问题，因此会导致发光层和无机封装层等膜层的成膜位置与预设位置偏差较大等问题；并且掩膜版的成本较高，从而导致了oled显示面板的制作成本较高。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种oled显示面板的制作方法及oled显示面板，能够降低oled显示面板的制作成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
5.第一方面，本技术实施例提供一种oled显示面板的制作方法，包括：
6.提供驱动基板，所述驱动基板包括依次层叠设置的衬底、驱动层、阳极层以及像素定义层，其中，所述阳极层包括间隔设置的第一阳极、第二阳极以及第三阳极，所述像素定义层上设有间隔设置的第一开口、第二开口以及第三开口，所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口分别对应所述第一阳极、所述第二阳极以及所述第三阳极设置，以暴露出所述第一阳极、所述第二阳极以及所述第三阳极；
7.在所述阳极层和所述像素定义层上依次沉积第一发光材料层、第一导电层以及第一无机层；
8.在所述第一无机层上形成第一有机封装层，所述第一有机封装层与所述第一阳极对应设置；以所述第一有机封装层作为刻蚀阻挡层，对所述第一发光材料层、所述第一导电层以及所述第一无机层进行蚀刻处理，得到对应于所述第一阳极设置的第一发光层、第一阴极以及第一无机封装层；
9.在所述第一有机封装层、所述阳极层以及所述像素定义层上依次沉积第二发光材料层、第二导电层以及第二无机层；
10.在所述第二无机层上形成第二有机封装层，所述第二有机封装层与所述第二阳极对应设置；以所述第二有机封装层作为刻蚀阻挡层，对所述第二发光材料层、所述第二导电层以及所述第二无机层进行蚀刻处理，得到对应于所述第二阳极设置的第二发光层、第二阴极以及第二无机封装层；
11.在所述第一有机封装层、所述第二有机封装层、所述阳极层以及所述像素定义层
上依次沉积第三发光材料层、第三导电层以及第三无机层；其中，第一发光材料层、第二发光材料层、第三发光材料层的发光颜色各不相同；
12.在所述第三无机层上形成第三有机封装层，所述第三有机封装层与所述第三阳极对应设置；以所述第三有机封装层作为刻蚀阻挡层，对所述第三发光材料层、所述第三导电层以及所述第三无机层进行蚀刻处理，得到对应于所述第三阳极设置的第三发光层、第三阴极以及第三无机封装层，得到oled显示面板。
13.在一些实施例中，采用喷墨打印的方法在所述第一无机层上形成第一有机封装层，采用喷墨打印的方法在所述第二无机层上形成第二有机封装层，采用喷墨打印的方法在所述第三无机层上形成第三有机封装层。
14.在一些实施例中，所述第一有机封装层的材料、所述第二有机封装层的材料以及所述第三有机封装层的材料各自包括聚甲基丙烯酸甲酯和环氧树脂中的一种或多种。
15.在一些实施例中，采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第一发光材料层、第二发光材料层以及第三发光材料层。
16.在一些实施例中，采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第一导电层、第二导电层以及第三导电层。
17.在一些实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积、溅镀或原子层沉积的方式制备第一无机层、第二无机层以及第三无机层。
18.在一些实施例中，所述第一无机层、所述第二无机层以及所述第三无机层的材料各自包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
19.在一些实施例中，在得到对应于所述第三阳极设置的第三发光层、第三阴极以及第三无机封装层之后，在所述第一有机封装层、所述第二有机封装层、所述第三有机封装层以及所述像素定义层上形成第四无机封装层。
20.在一些实施例中，所述第四无机封装层的材料包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
21.第二方面，本技术实施例提供一种oled显示面板，包括：
22.衬底；
23.驱动层，设于所述衬底的一侧；
24.第一oled器件，设于所述驱动层远离所述衬底的一侧，所述第一oled器件包括依次层叠设置的第一阳极、第一发光层和第一阴极；
25.第二oled器件，设于所述驱动层远离所述衬底的一侧，所述第二oled器件包括依次层叠设置的第二阳极、第二发光层和第二阴极；
26.第三oled器件，设于所述驱动层远离所述衬底的一侧，所述第三oled器件包括依次层叠设置的第三阳极、第三发光层和第三阴极；其中，第一发光层、第二发光层、第三发光层的发光颜色各不相同；
27.像素定义层，设于所述驱动层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层设于所述第一oled器件、所述第二oled器件以及所述第三oled器件的间隔区域内；
28.第一封装结构，所述第一封装结构设于所述第一oled器件远离所述驱动层的一侧，所述第一封装结构包括层叠设置的第一无机封装层和第一有机封装层；
29.第二封装结构，所述第二封装结构设于所述第二oled器件远离所述驱动层的一
侧，所述第二封装结构包括层叠设置的第二无机封装层和第二有机封装层；
30.第三封装结构，所述第三封装结构设于所述第三oled器件远离所述驱动层的一侧，所述第三封装结构包括层叠设置的第三无机封装层和第三有机封装层。
31.在一些实施例中，所述第一无机封装层、所述第二无机封装层以及所述第三无机封装层的材料各自包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
32.在一些实施例中，所述第一有机封装层的材料、所述第二有机封装层的材料以及所述第三有机封装层的材料各自包括聚甲基丙烯酸甲酯和环氧树脂中的一种或多种。
