形成半导体装置的方法与流程

技术特征：
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：产生具有多个主图案集的一原始布局；在一微影系统的一光瞳面上模拟该原始布局的一第一能量分布，其中该第一能量分布具有一第一波前；通过在该原始布局的未由该些主图案集占据的多个区域中插入多个虚设图案集来产生一第一经修改布局；在一微影系统的一光瞳面上模拟该第一经修改布局的一第二能量分布；判定该经模拟第二能量分布的一第二波前是否比该第一能量分布的该第一波前更均匀；及因应于该经模拟第二能量分布的第二波前被判定为比该第一能量分布的该第一波前更均匀，使用具有该第一经修改布局的一第一光罩执行一第一微影制程。2.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：判定该经模拟第一能量分布的该第一波前是否具有一不均匀波前，其中因应于该第一波前被判定为不均匀，执行产生该第一经修改布局。3.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：因应于该经模拟第二能量分布的该第二波前被判定为比该第一能量分布的该第一波前更不均匀，通过改变该第一经修改布局中的该些虚设图案集的多个数目或多个位置来产生一第二经修改布局；在该微影系统的该光瞳面上模拟该第二经修改布局的一第三能量分布；判定该经模拟第三能量分布的一第三波前是否比该经模拟第二能量分布的该第二波前更均匀；及因应于该第三能量分布被判定为比该经模拟第二能量分布的该第二波前更均匀，使用具有该第三经修改布局的一第二光罩执行一第二微影制程。4.如权利要求3所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，在不改变该第一经修改布局中的该些主图案集的情况下产生该第二经修改布局。5.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该微影系统为一极紫外光辐射微影系统，且在该微影系统的该光瞳面上模拟该第一经修改布局的该第二能量分布包含以下步骤：通过将一马克斯尔方程式应用于该第一经修改布局的一图案来计算一近场光分布；及对该近场光分布执行一傅立叶转换。6.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：产生具有多个主图案集的一原始布局；通过在该原始布局的未由该些主图案集占据的多个区域中插入多个虚设图案集来产生一第一经修改布局，其中多个虚设图案集中的各者包含多个线型图案，且该些虚设图案集中的一第一集合的该些线型图案在线宽度或线节距上不同于该些虚设图案集中的一第二集合的该些线型图案；在一微影系统中使用该第一经修改布局时，基于该第一经修改布局模拟一临界尺寸均匀性；判定该经模拟临界尺寸均匀性是否满足一预定规范；及
因应于该经模拟临界尺寸均匀性被判定为满足该预定规范，通过使用具有该第一经修改布局的一第一光罩来图案化一导电层，以将该第一经修改布局的该些主图案集及该些虚设图案集转移至该导电层。7.如权利要求6所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，模拟该临界尺寸均匀性的步骤包含以下步骤：计算一微影系统的该光瞳面上该第一经修改布局的一能量分布；及使用该第一经修改布局的该能量分布模拟该临界尺寸均匀性。8.如权利要求6所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：因应于该经模拟临界尺寸均匀性被判定为不满足该预定规范，通过改变该第一经修改布局中该些虚设图案集的该些线型图案的多个线宽度或多个线节距来产生一第二经修改布局。9.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：产生具有多个主图案集的一原始布局；通过在该原始布局的未由该些主图案集占据的多个区域中插入多个虚设图案集来产生一经修改布局，使得该经修改布局的一图案密度大于该原始布局的一图案密度；在一基板上方形成一晶体管；在一基板上方形成一导电层；及通过使用具有该经修改布局的一光罩图案化该导电层，以将该经修改布局的该些主图案集及该些虚设图案集转移至该导电层，其中该经图案化导电层的该些主图案集电连接至该晶体管，且该经图案化导电层的该些虚设图案集为电浮动的。10.如权利要求9所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：使用一化学机械研磨制程研磨该经图案化导电层，使得该经图案化导电层的该些虚设图案集的多个顶表面与该经图案化导电层的该些主图案集的多个顶表面共面。

技术总结
一种形成半导体装置的方法，其包含产生具有主图案集的原始布局；在微影系统的光瞳面上模拟原始布局的第一能量分布，其中第一能量分布具有第一波前；通过在原始布局的未由主图案集占据的区域中插入虚设图案集来产生第一经修改布局；在微影系统的光瞳面上模拟第一经修改布局的第二能量分布；判定经模拟第二能量分布的第二波前是否比第一能量分布的第一波前更均匀；以及因应于经模拟第二能量分布的第二波前被判定为比第一能量分布的第一波前更均匀，使用具有第一经修改布局的第一光罩执行第一微影制程。一微影制程。一微影制程。


技术研发人员：王圣闵 谢艮轩
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.12
技术公布日：2022/7/1