一种易于集成的D-Mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路的制作方法

技术特征：
1.一种易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，包括d-mode氮化镓功率管和与所述d-mode氮化镓功率管串联的第一常闭型功率管，其特征在于：所述d-mode氮化镓功率管的栅极与所述第一常闭型功率管的源极连接，所述d-mode氮化镓功率管的源极与所述第一常闭型功率管的漏极极连接，所述第一常闭型功率管的栅极为驱动信号输入端，所述d-mode氮化镓功率管的漏极为开关连接端。2.如权利要求1所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：还包括与所述第一常闭型功率管呈电流镜像的第二常闭型功率管，即所述第一常闭型功率管的栅极与所述第二常闭型功率管的栅极连接，所述第一常闭型功率管的源极与所述第二常闭型功率管的源极连接，所述第一常闭型功率管的漏极与所述第二常闭型功率管的漏极连接。3.如权利要求2所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：还包括一电阻，所述电阻的一端连接于所述第二常闭型功率管的源极，另一端连接于所述第一常闭型功率管的源极。4.如权利要求3所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述第一常闭型功率管的源极接地。5.如权利要求2所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述第一常闭型功率管和所述第二常闭型功率管为硅ld mos。6.如权利要求3所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述电阻的取值范围为10
ω
~1m
ω
。7.如权利要求5所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述第一常闭型功率管和所述第二常闭型功率管集成到驱动芯片内。8.如权利要求7所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述驱动芯片还集成有驱动放大器，所述驱动放大器的输出端连接所述驱动信号输入端。9.如权利要求8所述的易于集成的d-mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其特征在于：所述驱动芯片还集成有pwm发生器，所述pwm发生器的输出端连接所述驱动放大器的输入端。

技术总结
本实用新型提供一种易于集成的D-Mode氮化镓功率管的驱动及电流检测电路，其包括D-Mode氮化镓功率管和与所述D-Mode氮化镓功率管串联的第一常闭型功率管，所述D-Mode氮化镓功率管的栅极与所述第一常闭型功率管的源极连接，所述D-Mode氮化镓功率管的源极与所述第一常闭型功率管的漏极极连接，所述第一常闭型功率管的栅极为驱动信号输入端，所述D-Mode氮化镓功率管的漏极为开关连接端。本实用新型将难受控的D-Mode氮化镓功率管转变为易受控的硅LD MOS进行控制，控制简单，同时大大拓宽了栅极的驱动电压范围；成电流镜像的第一常闭型功率管和第二常闭型功率管可以集成到芯片里面，构成D-Mode氮化镓功率管的驱动芯片，提高了系统集成度；省掉了主路电流检测电阻，减小了主路电阻损耗。了主路电阻损耗。了主路电阻损耗。


技术研发人员：江辉华 甘戈 李瑛 吴小虎
受保护的技术使用者：钰泰半导体股份有限公司
技术研发日：2022.05.31
技术公布日：2022/6/30