33.在一些实施例中，所述oled显示面板还包括第四无机封装层，所述第四无机封装层设置于所述第一有机封装层、所述第二有机封装层、所述第三有机封装层以及所述像素定义层上远离所述驱动层的一侧。
34.在一些实施例中，所述第四无机封装层的材料包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
35.本技术实施例提供的oled显示面板的制作方法，通过以第一有机封装层作为刻蚀阻挡层，对第一发光材料层、第一导电层以及第一无机层进行蚀刻处理，得到第一发光层、第一阴极以及第一无机封装层；以第二有机封装层作为刻蚀阻挡层，对第二发光材料层、第二导电层以及第二无机层进行蚀刻处理，得到第二发光层、第二阴极以及第二无机封装层；以第三有机封装层作为刻蚀阻挡层，对第三发光材料层、第三导电层以及第三无机层进行蚀刻处理，得到第三发光层、第三阴极以及第三无机封装层；也即是说，本技术实施例在制备第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一阴极、第二阴极、第三阴极、第一无机封装层、第二无机封装层以及第三无机封装层的过程中均未使用掩膜版，从而能够降低oled显示面板的制作成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1为本技术实施例提供的oled显示面板的制作方法的流程图。
38.图2为本技术实施例提供的驱动基板的结构示意图。
39.图3为本技术实施例提供的沉积有第一发光材料层、第一导电层以及第一无机层的示意图。
40.图4为本技术实施例提供的在第一无机层上形成有第一有机封装层的示意图。
41.图5为本技术实施例提供的对第一发光材料层、第一导电层以及第一无机层进行蚀刻后的示意图。
42.图6为本技术实施例提供的沉积有第二发光材料层、第二导电层以及第二无机层的示意图。
43.图7为本技术实施例提供的在第二无机层上形成有第二有机封装层的示意图。
44.图8为本技术实施例提供的对第二发光材料层、第二导电层以及第二无机层进行蚀刻后的示意图。
45.图9为本技术实施例提供的沉积有第三发光材料层、第三导电层以及第三无机层的示意图。
46.图10为本技术实施例提供的在第三无机层上形成有第三有机封装层的示意图。
47.图11为本技术实施例提供的对第三发光材料层、第三导电层以及第三无机层进行蚀刻后的示意图，并示出相应的oled显示面板的结构。
48.图12为本技术实施例提供的制备第四无机封装层后的示意图，并示出相应的oled显示面板的结构。
具体实施方式
49.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
50.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的oled显示面板的制作方法的流程图。本技术实施例提供一种oled显示面板的制作方法，包括：
51.s100，请参阅图2，提供驱动基板10，驱动基板10包括依次层叠设置的衬底111、驱动层112、阳极层以及像素定义层20，其中，阳极层包括间隔设置的第一阳极11、第二阳极12以及第三阳极13，像素定义层20上设有间隔设置的第一开口21、第二开口22以及第三开口23，第一开口21、第二开口22以及第三开口23分别对应第一阳极11、第二阳极12以及第三阳极13设置，以暴露出第一阳极11、第二阳极12以及第三阳极13。
52.示例性，衬底111可以为刚性基板或柔性基板，刚性基板的材料可以为玻璃，柔性基板的材料可以为聚酰亚胺等聚合物材料。
53.示例性，驱动层112可以包括多个薄膜晶体管(tft，thin film transistor)，从而可以采用tft对oled器件进行驱动。
54.示例性地，阳极的材料为导电金属氧化物，例如氧化铟锡(ito，indium tin oxide)等。
55.s200，请参阅图3，在阳极层和像素定义层20上依次沉积第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33。
56.可以理解的是，第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33均为整面制备，不需要使用掩膜版。
57.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第一发光材料层31。
58.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第一导电层32。
59.示例性地，第一导电层32的材料可以均为金属。在一些实施例中，第一导电层32可以为单层结构，单层结构的材料可以为镁银合金。在另一些实施例中，第一导电层32可以为双层结构，双层结构可以包括银层和氧化铟锌(izo，indium zinc oxide)层。
60.示例性地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、溅镀(sputter)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)等方法制备第一无机层33。
61.示例性地，第一无机层33的材料可以为氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)以及氮氧化硅
(sio
x
ny)中的一种或多种。
62.s300，请参阅图4，在第一无机层33上形成第一有机封装层41，第一有机封装层41与第一阳极11对应设置；请参阅图5，将第一有机封装层41作为刻蚀阻挡层，对第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33进行蚀刻处理，得到对应于第一阳极11设置的第一发光层311、第一阴极321以及第一无机封装层331。
