一种无磁陶瓷封装体的制作方法

一种无磁陶瓷封装体
【技术领域】
1.本实用新型涉及一种无磁陶瓷封装体。


背景技术：

2.现有电流电压传感器基本采用塑封小外形封装(如psop08、soic08等)，芯片压点通过金属丝与铜或铜合金引线框架键合形成互联，或者倒扣于引线框架上形成互联，然后采用环氧塑封料(emc)包封料，受限于环氧塑封料(emc)包封料玻璃转化温度以及铜引线框架、硅芯片等热膨胀系数失配而使键合引线抗温变应力及次数相对短而使用温度相对于气密性陶瓷封装的要低，使用可靠性相对弱；并且现有的封装体上带有磁性，使得在芯片工作时产生干扰，降低了器件的精度，影响芯片的正常发挥，针对上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种无磁陶瓷封装体，使得降低了热耗散功率，并保证了芯片与电流通路能够贴近而保证电流传感的精度。
4.本实用新型是这样实现的：一种无磁陶瓷封装体，用于封装芯片，包括陶瓷体以及盖板，所述陶瓷体与盖板连接；
5.所述陶瓷体内侧底面设有通电导体以及多个内金属焊盘；所述陶瓷体上设有多个金属连接件以及两个电极，所述陶瓷体底部设有多个外金属焊盘；
6.两个所述电极均连接至所述通电导体，所述电极的截面图为凸字形；
7.所述内金属焊盘通过所述金属连接件连接至所述外金属焊盘，所述内金属焊盘的个数、金属连接件的个数以及外金属焊盘的个数均相等。
8.进一步地，所述通电导体侧面上设有多个对准凸起；所述对准凸起关于所述通电导体中线左右对称。
9.进一步地，所述陶瓷体上设有封接环，所述陶瓷体通过所述封接环连接至盖板。
10.进一步地，所述盖板包括第一合金内层以及第一无磁镀层。
11.进一步地，还包括多个引出端，所述引出端连接至所述外金属焊盘。
12.进一步地，所述引出端包括第二合金内层以及第二无磁镀层。
13.进一步地，每个所述电极包括第三合金内层以及第三无磁镀层。
14.进一步地，所述通电导体包括第四合金内层以及第四无磁镀层。
15.本实用新型的优点在于：本实用新型的一种无磁陶瓷封装体，使得降低了热耗散功率，并保证了芯片与电流通路能够贴近而保证电流传感的精度；并且通过合金内层与无磁镀层，使得陶瓷封装体整个的磁性大大降低至可以忽略，保证了芯片的运行精度，使其功能得到全部发挥；通过设置对准凸起，使得通电导体位于陶瓷封装体的设定位置，在芯片倒扣之后，使得霍尔板与通电导体的相对位置得到控制，使得霍尔板处于通电导体的电流通路中心区域，使得霍尔板可以灵敏的检测到通电导体中的电磁场。
【附图说明】
16.下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
17.图1是本实用新型一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的俯视图。
18.图2是图1中a-a剖视图。
19.图3是本实用新型一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的仰视图。
20.图4是本实用新型一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的封装芯片后的剖视图。
21.图5是本实用新型一种无磁陶瓷封装体封装后的侧视图。
22.图6是本实用新型一种无磁陶瓷封装体封装后的俯视图。
23.图7是本实用新型中引出端或者金属连接件的剖视图。
24.图8是本实用新型中盖板的剖视图。
25.图9是本实用新型中电极的剖视图。
【具体实施方式】
26.请参阅图1至图9所示，本实用新型的一种无磁陶瓷封装体，用于封装芯片a，包括陶瓷体1以及盖板2，所述陶瓷体1与盖板2连接；
27.所述陶瓷体1上设有腔体11，所述腔体11用于放置芯片a，所述陶瓷体1内侧底面设有通电导体12以及多个内金属焊盘13，所述内金属焊盘13穿过陶瓷体1底面；所述陶瓷体1上设有多个金属连接件14以及两个电极15，所述陶瓷体1底部设有多个外金属焊盘16；所述通电导体12与内金属焊盘13共面；
28.两个所述电极15均连接至所述通电导体12，所述电极15的截面图为凸字形；
29.所述内金属焊盘13通过所述金属连接件14连接至所述外金属焊盘16，所述内金属焊盘13的个数、金属连接件14的个数以及外金属焊盘16的个数均相等；通过上述的设置，使得整个陶瓷体1可以很好的散热，并且保证无磁性；所述通电导体12侧面上设有多个对准凸起121，所述对准凸起121关于所述通电导体12的中线b左右对称。
30.在本实用新型的另一个实施例中，所述陶瓷体1上设有封接环17，所述陶瓷体1通过所述封接环17连接至盖板2，通过银铜钎料、铜钎料或者银钎料等无磁钎料进行钎焊密封，使得腔体11密封，所述盖板2包括第一合金内层21以及第一无磁镀层22；所述第一合金内层21可以是4j80金属、4j78金属或4j82金属等等；所述第一无磁镀层22为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得盖板2的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得盖板2的材料选材上更加广阔。
31.在本实用新型的另一个实施例中，还包括多个引出端3，所述引出端3连接至所述外金属焊盘16，所述引出端3包括第二合金内层31以及第二无磁镀层32；所述第二合金内层31可以是4j80金属、4j78金属或4j82金属等等；所述第二无磁镀层32为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得引出端3的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得引出端3的材料选材上更加广阔。
32.在本实用新型的另一个实施例中，每个所述电极15包括第三合金内层151以及第三无磁镀层152；所述第三合金内层151可以是4j80金属、4j78金属或4j82金属等等；所述第三无磁镀层152为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得电极15的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得电极15的材料选材上更加广阔。
33.在本实用新型的另一个实施例中，所述通电导体12包括第四合金内层(图中未示)以及第四无磁镀层(图中未示)；所述第四合金内层可以是4j80金属、4j78金属或4j82金属等等；所述第四无磁镀层为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得通电导体12的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得通电导体12的材料选材上更加广阔。
34.无磁陶瓷封装体的工作原理：芯片与无磁陶瓷封装体的互联采用倒扣焊(即fc)。无磁陶瓷封装体芯腔中钎焊有通电导体12、内金属焊盘13，芯片a上的压点上带有sac305等焊料凸点，芯片a倒扣在无磁陶瓷封装体腔体11内，经过高温回流(通常采用无助焊剂的焊接工艺)，实现芯片a压点与无磁陶瓷封装体的焊盘互联，这时倒扣着的芯片a的霍尔板区刚好是绕着通电导体12，通电导体12中流过电流形成的电磁场就能被霍尔板很好地检测到，之后在腔体11内充入填充胶4。最后采用au80sn20焊环将盖板2密封起来；当然也可以采用盖板平行缝焊，但需要在封口区钎焊封接环17。
35.虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。