63.可以理解的是，通过采用第一有机封装层41作为刻蚀阻挡层，对第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33进行蚀刻处理，相当于在第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33的图形化处理过程中省去了掩膜版的使用，从而可以节约生产成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
64.示例性地，可以采用喷墨打印的方法在第一无机层33上形成第一有机封装层41。可以理解的是，通过在喷墨打印机中设定程序，可以直接在设定区域形成图案化的第一有机封装层41。
65.示例性地，第一有机封装层41的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和环氧树脂中的一种或多种。
66.示例性地，可以采用干蚀刻、湿蚀刻或者干蚀刻和湿蚀刻结合的方法对第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33进行蚀刻处理。
67.s400，请参阅图6，在第一有机封装层41、阳极层以及像素定义层20上依次沉积第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53。
68.可以理解的是，第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53均为整面制备，不需要使用掩膜版。
69.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第二发光材料层51。
70.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第二导电层52。
71.示例性地，第二导电层52的材料可以均为金属。在一些实施例中，第二导电层52可以为单层结构，单层结构的材料可以为镁银合金。在另一些实施例中，第二导电层52可以为双层结构，双层结构可以包括银层和izo(氧化铟锌)层。
72.示例性地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、溅镀(sputter)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)等方法制备第二无机层53。
73.示例性地，第二无机层53的材料可以为氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)中的一种或多种。
74.s500，请参阅图7，在第二无机层53上形成第二有机封装层42，第二有机封装层42与第二阳极12对应设置；请参阅图8，将第二有机封装层42作为刻蚀阻挡层，对第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53进行蚀刻处理，得到对应于第二阳极12设置的第二发光层511、第二阴极521以及第二无机封装层531。
75.可以理解的是，通过采用第二有机封装层42作为刻蚀阻挡层，对第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53进行蚀刻处理，相当于在第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53的图形化处理过程中省去了掩膜版的使用，从而可以节约生产成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
76.示例性地，可以采用喷墨打印的方法在第二无机层53上形成第二有机封装层42。
可以理解的是，通过在喷墨打印机中设定程序，可以直接在设定区域形成图案化的第二有机封装层42。
77.示例性地，第二有机封装层42的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和环氧树脂中的一种或多种。
78.示例性地，可以采用干蚀刻、湿蚀刻或者干蚀刻和湿蚀刻结合的方法对第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53进行蚀刻处理。
79.s600，请参阅图9，在第一有机封装层41、第二有机封装层42、阳极层以及像素定义层20上依次沉积第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63；其中，第一发光材料层31、第二发光材料层51、第三发光材料层61的发光颜色各不相同。
80.可以理解的是，第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63均为整面制备，不需要使用掩膜版。
81.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第三发光材料层61。
82.示例性，可以采用蒸镀、涂布或打印的方式制备第三导电层62。
83.示例性地，第三导电层62的材料可以均为金属。在一些实施例中，第三导电层62可以为单层结构，单层结构的材料可以为镁银合金。在另一些实施例中，第三导电层62可以为双层结构，双层结构可以包括银层和izo(氧化铟锌)层。
84.示例性地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、溅镀(sputter)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)等方法制备第三无机层63。
85.示例性地，第三无机层63的材料可以为氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)中的一种或多种。
86.示例性地，第一发光材料层31、第二发光材料层51、第三发光材料层61的发光颜色可以各自为红色、绿色、蓝色中的一种。
87.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为红色，第二发光材料层51的发光颜色可以为绿色，第三发光材料层61的发光颜色可以为蓝色。
88.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为红色，第二发光材料层51的发光颜色可以为蓝色，第三发光材料层61的发光颜色可以为绿色。
89.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为绿色，第二发光材料层51的发光颜色可以为红色，第三发光材料层61的发光颜色可以为蓝色。
90.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为绿色，第二发光材料层51的发光颜色可以为蓝色，第三发光材料层61的发光颜色可以为红色。
91.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为蓝色，第二发光材料层51的发光颜色可以为红色，第三发光材料层61的发光颜色可以为绿色。
92.在一些实施例中，第一发光材料层31的发光颜色可以为蓝色，第二发光材料层51的发光颜色可以为绿色，第三发光材料层61的发光颜色可以为红色。
93.本技术实施例中，第一发光材料层31、第二发光材料层51以及第三发光材料层61均为本领域的常规材料，此处不再赘述，例如，当第一发光材料层31、第二发光材料层51、第三发光材料层61的发光颜色分别为红色、绿色、蓝色时，第一发光材料层31、第二发光材料层51、第三发光材料层61各自的材料分别为红色发光材料、绿色发光材料以及蓝色发光材
料。
94.s700，请参阅图10，在第三无机层63上形成第三有机封装层43，第三有机封装层43与第三阳极13对应设置；请参阅图11，将第三有机封装层43作为刻蚀阻挡层，对第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63进行蚀刻处理，得到对应于第三阳极13设置的第三发光层611、第三阴极621以及第三无机封装层631，得到oled显示面板100。
95.可以理解的是，通过采用第三有机封装层43作为刻蚀阻挡层，对第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63进行蚀刻处理，相当于在第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63的图形化处理过程中省去了掩膜版的使用，从而可以节约生产成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
96.示例性地，可以采用喷墨打印的方法在第三无机层63上形成第三有机封装层43。可以理解的是，通过在喷墨打印机中设定程序，可以直接在设定区域形成图案化的第三有机封装层43。
97.示例性地，第三有机封装层43的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和环氧树脂中的一种或多种。
98.示例性地，可以采用干蚀刻、湿蚀刻或者干蚀刻和湿蚀刻结合的方法对第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63进行蚀刻处理。
99.请参阅图12，步骤s700中，在得到对应于第三阳极13设置的第三发光层611、第三阴极621以及第三无机封装层631之后，还可以在第一有机封装层41、第二有机封装层42、第三有机封装层43以及像素定义层20上形成第四无机封装层70。
100.可以理解的是，第四无机封装层70为整面制备，不需要使用掩膜版。
101.示例性地，第四无机封装层70的材料包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)中的一种或多种。
102.可以理解的是，通过设置第四无机封装层70，可以在采用第一无机封装层331与第一有机封装层41对第一oled器件进行封装保护，采用第二无机封装层531与第二有机封装层42对第二oled器件进行封装保护，以及采用第三无机封装层631与第三有机封装层43对第三oled器件进行封装保护的基础上，利用第四无机封装层70对第一oled器件、第二oled器件、第三oled器件增加一重保护，进一步阻隔水氧对第一oled器件、第二oled器件、第三oled器件的侵袭。
103.示例性地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、溅镀(sputter)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)等工艺制备第四无机封装层70。
104.可以理解的是，本技术实施例制备的oled显示面板100中，层叠设置的第一阳极11、第一发光层311、第一阴极321可以共同构成第一oled器件，层叠设置的第一无机封装层331与第一有机封装层41共同构成第一oled器件的封装结构；
105.层叠设置的第二阳极12、第二发光层511、第二阴极521可以共同构成第二oled器件，层叠设置的第二无机封装层531与第二有机封装层42共同构成第二oled器件的封装结构；
106.层叠设置的第三阳极13、第三发光层611、第三阴极621可以共同构成第三oled器件，层叠设置的第三无机封装层631与第三有机封装层43共同构成第三oled器件的封装结
构；
107.当第一发光层311、第二发光层511、第三发光层611的发光颜色分别为红色、绿色、蓝色时，第一oled器件、第二oled器件、第三oled器件分别为发射红光、绿光、蓝光的oled器件，通过红光、绿光、蓝光的组合，可以形成oled显示面板100的彩色画面。
108.综上所述，本技术实施例提供的oled显示面板的制作方法，通过以第一有机封装层41作为刻蚀阻挡层，对第一发光材料层31、第一导电层32以及第一无机层33进行蚀刻处理，得到第一发光层311、第一阴极321以及第一无机封装层331；以第二有机封装层42作为刻蚀阻挡层，对第二发光材料层51、第二导电层52以及第二无机层53进行蚀刻处理，得到第二发光层511、第二阴极521以及第二无机封装层531；以第三有机封装层43作为刻蚀阻挡层，对第三发光材料层61、第三导电层62以及第三无机层63进行蚀刻处理，得到第三发光层611、第三阴极621以及第三无机封装层631；也即是说，本技术实施例在制备第一发光层311、第二发光层511、第三发光层611、第一阴极321、第二阴极521、第三阴极621、第一无机封装层331、第二无机封装层531以及第三无机封装层631的过程中均未使用掩膜版，从而能够降低oled显示面板100的制作成本，并且避免了采用掩膜版导致的膜层成膜位置与预设位置偏差较大等问题。
109.现有的oled显示面板的制作方法中，由于使用掩膜版，不仅会带来生产成本较高以及膜层成膜位置有偏差的问题，还会因为掩膜版本身携带异物颗粒以及掩膜版与基板碰撞摩擦时产生颗粒物，从而会导致在oled显示面板中引入异物颗粒的问题，另外，掩膜版与基板碰撞摩擦时还容易导致基板被划伤，导致oled显示面板的生产良率降低。此外，由于采用掩膜版进行蒸镀时，蒸镀材料容易从掩膜版的缝隙处进行扩散，导致显示面板的边缘区域本来不应该镀上膜层的区域也被镀上膜层，为避免这部分区域影响显示效果，需要对这部分区域进行遮挡，因此不利于实现oled显示面板的窄边框设计。本技术实施例通过在oled显示面板的制作方法中省去了掩膜版的使用，可以避免在oled显示面板中引入异物颗粒的问题，同时避免了oled显示面板被掩膜版划伤的问题，提高了生产良率，另外，还有利于实现oled显示面板的窄边框设计。
110.请结合图11与图12，本技术实施例还提供一种oled显示面板100，oled显示面板100可以采用上述任一实施例中的oled显示面板的制作方法制得，oled显示面板100可以包括衬底111、驱动层112、第一oled器件、第二oled器件、第三oled器件、像素定义层20、第一封装结构、第二封装结构以及第三封装结构。
111.驱动层112设于衬底111的一侧；第一oled器件设于驱动层112远离衬底111的一侧，第一oled器件包括依次层叠设置的第一阳极11、第一发光层311和第一阴极321；第二oled器件设于驱动层112远离衬底111的一侧，第二oled器件包括依次层叠设置的第二阳极12、第二发光层511和第二阴极521；第三oled器件设于驱动层112远离衬底111的一侧，第三oled器件包括依次层叠设置的第三阳极13、第三发光层611和第三阴极621；其中，第一发光层311、第二发光层511、第三发光层611的发光颜色各不相同。
112.像素定义层20设于驱动层112远离衬底111的一侧，像素定义层20设于第一oled器件、第二oled器件以及第三oled器件的间隔区域内。
113.第一封装结构设于第一oled器件远离驱动层112的一侧，第一封装结构包括层叠设置的第一无机封装层331和第一有机封装层41。
114.第二封装结构设于第二oled器件远离驱动层112的一侧，第二封装结构包括层叠设置的第二无机封装层531和第二有机封装层42。
115.第三封装结构设于第三oled器件远离驱动层112的一侧，第三封装结构包括层叠设置的第三无机封装层631和第三有机封装层43。
116.示例性地，第一发光层311、第二发光层511、第三发光层611的发光颜色可以各自为红色、绿色、蓝色中的一种。
117.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为红色，第二发光层511的发光颜色可以为绿色，第三发光层611的发光颜色可以为蓝色。
118.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为红色，第二发光层511的发光颜色可以为蓝色，第三发光层611的发光颜色可以为绿色。
119.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为绿色，第二发光层511的发光颜色可以为红色，第三发光层611的发光颜色可以为蓝色。
120.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为绿色，第二发光层511的发光颜色可以为蓝色，第三发光层611的发光颜色可以为红色。
121.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为蓝色，第二发光层511的发光颜色可以为红色，第三发光层611的发光颜色可以为绿色。
122.在一些实施例中，第一发光层311的发光颜色可以为蓝色，第二发光层511的发光颜色可以为绿色，第三发光层611的发光颜色可以为红色。
123.示例性地，第一无机封装层331、第二无机封装层531以及第三无机封装层631的材料可以各自包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
124.示例性地，第一有机封装层41的材料、第二有机封装层42的材料以及第三有机封装层43的材料各自包括聚甲基丙烯酸甲酯和环氧树脂中的一种或多种。
125.请结合图12，oled显示面板100还可以包括第四无机封装层70，第四无机封装层70设置于第一有机封装层41、第二有机封装层42、第三有机封装层43以及像素定义层20上远离驱动层112的一侧。
126.示例性地，第四无机封装层70的材料可以包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。
127.以上对本技术实施例提供的oled显示面板的制作方法及oled显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术。同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。